内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法
【专利摘要】本发明涉及一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法，包括表面包覆玻璃层的硅晶片、焊锡盘以及导电框架；所述导电框架包括若干引脚和散热片，所述硅晶片中的各个焊盘分别键合对应的引脚，所述硅晶片、导电框架以及引脚通过树脂封装，所述引脚的外引脚部分从所述树脂封装的侧面暴露；所述硅晶片通过焊锡盘固定在所述导电框架的上表面，且所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装，所述树脂为高导热树脂，其导热率为1.9至3，本发明通过使用高导热树脂将散热片密封封装，同时保证了产品是绝缘产品，并且具备良好的导热性能，不容易出现故障，适用范围广泛，且成本低廉。
【专利说明】内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及硅晶片的封装领域，特别是一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件(semiconductor device)通常可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
[0003]半导体器件，绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C (U3) I等系统中已得到广泛的应用。
[0004]封装时主要考虑的因素:
[0005]1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1:1;
[0006]2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
[0007]3、基于散热的要求，封装越薄越好。
[0008]封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB (印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
[0009]封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。采用的CPU封装多是用绝缘的塑料或陶瓷材料包装起来，能起着密封和提高芯片电热性能的作用。由于现在处理器芯片的内频越来越高，功能越来越强，引脚数越来越多，封装的外形也不断在改变。
[0010]FP (flat package)即扁平封装。表面贴装型封装之一。FP也是QFP或SOP的别称。
[0011]QFP，这种技术的中文含义叫方型扁平式封装技术(Plas t ic Quad FlatPackage)，该技术实现的CPU芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。该技术封装CPU时操作方便，可靠性高；而且其封装外形尺寸较小，寄生参数减小，适合高频应用；该技术主要适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线。
[0012]SOP (Small Outline Package):1968至1969年之间菲利浦公司就开发出小外形封装(S0P).以后逐渐派生出SOJ (J型引脚小外形封装)、TS0P (薄小外形封装)、VS0P (甚小外形封装)、SSOP (缩小型SOP)、TSSOP (薄的缩小型S0P)及SOT (小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。
[0013]常见的封装材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装。
[0014]按封装形式分:普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。
[0015]按封装体积大小排列分:最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。
[0016]按两引脚之间的间距分:普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为
2.54±0.25mm,其次有2mm(多见于单列直插式)、1.778±0.25mm(多见于缩型双列直插式)、
1.5±0.25_，或1.27±0.25mm (多见于单列附散热片或单列V型)、1.27±0.25mm (多见于双列扁平封装)、1±0.15mm (多见于双列或四列扁平封装)、0.8±0.05?0.15mm (多见于四列扁平封装)、0.65±0.03mm (多见于四列扁平封装)。
[0017]按双列直插式两列引脚之间的宽度分:一般有7.4?7.62mm> 10.16mm> 12.7mm、
15.24mm等数种。
[0018]按双列扁平封装两列之间的宽度分(包括引线长度):一般有6?6.5±mm、7.6mm、
10.5 ?10.65mm 等。
[0019]按四列扁平封装40引脚以上的长X宽一般有:10X10mm (不计引线长度)、13.6X13.6±0.4mm (包括引线长度)、20.6X20.6±0.4mm (包括引线长度)、
8.45X8.45±0.5mm (不计引线长度)、14X 14±0.15mm (不计引线长度)等。
[0020]图1示出现有技术的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的结构示意图。如图1所示，封装器件100包括表面包覆玻璃层的硅晶片I’、导电框架2’以及焊锡盘3’。其中，所述导电框架2’包括铜片21’和散热片22’，表面包覆玻璃层的硅晶片I’的上表面的不同的焊盘分别通过铜片21’与所述导电框架2’的对应引脚耦合，所述铜片21’通过焊锡盘3’的焊合在硅晶片的焊盘上，所述表面包覆玻璃层的硅晶片I’的下表面通过陶瓷片5’与散热片22’绝缘。所述导电框架2’以及所述表面包覆玻璃层的硅晶片I’通过树脂4’封装，但是，为了保证必须的散热效果，所述散热片22’的下表面暴露在封装外，直接与空气接触传到热量，对封装器件进行散热。[0021]图2示出现有技术的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的剖面示意图。如图2所示，封装器件200包括硅晶片I’、散热片22’、树脂4’以及陶瓷片5’。其中，所述表面包覆玻璃层的硅晶片I’的下表面通过陶瓷片5’与散热片22’绝缘，但是所述散热片22’的下表面暴露在封装外，直接与空气接触传到热量，对封装器件200进行散热。当然由于封装器件的散热片外露，该封装器件是非绝缘的。
[0022]图3示出现有技术的一种可控硅(TRIAC)封装产品的封装方法的流程图。用以封装如图1、2所示的封装器件，如图3所示，包括以下步骤:
[0023]SlOl晶源贴膜；
[0024]S102 烘烤；
[0025]S103 切割；
[0026]S104 开压；
[0027]S105芯片测试；
[0028]S106 冲压；
[0029]S107 贴片；
[0030]S108 加铜片；
[0031]S109 清洗；
[0032]SllO 成型；
[0033]Slll 老化；
[0034]SI 12 去毛刺；
[0035]SI 13 电镀；
[0036]SI 14 切筋；
[0037]SI 15 测试。
[0038]步骤S107贴片中，通过铜片连接硅晶片的上表面的不同的焊盘以及对应引脚。
[0039]步骤S109成型中，通过导热率为0.75的树脂进行封装，但散热片的下表面暴露在封装外。
[0040]该扁平封装的产品的散热性能较好，但是这种扁平封装的产品是非绝缘产品，适用范围有限，应用面较窄。而且，由于使用了铜片和陶瓷片，其制作的成本很高，每粒产品的直接材料的成本为7.57美分/粒。
[0041]除此以外，图4示出现有技术的一种扁平封装方法的流程图。如图4所示，包括以下步骤:
[0042]S201晶源贴膜；
[0043]S202 切割；
[0044]S203 贴片；
[0045]S204 焊线；
[0046]S205 成型；
[0047]S206 老化；
[0048]S207 去毛刺；
[0049]S208 电镀；
[0050]S209切筋；以及[0051]S210 测试。
[0052]步骤S205中，通过导热率为0.75的树脂进行封装，且将散热片密封封装。该扁平封装的产品是绝缘产品，但是这种扁平封装的散热性能较差，容易出现故障，适用范围有限，应用面较窄。
[0053]当今半导体行业竞争激烈，工艺上的创新，结构创新促使半导体行业不断发展。在此行业背景下，为有效占领半导体市场份额，发明人对TRIAC产品的封装形式进行改进以满足客户的新需求。将其封装形式由原来裸露的散热片封装改为全模封的封装形式，电学性能也发生了相应改变。
[0054]有鉴于此，发明人提供了一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法。
【发明内容】
[0055]针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法，通过使用高导热树脂将散热片密封封装，同时保证了产品是绝缘产品，并且具备良好的导热性能，不容易出现故障，适用范围广泛，且成本低廉。
[0056]根据本发明的一个方面，提供一种封装器件，包括表面包覆玻璃层的硅晶片、焊锡盘以及导电框架；所述导电框架包括若干引脚和散热片，所述硅晶片中的各个焊盘分别键合对应的引脚，所述硅晶片、导电框架以及引脚通过树脂封装，所述引脚的外引脚部分从所述树脂封装的侧面暴露；所述硅晶片通过焊锡盘固定在所述导电框架的上表面，且所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装。
[0057]优选地，所述树脂为高导热树脂，其导热率为1.9至3。
[0058]优选地，所述散热片的结构为勺子状，所述勺子状结构中的勺口的一端连接至少一所述引脚，另一端连接所述勺子状结构中的勺柄，所述硅晶片固定在所述勺子状结构的勺口中部。
[0059]优选地，所述树脂的导热率为1.9至2.1。
[0060]优选地，所述树脂的导热率为2。
[0061]优选地，所述硅晶片中的各个焊盘分别通过铝线耦接对应引脚上的引脚接线端。
[0062]优选地，所述焊锡盘的厚度为10 μ m至80 μ m。
[0063]优选地，所述焊锡盘的厚度为45 μ m。
[0064]优选地，所述散热片的厚度为0.49至0.51mm。
[0065]优选地，所述导电框架的两侧的封装树脂的厚度为750 μ m至950 μ m。
[0066]优选地，所述导电框架的下表面的封装树脂的厚度为300μηι至450μηι。
[0067]根据本发明的另一个方面，还包括一种硅晶片的封装方法，包括以下步骤:
[0068](a)形成表面包覆玻璃层的硅晶片；
[0069](b)将硅晶片通过焊锡膏直接粘合在导电框架上；
[0070](C)将硅晶片中的各个焊盘与导电框架中对应的引脚耦合；
[0071](d)采用高导热树脂模封成型；
[0072](e)存放在高温环境中进行老化；以及
[0073]( f )将产品的引脚部分电镀。[0074]优选地，所述步骤(d)中，所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装，该树脂的导热率为1.9至3。
[0075]优选地，所述步骤(a)中包括以下步骤:
[0076](al)将整个晶源贴在蓝膜上；
[0077](a2)烘烤，增加蓝膜上晶源的粘性；
[0078](a3)切割晶源，切割深度为晶源连接部厚度的一半；以及
[0079](a4)背面平压使晶源开裂成单个的晶片；
[0080](a5)测试单个晶片，去掉坏的晶片。
[0081]优选地，所述步骤(b)中包括以下步骤:
[0082](bl)在常温下将硅晶片通过所述焊锡膏贴合在所述导电框架的散热片上；以及
[0083](b2)存放在温度为摄氏175度的恒温环境下，内有氮气作为保护气体，存放8小时进行老化。
[0084]优选地，所述步骤(b)之后步骤(C)之前还包括以下步骤:
[0085](b3)通过清洗，将焊锡膏里蒸发出来的助焊剂清掉。
[0086]优选地，所述步骤(e)之后步骤(f)之前还包括以下步骤:
[0087](el)去除毛刺。
[0088]优选地，所述步骤(f)之后还包括以下步骤:
[0089](g)将整条模封之后的晶片切成一粒粒的可用成品；以及
[0090](h)测试，去掉坏掉的产品。
[0091]优选地，所述步骤(d)中，所述树脂(4)的导热率为1.9至2.1。
[0092]优选地，所述步骤(d)中，所述树脂(4)的导热率为2。
[0093]与现有技术相比，由于使用了以上技术，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法，通过使用高导热树脂将散热片密封封装，同时保证了产品是绝缘产品，并且具备良好的导热性能，不容易出现故障，适用范围广泛，且成本低廉。
【专利附图】
【附图说明】
[0094]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0095]图1示出现有技术的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的结构示意图；
[0096]图2示出现有技术的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的剖面示意图；
[0097]图3示出现有技术的一种可控硅封装产品的封装方法的流程图；
[0098]图4示出现有技术的一种扁平封装方法的流程图；
[0099]图5示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的结构示意图；
[0100]图6示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的内部结构示意图；
[0101]图7出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的俯视图；
[0102]图8示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的剖面示意图；以及
[0103]图9示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种硅晶片的封装方法的流程图。
[0104]附图标记
[0105]100封装器件
[0106]200封装器件
[0107]I’表面包覆玻璃层的硅晶片
[0108]2’导电框架
[0109]21’铜片
[0110]22’散热片
[0111]3’焊锡盘
[0112]4’树脂
[0113]5’陶瓷片
[0114]I表面包覆玻璃层的硅晶片
[0115]2导电框架
[0116]21引脚
[0117]211引脚接线端
[0118]22散热片
[0119]221勺口
[0120]222勺柄
[0121]3焊锡盘
[0122]4树脂
[0123]5引线
[0124]H1焊锡盘的厚度
[0125]H2散热片厚度
[0126]H3导电框架两侧封装树脂的厚度
[0127]H4导电框架下表面封装树脂的厚度
【具体实施方式】
[0128]本领域技术人员理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
[0129]图5示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的结构示意图。如图5所示，本发明提供了一种封装器件，包括表面包覆玻璃层的硅晶片1、焊锡盘3以及导电框架2 ;所述导电框架2包括若干引脚21和散热片22，所述硅晶片I中的各个焊盘分别键合对应的引脚21，所述硅晶片1、导电框架2以及引脚21通过树脂4封装，所述引脚21的外引脚部分从所述树脂4封装的侧面暴露；所述硅晶片I中的各个焊盘分别通过铝线5耦接对应引脚21上的引脚接线端211。所述硅晶片I通过焊锡盘3固定在所述导电框架2的上表面，且所述导电框架2的散热片22被所述树脂4密封封装，所述树脂4为高导热树脂，其导热率为1.9至3。
[0130]实际使用中，可以使用导热率为1.9至2.1的树脂4，最好是导热率为2的树脂4。良好的导热性能使得即使散热片被完全包裹的情况下，硅晶片I发出的热量也能通过散热片22以及树脂4对外进行散热。其中，树脂4对散热的作用远远大于现有技术中的树脂。本发明的封装器件的散热性能远好于现有技术中完全将散热片完全密封的封装器件。
[0131]图6示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的内部结构示意图。图6相比图5去除了树脂的部分，更易看清内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的内部结构。如图6所示，本发明的导电框架2中，所述散热片22的结构为勺子状，所述勺子状结构中的勺口 221的一端连接至少一所述引脚21，另一端连接所述勺子状结构中的勺柄222，所述硅晶片I固定在所述勺子状结构的勺口 221中部。这种勺子状的散热片22对硅晶片形成半包围结构，有助于加强散热效果。所述硅晶片I中的源极焊盘通过铝线5耦接对应源极引脚上的源极引脚接线端，栅极焊盘通过铝线5耦接对应栅极引脚上的栅极引脚接线端。图中其余标号请参见图5，此处不再赘述。
[0132]图7出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的 俯视图。如图7所示，由于通常源极引脚的电流会强于栅极引脚很多，所以本发明中的所述硅晶片I中的源极焊盘通过两根铝线5耦接对应源极引脚上的源极引脚接线端，以此加强封装器件的承载电流的能力。图中其余标号请参见图6，此处不再赘述。
[0133]图8示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件的剖面示意图。如图8所示，本发明的封装器件中，焊锡盘的厚度H1为10 μ m至80 μ m,最好为45 μ m。散热片厚度H2为0.49至0.51mm。导电框架两侧封装树脂的厚度H3为750 μ m至950 μ m。导电框架下表面的封装树脂不宜太厚，太厚影响器件散热，导电框架下表面封装树脂的厚度H4为300 μ m至450 μ m。
[0134]图9示出根据本发明的一个【具体实施方式】的，本发明的一种硅晶片的封装方法的流程图。如图9所示，本发明的一种硅晶片的封装方法，包括以下步骤:
[0135]步骤S301:将整个晶源贴在蓝膜上。
[0136]步骤S302:烘烤，增加蓝膜上晶源的粘性。
[0137]步骤S303:切割晶源，切割深度为晶源连接部厚度的一半。
[0138]步骤S304:背面平压使晶源开裂成单个的晶片。
[0139]步骤S305:测试单个晶片，去掉坏的晶片。
[0140]步骤S306:贴片，在常温下将硅晶片通过所述焊锡膏贴合在所述导电框架的散热片上；焊锡盘的厚度为1(^111至8(^111，最好为4511111。并存放在温度为摄氏175度的恒温环境下，内有氮气作为保护气体，存放8小时进行老化。
[0141]步骤S307:通过清洗，将焊锡膏里蒸发出来的助焊剂清掉。
[0142]步骤S308:焊线，将硅晶片中的各个焊盘与导电框架中对应的引脚耦合。
[0143]步骤S309:成型，采用高导热树脂模封成型，所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装，该树脂的导热率为1.9至3。实际使用中，可以使用导热率为1.9至2.1的树脂4，最好是导热率为2的树脂4。良好的导热性能使得即使散热片被完全包裹的情况下，硅晶片I发出的热量也能通过散热片22以及树脂4对外进行散热。其中，树脂4对散热的作用远远大于现有技术中的树脂。本发明的封装器件的散热性能远好于现有技术中完全将散热片完全密封的封装器件。
[0144]成型时还需要注意，控制导电框架两侧封装树脂的厚度H3为750 μ m至950 μ m。导电框架下表面的封装树脂不宜太厚，太厚影响器件散热，导电框架下表面封装树脂的厚度H4 为 300 μ m 至 450 μ m。
[0145]步骤S310:存放在高温环境中进行老化。
[0146]步骤S311:去除毛刺。
[0147]步骤S312:电镀，将产品的引脚部分电镀。
[0148]步骤S313:切筋，将整条模封之后的晶片切成一粒粒的可用成品。
[0149]步骤S314:测试,去掉坏掉的产品。
[0150]本发明的内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法，不需要使用陶瓷片来分隔晶片和散热片，而是通过密封封装散热片来实现绝缘。而且用铝线代替铜质连接片，将每粒产品的直接材料的成本由7.57美分/粒降到2.632美分/粒，大大节约了生产成本。
[0151]综上可知，本发明的一种内含表面包覆玻璃层的硅晶片的封装器件及其封装方法，通过使用高导热树脂将散热片密封封装，同时保证了产品是绝缘产品，并且具备良好的导热性能，不容易出现故障，适用范围广泛，且成本低廉。
[0152]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
【权利要求】
1.一种封装器件，包括表面包覆玻璃层的硅晶片(1)、焊锡盘(3)以及导电框架(2)； 所述导电框架(2)包括若干引脚(21)和散热片(22)，所述硅晶片(1)中的各个焊盘分别键合对应的引脚(21)，所述硅晶片(1)、导电框架(2)以及引脚(21)通过树脂(4)封装，所述引脚(21)的外引脚部分从所述树脂(4)封装的侧面暴露； 其特征在于:所述硅晶片(1)通过焊锡盘(3)固定在所述导电框架(2)的上表面，且所述导电框架(2 )的散热片(22 )被所述树脂(4 )密封封装。
2.如权利要求1所述的封装器件，其特征在于:所述树脂(4)为高导热树脂，其导热率为1.9至3。
3.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于:所述散热片(22)的结构为勺子状，所述勺子状结构中的勺口(221)的一端连接至少一所述引脚(21)，另一端连接所述勺子状结构中的勺柄(222)，所述硅晶片(1)固定在所述勺子状结构的勺口(221)中部。
4.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于:所述树脂(4)的导热率为1.9至2.1。
5.如权利要求4所述的封装器件，其特征在于:所述树脂(4)的导热率为2。
6.如权利要求2所述的封装器件，其特征在于:所述硅晶片(1)中的各个焊盘分别通过铝线(5)耦接对应引脚(21)上的引脚接线端(211)。
7.一种硅晶片的封装方法，其特征在于:包括以下步骤: Ca)形成表面包覆玻璃层的硅晶片； (b)将硅晶片通过焊锡膏直接粘合在导电框架上； (C)将硅晶片中的各个焊盘与导电框架中对应的引脚耦合； Cd)采用高导热树脂模封成型； Ce)存放在高温环境中进行老化；以及 (f)将产品的引脚部分电镀。
8.如权利要求7所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(d)中，所述导电框架的散热片被所述树脂密封封装，该树脂的导热率为1.9至3。
9.如权利要求8所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(a)中包括以下步骤: (al)将整个晶源贴在蓝膜上； (a2)烘烤，增加蓝膜上晶源的粘性； (a3)切割晶源，切割深度为晶源连接部厚度的一半；以及 (a4)背面平压使晶源开裂成单个的晶片； (a5)测试单个晶片，去掉坏的晶片。
10.如权利要求9所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(b)中包括以下步骤: (bl)在常温下将硅晶片通过所述焊锡膏贴合在所述导电框架的散热片上；以及(b2)存放在温度为摄氏175度的恒温环境下，内有氮气作为保护气体，存放8小时进行老化。
11.如权利要求10所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(b)之后步骤(C)之前还包括以下步骤: (b3)通过清洗，将焊锡膏里蒸发出来的助焊剂清掉。
12.如权利要求11所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(e)之后步骤(f)之前还包括以下步骤: (el)去除毛刺。
13.如权利要求12所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(f)之后还包括以下步骤: (g)将整条模封之后的晶片切成一粒粒的可用成品；以及 (h)测试，去掉坏掉的产品。
14.如权利要求13所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(d)中，所述树脂(4)的导热率为1.9至2.1。
15.如权利要求14所述的硅晶片的封装方法，其特征在于:所述步骤(d)中，所述树脂 (4)的导热率为2。
【文档编号】H01L21/56GK103972181SQ201310041211
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年2月1日 优先权日:2013年2月1日
【发明者】董才加, 翟泽, 黄顺风 申请人:意法半导体制造(深圳)有限公司