超浅结的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半导体衬底中形成超浅结。可以在注入的非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行热处理。本发明还提供了一种超浅结的制造。
【专利说明】超浅结的制造
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种超浅结的制造。
【背景技术】
[0002]具有多个半导体器件(包括场效应晶体管(FET))的集成电路(IC)是现代微电子系统的基础。通常通过使用诸如，离子注入等方法将掺杂物原子引入到半导体衬底中而形成FET的各个区域，例如，源极/漏极和源极/漏极延伸。在掺杂物被引入之后，通过使半导体及衬底经历一次或更多次退火工艺(诸如，低温热退火，快速热退火，瞬间退火、尖峰退火或激光退火)来电激活这些掺杂物。
[0003]然而，掺杂物具有在退火的过程中从轮廓中横向和纵向地扩散或膨胀的倾向，由此增大了各个器件区域的尺寸。这种掺杂物扩散是不受期望的，尤其在半导体器件的尺寸被按比例缩小时。将器件尺寸按比例缩小到分子状态由此对以可控的原子构成制造受到良好限定的结构提出了基本的技术挑战。
[0004]一种被推荐用于实现良好的结构构成的方式是自限制和自装配工艺的结合，其中，表面和化学现象指导所期望的纳米结构的合成和制造。需要一种技术来展现硅结构的可靠的纳米级掺杂，例如，在源极和漏极延伸区域中良好地限定和均匀地掺杂的超浅结。依靠利用高能离子撞击半导体的传统的离子注入工艺遭受着以下困难:无法实现达到纳米范围的注入范围和骤然缩小，注入离子的随机空间分布，纳米结构材料的不相容，以及晶体损伤。固态源极扩散工艺缺乏所期望的均匀性并且缺乏用于使器件制造微型化的掺杂物面积剂量控制。然而，单层掺杂(MLD)可以利用原子精度来实现半导体材料的可控掺杂。通常，MLD首先利用半导体的晶体性质来形成高均匀度的、自组装的、含有共价接合的掺杂物的单层，然后进行用来结合和扩散掺杂物的退火步骤。
[0005]示例性的单层形成反应是自限制的并且导致半导体表面上出现确定性的掺杂物原子覆盖。MLD由于掺杂物剂量控制方法而不同于其他传统的掺杂技术。例如，与离子注入相比，MLD不包括使掺杂物种类进入到半导体晶格中的、引起了晶体损伤的高能引入。然后，为了防止掺杂物损耗，传统的MLD需要在随后的热工艺过程中保护相应的掺杂物的氧化物盖层。因此，存在一种在不沉积和/或去除这种氧化物盖的情况下提供或制造超浅结的需求。
【发明内容】
[0006]为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤:通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域；通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入掺杂物；以及热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的所述掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
[0007]在所述方法中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入步骤的掺杂物。
[0008]在所述方法中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择注入的所述掺杂物。
[0009]在所述方法中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。
[0010]在所述方法中，在经过注入的所述非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行所述热处理步骤。
[0011]根据本发明的另一方面，提供了一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤:通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域；通过执行第一单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物；通过执行第二单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第二掺杂物；以及热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
[0012]在所述方法中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入的掺杂物。
[0013]在所述方法中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、尖峰退火、快速退火或激光退火步骤。
[0014]在所述方法中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择所述第一掺杂物。
[0015]在所述方法中，所述第二掺杂物是磷，并且所述第一掺杂物选自于由氮、氟和碳所构成的组。
[0016]在所述方法中，在经过注入的所述非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行所述热处理步骤。
[0017]根据本发明的又一方面，提供了 一种在半导体衬底中提供具有激活的掺杂物的超浅结的方法，所述方法包括以下步骤:在所述半导体衬底中形成非晶化区域；通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物；以及激活所述第一掺杂物，其中，所述激活包括再结晶所述非晶化区域，其中，在经过注入的所述结晶区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行激活所述第一掺杂物的步骤。
[0018]在所述方法中，形成所述非晶化区域的步骤包括执行预非晶化注入步骤。
[0019]在所述方法中，用于所述预非晶化注入步骤的掺杂物选自于由锗、硼、碳、氮、铟、砷、氙、锑和氩所构成的组。
[0020]在所述方法中，所述第一掺杂物选自于由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和秘所构成的组。
[0021]在所述方法中，激活所述第一掺杂物的步骤包括执行低温热退火、快速热退火、尖峰退火、快速退火或激光退火步骤。
[0022]在所述方法中，进一步包括:通过执行第二单层掺杂步骤执行在所述非晶化区域中注入第二掺杂物的步骤，所述第二掺杂物比所述第一掺杂物浅，其中，所述激活步骤进一步包括激活所述第一掺杂物和所述第二掺杂物。
[0023]在所述方法中，所述第二掺杂物是磷，并且所述第一掺杂物选自于由氮、氟和碳所构成的组。【专利附图】
【附图说明】
[0024]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
[0025]图1是一种使用单层掺杂制造超浅结的技术的图表；
[0026]图2A和图2B是根据本发明的一些实施例使用单层掺杂制造超浅结的其他技术的图表；
[0027]图3是一种根据本发明的一些实施例制造超浅结的示例性技术的图表；
[0028]图4是根据本发明的实施例的共同注入方法的图解说明。
【具体实施方式】
[0029]下面，详细讨论本发明各实施例的制造和使用。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所讨论的具体实施例仅仅示出了制造和使用本发明的具体方式，而不用于限制本发明的范围。本发明可以在多个实例中重复参考符号和/或字符。这种重复用于简化和清楚，并且其本身不表示所述多个实施例和/或配置之间的关系。
[0030]在此所使用的措辞仅仅被用于描述具体的实施例，但这些实施例并不用于限制所附的权利要求。例如，除非进行限制否则单数形式的措辞“一个”或“所述”也可以代表复数形式。措辞，诸如，“第一”和“第二”被用来描述多个器件、区域和层等，但这些措辞仅仅被用来将一个器件、一个区域或一个层与另一个器件、另一个区域或另一个层相互区分开来。因此，在不背离所提出的主题的精神的条件下，第一区域也可以被称为第二区域且其他的也可以类似地演绎。而且，空间方位措辞，诸如“在...下面”、“在...上面”、“上面”、“下面”等被用来描述图中的一个器件或一个部件(characteristics)与另一个器件或另一个部件之间的关系。应该注意的是:除了图中所示的器件方位以外空间方位措辞可以涵盖器件的不同方位。例如，如果将图中的器件翻转，那么处在其他器件或部件“下面”或“下方”的器件将被调整成处在其他器件或部件的“上方”因此，空间措辞“在...下面”可以包括两种方位，即，“在...上方”和“在...下方”。
[0031]图1是一种使用单层掺杂(MLD)制造超浅结的技术的图表。参考图1，示出了示例性的超浅结制造技术100，其中，当在步骤110中衬底暴露于含掺杂物的前体时，掺杂物112的单层聚集在硅结构的表面上。虽然没有示出，但在衬底与含掺杂物的前体相互反应之前大体上要首先通过氢氟酸(HF)蚀刻去除原有的氧化硅层。列举出了一些示例性的掺杂物，其可以包括但不局限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、磷、砷、锑和铋。在步骤120中，在单层上沉积有包括了二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)或其他阻挡材料的氧化物盖122从而防止掺杂物在后续的热处理过程中受到例如，退火过程中的掺杂物脱气的损害而出现损耗。可以通过化学汽相沉积、电子束蒸发或其他适合的沉积技术沉积该氧化物盖或层122且随后选择性地进行蚀刻。在步骤130中，结构经历了热处理从而破坏掺杂物分子导致掺杂物原子112扩散到衬底132中从而形成超浅结。示例性的热处理包括但不限于低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火。在步骤140中，通过传统的方法(诸如，HF蚀刻)去除氧化物盖。
[0032]图2A和图2B是根据本发明的一些实施例使用单层掺杂制造超浅结的其他技术的图表。参考图2A，示出了使用MLD的示例性超浅结制造技术200，其中，在处在硅衬底204之上的外延锗层202上执行预非晶化注入(PMI)步骤210。在图2B中，在硅衬底204上执行PAI步骤210。可以使用适合的掺杂物，剂量和/或能量来执行该PAI步骤。可以根据待形成的结构的需求，尤其是根据所期望的非晶化层的深度来选择剂量和能量。列举出了一些可以被用于PAI的掺杂物的非局限性实例如，锗、氮、铟、砷、硼、碳、氙、锑和氩。另外，掺杂物的选择可以取决于相应的衬底所用的半导体材料。因此，由于衬底表面的非晶化性质和其对于随后的掺杂的相应的亲合性，示例性的PAI步骤210可以有助于激活随后所引入的掺杂物。例如，可以使用PAI来形成注入区域，该注入区域是设置在相应的结构顶面下方的非晶化硅。在图2A描述的情形中，非晶化区域203形成在外延的锗层202中。在图2B所描述的情形中，非晶化区域205形成在硅衬底204中。如上面所述的那样，这种非晶化区域或层的深度取决于剂量和能量且可以在结构顶面下方的10-15nm之间。在一些实施例中，这种非晶化区域或层的深度应该大于被激活的掺杂物的最大浓度从而确保任何被激活的掺杂物均被覆盖在PAI区域内。
[0033]在步骤220中，示例性的MLD技术被用在当暴露于含掺杂物的前体时在相应的结构的表面上聚集了掺杂物222的单层的位置上。示例性的MLD技术可应用于通过“自下而上”或“自上而下”的手段制造的多种纳米结构材料的P和η掺杂两者，从而使得其高度适用于各种应用。MLD技术的重要特性是它使用自限制反应在晶体锗或硅表面上形成高均匀的单层，从而得到化学吸附的具有分子精度的含掺杂物的分子的良好限定的层。这对于在后续热工艺中良好地控制和均匀地形成纳米级掺杂轮廓而言是重要的。也可以通过相应的前体的分子足迹(footprint)来改变区域掺杂物剂量，更小的分子能够实现更高的剂量。也可以使用热工艺时间和温度来控制结深度的确切性质。因此，随后的热工艺条件和前体的分子设计的组合可以提供一个宽泛的掺杂轮廓范围从而符合所期望的应用或所得到的结构的具体需求。列举出了一些示例性的掺杂物，其可以包括但不限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、铺和秘。在图2A所描述的情形中，由于前面的PAI步骤的性能，与图1所描述的方法相比，在设置在外延锗层202中的非晶化区域203中可以捕获到更大量的掺杂物。在图2B中所描述的情形中，由于前面的PAI步骤的性能，与图1中所描述的方法相比，在设置在硅衬底204中的非晶化区域205中可以捕获更大量的掺杂物。虽然图2A和图2B中描述的是MLD技术，但所附权利要求不应被局限于任何可以使用在本发明的实施例中的示例性的离子注入步骤。另外，单个的MLD步骤的说明不应限制所附权利要求的范围，因为用于在示例性结构中提供额外的掺杂物注入的多个MLD工艺或步骤是可以预想到的。在步骤230中，相应的结构随后经历破坏掺杂物分子的热处理而使得掺杂物原子热扩散到结构中从而形成超浅结。示例性的热处理包括但不限于低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火。在热处理步骤230中，如所示那样可以产生非晶化区域的固相外延再生长。
[0034]图3是根据本发明的一些实施例制造超浅结的示例性技术的图表。参考图3，示出了一个示例性的超浅结制造技术300，其中，在处在硅衬底304之上的外延锗层300上执行PAI步骤310从而在该外延锗层302中形成非晶化区域303。虽然示出的是外延的锗层，但可以在包括硅衬底(未示出)的任意器件或层上执行PAI步骤310。可以利用合适的掺杂物、剂量和/或能量执行该PAI步骤。可以根据待形成的结构的需求，尤其是其深度来选择剂量和能量。列举出了一些可以被用于PAI的掺杂物的非局限性实例如，锗、硼、碳、氮、铟、砷、氙、锑和氩。另外，掺杂物的选择可以取决于相应的衬底所用的半导体材料。示例性的PAI步骤310可以有助于激活随后所引入的掺杂物。例如，可以使用PAI来形成注入区域，该注入区域是设置在相应的结构顶面下方的非晶化硅。如上面所述的那样，这种非晶化的深度取决于剂量和能量且可以在结构顶面下方的10-15nm之间。在一些实施例中，这种非晶化区域或层的深度应该大于被激活的掺杂物的最大浓度从而确保任何被激活的掺杂物均被覆盖在PAI区域内。
[0035]在步骤320中，使用示例性的离子注入技术在衬底表面上聚集掺杂物层。在所述的实例中，可以使用6KeV的注入能量执行氮注入步骤，从而得到具有大约125埃的深度的氮注入层321。这些值仅仅是示例性的且不应限制所附权利要求的范围，因为可以使用任何适合的注入能量来实现相应的掺杂物的期望的注入深度。在一些实施例中，示例性的MLD技术被用在当暴露于含掺杂物的前体中时在相应的结构的表面上聚集有单层的位置上。列举出了一些示例性的掺杂物，其可以包括但并不局限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、氟、磷、砷、锑和铋。在其他实施例中，可以在MLD的位置中使用传统的离子注入方法。在步骤330中，使用第二离子注入技术在结构的表面上聚集第二掺杂物层。在所述实例中，使用2KeV的能量来执行磷注入步骤，从而得到具有比氮注入层321更浅的深度的磷注入层331。当然，该能量值仅仅是示例性的且不应限制所附权利要求的范围，因为可以使用任何适合的注入能量来实现相应的掺杂物的期望的注入深度。应该注意到:由于前面的PAI步骤310的性质，在形成在外延锗层302中的非晶化区域303中可以捕获到更大量的掺杂物(无论是多个或单个掺杂物)。通常磷在锗衬底中扩散。因此，在本发明的一些实施例中，为了抑制结构中的磷扩散可以引入氮共同注入从而实现高活化磷源极/漏极延伸(SDE)结。当然，可以使用其他共同注入来抑制磷扩散，诸如，碳共同注入、氟共同注入等，但并不局限于此。在步骤340中，相应的结构随后经历破坏掺杂物分子的热处理而使得掺杂物原子热扩散到结构中从而形成超浅结。示例性的热处理包括但不限于低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火。在热处理步骤340中，可以产生非晶化区域的固相外延再生长。
[0036]图4是根据本发明的一些实施例的共同注入方法的图解说明。参考图4，提供了四条轨迹，示出了:在碳共同注入之后紧接着以639ohm/Sq的薄层电阻进行磷注入410的锗衬底的磷浓度与深度的相对关系，在氟共同注入之后紧接着以233ohm/Sq的薄层电阻进行磷注入420的锗衬底的磷浓度与深度的相对关系，在氮共同注入之后紧接着以341ohm/sq的薄层电阻进行磷注入430的锗衬底的磷浓度与深度的相对关系，以及以209ohm/Sq的薄层电阻进行磷注入440的锗衬底的磷浓度与深度的相对关系。如图4所示，碳和氟共同注入的相对于深度的磷浓度保持得比磷薄层更好，与碳和氟共同注入相比，氮共同注入保持着相对于深度的出众的磷浓度。
[0037]因此，参考前述附图，本发明的多个实施例可以提供一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法可以包括:通过执行PAI步骤在半导体衬底中形成非晶化区域，通过执行MLD步骤在非晶化区域中注入掺杂物，以及热处理半导体衬底从而激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而在半导体衬底中形成超浅结。用于PAI步骤的掺杂物可以是但并不限于锗、硼、氮、铟、砷、碳、氣、铺和気。用于MLD步骤的注人的掺杂物可以是但并不限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋。示例性的热处理包括低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。在本发明的一些实施例中，在不将任何氧化物盖放置在注入的非晶化区域上的情况下执行该热处理步骤。
[0038]本发明的其他实施例提供了一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法可以包括通过执行PAI步骤在半导体衬底中形成非晶化区域，通过执行第一 MLD步骤在非晶化区域中注入第一掺杂物，通过执行第二 MLD步骤在非晶化区域中注入第二掺杂物，以及热处理半导体衬底来激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而在半导体衬底中形成超浅结。用于PAI步骤的掺杂物可以是但并不限于锗、硼、碳、氮、铟、砷、氙、锑和氩。用于MLD步骤的注入的掺杂物可以是但并不限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋。示例性的热处理包括低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。在一些实施例中，第二注入的掺杂物是磷而第一注入的掺杂物是氮、氟或碳。在本发明的其他实施例中，在不将任何氧化物盖放置在注入的非晶化区域上的情况下执行该热处理步骤。
[0039]另外，本发明的一些实施例提供了一种在半导体衬底中提供具有激活的掺杂物的超浅结的方法。该方法包括:在半导体衬底中形成非晶化区域，通过执行MLD步骤在非晶化区域中注入第一掺杂物，以及激活第一掺杂物，其中，该激活包括在没有任何氧化物盖放置在注入的结晶区域上方的情况下执行的非晶化区域再结晶。在一些实施例中，形成非晶化区域的步骤包括执行PAI步骤。用于PAI步骤的掺杂物可以是但并不限于锗、氮、铟、砷、硼、碳、氙、锑和氩。注入的第一掺杂物可以是但并不限于硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋。示例性的热处理包括低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。在其他实施例中，该方法包括通过执行MLD步骤在非晶化区域中注入第二掺杂物的步骤，第二掺杂物比第一掺杂物浅，其中，激活的步骤进一步包括激活第一和第二掺杂物。在各个实施例中，第二掺杂物是磷而第一掺杂物可以是氮、氟或碳。
[0040]应该理解，上述事实里，尤其是任何“优选的”实施例均仅仅是可能的实施实例，仅仅被描述用于清楚地理解本发明的原则。可以在大体上不背离本发明的精神和原则的条件下对本发明的上述实施例进行多种变化和更改。所有这些更改和变化均旨在包括在该公开和本发明的范围内且受到下面的权利要求的保护。
[0041]为了可以更好地理解以下实施例的详细描述，以上概括地描述了多个实施例的特征。应该理解，本领域技术人员可以容易地利用所披露的理念和具体实施例作为修改或设计用于执行本发明的相同目的的其他结构或处理的基础。本领域技术人员还应该认识到，这种等效结构不脱离在所附权利要求中所述的本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的条件下他们可以做出多种改变、替换和变化。
[0042]类似地，虽然在图中以特定的顺序描述了多个操作，但应该理解为了实现所期望的结果并不要求以示出的这个特定顺序或以相继的顺序来执行这些操作，或执行所有所示出的操作。在特定的情况下，多重任务执行和并行处理可能是有益的。
[0043]如图1-图4中所示的各个配置和实施例中所示的那样，描述了多个制造超浅结的方法。
[0044]尽管已经描述过了本主题的优选的实施例，但应该理解所述实施例仅仅是说明性的且仅仅通过所附权利要求来限定发明范围，在与整个等效范围相一致的情况下本领域的技术人员熟读本发明之后自然会想到多种变化和更改。
【权利要求】
1.一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤: 通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域； 通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入掺杂物；以及 热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的所述掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入步骤的掺杂物。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择注入的所述掺杂物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、瞬间退火、尖峰退火或激光退火步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在经过注入的所述非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行所述热处理步骤。
6.一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤: 通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域； 通过执行第一单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物； 通过执行第二单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第二掺杂物；以及热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的掺杂物，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，从由锗、硼、氮、铟、砷、碳、氙、锑和氩所构成的组中选择用于所述预非晶化注入的掺杂物。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述热处理步骤包括执行低温热退火、快速热退火、尖峰退火、快速退火或激光退火步骤。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，从由硼、铝、镓、铟、铊、氮、碳、氟、磷、砷、锑和铋所构成的组中选择所述第一掺杂物。
10.一种在半导体衬底中提供具有激活的掺杂物的超浅结的方法，所述方法包括以下步骤: 在所述半导体衬底中形成非晶化区域； 通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入第一掺杂物；以及 激活所述第一掺杂物，其中，所述激活包括再结晶所述非晶化区域， 其中，在经过注入的所述结晶区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行激活所述第一掺杂物的步骤。
【文档编号】H01L21/02GK103972060SQ201310150852
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年4月26日 优先权日:2013年1月28日
【发明者】王立廷, 聂俊峰, 姚松伟 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司