一种led表面胶体粗化方法
【专利摘要】本发明公开了一种LED表面胶体粗化方法，包括以下步骤：A、对LED样品进行固晶焊线作业；B、在LED样品中支架的碗杯内填充胶体，然后对其烘干；C、根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂；D、用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品胶体表面。本发明方法通过将混合剂喷涂在胶体表面，在利用荧光剂本身取光性质的基础上还粗化了胶体表面，有效减少了由于全反射而导致的光损；尤其是本发明中将荧光粉与胶材的重量比控制在1:1以上、荧光粉的颗粒粒径在5-15微米之间，将光效相对传统工艺中的产品提升15%。本发明作为一种LED表面胶体粗化方法可广泛应用于LED照明领域。
【专利说明】一种LED表面胶体粗化方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED照明领域，尤其是一种LED表面胶体粗化方法。
【背景技术】
[0002]LED灯上芯片发光并从胶体中通过，从而产生照明效果。光线线路由光密介质到光疏介质，因此当光线的入射角大于临界角时会发生全反射，全反射角只与胶体本身的折射率有关，然而目前市面上的胶材的折射率不会存在太大差异，因此其全反射角几乎相等。在LED灯工作过程中，由于胶体表面的全反射导致光线被反射回胶体，不仅浪费了能量，而且给LED芯片和胶体的散热加大了难度。
[0003]现有技术中，常常采用传统点胶工艺或先喷粉后点胶的工艺来提高光线的取出率，虽然一定程度上提高了取光率，然而其光线仍然没有得到高效利用。
【发明内容】
[0004]为了解决上述技术问题，本发明的目的是:提供一种能高效提升光效的LED表面胶体粗化方法。
[0005]本发明所采用的技术方案是:一种LED表面胶体粗化方法，包括有以下步骤:
A、对LED样品进行固晶焊线作业；
B、在LED样品支架的碗杯内填充胶体，然后对其烘干；
C、根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂；
D、用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品胶体表面。
[0006]进一步，所述步骤C中荧光粉与胶材的重量比大于1:1。
[0007]进一步，所述荧光粉的颗粒粒径在5-15微米之间。
[0008]进一步，所述步骤B中的胶体为透明胶体或荧光胶。
[0009]进一步,所述步骤B中支架为带碗杯的支架。
[0010]进一步，所述步骤B中支架为带围栏的平面基板。
[0011]进一步，所述步骤B和步骤C之间还包括有步骤BI，所述步骤BI具体为:对LED样品进行切割形成单颗样品，采用扩膜的方式使单颗样品之间存在一定的间距。
[0012]进一步，所述步骤A中的LED样品为单颗芯片LED或COB多芯片集成样品。
[0013]本发明的有益效果是:本发明方法通过将混合剂喷涂在胶体表面，在利用荧光剂本身取光性质的基础上还粗化了胶体表面，有效减少了由于全反射而导致的光损；尤其是本发明中将荧光粉与胶材的重量比控制在1:1以上、荧光粉的颗粒粒径在5-15微米之间，将光效相对传统工艺中的产品提升15%。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为本发明方法的步骤流程图；
图2为本发明第一具体实施例参考图； 图3为本发明第二具体实施例参考图；
图4为本发明第三具体实施例参考图a ；
图5为本发明第三具体实施例参考图b。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步说明:
参照图1，一种LED表面胶体粗化方法，包括有以下步骤:
A、对LED样品进行固晶焊线作业；
B、在LED样品支架的碗杯内填充胶体，然后对其烘干；
C、根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂；
D、用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品胶体表面。
[0016]进一步作为优选的实施方式，所述步骤C中荧光粉与胶材的重量比大于1:1。
[0017]进一步作为优选的实施方式，所述荧光粉的颗粒粒径在5-15微米之间。
[0018]进一步作为优选的实施方式，所述步骤B中的胶体为透明胶体或荧光胶。
[0019]进一步作为优选的实施方式，进一步，所述步骤B中支架为带碗杯的支架。
[0020]进一步作为优选的实施方式，所述步骤B中支架为带围栏的平面基板。
[0021]进一步作为优选的实施方式，所述步骤B和步骤C之间还包括有步骤BI，所述步骤BI具体为:对LED样品进行切割形成单颗样品，采用扩膜的方式使单颗样品之间存在一定的间距。
[0022]进一步作为优选的实施方式，所述步骤A中的LED样品为单颗芯片LED或COB多芯片集成样品。
[0023]参照图2，说明本发明第一具体实施例:
A.对LED样品进行固晶焊线作业，将芯片2固定在支架I内的底部；
B.在LED样品支架I的碗杯内填充透明胶体3，然后对其烘干；
C.根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂；
D.用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品透明胶体3表面，从而形成荧光层4。
[0024]参照图3，说明本发明第二具体实施例:
A.对LED样品进行固晶焊线作业，将芯片2固定在支架I内的底部；
B.根据色温要求在LED样品支架I的碗杯内填充荧光胶5，然后对其烘干；
C.由于色温在B步骤中已基本确定，混合剂的用量或者混合剂中荧光粉浓度需要低于本发明第一具体实施例中的相应用量或者浓度。
[0025]D.用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品胶体3表面，从而形成荧光层4。
[0026]参照图4、图5，说明本发明第三具体实施例:
A.对LED样品进行固晶焊线作业，将芯片2固定在支架I内的底部；
B.在LED样品支架I的碗杯内填充透明胶体3，然后对其烘干；参照图4，所述支架I为带围栏6的基板；
B1.对LED样品进行切割形成单颗样品，采用扩膜的方式使单颗样品之间存在一定的间距；
C.根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂；D.用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品透明胶体3表面，从而形成荧光层4。
[0027]由于步骤BI中对LED样品进行了切割，然后釆用扩膜的方式使单颗样品之间存在一定的间距，因此对其进行喷粉操作后，荧光层的分布将如图5所示。同样的，本发明第三【具体实施方式】步骤B中的填充物也可使用荧光胶。
[0028]同时，本发明方法对COB等多芯片集成的样品适用。
[0029]在荧光粉与胶材的重量比以及荧光粉颗粒大小上，本发明经实验得出其比例及参数，参照下表1。
[0030]表1、传统工艺与本发明工艺数据对比
【权利要求】
1.一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:包括有以下步骤: A、对LED样品进行固晶焊线作业； B、在LED样品支架的碗杯内填充胶体，然后对其烘干； C、根据色温要求确定荧光粉、胶材以及稀释剂的混合比例，并制备混合剂； D、用喷粉机将上述混合剂喷射到LED样品胶体表面。
2.根据权利要求1所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤C中荧光粉与胶材的重量比大于1:1。
3.根据权利要求2所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述荧光粉的颗粒粒径在5-15微米之间。
4.根据权利要求1所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤B中的胶体为透明胶体或荧光胶。
5.根据权利要求1所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤B中支架为带碗杯的支架。
6.根据权利要求1所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤B中支架为带围栏的平面基板。
7.根据权利要求6所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤B和步骤C之间还包括有步骤BI，所述步骤BI具体为:对LED样品进行切割形成单颗样品，采用扩膜的方式使单颗样品之间存在一定的间距。
8.根据权利要求1所述的一种LED表面胶体粗化方法，其特征在于:所述步骤A中的LED样品为单颗芯片LED或COB多芯片集成样品。
【文档编号】H01L33/52GK103794706SQ201310754847
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】李坤锥, 尹键, 熊毅, 王跃飞 申请人:广州市鸿利光电股份有限公司