半导体探测器头及其制造方法

半导体探测器头及其制造方法
【专利摘要】本发明的实施方式涉及半导体探测器头及其制造方法。半导体探测器头包括具有前侧和后侧的探测器芯片以及在所述探测器芯片的后侧上的衬底。接触点位于所述衬底和所述探测器芯片中的至少一项上。第一组接触针在所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上突出。所述第一组的接触针中的至少一个接触针传导地耦合到所述接触点中的至少一个接触点。基板保持从所述基板朝着所述第一组的接触针突出的第二组接触针。在所述第一组和所述第二组的接触针的匹配对之间产生电连接件。
【专利说明】半导体探测器头及其制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体辐射探测器的总体【技术领域】。具体而言，本发明涉及在密闭地密封的盖或者罩中封闭的这样的半导体辐射探测器。

【背景技术】
[0002]诸如PIN 二极管(p型-本征-η型)探测器和SDD (硅漂移探测器)的某些半导体辐射探测器的有效操作受益于将探测器晶体及其紧接电接触密封在称为探测器罐的气密罩。在探测器的正面的辐射窗可以允许辐射进入，而罐的后侧具有需要用来将探测器机械地、电气地和热地耦合到辐射探测装置的附接装置和接触针。通常在组装形式中常被称作探测器头的实体中包括热电冷却器，比如珀耳帖元件。
[0003]图1图示现有技术的探测器头。探测器芯片101附接到衬底102，该衬底转而附接到热电冷却器103。具有突出附接螺栓105的基板104支撑该布置并且闭合探测器罐106的底部，该探测器罐的正面具有由辐射窗107覆盖的开口。图形图示被简化并且允许可能对于理解本发明的背景而言非必需的中间屏蔽层和其它特征。
[0004]接触针108穿过基板104中的孔并且被绝缘体套管109从基板104电隔离。由基板104、附接螺栓105、接触针108和绝缘套管109构成的实体有时称为头部。键合接线110将每个接触针108的顶端连接到在衬底102的顶表面上的键合焊盘111。更多键合接线(未示出)可以构成在衬底102的区域与在探测器芯片101上的相应接触焊盘之间的电连接件。
[0005]探测器的灵敏度在原理上更好，探测器芯片就越大:探测器芯片的更大表面收集更多光子，从而增加脉冲频率。在图1的布置中，衬底102并且因此探测器芯片101必须直径小于由接触针108形成的圆，因为键合楔必须能够从上方触及接触针的顶端以及在衬底102和探测器芯片101上的键合焊盘。基本上，将有可能使整个探测头直径更大，但是这将使得更难以放置它接近待探测的辐射发源的样品。接触针的环的直径必须总是显著小于基板的直径，因为将接触针孔密闭地密封基板中并且使其电绝缘需要使用完全围绕接触针并且具有某个最小壁厚度的绝缘体套管。
[0006]图2和3图示旨在避免接触针的圆的尺寸限制效果的已知探测器头。从专利公开文本ΕΡ2286275中知道图2的结构。键合从侧面产生，因此键合接线210将接触针208的侧表面连接到位于衬底202的竖直表面上的键合焊盘211。在这一布置中，接触针比在图1的布置中更短，并且对于衬底202的直径(并且因而在几乎相同程度上对于探测器芯片201的直径)的上限取决于接触针的圆的直径加上键合允许的边缘差。在实践中，可以认为正是接触针的圆的直径限定衬底的最大直径。
[0007]从专利公开文本US2012/0228498中已知图3的结构。探测器芯片301被倒装芯片式键合到第一衬底302，在该第一衬底之下是第二衬底312，该第二衬底的外边限定空腔。为了连接到接触针，键合接线310在接触针308的顶端与位于所述空腔中的键合焊盘(未单独示出)之间伸展。虽然在图3中未示出，但是通常也需要键合到探测器芯片301的顶侦U。第二衬底312的直径必须小于接触针的圆的直径，但是第一衬底302和探测器芯片301的直径可以是与接触针的圆的直径相同的大小或者甚至更大。
[0008]存在对于如下探测器头结构的需要，这些探测器头结构会使探测器芯片能够具有大面积而同时使结构易于制造并且可靠使用。例如，图2中所示解决方案仍然具有衬底(并且因此也有探测器芯片)不能明显大于接触针的圆这样的限制。图3的结构需要探测器芯片的倒装芯片键合，这在制造中需要特殊设备并且可能由于在制造过程中的困难而造成更低产量。


【发明内容】

[0009]以下给出简化的概要以便提供对各个发明实施例的一些方面的基本理解。
【发明内容】
并非是本发明的广发概述。其并非意在标识出本发明的关键或必要要素也并非对本发明的范围加以描绘。以下
【发明内容】
仅是以简化形式给出本发明的一些概念，作为对本发明的示例实施例的更为详细的描述的前序。
[0010]根据本发明的第一方面，提供一种探测器头，该探测器头包括:
[0011]-具有前侧和后侧的探测器芯片，
[0012]-在所述探测器芯片的后侧上的衬底，
[0013]-在所述衬底和所述探测器芯片中的至少一项上的接触点，
[0014]-在所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上的第一组突出接触针，其中所述第一组接触针中的至少一个接触针传导地耦合到所述接触点中的至少一个接触点，
[0015]-基板，
[0016]-从所述基板朝着所述第一组接触针突出的第二组接触针，以及
[0017]-在所述第一和第二组的接触针的匹配对之间的电连接件。
[0018]根据本发明的第二方面，提供一种用于制造半导体探测器头的方法，从而该方法包括:
[0019]-将衬底附接到探测器芯片的后侧，
[0020]-将位于所述衬底和所述探测器芯片中的至少一项上的接触点电连接到位于所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上的第一组突出接触针，并且
[0021]-将所述第一组的接触针电连接到从基板朝着所述第一组的接触针突出的第二组的接触针。
[0022]根据本发明的目的，探测器芯片应当占用探测器头的前部分中的可用空间中的尽可能多的可用空间。根据本发明的另一目的，应当以实现简单和可靠制造和操作的方式产生到和从探测器芯片的连接件。
[0023]通过使用两组接触针来实现本发明的这些和更多目的以及优点。也可以包括接触柱的所谓的第一组或者上部的组接触针首先与探测器芯片及其衬底集成。可以利用集成组件的任一侧或者甚至两侧来产生在接触针或者接触柱与组件的相关部分之间的连接件。可以使用分离载体，第一组的接触针被附接到该载体。第一组接触针或者接触柱与所谓的第二组或者下部的组接触针对准，该第二组或者下部的组接触针构成头部的一部分，其支撑整个探测器头并且可以充当盖，该盖闭合如果被使用的探测器罐的下端。可以通过适当手段、包括但不限于键合、胶合、焊连和焊接来产生在第一和第二组的接触针之间的连接件。
[0024]在本专利申请中所给出的本发明的示例性实施例并不被解释为对所附权利要求的应用性加以限制。动词“包括”在本专利申请中被用作开放式限制，其并不排除还存在未被记载的特征。除非另外明确指出，否则从属权利要求中所记载的特征可互相自由组合。
[0025]被认为作为本发明特性的新颖特征特别在所附权利要求中给出。然而，当结合附图阅读时，作为其构造及其操作方法的本发明自身连同其附加目标和优势一起将从以下对具体实施例的描述中获得最佳理解

【专利附图】

【附图说明】
[0026]图1图示根据现有技术的探测器头，
[0027]图2图示根据现有技术的另一探测器头，
[0028]图3图示根据现有技术的另一探测器头，
[0029]图4图示用于制造根据本发明的一个实施例的半导体探测器头的方法，
[0030]图5-12图示根据本发明的实施例的半导体头的细节，
[0031]图13图示用于在根据本发明的一个实施例的半导体头中使用的载体，
[0032]图14图示用于在根据本发明的一个实施例的半导体头中使用的另一载体，并且
[0033]图15-17图示在根据本发明的实施例的半导体头中的接触针之间产生电连接件的细节。

【具体实施方式】
[0034]图4是制造根据本发明的一个实施例的半导体探测器头的简化示意图示。第一实体401至少包括未在图4中单独示出的探测器芯片和衬底。稍后更具体讨论构造第一实体、并且尤其是除了探测器芯片和衬底之外还包括载体的可能性的有利方式。
[0035]第一实体401也包括第一组接触针402。接触针的目的是提供用于产生到第一实体401的希望部分的电连接件的装置。接触针中的至少一个接触针传导地耦合到位于衬底上或者探测器芯片上的至少一个接触点。
[0036]第二实体403包括基板404和在面向第一实体401的一侧上从基板突出的第二组接触针405。第二组的接触针可以穿过基板404，从而它们的末端在它的另一侧(下侧)上可访问。对于在第二组的接触针与测量装置的任何更多电部分之间产生电连接件也存在其它可能性。如果基板404由导电材料制成——或者另外包括导电材料，则绝缘体套管或者其它适当种类的电隔离必须用来保持第二组的接触针免于经过基板而短路。
[0037]可以提供热电冷却器406 ;有利地，它位于第一实体401与第二实体403之间。未示出对这里讨论的实施例具有有限意义的结构细节。例如，中心定位的附接螺栓或者其它种类的机械附接装置可以作为基板404的部分或者与它紧密关联地出现。
[0038]左起的第二步骤示出如何将第一和第二实体带到一起，从而热电冷却器夹在它们之间。第一和第二组的接触针形成匹配对，从而在每个匹配对中，接触针的对应末端相互接近或者接触。左起的第三步骤示出如何在所述第一和第二组的接触针的匹配对之间产生电连接件。制造方法可以包括在将第一组的接触针电连接到第二组的接触针的步骤之前将热电冷却器附接到基板。
[0039]在第四步骤中，这里采用探测器罐407这一形式的盖放置于整个组件之上并且附接到基板。探测器罐407与基板一起形成密闭地密封的罩，该罩封闭探测器芯片、衬底、第一组突出接触针、第二组接触针的从基板朝着第一组的接触针突出的该部分以及在第一和第二组的接触针的匹配对之间的电连接件。探测器中的辐射窗(未单独示出)可以允许辐射到达探测器芯片。
[0040]没必要在探测器罐中封闭探测器头或者以任何方式覆盖它。存在其中半导体辐射探测器可以保持暴露的测量布置。这样的布置经常涉及待测量的样品和探测器头二者位于其中的室，从而在室中抽真空或者另外影响在室以内的气态氛围提供所需有利环境条件。
[0041]第一组的接触针可以直接附接到衬底，从而它们从衬底向着与探测器芯片相反的方向突出。然而在许多情况下，使用第一组的接触针附接到的分离载体更为有利。分离载体可以用作附加机械支撑，并且它可以给予用于设计传导轨道、键合焊盘和/或其它种类的电连接件的更多可能性。
[0042]图5至12图示其中使用这样的载体的实施例的一些细节。这些细节未构成可能实现方式的任何穷尽列表；它们不是彼此的排他备选；并且可以在与本发明的任何其它特征和实施例的任何组合中使用它们中的任何细节。关于产生与探测器芯片的连接件这一任务，应当注意SDD芯片经常需要通过键合到它的两侧来产生连接件。作为探测器元件的PIN二极管可以例如具有与它的顶侧的键合连接件和在低侧上的用传导胶产生的单个接触。
[0043]图5是半导体探测器头的一部分的部分横截面。在层堆叠中的最高层是具有前侧(在图5中面向上)和后侧的探测器芯片501。衬底502位于探测器芯片的后侧上。接触点存在于衬底502上和探测器芯片501上用于产生电连接件；在图5中，接触点的示例分别在探测器芯片和衬底上作为接触焊盘503和504出现。
[0044]作为将是在以上用来描述图4的词汇中的第一实体的又一层，图5的半导体探测器头包括载体505。载体位于衬底502的与探测器芯片501相反的一侧上。可以通过称载体505具有面向衬底502的前侧和在图5中向下的后侧，来引用载体的表面。
[0045]在图5中看见接触针506。接触针506是位于衬底502的与探测器芯片501相反的一侧上的第一组突出接触针。具体而言，接触针506——以及第一组的其它接触针——附接到载体505并且从它的后侧突出。接触针506至少部分经过载体505到达；这里它的顶端与载体的前侧实质上平齐。
[0046]所述第一组的接触针中的至少一个接触针传导地耦合到位于探测器芯片501和/或衬底502上的接触点中的至少一个。图5图示产生这样的传导耦合的一种方式。载体505在它的表面上包括至少一个传导区域。在图5的实施例中，这在载体505的前表面上是传导区域507。它在(或者接近)如下点处传导地耦合到接触针506，接触针506的近端在该点穿过载体505。在图5的图示中，传导区域在接触针506安装于其中的孔的壁上作为金属化继续。
[0047]载体505的直径略大于衬底502和探测器芯片中的任一项的直径，从而在俯视时留下载体的一些部分可见。这样，传导区域507的至少部分被暴露并且可访问。在传导区域507与在衬底502的暴露表面上的接触点504之间产生传导耦合。在图5的实施例中，这一传导耦合以键合接线508的形式出现。
[0048]图6图示如下实施例，在该实施例中，键合接线601实施在传导区域507与在探测器芯片上的接触点503之间的传导耦合。如果无需产生至在衬底的边缘处的任何接触点的相似键合连接件，则探测器芯片无需在衬底的边缘留下任何暴露区域。因此，探测器芯片501的直径在图6的实施例中与衬底的直径相同。也有可能组合图5和6中所不技术:在一些部分，从在载体上的传导区域的键合可以前进至衬底，而在其它部分，它可以直接去往探测器芯片。可以通过不同地形成衬底和探测器芯片的外边缘来有助于这样的组合，从而在一些部分暴露衬底表面而在其它部分未暴露它。
[0049]探测器芯片的衬底可以具有从印刷电路板知道的一些特征、比如所谓镀制过孔，这些过孔构成直接穿过衬底的传导耦合。图7图示如下实施例，在该实施例中，衬底502包括镀制过孔。衬底502的材料限定开口 701，该开口的壁至少部分用金属或者其它传导物质镀制。镀层在某种程度上向衬底的上和下侧继续，其中在一方面与在载体的前表面上的传导区域而在另一方面上与在探测器芯片的后表面上的电极产生电连接件。
[0050]镀制过孔技术可以用来产生经过载体的电连接件。图8图示如下实施例，在该实施例中，载体505在它的后表面上包括传导区域801。传导区域801在或者接近如下点处传导地耦合到接触针506，接触针506的突出部分在该点与载体505的后表面相遇。载体限定开口 802，并且衬底502包括至少部分与开口 802重叠的电接触803。传导区域801和所述电接触803经过开口 802相互传导地耦合。在这一实施例中，沿着开口 802的边缘的至少部分经过传导镀制产生这样的传导耦合，因此开口 802构成经过载体505的镀制过孔。
[0051]图9图示具有与图8中所示特征相同的特征中的一些特征的一个实施例。在载体505的后表面上的传导区域801在或者接近如下点处传导地耦合到接触针506，接触针506的突出部分在该点与载体505的后表面相遇。载体也限定开口 802，并且衬底502包括至少部分与开口 802重叠的电接触803。传导区域801和所述电接触803经过开口 802相互传导地耦合，但是在这一实施例中，传导耦合采用键合接线901的形式。如果分阶段组装半导体探测器头，则从下方键合在制造方法期间是可能的。在将键合接线901放置就位时，尚未组装包括探测器芯片、衬底和载体的第一实体，但是它尚未附接到包括基板和热电冷却器的第二实体。
[0052]图10图示如下实施例，在该实施例中，衬底502限定又一开口 1001，该又一开口至少部分与在载体中的开口 802重叠。存在经过所述又一开口 1001与在半导体芯片的后表面上的电极1002的传导耦合。具体而言，在载体505的后表面上的传导区域801键合到在衬底上的电接触803，又一键合接线从该电接触经过又一开口 1001去往电极1002。如果尺度允许，则键合接线甚至可以经过两个开口 802和1001 二者从在载体505的后表面上的传导区域801直接去往电极1002。
[0053]本发明未要求第一组的接触针应当是从载体(或者如果未使用分离载体则为衬底)的后表面垂直突出的直的针。可以使用从载体的后侧倾斜突出的直的针。图11图示又一备选，该备选包括从载体505的后表面突出的弯曲接触针1101。图12图不另一又一备选，在该备选中，第一组的接触针包括从载体505的后侧突出的柱1201。
[0054]关于载体中的开口(如果有)的数目、位置、形状和使用的各种备选是可能的。图13图示平面载体505，第一组的接触针506从该载体的后侧突出。在这一实施例中，载体505限定与在第一组中的接触针的一半的开口，并且每个开口大致地位于两个接触针之间。图14图示载体505，该载体具有大体上环形形式，从而它仅在中心限定一个大开口。这样的大中心开口可以用于与衬底的所有键合和其它连接件，而且允许热电冷却器或者其它中心定位的部件延伸经过载体并且与探测器芯片的衬底直接接触(或者如果需要，则经过一些其它辐射屏障、胶或者其它中间层间接接触)。
[0055]图15至17介绍如何在第一组和第二组的接触针的匹配对之间产生电连接件的一些示例。示出第二组的接触针1501为经过电绝缘套管1503安装到基板1502。接触针1501的一端(在图15中为下端)从半导体探测器头向外突出，用于电耦合半导体探测器头的部分与辐射探测装置的适当电路。接触针1501的另一端从基板1502向内突出并且与第一组的接触针506的突出端接近定位，从而这两二者形成匹配对。键合接线1504分别键合到第一组和第二组的针506和1501的侧表面。从侧面键合是可能的，因为在将半导体探测器头封闭在探测器罐中之前在它的外侧上有自由空间。
[0056]图16图示如下备选实施例，在该实施例中，在第一组和第二组的接触针506和1501的匹配对之间的电连接件包括胶1601，胶在这一情况下为导电胶。如果接触针相互直接接触并且胶仅用来保持它们就位，则也可以使用非传导胶。也可以组合键合接线和胶的使用，从而键合接线实施电连接件并且胶保持键合接线就位。
[0057]图17图示如下备选实施例，在该实施例中，在第一组和第二组的接触针506和1501的匹配对之间的电连接件包括接合节段1701，两个接触针的匹配部分的形式使得它们在该接合节段彼此相遇并且保证良好和可靠电连接件。接合节段也可以包括焊接1702或者加固机械和电连接件的其它方式。
[0058]图16和17中所示用于在接触针的匹配对之间电连接件的技术涉及比在使用键合接线的解决方案中大得多的在接触针对之间的热传导率。这可能使这些技术在如下解决方案中不可用或者至少不利，在这些解决方案中应当保持热传导率尽可能小，例如以便保持探测器芯片尽可能高效冷却。
[0059]根据本发明的一个实施例的一种用于制造半导体探测器头的方法包括将衬底附接到探测器芯片的后侧，并且将位于衬底和/或探测器芯片上的接触点电连接到第一组突出接触针。这些接触针位于所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上。该方法还包括将所述第一组的接触针电连接到从基板朝着所述第一组的接触针突出的第二组的接触针。该方法可以包括将载体附接到衬底的与所述探测器芯片不同的表面，所述第一组的接触针被附接到该载体。
[0060]如果使用热电冷却器，则该方法可以包括，在其中将第一组的接触针电连接到第二组的接触针的步骤之前，将热电冷却器附接到基板。这样，形成用于组装阶段的两个实体:第一实体包括探测器芯片、衬底和载体(如果使用载体)，第二实体包括基板(而第二组接触针附接到它)和所述热电冷却器。在组装前进至将第一组的接触针电连接到第二组的接触针之前，通过将第一实体胶合到热电冷却器的顶部来相互附接这两个实体。
[0061]将第一组的接触针电连接到第二组的接触针的步骤可以包括将导电接线件键合或者胶合到来自第一组和第二组的接触针的匹配对的侧表面。备选地，它可以包括相互直接键合接触针的匹配对或者在接合节段处将它们焊接在一起。
[0062]使用两组匹配接触针能够实现使探测器芯片为大，因为至少在本发明的一些实施例中，在探测器芯片下面没有应当具有比探测器芯片更大的直径的结构部分。在一些实施例中，衬底或者载体中的至少一项应当略大于探测器芯片，因为它们的边缘区域中的一些边缘区域应当保持暴露以使键合楔或者其它连接件产生工具能够从上方到达它们。然而，至少接触针的环的直径未以任何方式限制探测器芯片的尺寸。
[0063]应当注意在本发明的任何实施例中无需在圆形环中布置接触针，并且比如探测器芯片的任何其它结构部分也无需为圆形。因此，在讨论对尺度的可能限制时，本发明的优点不限于使圆形探测器芯片在直径上大于接触针的环。更一般而言，可以认为由于本发明，布置接触针的方式对在探测器头中在它们上方的结构的尺寸和形式施加很少的——如果有的话——限制。
【权利要求】
1.一种半导体探测器头，包括: -探测器芯片，具有前侧和后侧， -在所述探测器芯片的所述后侧上的衬底， -在所述衬底和所述探测器芯片中的至少一项上的接触点， -在所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上的第一组突出接触针，其中所述第一组的所述接触针中的至少一个接触针传导地耦合到所述接触点中的至少一个接触点， -基板， -从所述基板朝着所述第一组的所述接触针突出的第二组接触针，以及 -在所述第一组的接触针和所述第二组的接触针的匹配对之间的电连接件。
2.根据权利要求1所述的半导体探测器头，其中: -所述半导体探测器头在所述衬底的与所述探测器芯片相反的一侧上包括载体， -所述载体具有后侧和面向所述衬底的前侧，并且 -所述第一组的所述接触针附接到所述载体并且从它的后侧突出。
3.根据权利要求2所述的半导体探测器头，其中: -所述载体在它的表面上包括至少一个传导区域，并且 -所述传导区域传导地耦合到所述第一组的所述接触针中的至少一个接触针。
4.根据权利要求3所述的半导体探测器头，其中: -所述传导区域在所述载体的所述后表面上，并且在或者接近所述接触针从所述载体分离的点处传导地耦合到所述第一组的所述接触针中的所述至少一个接触针。
5.根据权利要求3所述的半导体探测器头，其中: -所述第一组的所述接触针中的所述至少一个接触针至少部分经过所述载体到达，并且 -所述传导区域在所述载体的所述前表面上，并且在或者接近所述接触针的近端穿过所述载体的点处传导地耦合到所述第一组的所述接触针中的所述至少一个接触针。
6.根据权利要求2所述的半导体探测器头，其中: -所述载体在它的后表面上包括至少一个传导区域， -所述载体限定开口， -所述衬底包括至少部分与所述开口重叠的电接触，并且 -所述传导区域和所述电接触经过所述开口彼此传导地耦合。
7.根据权利要求6所述的半导体探测器头，其中在所述传导区域与所述电接触之间的所述传导耦合包括以下项之一:键合接线、沿着限定所述开口的边缘的传导镀层。
8.根据权利要求6所述的半导体探测器头，其中: -所述衬底限定至少部分与在所述载体中的所述开口重叠的又一开口，并且 -所述半导体探测器头包括经过所述又一开口与所述探测器芯片的传导耦合。
9.根据权利要求2所述的半导体探测器头，其中: -所述载体的所述前侧包括至少部分暴露的传导区域，并且 -所述半导体探测器头包括在所述传导区域与以下项中的至少一项之间的传导耦合:在所述探测器芯片上的接触点、在所述衬底的暴露表面上的接触点。
10.根据权利要求2所述的半导体探测器头，其中所述第一组的所述接触针包括以下项中的至少一项:从所述载体的所述后侧垂直突出的直的针、从所述载体的所述后侧倾斜突出的直的针、从所述载体的所述后侧突出的弯曲的针、从所述载体的所述后侧突出的柱。
11.根据权利要求1所述的半导体探测器头，其中所述第一组的所述接触针附接到所述衬底并且从所述衬底向着与所述探测器芯片相反的方向突出。
12.根据权利要求1所述的半导体探测器头，其中在所述第一组的接触针和所述第二组的接触针的匹配对之间的所述电连接件包括键合至所述第一组和所述第二组的相应针的侧表面的键合接线。
13.根据权利要求1所述的半导体探测器头，包括在所述基板与所述衬底之间的热电冷却器。
14.根据权利要求1所述的半导体探测器头，包括附接到所述基板并且与所述基板一起形成密闭地密封罩的盖，所述罩封闭所述探测器芯片、所述衬底、所述第一组突出的接触针、所述第二组接触针的从所述基板朝着所述第一组的所述接触针突出的部分以及在所述第一组的接触针和所述第二组的接触针的匹配对之间的所述电连接件。
15.一种用于制造半导体探测器头的方法，包括: -将衬底附接到探测器芯片的后侧， -将位于所述衬底和所述探测器芯片中的至少一项上的接触点电连接到位于所述衬底的与所述探测器芯片相反的侧上的第一组突出接触针，并且 -将所述第一组的接触针电连接到从基板朝着所述第一组的所述接触针突出的第二组的接触针。
16.根据权利要求15所述的方法，包括: -将载体附接到所述衬底的与所述探测器芯片不同的表面，所述第一组的所述接触针被附接到所述载体。
17.根据权利要求16所述的方法，包括: -在将所述第一组的所述接触针电连接到所述第二组的接触针的步骤之前，将热电冷却器附接到所述基板。
18.根据权利要求17所述的方法，包括:-在将所述第一组的所述接触针电连接到所述第二组的接触针的步骤之前，将包括所述探测器芯片、所述衬底和所述载体的第一实体附接到包括所述基板和所述热电冷却器的第二实体。
19.根据权利要求15所述的方法，其中将所述第一组的所述接触针电连接到所述第二组的接触针的步骤包括将导电接线件键合或者胶合到来自所述第一组的接触针和所述第二组的接触针的匹配对的侧表面。
【文档编号】H01L31/18GK104183654SQ201410222414
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年5月23日 优先权日:2013年5月24日
【发明者】V·卡玛莱南 申请人:牛津仪器分析公司