监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法
【专利摘要】本发明提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括：在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
【专利说明】监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路工艺的发展，硅片生产要进行的工艺步骤越来越复杂，更先进的工艺也逐步被引进生产线，比如后段工艺的金属阻挡刻蚀工艺。但是，这也带来了一些不可避免的缺陷问题，比如光刻工艺中的大颗粒缺陷，在干刻工艺后，由于大颗粒缺陷处的不规则的光阻被干刻工艺的等离子体轰击，使得不规则的光阻非常容易保留电荷从而产生电弧放电，导致造成大面积的缺陷影响，如图1至图3所示。
[0003]具体地说，对于图1所示的光刻工艺，光刻胶10形成了图案。此时，如图2所示，大颗粒缺陷20处的不规则的光阻被干刻工艺的等离子体轰击。从而在图3所示的刻蚀后的沟槽中存在电荷30，从而产生电弧放电，导致造成大面积的缺陷影响。
[0004]目前，针对此类问题，由于大颗粒缺陷数量非常低，在干刻工艺中无法触发制造执行系统使产品晶圆批次在某个工艺步骤保持不变(不允许其再进行后续工艺)，只能通过在干刻工艺后监控并作返工处理降低缺陷影响，但是很多缺陷无法去除，造成了良率的损失。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其提前将光刻工艺后的大颗粒缺陷检测并及时在制造执彳丁系统中把娃片留住，并通过在光刻工艺步骤返工，避免其在后续工艺中造成更大影响。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，包括:在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息；将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住；将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。
[0007]优选地，可以采用扫描机对晶圆进行缺陷扫描。
[0008]优选地，在将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住的步骤中，扫描机将缺陷扫描数据传递给空间特征分析处理器，空间特征分析处理器与制造执行系统联通，如果空间特征分析处理器根据扫描机传递的缺陷扫描数据自动筛选出大颗粒缺陷，并且将筛选结果传到制造执打系统。
[0009]优选地，制造执行系统采用特定信息提醒操作人员。[0010]优选地，特定信号可包括语音提醒信息或者灯光提醒信或者文字信息。
[0011]优选地，特征信息包括缺陷的周长、面积、长度和宽度。
[0012]通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0014]图1示意性地示出了将被讨论的光刻工艺。
[0015]图2示意性地示出了现有技术中存在的颗粒缺陷。
[0016]图3示意性地示出了现有技术中存在的颗粒缺陷导致造成的缺陷。
[0017]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法的流程图。
[0018]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0019]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0020]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法的流程图。
[0021]如图4所示，根据本发明优选实施例的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法包括:
[0022]第一步骤SI，用于在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测；具体地，例如可以采用扫描机对晶圆进行缺陷扫描；
[0023]第二步骤S2，用于收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息，比如缺陷的周长、面积、长度、宽度等等；
[0024]第三步骤S3，用于将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通，以使得在出现大颗粒缺陷时可以直接通过制造执行系统将硅片留住；具体地，例如，扫描机将缺陷扫描数据传递给空间特征分析处理器，空间特征分析处理器与制造执行系统联通，如果空间特征分析处理器根据扫描机传递的缺陷扫描数据自动筛选出大颗粒缺陷，并且将此信息传到制造执行系统；而且，制造执行系统通过事先的设定，比如针对大颗拉缺陷数量如果超过I颗，产品晶圆就不准下放，并应用特定信息提醒操作人员。特定信号可包括语音提醒信息或者灯光提醒信息或者文字信息等。
[0025]第四步骤S4，可以在线实时监控大颗拉缺陷，并将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理，以便去除在后续工艺能够造成更大影响的大颗粒缺陷，避免缺陷的更大影响。
[0026]例如，可以选择55纳米逻辑产品应用此方法，可以通过空间特征分析有效监控大尺寸缺陷，并通过工艺返工处理及时去除，避免对后续工艺造成更大的缺陷影响，为良率提升提供保障。
[0027]通过应用本发明，可以有效预防光刻大颗缺陷的影响，为良率提升提供保障。
[0028]例如，所述大颗粒缺陷指的是单侧尺寸比光刻工艺的关键尺寸大2倍的不期望的颗粒残留。在更有利的应用，本发明尤其有利于应用于所述大颗粒缺陷指的是单侧尺寸比光刻工艺的关键尺寸大5-10倍的不期望的颗粒残留。
[0029]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0030]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于包括: 在预期产生大颗粒缺陷的步骤对晶圆进行缺陷检测； 收集将造成后续工艺缺陷扩散的缺陷信息，并将收集的缺陷信息传送至空间特征分析处理器，以便对缺陷信息进行特征化分析以提取出特征信息； 将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住； 将空间特征分析处理器通过制造执行系统留住的硅片进行返工处理。
2.根据权利要求1所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，采用扫描机对晶圆进行缺陷扫描。
3.根据权利要求2所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，在将空间特征分析处理器提取的特征信息与制造执行系统联通以使得在出现大颗粒缺陷时直接通过制造执行系统将硅片留住的步骤中，扫描机将缺陷扫描数据传递给空间特征分析处理器，空间特征分析处理器与制造执行系统联通，如果空间特征分析处理器根据扫描机传递的缺陷扫描数据自动筛选出大颗粒缺陷，并且将筛选结果传到制造执行系统。
4.根据权利要求3所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，制造执行系统采用特定信息提醒操作人员。
5.根据权利要求4所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，特定信号可包括语音提醒信息或者灯光提醒信或者文字信息。
6.根据权利要求1或2所述的监控并消除大尺寸缺陷所导致的后续工艺缺陷扩散的方法，其特征在于，特征信息包括缺陷的周长、面积、长度和宽度。
【文档编号】H01L21/66GK103996636SQ201410253190
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2014年6月9日 优先权日:2014年6月9日
【发明者】范荣伟, 王洲男, 陈宏璘, 龙吟, 顾晓芳 申请人:上海华力微电子有限公司