半导体制程中铝硅接面的实时监测方法
【专利摘要】本发明提供了一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，包括以下步骤：步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；步骤二，在第一护层上形成第二护层；步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。本发明可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本和因工艺异常所造成的损失。
【专利说明】半导体制程中铝硅接面的实时监测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种铝硅接面的实时监测方法，具体地，涉及一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法。
【背景技术】
[0002]传统电性测试或破坏性分析才可监测工艺上铝硅接面异常，这样会造成产品的损坏，增加成本，另外如果没有电性测试或破坏性分析则不能发现铝硅接面异常。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本。
[0004]根据本发明的一个方面，提供一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，包括以下步骤:
[0005]步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层；
[0006]步骤二，在第一护层上形成第二护层；
[0007]步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中；
[0008]步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。
[0009]优选地，所述衬底的材料为硅。
[0010]优选地，所述金属层的材料是铝。
[0011]优选地，所述第一护层的材料为非晶硅。
[0012]优选地，所述第二护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
[0013]优选地，所述第一护层和金属层之间的连接面为铝硅接面。
[0014]与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果:本发明可以在半导体制程中及时发现铝硅接面异常，降低成本和因工艺异常所造成的损失，另外不需要电性测试或破坏性分析就能发现铝硅接面异常，更准、更快地在线上将不正常的机台立刻检验出，避免继续生产产品造成更大的损失。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0016]图1为形成第一护层后的结构示意图。
[0017]图2为形成第二护层后的结构示意图。
[0018]图3为形成凹槽后的结构示意图。
[0019]图4为本发明监测发现正常情况时的效果示意图。
[0020]图5为本发明监测发现轻微异常情况时的效果示意图。
[0021]图6为本发明监测发现异常情况时的效果示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
[0023]如图1至图3所示，本发明半导体制程中铝硅接面的实时监测方法包括以下步骤:
[0024]步骤一，在衬底I上依次形成绝缘层2、氧化层3、金属层4，在金属层4上形成第一护层5 ；
[0025]步骤二，在第一护层5上形成第二护层6 ;
[0026]步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽7，凹槽7穿过第一护层5、第二护层6后延伸到金属层4中；
[0027]步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。
[0028]其中，衬底I的材料可以为硅。金属层4的材料可以是铝。第一护层5的材料为非晶硅。第二护层6的材料为氮化硅或氮氧化硅。第一护层和金属层之间的连接面为铝硅接面。
[0029]如图4所示，在护层蚀刻刻开的位置，因为事先在第一护层上已事先加入非晶硅，所以会有很明显的黑色条状物的表现，借此可以知道金属成分及成长工艺过程皆为正常，即制程、机台是正常的，不需要等到完成所有工序后再进行电性测试，就可以在线上预先知道制程、机台是否正常的结果。
[0030]如图5所示，当制程、机台有轻微异常时，黑色条状物会呈现灰阶现象。虽然电性测试依然在正常范围内，但此模拟的方式可以更准、更快地在线上预警机台的轻微异常，避免机台日益严重造成更大的损失。
[0031]如图6所示，当黑色条状物会呈现透明或者消失的现象，表示制程、机台有严重的不正常(异常)现象。因为在线上可及时发现，可立即停机、停线处理，不用等到完成所有工序后的最后电性测试才知道结果。借此模拟的方式更准、更快地在线上将不正常的机台立刻检验出，避免继续生产产品造成更大的损失。
[0032]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
【权利要求】
1.一种半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤一，在衬底上依次形成绝缘层、氧化层、金属层，在金属层上形成第一护层； 步骤二，在第一护层上形成第二护层； 步骤三，利用遮光罩进行显影并蚀刻一个凹槽，凹槽穿过第一护层、第二护层后延伸到金属层中； 步骤四，根据第一护层和金属层之间的连接面的表面情况识别出制程、机台是否正常。
2.根据权利要求1所述的半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，所述衬底的材料为硅。
3.根据权利要求1所述的半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，所述金属层的材料是铝。
4.根据权利要求1所述的半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，所述第一护层的材料为非晶硅。
5.根据权利要求1所述的半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，所述第二护层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体制程中铝硅接面的实时监测方法，其特征在于，所述第一护层和金属层之间的连接面为铝硅接面。
【文档编号】H01L21/66GK104465442SQ201410709841
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】廖奇泊, 陈俊峰, 周雯 申请人:上海芯亮电子科技有限公司