一种肖特基二级管的布置方法
【专利摘要】本申请提供一种肖特基二级管的布置方法，包括，a.提供具有衬底和外延层的基体；b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界；c.在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极，在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。本发明提供的肖特基二级管的布置方法能够有效的将多个分立器件的肖特基二级管直接形成于同一基体之上，并且集成后的肖特基二级管不会相互影响。另外，其阴极和阳极位于基体的横向同侧，能够有效节省空间并实现逻辑功能。采用这种方法制造的集成器件结构简单，价格低廉。
【专利说明】一种肖特基二级管的布置方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子器件领域，特别涉及一种横向肖特基二级管的集成方法。
【背景技术】
[0002]常用的肖特基二极管均具有纵向结构，即阳极和阴极分设于硅片主体的两相对侦U。这种设置方式不便于通过集成实现逻辑功能。
【发明内容】
[0003]鉴于现有技术中存在的问题，本发明提供一种肖特基二级管的布置方法，包括，a提供具有衬底和外延层的基体，b在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界，c在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极；在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。
[0004]在本发明的一些实施方式中，所述隔离区与所述衬底的材料相同。
[0005]在本发明的一些实施方式中，所述隔离区与所述衬底的材料为Si02。
[0006]隔离区采用与衬底相同的S12材料，能够使隔离区与衬底紧密结合，不易脱落，并且S12材料易于取得，价格低廉。当然，还可以使用其它材料代替，例如氧化锗等。
[0007]在本发明的一些实施方式中，所述步骤b包括对所述外延层进行光刻腐蚀以形成凹陷区域，直至露出所述衬底，将所述外延层分为第一部分外延层和第二部分外延层。在所述凹陷区域内化学气相沉积隔离材料形成隔离区。
[0008]在本发明的一些实施方式中，所述步骤c包括:cl在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阳极势垒区，溅射势垒金属并进行退火合金化处理；c2在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阴极N+区，注入磷离子，快速退火激活所述阴极N+区；c3向阴极N+区域蒸发金属层，并进行光刻，实现金属互连。
[0009]在本发明的一些实施方式中，在所述步骤Cl中，所述阳极势垒区的光刻位置相对于隔离区对称设置；在所述步骤c2中，所述阴极N+区的光刻位置相对于隔离区对称设置。
[0010]为了更易于集成以实现逻辑功能，可以将阳极和阴极对称设置。
[0011]在本发明的一些实施方式中，所述阳极势垒区布置在所述阴极N+区域和所述隔离区之间。
[0012]本发明提供的肖特基二级管的布置方法能够有效的将多个分立器件的肖特基二级管直接形成于同一基体之上，并在中间设置隔离区，不影响每一个工作单元的性能。其阴极和阳极位于基体的同一侧，能够有效的集成分立器件，从而实现逻辑功能。所制造的集成器件结构简单，价格低廉。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本发明一实施方式集成后的肖特基二极管结构示意图；
【具体实施方式】
[0014]如图1所示，横向肖特基二极管具有在N-型基体I上形成的阴极2和阳极3，其中阴极2与N-型基体I之间形成N+型的势垒区。势垒区的注入离子为磷。
[0015]以两个分立器件的横向肖特基二极管为例，为了实现逻辑功能，两个横向肖特基二极管的N+型基体I形成与同一衬底4之上，并且二者的N+型基体I之间具有间隙。隔离区5生长于两个横向肖特基二极管的N+型基体I所形成的间隙内的衬底4上，并填充满间隙。这样设置后，两个横向肖特基二极管的以隔离区5为中心对称分布在所述衬底4上，其两个阴极以及两个阳极均位于同一侧。隔离区5和衬底4可以采用同一种材料，本实施方式中，均采用S12。
[0016]本实施方式中的横向肖特基二极管按照如下方法集成:
[0017](I)准备N型的SOI硅片；
[0018](2)对硅片的外延层进行光刻，并对光刻位置进行腐蚀，露出硅片衬底，形成凹陷区域；
[0019](3)在凹陷区域内低压化学气相淀积S12，形成隔离区；
[0020](4)在临近隔离区两侧的外延层上对称地光刻阳极势垒区位置；
[0021](5)采用派射台派射势鱼金属NiCr,退火合金化,形成NiCr合金；
[0022](6)在远离隔离区两侧的外延层上对称的光刻阴极N+区域位置；
[0023](7)向光刻出的阴极N+区域位置注入磷离子，快速退火激活阴极N+区域；
[0024](8)采用蒸发台向阴极N+区域蒸发金属层；
[0025](9)对阴极金属层进行光刻，实现金属互连；
[0026](10)对SOI硅片进行背面衬底减薄。
[0027]按照上述方法，可以对分立器件的横向肖特基二极管进行集成，实现逻辑功能。阳极和阴极对称的分布在隔离区的两侧，其制造过程简单，位于易于选取。所制造的集成肖特基二极管的隔离区与硅片衬底均采用S12,不仅成本低廉而且能够使二者紧密结合。
[0028]以上对本发明的各种实施例进行了详细说明。本领域技术人员将理解，可在不偏离本发明范围(由所附的权利要求书限定)的情况下，对实施方案进行各种修改、改变和变化。对权利要求范围的解释应从整体解释且符合与说明一致的最宽范围，并不限于示例或详细说明中的实施。
【权利要求】
1.一种肖特基二级管的布置方法，包括: a.提供具有衬底和外延层的基体； b.在所述外延层中形成隔离区，所述隔离区一方面将所述外延层分为彼此间隔的第一部分外延层和第二部分外延层，另一方面与所述衬底接界； c.在所述第一部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极；在所述第二部分外延层的远离衬底的一侧上横向布置阴极和阳极。
2.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述隔离区与所述衬底的材料相同。
3.根据权利要求2所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述隔离区与所述衬底的材料为Si02。
4.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述步骤b包括: 对所述外延层进行光刻腐蚀以形成凹陷区域，直至露出所述衬底，将所述外延层分为第一部分外延层和第二部分外延层， 在所述凹陷区域内化学气相沉积隔离材料形成隔离区。
5.根据权利要求1所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述步骤c包括: cl.在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阳极势垒区，溅射势垒金属并进行退火合金化处理； c2.在第一部分外延层和第二部分外延层上分别光刻阴极N+区，注入磷离子，快速退火激活所述阴极N+区； c3.向阴极N+区域蒸发金属层，并进行光刻，实现金属互连。
6.根据权利要求5所述的肖特基二级管的布置方法，其中，在所述步骤cl中，所述阳极势垒区的光刻位置相对于隔离区对称设置；在所述步骤c2中，所述阴极N+区的光刻位置相对于隔离区对称设置。
7.根据权利要求6所述的肖特基二级管的布置方法，其中，所述阳极势垒区布置在所述阴极N+区域和所述隔离区之间。
【文档编号】H01L29/872GK104409520SQ201410748316
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年12月9日 优先权日:2014年12月9日
【发明者】唐冬, 刘旸, 白羽, 徐衡, 刘剑 申请人:中国电子科技集团公司第四十七研究所