1.一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统，所述基板处理系统包括：
第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；
至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用于在所述第一真空腔室内将所述基板从所述第一传输轨道横向地移位至所述第二传输轨道或反之亦然；以及
真空旋转模块，所述真空旋转模块具有第二真空腔室，其中所述真空旋转模块包括竖直的旋转轴，以使所述基板在所述第二真空腔室中围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述真空旋转模块具有第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轨道可旋转以与所述第一传输轨道形成线性传输路径，并且所述第二旋转轨道可旋转以与所述第二传输轨道形成线性传输路径，并且其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。
2.如权利要求1所述的基板处理系统，其中所述第一真空腔室是第一沉积腔室，所述第一沉积腔室具有设在所述第一沉积腔室中的第一沉积源，并且其中所述第一真空腔室被耦接至所述真空旋转模块，所述第一真空腔室和所述真空旋转模块是由第一真空可密封阀分开。
3.如权利要求2所述的基板处理系统，其进一步包括：
第三真空腔室，所述第三真空腔室是第二沉积腔室，并且具有设在所述第二沉积腔室中的第二沉积源，其中所述第三真空腔室被耦接至所述真空旋转模块，其中所述第二真空腔室和所述真空旋转模块是由第二真空可密封阀分开。
4.如权利要求3所述的基板处理系统，其中所述第一沉积腔室被配置成沉积包括第一材料的第一层，所述第一层，其中所述第二沉积腔室被配置成在所述第一层上方沉积包括第二材料的第二层，所述基板处理系统进一步包括：
第三沉积腔室，所述第三沉积腔室被配置成沉积包括所述第二材料的层；以及
另一腔室，所述另一腔室包括具有另一第一传输轨道和另一第二传输轨道的另一双轨传输系统，其中所述另一双轨传输系统与所述第一双轨传输系统形成线性传输路径；
其中所述第一沉积腔室适于从所述真空旋转模块接收所述基板，并且适于在所述第二层上方沉积包括所述第一材料的另一个层。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的基板处理系统，其进一步包括：
至少一个负载锁定腔室，所述至少一个负载锁定腔室具有负载锁定双轨传输系统，所述负载锁定双轨传输系统与所述第一双轨道传输系统形成线性传输路径。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的基板处理系统，其中所述真空旋转模块是如权利要求9至12中的任一项所述的真空旋转模块。
7.如权利要求6所述的基板处理系统，其中所述至少四个侧壁中的三个或更多个侧壁仅耦接至单个真空腔室。
8.一种真空旋转模块，所述真空旋转模块被配置成用于具有第一真空腔室和第一双轨传输系统的基板处理系统，具体来说用于如权利要求1至7中的任一项所述的基板处理系统，所述真空旋转模块包括：
第二真空腔室；
第二双轨传输系统，所述第二双轨传输系统具有第一旋转轨道和第二旋转轨道，其中所述第一旋转轴和所述第二旋转轴具有500mm或更小的距离；以及
竖直的旋转轴，所述竖直的旋转轴用于使得所述基板在所述第二真空腔室内、在所述第二双轨传输系统上围绕所述竖直的旋转轴旋转，其中所述竖直的旋转轴在所述第一旋转轨道与所述第二旋转轨道之间。
9.如权利要求8所述的真空旋转模块，其中所述真空旋转模块具有至少四个侧壁，其中每个侧壁被配置成将耦接至真空腔室，具体来说其中所述真空旋转模块具有至少八个侧壁，其中每个侧壁被配置成将耦接至真空腔室。
10.如权利要求8至9中的任一项所述的真空旋转模块，其中所述真空旋转模块被配置成用于同时将两个基板装载到一个相邻真空腔室中和/或同时从一个相邻真空腔室中卸载两个基板。
11.如权利要求8至10中的任一项所述的真空旋转模块，其中所述第一旋转轴和所述第二旋转轴具有200mm或更小的距离。
12.如权利要求8至11中的任一项所述的真空旋转模块，其中所述真空旋转模块被配置成用于在低于10mbar的压力下旋转所述基板。
13.一种在具有第一沉积腔室、第二沉积腔室和真空旋转模块的基板处理系统、具体来说在根据权利要求1至8中的任一项所述的基板处理系统中沉积层堆叠的方法，所述方法包括：
在所述第一沉积腔室中，将包括第一材料的第一层沉积到基本上竖直地定向的基板上；
当另一基板从所述第一沉积腔室传送到所述真空旋转模块中或反之亦然时，将所述基板从所述第一沉积腔室传送到所述真空旋转模块中；
具体来说当另一基板从所述真空旋转模块传送到所述第二沉积腔室中或反之亦然时，将所述基板从所述真空旋转模块传送到所述第二沉积腔室中；
在所述第二沉积腔室中，沉积包括第二材料的第二层。
14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：
闭合所述真空旋转模块与所述第二沉积腔室之间的真空可密封阀；以及
当所述系统其余部分在操作中时，对所述第二沉积腔室提供维护。
15.如权利要求13至14中的任一项所述的方法，其进一步包括：
在所述第一沉积腔室内，将所述基板从第一传输轨道横向地移位到第二传输轨道或反之亦然。