1.一种蚀刻基板的方法，所述方法包含以下步骤：
使用局部等离子体处理所述基板，所述局部等离子体由惰性气体形成，其中处理所述基板的步骤包含以下步骤：将所述基板的结晶硅部分转变为所述基板的非晶硅部分，并且其中所述局部等离子体通过施加局部等离子体功率来激发所述局部等离子体而形成；以及
蚀刻所述基板的所述非晶硅部分，其中蚀刻所述基板的所述非晶硅部分的步骤包含以下步骤：在处理所述基板之后，使等离子体流出物流入容纳所述基板的基板处理区域，其中通过使含氢前体流入流体地耦接至基板处理区域的远程等离子体区域来形成所述等离子体流出物，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生所述等离子体流出物，其中在所述远程等离子体区域中形成所述远程等离子体以产生所述等离子体流出物的步骤包含以下步骤：将具有远程RF等离子体功率的远程RF等离子体施加至所述远程等离子体区域。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包含氦气、氖气或氩气中的一者或更多者。
3.如权利要求1所述的方法，其中在处理所述基板期间，所述局部等离子体不含反应物质。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述基板的所述结晶硅部分包含单晶硅或多晶硅中的一者。
5.如权利要求1所述的方法，其中在处理所述基板期间产生的所述非晶硅部分在蚀刻所述基板的所述非晶硅部分的期间被完全去除。
6.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻所述基板的所述非晶硅部分期间，所述非晶硅部分的蚀刻速率为所述结晶硅部分的蚀刻速率的超过200倍。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢前体包含分子氢。
8.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述基板的所述非晶硅部分的步骤包含以下步骤：各向异性地蚀刻所述非晶硅部分。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在所述结晶硅部分曾经存在之处生长置换结晶硅部分。
10.一种蚀刻图案化的基板的方法，所述方法包含以下步骤：
将所述图案化的基板传送至基板处理区域中，所述基板处理区域通过喷淋头而与远程等离子体区域分开，其中所述图案化的基板包含覆盖结晶硅部分的非晶硅部分；
使含氢前体流入所述远程等离子体区域，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物，其中在所述远程等离子体区域中形成所述远程等离子体以产生所述等离子体流出物的步骤包含以下步骤：将具有远程RF等离子体功率的远程RF等离子体施加至所述远程等离子体区域；
传送所述等离子体流出物通过所述喷淋头，并且随后将所述等离子体流出物传送到所述基板处理区域中；以及
蚀刻所述非晶硅部分。
11.如权利要求10所述的方法，其中在使所述含氢前体流入所述远程等离子体区域期间，所述远程等离子体区域不含氟。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述结晶硅部分在界面处邻接所述非晶硅部分，并且蚀刻所述非晶硅部分包含：在所述界面处终止所述方法。
13.如权利要求10所述的方法，其中所述含氢前体包含碳氢化合物、含氮和氢前体或氢中的至少一者。
14.如权利要求10所述的方法，其中在蚀刻所述非晶硅部分的操作期间，所述远程等离子体区域和所述基板处理区域仅由氢和惰性气体组成。
15.一种蚀刻基板的方法，所述方法包含以下步骤：
使用局部等离子体处理所述基板，所述局部等离子体由氦气形成，其中处理所述基板的步骤包含以下步骤：将所述基板的结晶硅部分转变为所述基板的非晶硅部分，并且其中所述局部等离子体通过施加局部等离子体功率来激发所述氦气而形成；以及
使分子氢流入远程等离子体区域中，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生等离子体流出物，其中在所述远程等离子体区域中形成所述远程等离子体以产生所述等离子体流出物的步骤包含以下步骤：将具有RF等离子体功率的RF等离子体施加至所述远程等离子体区域；
使所述等离子体流出物通过喷淋头并进入所述基板处理区域；以及
使用所述等离子体流出物来蚀刻所述基板的所述非晶硅部分。