验证计量目标及其设计的制作方法

本申请案主张2014年10月3日申请的第62/059,640号美国临时专利申请案的权益，所述美国临时专利申请案以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体计量的领域，且更特定来说涉及计量目标设计。

背景技术：

在半导体计量的领域中，计量工具可包括：照明系统，其照明目标；收集系统，其捕获通过所述照明系统与目标、装置或特征的相互作用(或缺少其)提供的相关信息；及处理系统，其使用一或多种算法分析收集到的信息。计量工具可用于测量与各种半导体制造工艺相关联的结构及材料特性(例如，结构及膜的材料组合物、尺寸特性(例如结构的膜厚度及/或临界尺寸、叠加等等))。这些测量用于在半导体裸片的制造中促进工艺控制及/或良率效率。计量工具可包含可结合本发明的某些实施例使用以(例如)测量各种前述半导体结构及材料特性的一或多个硬件配置。此类硬件配置的实例包含以下各者：光谱椭圆偏光计(SE)、具有多个照明角的SE、测量穆勒矩阵元素的SE(例如，使用旋转补偿器)、单波长椭圆偏光计、光束轮廓椭圆偏光计(角分辨椭圆偏光计)、光束轮廓反射计(角分辨反射计)、宽带反射光谱仪(光谱反射计)、单波长反射计、角分辨反射计、任何成像系统、光瞳成像系统、光谱成像系统、散射计(例如，散斑分析器)等等。

所述硬件配置可分离成离散操作系统。另一方面，一或多个硬件配置可组合成单个工具。此多个硬件配置组合成单个工具的一个实例由第7,933,026号美国专利(其例如，包含宽带SE、具有旋转补偿器的SE、光束轮廓椭圆偏光计、光束轮廓反射计、宽带反射光谱仪及深紫外反射光谱仪)提供，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。此外，在此类系统中通常存在许多光学元件，其包含特定透镜、准直器、镜、四分之一波片、偏光器、检测器、摄像机、光圈及/或光源。用于光学系统的波长可从约120nm变化到3微米。对于非椭圆偏光计系统，收集到的信号可被偏光分辨或未偏光。多个计量头可集成在同一工具上，然而，在许多情况中，多个计量工具用于对单个或多个计量目标的测量，如(例如)第7,478,019号美国专利中所描述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。

特定硬件配置的照明系统包含一或多个光源。所述光源可产生仅具有一个波长的光(即，单色光)、具有许多离散波长的光(即，多色光)、具有多个波长的光(即，宽带光)及/或扫掠波长(连续扫掠或在波长之间跳跃扫掠)的光(即，可调谐光源或扫频光源)。合适光源的实例是：白光源、紫外(UV)激光器、弧光灯或无电极灯、激光维持等离子(LSP)源、超连续谱源(例如宽带激光源)或较短波长源(例如x射线源)、极UV源或其某种组合。所述光源还可经配置以提供具有足够亮度的光，所述足够亮度在一些情况中可为大于约1W/(nm cm²Sr)的亮度。计量系统还可包含用于使光源的功率及波长稳定的对所述光源的快速反馈。可经由自由空间传播递送光源的输出或在一些情况中可经由任何类型的光纤或光引导件递送光源的输出。

计量目标可拥有各种空间特性且通常由可包含一或多个层中的特征的一或多个单元构成，所述特征可已在一或多个在光刻上相异的曝光中印刷。所述目标或所述单元可拥有(例如)如第6,985,618号美国专利中所描述的各种对称(例如双重旋转对称或四重旋转对称、反射对称)，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。不同单元或单元的组合可属于相异层或曝光步骤。个别单元可包括经隔离非周期特征或替代地其可由一维、二维或三维周期结构或非周期结构及周期结构的组合构成，例如，如在第2013/042089号美国专利公开案中，所述美国专利公开案以全文引用的方式并入本文中。周期结构可未分段或其可由精细分段特征构成，所述精细分段特征可依据或接近用于印刷其的光刻工艺的最小设计规则。计量目标也可与在相同层或在所述计量结构的层上方、下方或之间的层中的实体建模结构同址或紧邻所述实体建模结构。目标可包含可通过计量工具测量厚度的多个层(或膜)。目标可包含(例如)使用对准及/或叠加配准操作放置(或已存在)于半导体晶片上供使用的目标设计。特定目标可定位于半导体晶片上的各种位置处。举例而言，目标可定位于(例如，裸片之间的)划线道内及/或定位于所述裸片自身中。可由同一或多个计量工具(在相同时间或不同时间)测量多个目标，(例如)如第7,478,019号美国专利中所描述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。可组合来自此类测量的数据。来自计量工具的数据在半导体制造工艺中用以(例如)向前馈送、向后馈送及/或侧向馈送校正到工艺(例如，光刻、蚀刻)，例如，参见以全文引用的方式并入本文中的第8,930,156号美国专利，所述美国专利揭示用于重新使用计量目标单元的向前馈送方法；且因此可产生完整的工艺控制解决方案。计量工具经设计以进行与半导体制造有关的许多不同类型的测量，例如，测量一或多个目标的特性(例如临界尺寸、叠加、侧壁角、膜厚度、工艺相关参数(例如，焦点及/或剂量))。目标可包含本质上周期性的所关注的特定区域(举例来说，例如存储器裸片中的光栅)。

随着半导体装置图案尺寸继续缩小，常常需要较小的计量目标。此外，测量准确度及匹配到实际装置特性增加了对于类装置目标以及裸片中及甚至装置上测量的需要。已提出各种计量实施方案以实现那个目标。举例来说，主要基于反射光学器件的聚焦光束椭圆偏光测量描述于(例如)第5,608,526号美国专利中，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。切趾器可用于减轻引起照明光点散布超过由几何结构光学器件定义的尺寸的光学衍射效应，举例来说，如第5,859,424号美国专利中所描述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。一起使用高数值孔径工具与同时多个入射角照明是实现小目标能力的另一方式，例如，如第6,429,943号美国专利中所描述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。其它测量实例可包含测量半导体堆叠的一或多个层的组合物、测量晶片上(或内)的特定缺陷及测量曝露到晶片的光刻辐射量。在一些情况中，计量工具及算法可经配置以用于测量非周期目标，例如，如第14/294540号美国专利申请案及第2014/0222380号美国专利公开案中所描述，所述美国专利公开案以全文引用的方式并入本文中。

所关注参数的测量通常涉及由相应计量工具中的对应分析单元实施的许多算法。举例来说，入射光束与样本的光学相互作用是使用EM(电磁)解算器来建模及使用例如RCWA(严格耦合波分析法)、FEM(有限元素法)、动差法、面积分法、体积分法、FDTD(有限差分时域法)及其它的算法。通常使用几何结构引擎或在一些情况中使用过程建模引擎或两者的组合来建模(以参数表示)所关注目标。过程建模的使用描述于(例如)第2014/0172394号美国专利公开案中，所述美国专利公开案以全文引用的方式并入本文中。几何结构引擎实施于(例如)科磊公司(KLA-Tencor)的AcuShape软件产品中。

可通过许多数据拟合及优化技术及科技来分析收集到的数据，所述技术及科技包含库、快速降级模型；回归；机器学习算法(例如神经网络、支持向量机(SVM))；降维算法(举例来说，例如PCA(主分量分析)、ICA(独立分量分析)、LLE(局部线性嵌入))；稀疏表示(例如傅立叶变换或小波变换)；卡尔曼(Kalman)滤波器；促进来自相同或不同工具类型的匹配的算法及其它。还可由(例如)如第2014/0257734号美国专利公开案中所描述的并不包含建模、优化及/或拟合建模的算法分析收集到的数据，所述美国专利公开案以全文引用的方式并入本文中。计算算法通常针对其中使用一或多个方法的计量应用(例如计算硬件、平行化、计算分布、负载平衡、多服务支持、动态负载优化等等的设计及实施方案)而优化。可在固件、软件、FPGA(现场可编程门阵列)、可编程光学组件等等中进行算法的不同实施方案。数据分析及拟合步骤通常追求以下目标中的一或多者：CD、SWA、形状、应力、组合物、膜、带隙、电性质、焦点/剂量、叠加、产生工艺参数(例如，抗蚀剂状态、分压、温度、聚焦模型)及/或其任何组合的测量；计量系统的建模及/或设计；及计量目标的建模、设计及/或优化。

技术实现要素：

下文是提供本发明的初步理解的简化概述。此概述不一定识别关键要素或限制本发明的范围，而仅作为以下描述的介绍。

本发明一方面提供一种计量目标设计方法，所述方法包括使用与至少一个经设计计量目标有关的OCD数据作为目标模型与晶片上的对应实际目标之间的差异的估计，及调整计量目标设计模型以补偿所述经估计差异。

本发明的这些、额外及/或其它方面及/或优点在以下详细描述中进行陈述；可能可从详细描述推论；及/或可通过本发明的实践学习。

附图说明

为本发明的实施例的更好理解及为展示可如何实施所述实施例，现将纯粹通过实例参考附图，其中相同数字始终指定对应元件或部分。

在附图中：

图1及2是说明根据本发明的一些实施例的计量工作流程的高级流程图。

图3A是现有技术叠加计量目标的高级示意性说明。

图3B及3C是根据本发明的一些实施例的验证目标的高级示意性说明。

图4是说明根据本发明的一些实施例的目标设计方法的高级示意性流程图。

具体实施方式

现通过对图式的详细特定参考，应强调所展示的特定例仅作为实例且仅用于说明性论述本发明的优选实施例的目的，且为了提供据信作为本发明的原理及概念方面的最有用及易于理解的描述的内容而呈现。就此点来说，未尝试比基本理解本发明所需要更详细地展示本发明的结构细节，结合图式进行的描述使所属领域的技术人员明白可如何在实践中体现本发明的若干形式。

在详细解释本发明的至少一个实施例之前，应理解本发明并不使其应用限于以下描述中所陈述或图式中所说明的组件的构造及布置的细节。本发明可应用于可以各种方式实践或实施的其它实施例。此外，应理解本文中所采用的短语及术语是出于描述的目的且不应视为具限制性。

本发明提供计量目标设计方法及验证目标。方法包括：使用与经设计计量目标有关的OCD数据作为目标模型与晶片上的对应实际目标之间的差异的估计；及调整计量目标设计模型以补偿所述经估计差异。专属验证目标可包括叠加目标特征且对尺寸进行优化以可由OCD传感器测量，以实现对于由生产工艺变化所引起的不准确度的补偿。方法还包括提供经启用的较高保真度计量目标设计模型及计量测量的最终较高准确度的对制造商与计量商家之间的工作流程的修改。

图1及2是说明根据本发明的一些实施例的计量工作流程的高级流程图。

需要根据特定计量性能要求(例如准确度、精确度及稳健性)来设计计量目标。为实现这些要求，通常使用模拟以确定目标设计的几何结构特性与所得计量性能之间的关系，例如，如第8,214,771号美国专利中所描述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。通常，模拟程序一般来说以半导体晶片的标称堆叠及表面构形描述的插入开始且特定来说以计量目标的插入开始。

模拟在预测给定计量设计的计量性能方面的可靠性受所述标称堆叠及表面构形描述的准确度强烈影响。在下文中，提出通过验证所述堆叠及表面构形描述实现计量性能的预测中的改进的准确度的方法及目标设计。可使用所述方法的实施例验证的参数(例如目标设计特性)包含(但不限于)：膜堆叠厚度的存在或不存在或膜堆叠厚度的值、膜堆叠序列、光学指数(例如，折射率(n)及消光系数(k))、周期、色散、工作循环、临界尺寸、临界尺寸蚀刻偏差、引发的表面构形、归因于过度(或不足)抛光的凹陷、侧壁角、侧壁角的不对称、层平面性或缺少层平面性、LER(线边缘粗糙度)或可影响计量性能的任何其它表面构形或光学特性。

图1中展示堆叠及表面构形验证序列的某些实施例。现有技术工作流程表示特性地以来自关于(例如)堆叠的n、k及t(表面构形)参数且从半导体制造商60接收的客户问卷调查61的标称堆叠输入开始。计量商家70进行初步堆叠重检71，初步堆叠重检71接着通过与由制造商60提供的计量目标横截面图像62比较来进行验证72。堆叠描述可在接收工艺变化估计63之后更新73，且准备目标设计(实验tDOE的目标设计)工作簿74，运行目标设计模拟75且获取光瞳图像、衍射效率(DE)及精确度数据76。从制造商60接收目标坐标64及计量工具时间65，准备81、测量82计量验证配方及将其用于导出光瞳图像、DE及精确度数据83。分别比较84经估计及测量的结果76、83以评估目标到规格的匹配。在失配的情况中，再次更新73堆叠描述，准备新工作簿、模拟及数据且实施模拟85，从而导致经验证目标设计86。

在某些实施例中，增加额外初期验证步骤，即与(例如)从用于先前层的OCD工作簿及结果110、用于光刻层的膜工作簿及结果112及/或用于先前层的膜工作簿及结果114接收的OCD(光学临界尺寸)及膜工作簿比较100，接着为甚至可能在验证步骤72(关于计量目标横截面62)之前进行经更新堆叠描述116。所使用的OCD数据涉及经设计计量目标且提供装置参数与目标参数之间的差异的估计及/或经设计目标参数与(如印刷于晶片上的目标的)实际目标参数之间的差异的估计。更新116可调整相应计量目标设计以补偿所述经估计差异。

验证信息(针对步骤100)可来自许多差异源，其包含(但不限于)：计量目标横截面，例如分裂或聚焦离子束横截面；从此类横截面产生的SEM(扫描电子显微术)及HR(高分辨率)-SEM图像；对计量目标自身或对额外替代物执行的光学CD(临界尺寸)计量。可在晶片制造工艺的各个阶段进行这些测量。举例来说，可紧接在光刻处理第一工艺层之后或在额外工艺步骤(例如蚀刻、沉积或抛光)之后进行这些测量。在一个实施例中，紧接在第二光刻步骤之前执行测量使得先前层被充分处理且代表先前层计量结构，但当前层尚未被印刷。

通过OCD计量的堆叠及表面构形验证可通过若干方法完成且可归因于针对每一测量类型的不同要求而在膜与OCD之间划分。基础方面可为归因于装置与通常被放置于划线道区域中且依据不同于所述装置的特征尺寸及节距(所述特征尺寸及节距显著影响制造工艺对于目标表面构形的影响)的目标之间的堆叠变动差异而测量用于OVL目标的相关堆叠。可在接近目标(例如，OVL、叠加、目标)的敞开区域/区带处及/或明确来说在膜垫处(如果此膜垫存在)进行膜测量。可首先在可含有相同节距及几何设计的特殊目标(例如(OVL)目标自身)处实施OCD或膜测量，可应用依据拟合OCD或膜工具要求(例如，若干设计)的特定尺寸的目标，仅膜、覆膜光栅、覆光栅的光栅及下一设计可为可消除归因于不同测量位置的误差源的OVL目标自身。OCD或膜目标可具有不同空间尺寸且可具有各种经设计周围结构。膜或OCD计量的取样可在图场上的单个位点处，在晶片上的单个位点上或可为全图场及晶片级取样。较密集空间取样晶片上的位置或批中的晶片还可用于量化跨越所述晶片或跨越所述批的所述表面构形参数的工艺变化。可由各种建模方法执行OCD计量，所述方法包含回归及各种算法(例如，Levenberg-Marquet(L-M)及N2X解算器)。在某些实施例中，仅可实施图1中所说明的步骤的子集，例如，验证100可实现例如横截面检查72的步骤的省略，这是因为已存在OCD可代替CD-SEM且甚至以更好精确度实现此的有力证据，且因为OCD具有非破坏性的优点。

图2中展示堆叠及表面构形验证序列的某些实施例，其包含明确来说关于出于堆叠及表面构形验证的目的使用验证目标的额外步骤。验证目标可经配置以包括叠加目标特征且对尺寸进行优化以可由OCD传感器测量且经测量以导出所使用的OCD数据。所述验证目标的位置、尺寸及与周围结构的接近度可经优化以提高由其测量提供的校正的准确度。

在从制造商60接收目标坐标164之后，计量商家70可准备专属OCD或膜验证配方120，测量验证配方122及在额外验证步骤126中使用经测量参数(例如n、k、t等等)以进一步改进上文实现的经更新堆叠描述116。此外，在此处，仅可实施步骤的子集，例如，验证100可实现例如横截面检查72的步骤的省略，如上文所解释。

有利的是，虽然在无堆叠及表面构形验证的情况下执行当前基于模拟的计量目标设计以导致潜在错误目标几何结构选择，但所提出的模型验证配方论实现待实现的经模拟计量性能与经测量计量性能之间的匹配，从而导致对随后设计定案(tape out)实现更准确目标设计。此方法论可为作为对于当前产生计量(明确来说叠加计量)的关键要求的准确计量目标设计的实现者。

应注意，方法论可应用于任何计量技术、任何计量工具及配置、任何光源及照明配置、任何目标类型及目标位置、任何测量配置及所属领域中已知的方法论(其中有些已在上文背景技术章节中描述)；且并不限于上文概述的硬件、算法/软件实施方案及架构及使用情况。目标特性可包括以下各者中的任一者：临界尺寸、叠加、侧壁角、形状、应力、组合物、膜、膜厚度、带隙、电性质、工艺相关参数(例如，焦点及/或剂量)、产生工艺参数(例如，抗蚀剂状态、分压、温度、聚焦模型以及位置、尺寸及周围结构)。

图3A是现有技术叠加计量目标90的高级示意性说明。叠加目标90包括四个单元91，每一对角对经设计以提供在不同测量方向(垂直x及y方向)上的叠加测量。每一单元91包括在先前(下部)层处的周期结构92及在当前(上部)层处的周期结构93，其中周期结构92、93在每一对角对的单元处沿着相对方向偏移(例如，上部结构相对于下部结构以+f₀及–f₀移位)。应注意，现有技术叠加目标取决于其特定设计可包括不同数目个单元及层。此通过实例展示且应了解计量目标还可为成像叠加或所谓的并排光栅目标(如与图3A中所说明的覆光栅的光栅计量目标相对)。

图3B及3C是根据本发明的一些实施例的验证目标130A、130B的高级示意性说明。验证目标130A、130B包括具有拥有叠加目标特征(例如周期结构132、133)中的至少一个层的单个单元131。在膜测量验证的情况中，单元可仅含有膜堆叠。单元131具有至少10μm(例如，10μm、15μm、30μm等等)的单元侧尺寸且对尺寸进行优化使得其可由OCD传感器测量。验证目标130A可包括在节距及CD上与对应计量目标的单元中的一者中的周期结构(例如叠加目标90的单元91中的周期结构92、93)相同的至少两个周期结构132、133。在某些实施例中，目标90中的偏移+f₀或–f₀中的一者可经设计成介于对应验证目标中的周期结构132、133之间。举例来说，目标90中的单元91中的一者可经放大到可由OCD传感器测量的尺寸以形成验证目标(例如验证目标130A、130B)。验证目标可经设计及产生为接近于对应叠加目标。验证目标130B可由在节距及CD上与对应计量目标的先前层周期结构(例如叠加目标90的周期结构132)相同的单个周期结构132组成。举例来说，单个周期结构132可为对应叠加目标的先前层，如上文所解释。

应注意，在某些实施例中，验证目标可包括仅具有膜堆叠的对应验证单元以用于执行膜测量验证。

验证目标中的任一者可经设计及产生为接近于对应计量目标且目标设计文件可包括接近于对应计量目标的设计的验证目标中的任一者的设计。验证目标中的任一者的OCD测量可用于所揭示方法中且被视为本发明的部分。

验证目标可包括标称上与叠加目标中的单个单元的特征、节距及分段及/或表面构形相同的特征、节距及分段及/或表面构形。叠加目标的尺寸及/或布局可经选择以在叠加计量传感器上进行测量且验证目标的尺寸及/或布局可经选择以在CD计量传感器上进行测量。验证目标可任选地设置为接近于对应叠加目标且用于(例如)批处置及/或工艺控制反馈。

图4是说明根据本发明的一些实施例的计量目标设计方法200的高级流程图。方法200可至少部分由(例如)计量目标设计模块中的至少一个计算机处理器实施。某些实施例包括计算机程序产品，所述计算机程序产品包括计算机可读存储媒体，其具有以其体现且经配置以实施方法200的相关阶段的计算机可读程序。某些实施例包括由方法200的实施例设计的相应目标的目标设计文件。

计量目标设计方法200可包括使用与至少一个经设计计量目标有关的OCD数据作为目标模型与晶片上的对应实际目标之间的差异的估计(阶段210)及调整计量目标设计模型以补偿所述经估计差异(阶段220)。在某些实施例中，所述所使用的OCD数据可涉及至少一个经设计计量目标的先前层(阶段212)及/或所述所使用的OCD数据可包括工作簿数据及/或模拟结果(阶段214)。方法200可包括相对于几何参数及/或光学参数及/或工艺变化参数估计差异(阶段216)。举例来说，可由方法200验证可能差异源的以下方面中的任一者：一或多个临界尺寸、一或多个光学材料特性(例如折射率(n)及消光系数(k))、一或多个膜厚度、表面构形及工艺变化的存在，工艺变化与以下各者中的任一者有关：引发的表面构形、经沉积表面构形、经蚀刻表面构形及CMP(化学机械平面化)凹陷；且可包括对称及/或不对称工艺变化。

在某些实施例中，方法200可进一步包括设计经配置以包括叠加目标特征且对尺寸进行优化以可由OCD传感器测量(例如，具有至少10μm、15μm、30μm等等的单元侧尺寸)的至少一个验证目标(阶段230)。举例来说，方法200可包括设计验证目标为叠加目标的经放大单元(阶段232)及任选地设计验证目标为接近于对应叠加目标(阶段234)。所述至少一个验证目标可经设计以接近于至少一个叠加计量目标。在某些实施例中，方法200可包括使用仅具有膜堆叠的验证单元以用于膜测量验证(阶段236)。

方法200可进一步包括由OCD传感器(例如，通过光学或SEM CD计量)测量至少一个验证目标以导出所使用的OCD数据(阶段240)。在某些实施例中，所述验证目标的经设计特征可包括以下各者中的至少一者：一或多个节距、一或多个分段及一或多个表面构形，其标称上与作为经设计计量目标的至少一个叠加计量目标的对应特征相同。

在某些实施例中，方法200可进一步包括优化以下各者中的至少一者：至少一个验证目标的位置、尺寸及与周围结构的接近度(阶段250)。

在某些实施例中，方法200可进一步包括通过使用使用用于执行叠加计量的叠加目标的元素设计的验证目标的测量来改进所述叠加目标的测量与模拟之间的匹配(阶段260)。方法200可进一步包括使用所述经改进匹配来改进随后印刷的计量目标的设计(阶段262)。

在某些实施例中，方法200可进一步包括通过使用使用所述叠加目标的元素设计的所述验证目标的测量(例如，通过向前馈送信息到模拟系统及/或到相应计量系统或工具)来优化所述叠加目标的叠加测量的计量配方设置(阶段270)。举例来说，优化所述计量配方设置可相对于以下各者中的任一者来实施：计量准确度、精确度及/或稳健性及/或其组合(阶段272)。在某些实施例中，模拟系统可用于根据第8,214,771号美国专利中所描述的方法来设计计量目标，所述美国专利以全文引用的方式并入本文中。

在以上描述中，实施例是本发明的实例或实施方案。“一个实施例”、“实施例”、“某些实施例”或“一些实施例”的各种出现并不一定全部都是指相同实施例。

尽管本发明的各种特征可在单个实施例的上下文中描述，但所述特征也可单独提供或以任何合适组合提供。相反地，尽管为清楚起见本发明可在本文中在单独实施例的上下文中描述，但本发明也可实施于单个实施例中。

本发明的某些实施例可包含来自上文揭示的不同实施例的特征，且某些实施例可并入有来自上文揭示的其它实施例的要素。在特定实施例的上下文中的本发明的元件的揭示内容不应被视为将其使用仅限于特定实施例中。

此外，应理解，本发明可以各种方式实施或实践且本发明可在除上文描述中概述的实施例以外的某些实施例中实施。

本发明并不限于那些图式或对应描述。举例来说，流程不需要移动通过每一所说明框或状态或以与所说明及描述完全一样的顺序移动通过。

除非另有定义，否则应通常由本发明所属于的领域的一般技术人员理解本文中所使用的技术及科学术语的意义。

虽然已参考有限数目个实施例描述本发明，但这些实施例不应解释为限制本发明的范围而应被解释为一些优选实施例的范例。其它可能变化、修改及应用也在本发明的范围内。因此，本发明的范围不应由目前为止已描述的内容限制，而由所附权利要求书及其合法等效物限制。