技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种利用臭氧清洗基片的方法。所述方法包括如下步骤：转动反应腔中夹持基片的载片台；向所述反应腔中喷射CO2水溶液，在所述基片表面形成水膜；封闭所述反应腔后，向所述反应腔中喷入臭氧，所述臭氧进入所述基片表面的水膜，形成臭氧水溶液或扩散至所述基片表面对污染物进行氧化清洗。本发明还提供一种利用臭氧清洗基片的装置。本发明向反应腔中喷射含有CO2的液体溶液，同时也将臭氧引入反应腔，臭氧氧化基片表面的污染物和有机涂层，而CO2则保护基片表面的金属不受腐蚀。本发明既可以发挥臭氧清洗硅片的优点，同时避免金属的腐蚀。而且臭氧与CO2价格便宜、容易得到，保持了经济性与环保。
技术研发人员：陈波;夏洋;李楠
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12