1.一种基于干涉效应的非易失性像素单元，其特征在于，所述像素单元包括多个亚像素单元，所述亚像素单元包括反射层(1)、位于反射层(1)上的第一透明层(2)、位于第一透明层(2)上的相变层(3)；多个亚像素单元中的第一透明层(2)的光学常数不完全相同或厚度不完全相同。
2.根据权利要求1所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述相变层(3)上方还有第二透明层(4)，所述第一透明层(2)和第二透明层(4)均由导电材料构成。
3.根据权利要求2所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述第一透明层(2)选自ITO，ZnO，AZO等材料；所述第二透明层(4)选自ITO，ZnO，AZO等材料。
4.根据权利要求1所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述亚像素单元还包括位于相变层(3)一侧或两侧的透明电极(5)，透明电极(5)与相变层(3)相连。
5.根据权利要求1所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述任意两个亚像素单元中的第一透明层(2)的光学常数或厚度不相同。
6.根据权利要求1所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述多个亚像素单元中的相变层(3)不完全相同。
7.根据权利要求4所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述任意两个亚像素单元中的相变层(3)不相同。
8.根据权利要求1，以及权利要求2所述的非易失性像素单元，其特征在于，亚像素元的面积为0.01μm2～0.25mm2。
9.根据权利要求1所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述相变层(3)由相变材料构成，所述相变材料选自GeSbTe、GeTeAsSi、GeTe、GeTeBi、GeTeAs、InTe、AsSbTe、SeSbTe、GeSbTeN、GeSbTeSn、AgInSbTe、GeSbTeO、AsTeAg、AuSbTe、AuInTe、SiTeGe、SiSbTe、SbTe等合金材料。
10.根据权利要求2所述的非易失性像素单元，其特征在于，所述像素单元包括4个亚像素单元，相变层(3)均由GeSbTe构成，第二透明(4)层厚度均为15nm，相变层(3)厚度为5nm，第一透明层(2)和第二透明(4)层均为ITO，4个亚像素单元中的第一透明层(2)厚度分别为33nm、145nm、165nm、255nm。