技术特征：
技术总结
本发明公开了一种光调制的场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子‑空穴对。本发明的光调制的场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置在半导体上，在不影响器件关态电流的前提下，利用光照极大地改善器件的导通电流。
技术研发人员：王敬;陈文捷;梁仁荣;许军
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2018.10.02