大功率同轴负载的制作方法

本实用新型涉及微波设备的技术领域，尤其是涉及一种大功率同轴负载。

背景技术：

射频同轴终端负载在无线电设备、电子仪器以及各种微波设备中得到了广泛的应用，在系统中，对空置的备用信道和测试端口进行阻抗匹配，既保证了信号的阻抗匹配，又大大减少了空置端口信号泄漏、系统间的相互干扰，是射频传输系统的重要组成部分之一，其性能的好坏将直接影响到整个系统的综合性能。

目前，现有的同轴负载，负载片主要是通过氧化铝介质制成，负载片的使用频率难以达到6GHz，因此，要做到6GHz或更高的大功率同轴负载非常困难。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种大功率同轴负载，旨在解决现有技术中，存在同轴负载的使用频率较低的缺陷。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种大功率同轴负载，包括：

散热套；

圆柱状的主体，内置于所述散热套内，所述主体具有一空腔，所述主体的一端设置有与所述空腔连通的开口；

碳化硅电阻片，所述碳化硅电阻片内置在所述空腔中；

接头，其包括一端连接在所述散热套内的壳体和内置于所述壳体的一内芯；以及

顶针，分别与所述碳化硅电阻片和所述内芯连接；

所述主体的内壁上开设有沿所述主体轴线延伸的两个置入槽，两个所述置入槽相互对置，所述碳化硅电阻片的相对两侧分别通过一弹片连接在对应的所述置入槽内。

进一步地，所述壳体与所述散热套螺接。

进一步地，所述顶针具有与所述碳化硅电阻片焊接的第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述内芯具有一连接柱，所述连接柱的一端开设有供所述第二端部嵌入的嵌槽。

与现有技术对比，本实用新型提供的大功率同轴负载，采用吸波材料碳化硅制成的碳化硅电阻片，由于碳化硅对电磁波的反射特性有所降低，使大功率同轴负载的使用频率达到40GHz使用范围，且工作性能较好。

附图说明

图1是本实用新型实施例提供的大功率同轴负载的分解示意图；

图2是本实用新型实施例提供的电阻片、接头和顶针的立体示意图。

主要元件符号说明

100：大功率同轴负载 1：散热套

2：主体 3：碳化硅电阻片

4：接头 5：顶针

21：空腔 22：开口

41：壳体 42：内芯

51：第一端部 52：第二端部

43：连接柱 44：嵌槽

11：凹腔 23：置入槽

6：弹片 53：凹槽

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

以下结合具体附图对本实用新型的实现进行详细的描述。

如图1和2所示，为本实用新型提供的一较佳实施例。

本实施例提供的大功率同轴负载100，包括散热套1、圆柱状的主体2、碳化硅电阻片3、接头4和顶针5。主体2内置于散热套1内，主体2具有一空腔21，主体2的一端设置有与空腔21连通的开口22。碳化硅电阻片3内置在空腔21中。接头4包括一端连接在散热套1内的壳体41和内置于壳体41的一内芯42；顶针5分别与碳化硅电阻片3和内芯42连接。主体2的内壁上开设有沿主体2轴线延伸的两个置入槽23，两个置入槽23相互对置，碳化硅电阻片3的相对两侧分别通过一弹片6连接在对应的置入槽23内。

上述的大功率同轴负载100，采用吸波材料碳化硅制成的碳化硅电阻片3，由于碳化硅对电磁波的反射特性有所降低，使大功率同轴负载100的使用频率达到40GHz使用范围，且工作性能较好。

为叙述方便，下文中所称的“左”“右”“上”“下”与附图本身的左、右、上、下方向一致，但并不对本实用新型的结构起限定作用。

在本实施例中，大功率同轴负载100，包括散热套1、主体2、碳化硅电阻片3、接头4和顶针5。

散热套1具有一侧开口的凹腔11，以将上述的主体2装配至该凹腔11内，且两者同轴设置。主体2，大致呈圆柱体形状，主体2具有一空腔21，主体2的一端设置有与空腔21连通的开口22，碳化硅电阻片3内置在空腔21中。具体地，主体2的内壁上开设有沿主体2轴线延伸的两个置入槽23，两个置入槽23相互对置，碳化硅电阻片3的相对两侧分别通过一弹片6连接在对应的置入槽23内，这样，碳化硅电阻片3可通过弹片6与置入槽23的配合而悬置在主体2的空腔21中，这样，悬置的结构设计能够具有更佳的散热效果。

接头4，以可拆卸方式与散热套1连接。具体地，接头4包括壳体41和内置于壳体41的一内芯42，壳体41的一端与散热套1通过螺纹方式连接。

顶针5，连接在内芯42与碳化硅电阻片3之间，接头4中的内芯42通过顶针5与碳化硅电阻片3相触，以将外部信号传输至碳化硅电阻片3上，同时，碳化硅电阻片3也通过弹片6与主体2接触而接地。在本实施例中，顶针5具有相对的第一端部51和第二端部52，从图2可以看出，顶针5的第一端部51与碳化硅电阻片3的左侧边缘焊接，顶针5的第二端部52则以过渡配合的方式与内芯42的右端连接。清楚的是，在内芯42具有位于其右端的一连接柱43，连接柱43的右端面上开设有供第二端部52嵌入的嵌槽44。

作为进步一地优化，第一端部51的外端面上开设有用于套设在碳化硅电阻片3的左侧上且沿顶针5径向延伸的一凹槽53，凹槽53的两端分别接通第一端部51的外壁，这样，可增大顶针5与碳化硅电阻片3之间的接触面积，焊接后两者连接更加牢固。

作为进步一地优化，第二端部52的外端具有一锥形结构的端头，这样，便于顶针5与内芯42的连接。

本实用新型的大功率同轴负载100具有以下有益效果：

1、采用吸波材料碳化硅制成的碳化硅电阻片3，由于碳化硅对电磁波的反射特性有所降低，使大功率同轴负载100的使用频率达到40GHz使用范围，且具有工作频带宽、驻波系数低、抗脉冲、抗烧毁性能好等特点。

2、采用顶针5的第一端部51与碳化硅电阻片3焊接，第二端部52与内芯42插接，可防止因使用过程中或者其他因素引起的接头4的内芯42与碳化硅电阻片3接触部位焊锡松脱，导致器件失效；

3、通过碳化硅电阻片3悬置在主体2内，让热量传递在过程中更加的均匀快捷，从而大幅度提高了该大功率同轴负载100的散热性能；

4、由于良好的散热性，因此该大功率同轴负载100可承受较大的功率，性能稳定可靠，安装使用简便。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。