正弦信号驱动及闭环控制器的制作方法

本实用新型涉及一种厚膜混合集成的正弦信号驱动及闭环控制器。

背景技术：

正弦信号驱动及闭环控制器是用于整机的控制部分，具体由依次连接的放大电路、整流滤波电路、自动增益控制电路和驱动电路组成，内部还包含有由振荡电路、信号处理电路和采样保持电路构成的噪声发生电路，具有自动增益控制功能，可实现压电陶瓷稳定的机械抖动。原有电路采用印刷电路板为基板，集成塑料封装电路芯片及阻容件来实现正弦信号驱动及闭环控制等功能。由于考虑到散热及抗干扰等问题，不但在整机中占用大量组装空间而且极易受到环境变化的影响，例如超高温、超低温、高湿度、强振动等条件下，会导致PCB板发生形变、塑封器件无法正常工作或失效等故障发生，降低电路的可靠性，占用空间大，组装繁琐。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种将多个元件同时集成在一起，既实现正弦信号驱动及闭环控制的功能，又节省组装空间且具有良好的散热能力和可靠性的正弦信号驱动及闭环控制器。

本实用新型涉及的正弦信号驱动及闭环控制器，包括管壳，管壳内设有依次连接的放大电路、整流滤波电路、自动增益控制电路和驱动电路以及由振荡电路、信号处理电路和采样保持电路构成的噪声发生电路，其特殊之处是：在管壳上烧结有厚膜陶瓷基片，在厚膜陶瓷基片上设有采用金浆料制成的金导带，各电路中的电阻由设在厚膜陶瓷基片上的电阻浆料构成，所述整流滤波电路中的滤波电容采用表贴电容器，所述表贴电容器及驱动电路中的功率三极管分别通过热板焊固设在厚膜陶瓷基片上，其余元器件和各电路中芯片通过粘接方式固设在厚膜陶瓷基片上，且所述各芯片均为未封装芯片，各芯片、电阻、功率三极管、表贴电容器通过内引线金丝和金导带进行连接，金导带和管壳引脚之间通过外引线金丝进行连接。

所述厚膜陶瓷基片背面金属化层设留有宽度为0.5mm的横纵交叉布置的导气槽，有利于排出烧结过程中铅锡银焊料融化时产生的气体，从而提高基片和管壳的有效粘接面积。

本实用新型的优点是：该电路拥有较小组装体积,在组装时采用烧结工艺将基片烧结在管座上，通过热板焊将表贴电容器和功率三管极焊接在厚膜陶瓷基片上，将功率三极管产生的热量直接传导到外壳，大大降低了接触电阻。基片和管壳有效粘接面积达到75％以上，不但使电路散热能力更加优秀，而且基片和管壳牢固性好，保证了功率器件的可靠性，可适用于-55℃～+125℃的工作环境。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图；

图2是图1(去掉管帽)的俯视图；

图3是本实用新型的电路方框图；

图4是本实用新型的驱动电路原理图；

图5是厚膜陶瓷基片背面金属化层结构示意图；

图中1为管壳，2为厚膜陶瓷基片，3为金导带，4为电阻，5为芯片，6为功率三极管，7为表贴电容器，8为内引线金丝，9为外引线金丝，10为管壳引脚，201为导气槽。

具体实施方式

如图1、图2所示，本实用新型包括金属全密封功率管壳1，在功率管壳1上设有厚膜陶瓷基片2作为集成多种元器件的基板，在管壳1内厚膜陶瓷基片2上设有依次连接的放大电路、整流滤波电路、自动增益控制电路和驱动电路以及由振荡电路、信号处理电路和采样保持电路构成的噪声发生电路，所述驱动电路是由电阻R31－R40、运算放大器U、功率三极管6(Q1－Q4)和电容C13构成，在厚膜陶瓷基片上设有采用金浆料制成的金导带3，各电路中的电阻由设在厚膜陶瓷基片2上的电阻浆料构成，所述整流滤波电路中的滤波电容采用表贴电容器7，所述表贴电容器7及驱动电路中的功率三极管6分别通过热板焊固设在厚膜陶瓷基片2上，其余元器件和各电路中芯片5通过粘接方式固设在厚膜陶瓷基片2上，且所述芯片5均为未封装芯片。

所述厚膜陶瓷基片2背面金属化层设留有宽度为0.5mm的横纵交叉布置的导气槽201，有利于排出烧结过程中铅锡银焊料融化时产生的气体，从而提高基片和管壳的有效粘接面积。

各芯片5、电阻4、功率三极管6、表贴电容器7和金导带3之间通过内引线金丝8进行连接，金导带3和管壳引脚10(管脚1－管脚32)之间通过外引线金丝9进行连接。