一种信息传输处理系统的制作方法

文档序号:12735798阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种信息传输处理系统,其特征在于,它包括主机(1)和计算机(2),所述主机(1)的磁化信号输出端与计算机(2)的磁化信号输入端连接,所述主机(1)包括传感电路(3)、磁化电路(4)和控制电路(5),所述传感电路(3)的传感信号输出端与磁化电路(4)的传感信号输入端连接,磁化电路(4)的磁化控制信号输入端与控制电路(5)的磁化控制信号输出端连接,计算机(2)的程序控制信号输入输出端与控制电路(5)的程序控制信号输出输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种信息传输处理系统,其特征在于,所述磁化电路(4)包括:第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第五电感(L5)、第六电感(L6)和四个电路结构相同的处理电路,所述六个电感两两并联分为三个电感线圈组,且所述三个电感线圈组采用星形连接方式连接,每个电感线圈组分别连接一个处理电路,三个电感线圈组的中心点连接一个处理电路。

3.根据权利要求2所述的一种信息传输处理系统,其特征在于,所述处理电路包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(Q1)、P沟道MOSFET管(U1)、N沟道MOSFET管(U2)、反向器(U3)、稳压二极管(D1)和普通二极管(D2),

反向器(U3)的输入端同时与控制电路(5)的输入端和第一电阻(R1)的一端连接;

反向器(U3)的输出端与第三电阻(R3)的一端连接;

第三电阻(R3)的另一端同时与N沟道MOSFET管(U2)的栅极和第四电阻(R4)的一端连接;

第四电阻(R4)的另一端同时与N沟道MOSFET管(U2)的源极和普通二极管(D2)的正极连接并接地;

N沟道MOSFET管(U2)的漏极同时与普通二极管(D2)的负极、P沟道MOSFET管(U1)的漏极、稳压二极管(D1)的正极和一个电感线圈组连接;

P沟道MOSFET管(U1)的源极同时与稳压二极管(D1)的负极、第二电阻(R2)的一端和电源VCC连接;

第二电阻(R2)的另一端同时与P沟道MOSFET管(U1)的栅极和三极管(Q1)的集电极连接;

三极管(Q1)的发射极接地;

三极管(Q1)的基极与电阻R1的一端连接。

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