一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法与流程

本发明涉及器件封装
技术领域：
，尤其涉及一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法。
背景技术：
：半导体量子点（quantumdot,qds）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（quantumdotlight-emittingdiode,qled）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。qled器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，其水氧阻隔效果仍较差，并且多层薄膜之间的应力阻碍了qled器件的可挠性等。因此，现有技术还有待于改进和发展。技术实现要素：鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。本发明的技术方案如下：一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，包括步骤：a、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；b、将所述金属电极放入hhic反应器中并通入h2，所述h2电离后形成h等离子，通过所述h等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为含氢粒子。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为h2o、ch4、nh3中的一种或多种。所述的基于与金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的材料为al、ag、mg、au、pt、mo、ni、cu中的一种或多种。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述h等离子的能量为1-100ev。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述h等离子的能量为20-60ev。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述交联反应时间均为1-30min。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为5-100nm。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为10-60nm。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述器件为qled器件。有益效果：本发明提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，通过将器件金属电极表面的金属粒子与吸附粒子充分接触后，采用h等离子对所述金属电极、吸附粒子进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与吸附粒子发生交联，从而在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；通过本发明方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的，延长器件的使用寿命。附图说明图1为本发明一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本发明提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。请参阅图1，图1为本发明一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法较佳实施例的流程图，如图所示，其中，包括步骤：s10、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；s20、将所述金属电极放入hhic反应器中并通入h2，所述h2电离后形成h等离子，通过所述h等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。具体来说，现有光电器件在采用封装薄膜进行封装的过程中，由于封装薄膜在微观上不是致密的，其内部依然存在空隙和水氧通过途径，因此现有技术中单层封装薄膜的水氧阻隔效果较差；为解决上述问题，本发明通过将器件金属电极表面的金属粒子与吸附粒子充分接触后，采用h等离子对所述金属电极进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与吸附粒子发生交联，从而在所述金属电极表面形成一层致密的封装薄膜层；进一步，所述金属电极表面形成的致密封装薄膜层为单分子层，且具有一定的憎水性，能有效排斥h2o的吸附和反应；更进一步，所述金属粒子与吸附粒子在发生交联反应过程中，并不会影响金属电极的导电性和光电性质。通过本发明提供的基于金属粒子与吸附粒子交联的方法可以在金属电极表面制备出一种具有高致密性的封装薄膜，所述封装薄膜之间由于金属粒子和吸附粒子发生交联，其内部不存在空隙和水氧通过途径，从而提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果。所述金属电极的材料为al、ag、mg、au、pt、mo、ni、cu中的一种或多种；进一步，所述金属电极的厚度为5-100nm，若金属电极过薄，则难以保证电极的导电性能；若金属电极过厚，则会增加金属电极的制作时间，并且影响其透光性，不满足qled器件的制备需求；因此本发明优选所述金属电极的厚度为10-60nm，在该数值范围内，既能够保证金属电极具有良好的导电性以及透光性，还节省了制备材料并简化了制备工艺。在步骤s10中，在真空条件下，将所述qled器件的金属电极放置在一密闭空间内，通入吸附粒子，所述吸附粒子与所述金属电极表面的金属粒子接触并吸附在金属电极表面上。进一步，在所述步骤s20中，将吸附有吸附粒子的金属电极放入hhic反应器中并通入h2，所述h2电离后形成h等离子，通过所述h等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层致密的封装薄膜层。具体地，本发明是采用hhic（hyperthermalhydrogeninducedcross-linking）技术来实现金属粒子与吸附粒子的交联；所述hhic技术是通过h2作为起始反应剂，然后使h2转变成h等离子，接着以适合能量的h等离子打开c-h，h-o，s-h，h-n等化学键；之后这些打开的化学键重新接合，从而把化学物质交联在一起。具体来说，在本发明中，所述吸附粒子为含氢粒子，具体可为h2o、ch4或nh3的一种或多种；所述吸附粒子在h等离子的作用下打开c-h，h-o或h-n化学键，形成氢元素和其它基团的自由基，这些生成的自由基可以互相结合或者与金属粒子发生结合，从而实现金属粒子与吸附粒子的交联。进一步地，在金属粒子与吸附粒子交联的过程中，控制所述h等离子的能量为1~100ev，若能量低于1ev，则h等离子不能够断裂吸附粒子中的化学键（如c-h，h-o或h-n），不能够产生自由基，则无法进行交联反应；若能量高于100ev，则会对自由基之间以及自由基与金属粒子之间的交联过程形成损伤，从而破坏生成的薄膜层；因此，本发明优选h等离子的能量为20-60ev，在该数值范围内，能够保证在不损伤薄膜层的前提下高效地产生自由基。更进一步，在本发明中，控制所述交联处理的时间为1~30min，若时间过短（例如小于1min），则无法保证金属粒子与吸附粒子充分交联，只会局部完成交联，不利于形成完整的交联薄膜；若时间过长（大于30min），不仅增加制程时间，导致交联效率低，而且自由基可能会扩散到金属粒子内部；因此，本发明优选交联处理的时间为10-20min，在该数值范围内，既能保证交联充分，不至于降低制备效率，同时还可使金属粒子与自由基发生的反应只限于金属表层，自由基不会扩散到下一层分子，且形成的封装薄膜保护层不易脱落。具体地，在hhic反应器中，通过电子回旋加速离子源，利用电子回旋共振使等离子体电离；微波被注入到一定体积的频率对应的电子回旋共振，该容积包含低压气体如氢气、氦气等。微波的交替电场设置为与气体自由电子的回转周期同步,并增加其垂直动能。随后,当带电的自由电子与体积中的气体碰撞时,如果它们的动能大于原子或分子的电离能,它们就会引起电离。电离后的粒子通过电场加速获得一定的动能，获得动能的粒子通过碰撞，把能量传递到不带电的粒子。通过调节电场的大小，控制粒子的动能。已具有一定动能的粒子如h2作为起始反应剂，交联目标薄膜。一般的，带有h键的键能如下表1。表1化学键h-hh-cn-ho-hsi-hp-hs-h键能(ev)18.91816.920.213.913.815.8因此用一定能量的h2，可以打开h键。形成氢元素和其他基团的自由基，涉及到的反应如下：-c-h→-c•+h•(1)；-n-h→-n•+h•(2)；-o-h→-o•+h•(3)；-si-h→-si•+h•(4)；-p-h→-p•+h•(5)；-s-h→-s•+h•(6)；=c-h→=c•+h•(7)。上述自由基可以相互结合，从而使物质交联到一起。在有机中，-c-h键是大量存在的，并且-c-h的键能和h-h键的键能很接近，因此，-c-h是最可能发生交联反应的。而通过调节电场可以控制反应能量，从而有针对性的打开不同的化学键。使用h2作为反应物，不会产生新的副产物。而生成的h2，返回通过气流带走。当自由基形成后，可以在薄膜中扩散：•c-c-c-……-c-c-c-h→-c-c-c-……-c-c-c•+h•(8)一开始自由基在薄膜的表面浓度很大，通过扩散，自由基可以向薄膜内部迁移，这样交联反应在薄膜内部发生，从而使整个薄膜交联。以此同时，自由基是非常活跃的，不同的自由基之间可以相互反应，自由基与非自由基可以发生质子交换，例如下式(9)：-x•+h-r-→-x-h+•r(9)；其中h-r-是烷烃基团，x是其他因素，因此这种质子交换的反应，可以扩大交联的物质范围。本发明通过hhic方法可以使金属电极表面上的金属粒子与吸附粒子发生交联，hhic方法耗时短，条件要求低（室温），对反应物没有特殊要求，而且不会改变非交联基团的性质，也不会产生副产物；通过hhic方法，可以极大的扩张qled等光电器件的材料选择和工艺过程。hhic方法是一种对于交联目标没有选择性的交联方式（不同溶剂的量子点、不同的金属粒子、不同的吸附粒子等），hhic方法将扩大交联技术的运用范围，减小对工艺的要求；hhic方法相比于其他方法不会影响金属电极的导电性以及光电性质，经过hhic方法交联的封装薄膜在稳定性上优于传统加热交联的薄膜，并且其电学性质没有变化。下面通过具体实施例对本发明一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法做进一步解释说明：实施例1一个顶发射的qled器件结构如下：ito/ag/ito/pedot/tfb/qd/bphen/liq/mgag；其中mgag厚度为50nm，吸附粒子为h2o，透光率大于70%。器件制备完毕后，器件放入hhic反应器中，h等离子束能量50ev，反应15min，在金属电极mgag的表面形成一致密的封装薄膜。实施例2一个顶发射的qled器件结构如下：ito/ag/ito/pedot/tfb/qd/bphen/liq/au；其中au厚度为10nm，吸附粒子为ch4，透光率大于80%。器件制备完毕后，器件放入hhic反应器中，h等离子束能量10ev，反应10min，在金属电极au的表面形成一致密的封装薄膜。实施例3一个顶发射的qled器件结构如下：ito/ag/ito/pedot/tfb/qd/bphen/liq/cu；其中cu厚度为100nm，吸附粒子为ch4，透光率大于60%。器件制备完毕后，器件放入hhic反应器中，h等离子束能量100ev，反应30min，在金属电极cu的表面形成一致密的封装薄膜。综上所述，本发明提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，通过将器件金属电极表面的金属粒子与吸附粒子充分接触后，采用h等离子对所述金属电极、吸附粒子进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与吸附粒子发生交联，从而在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；通过本发明方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的，延长器件的使用寿命。应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。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