技术特征：
技术总结
本发明涉及具有可变鳍片间距的垂直传输FINFET装置，其中，一种半导体装置包括以局部可变的鳍片间距布置的多个垂直传输鳍式场效应晶体管。在该装置的第一区域内，多个第一鳍片以第一间距(d1)布置，且在该装置的第二区域内，多个第二鳍片以小于该第一间距的第二间距(d2)布置。该多个第二鳍片共享合并的源、漏及栅区，而该多个第一鳍片的源、漏及栅区未合并。
技术研发人员：布兰特·安德森;爱德华·J·诺瓦克
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2018.01.16