与示例性实施方式一致的装置和方法涉及包括超结构(metastructure)的垂直腔表面发射激光器。
背景技术：
与边缘发射激光器(eel)不同，垂直腔表面发射激光器(vcsel)由于短的光学增益长度而具有低功耗。此外，因为vcsel由于垂直发射而被制造成2d阵列，所以它们有助于高密度集成和批量生产。尽管常规的eel相对于光输出是不对称的，但是vcsel能以圆形对称的输出模式操作，这使vcsel连接到光纤时有效的低噪声和稳定的高速调制成为可能。
vcsel包括具有约98％或更大的高反射率的分布式布拉格反射器(dbr)，因而它能用作激光谐振器。由于dbr由多对具有不同折射率的两种材料组成，因此需要数十层的叠层从而实现高反射率。此外，dbr由于在两种材料之间的界面处发生的声子散射而具有低热导率(或高热阻)。因此，当电流被施加到包括dbr的vcsel用于振荡时，内部产生的自热(self-heating)不被有效地消散，因而vcsel的振荡效率会减弱。
技术实现要素：
示例性实施方式解决了至少以上问题和/或缺点以及以上未描述的其它缺点。此外，示例性实施方式不需要克服上述缺点，并且可以不克服上述任何问题。
一个或更多个示例性实施方式提供了有效地消散内部产生的热的垂直腔表面发射激光器。
此外，一个或更多个示例性实施方式提供了使用垂直腔表面发射激光器作为光源的光学装置。
根据一示例性实施方式的一方面，提供一种垂直腔表面发射激光器，其包括：增益层(gainlayer)，其被配置为产生光；分布式布拉格反射器，其设置在增益层下面；以及超结构反射器，其设置在增益层之上并包括具有亚波长尺寸的多个纳米结构。
超结构反射器还可以包括第一支撑层，并且所述多个纳米结构设置在第一支撑层上。
第一支撑层的厚度可以是垂直腔表面发射激光器的振荡波长的1/5或更大。
第一支撑层可以具有比所述多个纳米结构的每个的折射率更小的折射率。
垂直腔表面发射激光器还可以包括：第二支撑层，其设置在第一支撑层上并具有与所述多个纳米结构的形状对应的多个通孔，其中所述多个纳米结构分别布置在所述多个通孔中。
第二支撑层的折射率可以小于所述多个纳米结构的每个的折射率。
所述多个纳米结构的厚度、宽度和布置间隔中的至少一个可以小于垂直腔表面发射激光器的振荡波长的一半。
所述多个纳米结构可以具有允许超结构反射器作为凹面镜操作的尺寸分布。
所述多个纳米结构可以具有允许超结构反射器作为凸面镜操作的尺寸分布。
所述多个纳米结构可以具有允许超结构反射器作为光束偏转器(deflector)操作的尺寸分布。
所述多个纳米结构可以具有允许超结构反射器作为偏振分束器操作的形状分布。
所述多个纳米结构可以具有不对称的形状。
所述多个纳米结构可以具有允许第一方向上的宽度与垂直于第一方向的第二方向上的宽度的比率根据所述多个纳米结构的位置而改变的形状和布置。
分布式布拉格反射器的反射率可以大于超结构反射器的反射率。
增益层可以包括：有源层；以及分别设置在有源层之上和下面的上覆层和下覆层。
有源层、上覆层和下覆层的每个可以包括半导体材料。
垂直腔表面发射激光器还可以包括：散热器，其被配置为消散从增益层产生的热。
散热器的区域可以包括：第一区域，其平行于分布式布拉格反射器和增益层堆叠的方向设置，并围绕垂直腔表面发射激光器的侧表面；以及第二区域，其连接到第一区域并位于增益层的上部处。
从增益层产生的热朝散热器的排出路径可以包括所述热朝第二区域的第一路径和所述热朝第一区域的第二路径，其中第一路径在增益层的至少一个位置中比第二路径更短。
根据另一示例性实施方式的一方面，提供一种光学装置，其包括：垂直腔表面发射激光器，垂直腔表面发射激光器被配置为朝物体发射光；传感器，其被配置为接收从物体反射的光；以及分析器，其被配置为分析由传感器接收的光并分析物体的性质、形状、位置和运动中的至少一个。
附图说明
通过参照附图描述某些示例性实施方式，以上和/或另外的方面将更加明显，附图中：
图1是根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器的示意结构的剖视图；
图2是根据一示例性实施方式图1的垂直腔表面发射激光器中包括的超结构反射器的示意结构的透视图；
图3是示出根据一比较示例的垂直腔表面发射激光器的示意结构的剖视图；
图4是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器的另一示例的示意结构的透视图；
图5、图6、图7和图8是示出可提供在根据一实施方式的垂直腔表面发射激光器的超结构反射器中的纳米结构的另外的示例形状的透视图；
图9是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器的另一示例的示意结构的剖视图；
图10是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器的另一示例的示意结构的剖视图；
图11是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器的另一示例的示意结构的剖视图；
图12是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr6的另一示例中的纳米结构ns的示例性形状和布置的俯视图；
图13是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器的另一示例中的纳米结构的示例形状和布置的俯视图；以及
图14是示出根据一示例性实施方式的光学装置的示意结构的框图。
具体实施方式
下面参照附图更详细地描述示例性实施方式。
在下面的描述中，即使在不同的附图中，相同的附图标记也用于相同的元件。描述中限定的诸如详细构造和元件的事项被提供以帮助示例性实施方式的全面理解。然而，明显的是，示例性实施方式能被实践而没有那些具体限定的事项。此外，众所周知的功能或构造不被详细地描述，因为它们会以不必要的细节模糊描述。诸如“……中的至少一个”的表述当在一列元素之后时，修饰整列元素，而不修饰该列的个别元素。
诸如“在……之上”或“在……上”的表述不仅可以包括“以接触方式直接在……上”的含义，而且可以包括“以非接触方式在……上”的含义。
诸如第一、第二等的术语可以用于描述各种各样的元件，但是元件不应限于这些术语。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。
当在此使用时，单数形式旨在还包括复数形式，除非上下文清楚地另行指示。当一部分“包括”一元件时，意思是该部分还可以包括另外的元件，而非排除另外的元件，除非另行指示。
实施方式中使用的诸如“单元”或“模块”的术语表示用于处理至少一个功能或操作的单元，并且可以以硬件、软件或硬件和软件的组合来实现。
图1是根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器100的示意结构的剖视图。图2是根据一示例性实施方式图1的vcsel100中包括的超结构反射器mr的示意结构的透视图。
vcsel100可以包括产生光的增益层130、位于增益层130下面的分布式布拉格反射器(dbr)120、以及位于增益层130之上的超结构反射器mr。
增益层130是吸收能量以产生光的层。增益层130可以例如通过电流注入或通过泵浦光而产生光。增益层130可以包括包含半导体材料的有源层133。有源层133可以包括例如iii-v半导体材料或ii-vi半导体材料。有源层133可以包括包含ingaas、algaas、algan、ingaasp、ingap或algainp的多量子阱结构。有源层133可以包括量子点。有源层133不限于以上材料。
增益层130还可以包括提供在有源层133的上部和下部上的上覆层135和下覆层131。上覆层135和下覆层131可以每个包括n型或p型或本征半导体材料。上覆层135和下覆层131可以包括像有源层133一样的半导体材料，并且还可以分别包括n型掺杂剂和p型掺杂剂。
位于增益层130的上部和下部处的超结构反射器mr和分布式布拉格反射器120振荡增益层130中产生的光以将所述光放大至特定的波长带。为此，分布式布拉格反射器120和超结构反射器mr的反射率可以被设定为约90％或更高。分布式布拉格反射器120的反射率可以大于超结构反射器mr的反射率，并且光可以通过超结构反射器mr例如以约98％或更高被发射，但不限于此。也可以调节分布式布拉格反射器120和超结构反射器mr的反射率从而反转光发射的方向。
超结构反射器mr包括具有亚波长(sub-wavelength)尺寸的多个纳米结构ns。在这方面，亚波长尺寸意思是限定纳米结构ns的形状的厚度t或宽度d小于超结构反射器mr的工作波长。超结构反射器mr的工作波长可以在由增益层130产生的光的波长带内。超结构反射器mr的工作波长是由增益层130产生、在分布式布拉格反射器120与超结构反射器mr之间振荡并发射的光lo的波长。在下文中，工作波长将被称为“振荡波长”。
纳米结构ns包括具有比周围材料(例如空气)的折射率更大的折射率的材料，并且可以根据其尺寸、具体形状等反射预定波长带的光。纳米结构ns的厚度、宽度和布置间隔中的至少一个可以是振荡波长的一半或小于振荡波长的一半。通常，当纳米结构ns的宽度小于振荡波长的一半时，纳米结构ns可以作为形成超结构的强散射单元工作。当布置间隔变得小于波长时，纳米结构ns可以控制入射的光而没有以所需形状的更高衍射。当纳米结构ns的厚度为振荡波长的一半或小于振荡波长的一半时，纳米结构ns可以作为具有高反射特性的超结构反射器mr工作，但所需厚度不限于此。
如所示，纳米结构ns可以具有圆柱形状，但不限于此。纳米结构ns具有均匀的尺寸和恒定的间距，但这是一示例，并且纳米结构ns不限于此。纳米结构ns可以包括与增益层130的半导体材料相同类型的半导体材料，但不限于此。纳米结构ns包括例如单晶硅、多晶硅、非晶si、si3n4、gap、tio2、alsb、alas、algaas、algainp、bp和zngep2中的任何一种。
如图2中所示，超结构反射器mr可以包括用于支撑多个纳米结构ns的支撑层su。支撑层su可以包括具有比纳米结构ns的折射率更小的折射率的材料。例如，支撑层su可以包括sio2、透明导电氧化物(tco)、或者诸如pc、ps和pmma的聚合物。支撑层su的材料不限于此，并且可以包括例如半导体材料。支撑层su和纳米结构ns可以包括相同的半导体材料，例如所有iii-v半导体化合物。此外，通过控制化合物的成分比，支撑层su的折射率可以小于纳米结构ns的折射率。支撑层su与纳米结构ns之间的折射率之差可以为约0.5或更大。
支撑层su的厚度可以设定为振荡波长的1/5或更大。当支撑层su的厚度小于振荡波长的1/5时，因为在支撑层su上的纳米结构ns中谐振的光可以被耦合到由半导体材料制成的下层，所以如超结构的期望的操作不会被执行。
分布式布拉格反射器120可以通过交替地层叠具有不同折射率的第一材料层122和第二材料层124至所需振荡波长的约1/4的厚度被形成。分布式布拉格反射器120可以形成在半导体基板110上。分布式布拉格反射器120可以调节两个材料层122与124之间的折射率之差和两个材料层122和124的对重复层叠的数量，使得分布式布拉格反射器120的反射率被调节为具有期望值。分布式布拉格反射器120可以包括与构成增益层130的半导体材料相同的材料。例如，第一材料层122是alxga(1-x)as(0≤x≤1)层，第二材料层124是alyga(1-y)as(0≤y≤1，x≠y)层。分布式布拉格反射器120可以被掺杂成与下覆层131相同的半导体类型。例如，当下覆层131为p型时，分布式布拉格反射器120可以掺杂有p型杂质，当下覆层131为n型时，分布式布拉格反射器120可以掺杂有n型杂质。分布式布拉格反射器120的材料不限于此，并且能够获得折射率差异的各种材料可以用于第一材料层122和第二材料层124。
垂直腔表面发射激光器100还可以包括用于调节发射光的模式或调节光束尺寸的氧化物开口层140。氧化物开口层140的位置被示出为在增益层130之上，但不限于此。例如，氧化物开口层140的位置可以设置在分布式布拉格反射器120中。此外，多个氧化物开口层140可以被提供，或者氧化物开口层140可以被省略。
垂直腔表面发射激光器100可以包括间隔开且其间具有增益层130的第一电极150和第二电极160，用于到增益层130中的电流注入。第一电极150可以位于增益层130下面，第二电极160可以位于增益层130之上。
分布式布拉格反射器120可以如所示地被蚀刻成台型(mesatype)，用于第一电极150的布置，但这仅是示例。第一电极150可以形成在分布式布拉格反射器120或半导体基板110的下表面上。
垂直腔表面发射激光器100还可以包括用于散发增益层130中产生的热的散热器180。散热器180可以包括具有相对高的热导率的金属材料，例如铜、金、铝等。
散热器180可以被形成为具有围绕垂直腔表面发射激光器100的形状。例如，如图中所示，散热器180可以形成为沿着平行于分布式布拉格反射器120和增益层130的堆叠方向的侧表面从除了光从其发射的区域以外的位置的顶表面延伸。
绝缘层170可以被进一步提供在散热器180与第一电极150之间以及侧表面与第二电极160之间。
增益层130中产生的热可以通过散热器180被散发到外部。
散热器180的区域可以被分成第一区域r1和第二区域r2。第一区域r1可以是围绕垂直腔表面发射激光器100的侧表面的区域。第二区域r2连接到第一区域r1并位于增益层130的上部处。第二区域r2是垂直腔表面发射激光器100的上表面的除了光在此发射的区域以外的区域。
增益层130中产生的热朝散热器180的排出路径被分成朝第一区域r1的第一路径h1和朝第二区域r2的第二路径h2。在本实施方式的垂直腔表面发射激光器100中，因为薄的超结构反射器mr而非厚的分布式布拉格反射器被放置在增益层130的上部中，所以第一路径h1的路径长度和第二路径h2的路径长度基本上彼此相似，因而两条路径的热阻彼此相似。朝第二区域r2的第二路径h2可以形成为在增益层130中的至少一个位置中比朝第一区域r1的第一路径h1更短。因此，增益层130中产生的热可以被有效地分散并沿着第一路径h1和第二路径h2排出。
如上所述，垂直腔表面发射激光器100采用了具有小厚度的超结构反射器mr作为反射器，用于使得增益层130中产生的光的特定波长带的光振荡并发射。因此，垂直腔表面发射激光器100可以被小型化，并且由光振荡产生的热可以被有效地散发到外部。
图3是示出根据一比较示例的垂直腔表面发射激光器10的示意结构的剖视图。
根据该比较示例的垂直腔表面发射激光器10具有位于增益层130下方的分布式布拉格反射器120以及包括具有不同折射率且交替地堆叠在增益层130之上的两个材料层192和194的分布式布拉格反射器190。因此，根据该比较示例的垂直腔表面发射激光器10不同于根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器100。
分布式布拉格反射器120和190通过堆叠一对具有不同折射率的两个材料层几十次或更多次而形成，以获得90％或更大的高反射率。因此，当增益层130中产生的热向外部排出时，在垂直于堆叠方向的方向上的热阻非常大。增益层130中产生的热主要通过具有短路径且热阻相对低的路径散发，例如图3中所示的第一路径h1，并且几乎不通过具有长路径且热阻相对高的第二路径h2散发。
根据包括超结构反射器mr而没有使用在增益层130之上的分布式布拉格反射器190的一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器100的散热效率大于根据一比较示例的垂直腔表面发射激光器10的散热效率。
图4是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr2的另一示例的示意结构的透视图。
超结构反射器mr2还可以包括具有与支撑层su上的多个纳米结构ns的形状对应的多个通孔th的第二支撑层su2。所述多个纳米结构ns可以分别设置在所述多个通孔th中。
支撑层su2的折射率可以小于所述多个纳米结构ns的折射率。第二支撑层su2可以由与支撑层su相同的材料形成。
如图2和图4中所示，提供在垂直腔表面发射激光器100中的纳米结构ns的形状是圆柱形，但纳米结构ns不限于此，并且可以具有各种形状。
图5至图8是示出可提供在根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器的超结构反射器mr和mr2中的纳米结构ns的另外的示例形状的透视图。
如图5中所示，纳米结构ns可以具有拥有厚度t的正方形柱形状。剖面矩形的形状可以是在一个边上具有长度d的正方形，但形状不限于此，并且可以是矩形。纳米结构ns可以具有另外的多边形柱形状。
参照图6，纳米结构ns可以具有星形剖面。虽然在这种情况下纳米结构ns具有对称的形式，但这仅是示例，并且纳米结构ns可以被修改为具有不对称的形状。
参照图7，纳米结构ns具有不对称的形状，诸如椭圆柱形状。当纳米结构ns具有拥有彼此不同的长度dl的长轴和长度ds的短轴的椭圆形状时，纳米结构ns可以具有相对于平行于长轴方向的偏振光和平行于短轴方向的偏振光不同的光学功能。
参照图8，纳米结构ns可以具有不对称的形状，并且可以具有拥有矩形剖面的长方体形状，所述矩形剖面具有垂直长度dx和水平长度dy。类似于图7的情况，当纳米结构ns具有图8的形状时，纳米结构ns也可以具有相对于特定方向上的偏振的光学功能。
超结构反射器mr可以通过适当地调节纳米结构ns的形状、尺寸和布置规则以附加地调节增益层130中产生并从超结构反射器mr和分布式布拉格反射器120反射、振荡和发射的光的形状而被使用。
在下文中，将描述通过应用各种各样的布置规则而具有另外的光学功能的超结构反射器。
图9是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr3的另一示例的示意结构的剖视图。
超结构反射器mr3包括支撑层su和形成在支撑层su上的多个纳米结构ns。纳米结构ns的形状和布置规则可以被设定使得超结构反射器mr3用作凸面镜。纳米结构ns的每个位置处的形状尺寸根据将由超结构反射器mr实现的光学功能被确定。例如，当纳米结构ns的位置r被定义为在径向方向上离超结构反射器mr的中心的距离时，在该位置处的纳米结构ns的尺寸为d(r)。参照图9，d的值从中心向径向方向减小，并且示例规则可以在径向方向上被重复。重复周期是不恒定的，而是可以变化。取决于超结构反射器mr3的设计，从中心向径向方向相反趋势的d值分布是可能的。由超结构反射器mr3实现的凸面镜的功能程度可以通过根据纳米结构ns的位置r应用于d(r)的值被调节。即使光学性能因为d(r)被设定而改变，物理曲度变化也不会发生，因而超结构反射器mr3的厚度可以保持恒定。
图10是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr4的另一示例的示意结构的剖视图。
参照图10，超结构反射器mr4包括支撑层su和形成在支撑层su上的多个纳米结构ns。纳米结构ns的形状和布置规则可以被设定使得超结构反射器mr4用作凹面镜。当纳米结构ns的位置r被定义为在径向方向上离超结构反射器mr4的中心的距离时，在该位置处的纳米结构ns的直径d(r)可以被确定为特定值，使得超结构反射器mr4用作凹面镜。d的值从中心向径向方向增大，并且示例规则可以在径向方向上被重复。重复周期是不恒定的，而是可以变化。此外，根据超结构反射器mr4的设计，d的值可以从中心向径向方向减小。
图11是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr5的另一示例的示意结构的剖视图。
参照图11，超结构反射器mr5包括支撑层su和形成在支撑层su上的多个纳米结构ns。在本实施方式中，超结构反射器mr5具有尺寸和一布置从而与分布式布拉格反射器120一起振荡光并另外地使发射光偏转。纳米结构ns可以具有沿着一个方向逐渐减小的形状。此外，作为一个周期单位的阵列可以在水平方向上重复地布置。
图9至图11中所示的超结构反射器mr3、mr4和mr5在垂直腔表面发射激光器100中被采用，使得诸如光束直径、会聚/发散形状、发射光的方向的光学性能可以被修改。此外，超结构反射器mr3、mr4和mr5可以被修改为具有其它尺寸分布以具有诸如光束形成的另外的功能。
图5至图8示出了图9至图11的超结构反射器mr3、mr4和mr5中提供的纳米结构ns的形状。当具有不对称形状的纳米结构ns被采用时，可以对由不对称性确定的特定方向上的偏振执行上述光学作用。
也可以通过不同地限定具有取决于方向的不对称性的纳米结构ns的布置规则而执行偏振分束器的功能。
图12是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr6的另一示例中的纳米结构ns的示例形状和布置的俯视图。
参照图12，超结构反射器mr6包括具有x方向上的长轴长度dl和y方向上的短轴长度ds的纳米结构ns1、以及具有y方向上的长轴dl和x方向上的短轴长度ds的纳米结构ns2。
纳米结构ns1被布置为使得其尺寸沿着x方向减小。纳米结构ns2被布置为使得其尺寸沿着x方向增大。由于纳米结构ns1和ns2在x方向和y方向上的尺寸变化趋势，当振荡光被发射时，不同偏振的光在不同的方向上偏转，并且不同偏振的光的形状可以被独立地调节。
图13是示出根据一示例性实施方式的垂直腔表面发射激光器中可采用的超结构反射器mr7的另一示例中的纳米结构ns的示例形状和布置的俯视图。
构成超结构反射器mr7的纳米结构ns可以具有不对称的形状和长方体形状，该长方体形状具有拥有彼此不同的纵向长度dx和横向长度dy的矩形剖面。纳米结构ns沿着x方向布置，平行于x方向的长度dx逐渐地减小，平行于y方向的长度dy逐渐地增大，使得纳米结构ns的形状和布置可以被确定。根据该形状，当振荡光被发射时，可以相对于不同偏振的光进行不同的光学作用。
采用上述超结构反射器的垂直腔表面发射激光器100有利于小型化、高速操作和低功耗，并且还可以改变所发射的光的光学性质。因此，垂直腔表面发射激光器100可以用于光学传感器、光ic系统、用于各种光学装置的光源等。
图14是示出根据一示例性实施方式的光学装置1000的示意结构的框图。
光学装置1000包括朝物体obj发射光的光源1200、接收从物体obj反射的光的传感器1400、以及分析由传感器单元1400接收的光及物体obj的形状、位置和运动中的至少一个的分析器1600。
包括上述超结构反射器中的一个的垂直腔表面发射激光器可以用作光源1200。
用于执行诸如调节光源1200中的光朝物体obj的方向、调节光束的尺寸、或者将光调制成图案光的另外的功能的光学元件可以被进一步提供在光源1200与物体obj之间。或者，当光源1200中包括的超结构反射器具有适于执行这样的功能的形状和布置时，可以省略光源1200与物体obj之间的光学元件。
传感器1400感测由物体obj反射的光lr。传感器1400可以包括光检测元件的阵列。传感器1400还可以包括用于对每个波长分析从物体obj反射的光的分光器件(spectroscopicdevice)。
分析器1600可以通过分析由传感器1400接收的光而分析物体obj的物理性质、形状、位置和运动中的至少一个。物体obj的三维形状、位置和运动可以通过比较照射到物体obj上的光li的图案与从物体obj反射的光lr的图案而被分析。或者，也可以通过入射光分析物体obj中受激的光的波长以确定物体obj的物理性质。
光学装置1000还可以包括用于总体上控制光源1200的操作或传感器1600的操作的控制器。此外，光学装置1000还可以包括存储器，其存储将由分析器1400等执行的用于提取3d信息的计算程序。
关于分析器1600中的计算结果的信息，也就是关于物体obj的形状、位置、物理性质等的信息，可以被发送到另一装置。例如，以上信息可以被发送到包括光学装置1000的电子设备的控制器。
光学装置1000也可以用作用于精确地获取关于前面物体的三维信息的传感器，并且可以在各种各样的电子设备中被采用。这样的电子设备可以是例如诸如无人驾驶车辆、自主车辆、机器人、无人机等的自主驱动设备，以及增强现实设备、移动通信设备或iot(物联网)设备。
上述垂直腔表面发射激光器具有对低功耗、高速操作、小型化有利的拥有亚波长尺寸的超结构反射器，并且能用作用于另外的光学装置的光源。
根据上述垂直腔表面发射激光器，纳米结构的形状和布置可以被调节使得超结构反射器具有另外的光学功能，因而发射光束的诸如光束直径、方向、会聚/发散形状、偏振等的光学性能可以被调节。
前述示例性实施方式仅是示例性的，并且将不被解释为限制性的。本教导能容易地应用于其它类型的装置。此外，示例性实施方式的描述旨在是说明性的，并且不旨在限制权利要求的范围，并且许多替代物、修改和变化对本领域技术人员来说将是明显的。
本申请要求享有2017年3月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0036920号的优先权，其公开通过引用全文合并于此。