具有载体和光电部件的装置的制作方法

本发明涉及根据权利要求1中所要求的具有载体和光电部件的装置，以及涉及根据权利要求19中所要求的用于制造具有载体和光电部件的装置的方法。

本专利申请要求德国专利申请de102016116298.1的优先权，其公开内容通过引用结合于本文。

背景技术：

在现有技术中，将光电部件布置在载体上是已知的。在这种情况下，可以用封装化合物覆盖光电部件。此外，利用框架来封闭光电部件也是已知的。框架的内部被封装化合物填充，封装化合物还覆盖该部件。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种具有载体和光电部件的改进装置，以及一种用于制造具有光电部件的载体的改进方法。

本发明的目的通过独立权利要求的特征来实现。在从属权利要求中限定了本发明的其他实施例。

所描述的装置的一个优点是阻碍了材料沿预定流动方向流动。该优点的实现在于载体的表面结构具有沿预定流动方向的至少一个结构元件。该结构元件横向于流动方向延伸。结构元件在流动方向的平面中具有小于20μm的圆角半径。此外，该平面例如垂直于结构元件的纵向范围进行布置。利用这些圆角半径，实现了对材料流动的有效阻碍。通过较小的圆角半径，阻碍或防止了可流动材料弄湿结构元件。

在一个实施例中，至少三个结构元件沿流动方向依次设置，结构元件与相邻结构元件的距离小于200μm。因此可以将至少三个结构元件设置在大约400μm的距离上。

在一个实施例中，至少三个结构元件沿流动方向依次设置。取决于所选择的实施例，相邻结构元件可具有预定距离。例如，相邻结构元件的距离可以大于5μm或小于10μm。

取决于所选择的实施例，可沿流动方向依次设置10个或更多个结构元件，结构元件与相邻结构元件的距离小于200μm和/或大于5μm。

圆角半径的大小可大于材料的表面粗糙度或者其中形成结构元件的材料的表面的平均粗糙度的平均值。表面的平均粗糙度可例如在2μm或更小的范围内。结构元件可具有垂直于结构元件的纵向范围的宽度，该宽度在材料的平均表面粗糙度的至少三倍的范围内，结构元件形成在该材料中。结构元件可具有高度或深度，该高度或深度至少在材料的平均表面粗糙度的三倍的范围内，结构元件形成在该材料中。

结构元件可沿整个纵向范围具有小于20μm的圆角半径。此外，结构元件可以在既定部分中具有大于20μm的圆角半径。具有大于20μm的圆角半径的部分不应当与相邻结构元件依次设置在沿流动方向的轴线上，而是应当在侧向上偏移地布置。例如，在具有大于20μm的圆角半径相邻结构元件的部分之间的侧向距离可在相邻结构元件之间距离的至少两倍的范围内。以此方式，仍然可以实现对材料的流动(渗出)的充分阻滞和/或限制。

在一个实施例中，圆角半径小于10μm，特别是小于5μm。以此方式，实现了对材料的流动阻碍的进一步提高。

在一个实施例中，圆角半径小于1μm，特别是小于0.05μm。

在一个实施例中，结构元件具有大于或等于圆角半径的高度。

在一个实施例中，结构元件具有小于20μm的高度。由于结构元件的较小高度，基本上未改变载体的表面结构。此外，材料的流动沿预定流动方向被结构元件阻碍。因此，例如，由于所提出的具有结构元件的表面结构，光电部件可被可流动材料过度填充并且阻碍或妨碍了可流动材料沿预定流动方向横向流走。

在一个实施例中，至少两个结构元件沿流动方向依次布置。可流动材料的流动路径被因此减少。此外，单个结构元件的缺陷可通过沿流动方向的多个结构元件来补偿。

例如，结构元件被形成为隆起和/或凹陷。取决于所选择的实施例，结构元件可具有小于5μm的高度，特别是小于1μm。同样借助于结构元件的这些低高度，可以实现对可流动材料的流动速度和流动路径的实质性影响。在结构元件作为凹陷的实施例中，凹陷具有沿流动方向的、对应于至少两倍圆角半径的宽度。

在一个实施例中，载体包括导电层，结构元件被引入到导电层的表面中。因此没必要使载体自身结构化。结构元件可例如已经在制造导电层期间制造。此外，结构元件也可在制造导电层之后引入到导电层的表面中。例如，导电层可以由比载体更软的材料形成。此外，取决于所选择的实施例，结构元件的高度可以等于导电层的高度。因此没必要以一定高度来精确地配置结构元件。在该实施例中，高度自动地由导电层自身的厚度来预先确定。导电层可例如是电解淀积的。在导电层的制造或沉积期间导电层的表面可出现粗糙度。在制造导电层之后可将结构元件引入到导电层的表面中，例如通过压花法或激光加工或研磨加工或刻痕法或蚀刻法。

在另一实施例中，结构元件具有至少0.1μm的高度。试验表明，这种最小高度对于实质影响可流动材料的流动速度和流动长度而言是有利的。结构元件的高度应当大于载体的表面的粗糙度。

在另一实施例中，限制元件靠近部件布置在载体上。可流动材料被布置在部件和限制元件的第一侧之间。结构元件被布置成与限制元件的第二侧相邻。第二侧被布置成与限制元件的第一侧相反。以此方式获得的效果是，例如在限制元件和载体之间流过的可流动材料由于限制元件的第二侧上的结构元件被阻止进一步流动。限制元件可例如以接片的形式配置，该接片延伸超过部件的侧面长度的至少一部分，特别是环状地包围部件。

取决于所选择的实施例，结构元件可在平行于载体的表面的平面中具有细长的形状或圆角的形状，特别是圆形形状。

在另一实施例中，提供了细长的条带区域，结构元件布置在该条带区域中。细长的条带区域被布置成其纵向范围横向于流动方向。取决于所选择的实施例，细长的结构元件的纵向方向还可以垂直于预定流动方向布置。预定流动方向对应于可流动材料原本并非要沿其流动的方向。取决于所选择的实施例，结构元件还可以具有在载体的平面中为弯曲的形状，特别是s形。此外，结构元件还可以以载体的表面中圆角特别是圆形的底面的形式配置。

结构元件可以例如借助于压花法和/或借助于研磨法和/或借助于激光加工方法和/或借助于机械刻痕法和/或借助于蚀刻法和/或借助于喷砂法来制造。

在将可流动材料施用到载体上之后，取决于材料性质，可流动材料在预定等待时间之后固化。

可流动材料可包括基质材料，其中引入了颗粒。例如，硅酮可用作基质材料。此外，具体地，散射颗粒或发光颗粒可以用作颗粒。此外，可流动材料还可以包括环氧化物或塑料。

隆起可以由与载体或导电层相同的材料制成。此外，隆起还可以由不同材料组成。

附图说明

本发明的上述性质、特征和优点以及获得它们的方式，通过结合对示例性实施例的以下描述将变得更为清楚和易于理解，示例性实施例将结合附图更详细地进行解释。在这种情况下，分别按照示意图表示：

图1示出了载体的平面图，

图2示出了载体的第二实施例的横截面，

图3示出了具有细长结构元件的载体的平面图，

图4示出了具有横向于流动方向布置的细长结构元件的载体的平面图，

图5示出了具有圆形结构元件的载体的平面图，

图6示出了具有限制元件的载体的局部细节，

图7示出了具有采用隆起形式的结构元件的载体的一部分的横截面，

图8示出了具有采用凹陷形式的结构元件的载体的一部分的横截面，

图9示出了具有采用隆起和凹陷形式的结构元件的载体的一部分的横截面，

图10示出了具有带有结构元件的导电层的载体的一部分的横截面，

图11示出了具有波纹状结构元件的载体的表面的平面图，

图12示出了具有圆角结构元件的载体的表面的平面图，

图13示出了具有部件、限制元件和导电层的载体的局部横截面，以及

图14示出了具有可流动材料和三个结构元件的载体的局部细节。

具体实施方式

图1示出了载体1的上侧的平面图。载体1包括两个导电层2，它们彼此距离一定距离布置在载体1的上侧上。此外，光电部件3布置在载体1的上侧上。部件3包括在下侧上的电端子，它们导电地连接至两个导电层2。光电部件3被例如配置为为发光二极管、激光二极管或光电传感器。导电层2被施用为载体1上侧上的薄金属层。还提供了限制元件4，其以周向框架的形式包围部件3并被布置在载体1上侧上。此外，可流动材料5布置在限制元件4内部。材料5通过斜线来示意性地表示并且连接限制元件4的第一侧6。第一侧6表示限制元件4的面向部件3的内侧。限制元件4包括与第一侧6相对的第二侧7。导电层2从部件3开始向远处延伸并且分别在距离部件3和限制元件4的一定距离处具有接触区域8、9。

导电层2的接触区域8、9旨在用于与其他的电气线路电接触，例如用于焊线或焊球。按照预期接触区域8、9应该没有可流动材料5。因此按预期可流动材料5在施用到部件3上或邻近于部件3之后无法朝接触区域8、9的方向流动。为了限制材料5的流动路径，提供了限制元件4。一方面，取决于所选择的实施例，可以省略限制元件4，而在另一方面，试验表明，如果限制原件4在载体1的上侧上或导电层2上的粘附较差，则可流动材料5可能在载体1与限制元件4之间沿流动方向10朝接触区域8、9的方向流动。在这种情况下流动方向10是按照预期要阻止材料5沿其流动的自由选择方向。

为了限制可流动材料5的流动路径和流动距离，载体1包括第一和/或第二区域11、12，它们由虚线边界表示。在第一和第二区域11、12中，在载体1和/或导电层2上设置了阻碍或妨碍可流动材料沿流动方向10流动的结构元件13。流动方向10被示意性地表示为箭头。

在流动方向10的平面中并且垂直于结构元件13的纵向范围，结构元件13具有小于20μm的圆角半径。圆角半径可以小于10μm，特别是小于5μm。此外，圆角半径可以小于1μm，特别是小于0.05μm。

结构元件13具有例如小于20μm的高度。在图1中结构元件13仅被示意性地示出。结构元件13可以代表隆起和/或凹陷。例如，结构元件13可以具有小于20μm的高度，特别是小于5μm。取决于所选择的实施例，结构元件具有小于1μm的高度。结构元件的高度应当大于圆角半径。结构元件的高度应当大于0.1μm，并且特别是大于载体的表面和/或导电层2的表面的粗糙度。例如，平均粗糙度可以用作表面粗糙度或粗糙度。平均粗糙度表示在表面上测量点距离中线的平均距离。中线按照以下方式与参考距离内的实际轮廓相交，即轮廓关于中线的偏差之和为最小。

结构元件13横向于流动方向10的长度可以显著地大于结构元件13沿流动方向10的宽度。结构元件13越长，则可流动材料相对于流动方向10向侧向偏转地越好。结构元件13形成针对可流动材料5的隆起屏障和无凹陷填充区域。

结构元件13可以通过压花法和/或研磨法和/或激光加工方法和/或机械刻痕法和/或蚀刻法和/或喷砂法来制造。

可流动材料5可以例如包括粘附材料、硅酮、环氧化物、塑料、聚合物或者可以以浆料或液体形式施用到载体1上的其他类型的材料。可流动还意欲表示具有一定流动性的类似浆料材料。可流动材料5至少在施用到载体1上之后的一定时间段上保持可流动。随后，其至少部分地固化，并且至少部分地特别是完全固态并不再可流动。

取决于所选择的实施例，材料5还可在施用到载体1之后较长时间保持可流动。此外，可流动材料5还包括在施用后的预定时间段之后固化和凝固的材料。然而，通过结构元件13对流动路径的限制还为可固化材料5提供了优势，因为可固化材料5还可在流动状态下朝接触区域8、9的方向流动以保持自由。限制元件5可例如由塑料材料、环氧树脂或硅酮形成。结构元件13在图1中以线的形式示意性地表示。在图1中，结构元件13至少部分地布置在导电层2的区域中和载体1的表面的区域中。

图2示出了其上布置了光电部件3的另一载体1的示意性横截面。部件3还被可流动材料5覆盖。此外，以箭头的形式示意性地表示流动方向10，材料5的流动路径按照预期被限制在该流动方向上。在上侧上，载体1包括阻碍或妨碍可流动材料5沿流动方向10流动的结构元件13。在流动方向10的平面中并且垂直于结构元件13的纵向范围，结构元件13具有小于20μm的圆角半径。圆角半径可以小于10μm，特别是小于5μm。此外，圆角半径可以小于1μm，特别是小于0.05μm。结构元件13具有例如小于20μm的高度。在图1中结构元件13仅被示意性地示出。结构元件13可以代表隆起和/或凹陷。例如，结构元件13可具有小于20μm的高度，特别是小于5μm。取决于所选择的实施例，结构元件具有小于1μm的高度。结构元件的高度应当大于圆角半径，例如大于0.1μm，并且特别是大于载体的表面和/或导电层2的表面的粗糙度。

图3在示意性表示中示出了另一载体1的上侧视图，被可流动材料5覆盖的部件3被布置在载体1上。可流动材料5的流动按照预期在以箭头表示的流动方向10上被阻止或至少被限制。就这一点而言，在上侧上，载体1具有第一区域11，在该区域中布置了至少两个特别是多个细长的结构元件13。结构元件13的纵向方向被布置成垂直于流动方向10。此外，所表示的至少两个结构元件13以既定距离沿流动方向10依次布置。取决于所选择的实施例，例如接片或壁的形式的限制元件4可以设置在部件3和第一区域11之间。

图4示出了载体1的另一实施例，在其上设置了被可流动材料5覆盖的光电部件3。同样在该实施例中，可沿流动方向10靠近部件3布置接片或壁的形式的限制元件4。然而，还可以省略限制元件4。在该实施例中，在第一区域11中横向于流动方向10布置了细长的结构元件13。结构元件13关于流动方向10的这种定向还限制了材料5的流动路径。此外，如图4中所表示的，还可以设置交叉布置的细长结构元件13。

图5示出了另一载体1的上侧的局部细节，在载体上布置了具有可流动材料5的部件3。此外，以箭头来表示流动方向10，可流动材料5的流动按照预期被限制在该流动方向上。为此，沿流动方向10布置的第一区域11提供有圆形结构元件。第一区域11由虚线表示。例如，第一区域被设计成细长的并且横向地特别是垂直于流动方向10布置。在载体的平面中，结构元件13具有圆角的底面，例如，环形底面。此外，取决于所选择的实施例，可以在第一区域和部件3之间沿流动方向10设置限制元件4。同样在图5的实施例中，沿流动方向10依次布置了至少两个结构元件13。

前述附图中的结构元件13可例如以凹陷和/或隆起的形式设计。结构元件13的布置可表示为浅凹结构。在垂直于载体的表面16的平面中，凹陷的圆角半径19可小于20μm，并且优选地大于载体1的表面16的粗糙度。此外，凹陷的深度18可大于圆角半径19。此外，凹陷沿流动方向10的宽度可在深度18的值的范围内。图5的结构元件13还可布置在导电层中。

图6示出了具有导电层2的另一载体1的平面图的局部细节，在该导电层上设置了限制元件4。此外，流动方向10以箭头的形式示意性地表示。在该实施例中，以倾斜线条示意性表示的可流动材料5靠近限制元件4的第一侧6布置在导电层2上。限制元件4旨在限制可流动材料5沿流动方向引导的流动。然而，在载体1和限制元件4之间的空腔可确保可流动材料5在载体1和限制元件4之间沿流动方向10在限制元件4的第二侧7上流动，可流动材料5被示意性地以倾斜线条表示成邻近于第二侧7。为了使得阻碍或限制材料5沿流动方向10的进一步流动，在导电层2上靠近限制元件4的第二侧7布置了结构元件13。除此之外结构元件13还可以布置在载体1上。取决于所选择的实施例，结构元件13仅被引入到导电层2中和/或还仅在载体1的上侧中。以此方式，例如，可按预期防止弄湿导电层2的第一接触区域8或其他区域。

同样在图3至图6的实施例中，结构元件13在流动方向10的平面中且垂直于结构元件13的纵向范围具有小于20μm的圆角半径。圆角半径可小于10μm，特别是小于5μm。此外，圆角半径可小于1μm，特别是小于0.05μm。结构元件13具有例如小于20μm的高度。结构元件13可表示隆起和/或凹陷。例如，结构元件13可具有小于20μm的高度，特别是小于5μm。取决于所选择的实施例，结构元件具有小于1μm的高度。结构元件的高度应当大于圆角半径，例如大于0.1μm，并且特别是大于载体的表面和/或导电层2的表面的粗糙度。

结构元件13可包括各种形状和各种材料。以下将通过示例解释结构元件13的各种形状。

图7示出了载体1的示意性局部横截面，在该载体上沿流动方向10示出了隆起形式的结构元件13。隆起例如可通过将材料施用到载体1上来制造。材料可例如由与导电层2相同的材料组成。此外，还可使用硅酮、环氧化物或其他材料作为隆起14的材料。隆起14相对于载体1的上侧16的高度17可小于20μm且大于0.1μm。在流动方向10的平面中且垂直于隆起14横向于流动方向的纵向范围，即，在所表示的截平面中，隆起14具有小于20μm的圆角半径19。圆角半径19可小于10μm，特别是小于5μm。此外，圆角半径19可小于1μm，特别是小于0.05μm。隆起14具有例如小于20μm的高度。例如，隆起14可具有小于10μm的高度，特别是小于5μm。取决于所选择的实施例，隆起14具有小于1μm的高度。隆起14的高度应当大于圆角半径，例如大于0.1μm，并且特别是大于载体的表面和/或导电层2的表面的粗糙度。

图8示出了载体1的另一实施例的局部横截面，在载体的上侧中引入了凹陷15作为结构元件。凹陷15相对于上侧16的高度18可小于20μm且大于0.1μm。在所表示的横截面的平面中，在载体的表面16的过渡处，凹陷15可具有小于20μm的圆角半径19，并且优选地大于载体1的表面16的粗糙度。此外，凹陷15的深度18可大于圆角半径19。此外，凹陷15沿流动方向10的宽度可在深度18的值的范围内。此外，凹陷的宽度可为圆角半径19的值的至少两倍。

在流动方向10的平面中并且垂直于结构元件13的纵向范围，凹陷15具有小于20μm的圆角半径19。圆角半径19可小于10μm，特别是小于5μm。此外，圆角半径19可小于1μm，特别是小于0.05μm。凹陷15具有例如小于10μm的深度。例如，凹陷15可具有小于20μm并且特别是小于5μm的深度。取决于所选择的实施例，凹陷15具有小于1μm的深度。凹陷15的深度应当大于圆角半径，例如大于0.1μm，并且特别是大于载体的表面和/或导电层2的表面的粗糙度。

图9示出了载体1的另一实施例的局部横截面，在该载体的上侧上布置了隆起14且在其上侧内引入了凹陷15。隆起14和凹陷15被依次提供作为沿流动方向10的结构元件。可根据图7和图8的示例性实施例设计隆起14和凹陷15。

图10示出了载体1的另一实施例的示意性局部横截面，其中沿流动方向10在导电层2中引入了隆起14和凹陷15。在示例性实施例中，提供了两种类型的凹陷15。形成一组凹陷15直到载体1的上侧16。另一组凹陷15仅延伸直到导电层2的厚度的一部分，并且没有形成到载体1。凹陷15形成直到表面16，这获得了简单的制造方法而且简单地限定了凹陷15的深度，该深度对应于导电层2的厚度。取决于所选择的实施例，在导电层2中可仅设置隆起或仅设置凹陷作为结构元件。此外，在导电层2中可分别形成比仅两个隆起和/或仅两个凹陷更多的隆起和凹陷。可根据图7和图8的示例性实施例设计隆起14和凹陷15。

图11示出载体1的上侧16的局部细节，其中示出了横向于流动方向10的卷曲结构元件13。该卷曲的结构元件13可以隆起的形式和/或以凹陷的形式来配置。可利用根据前述示例性实施例的圆角半径19以及高度或深度来设计隆起和/或凹陷。

图12示出载体1的上侧16的局部细节，其中沿流动方向13布置了在载体1的上侧16的平面中具有圆角底面的结构元件13。结构元件13的底面可为环形的。结构元件13的底面还可包括任何其他类型的圆角底。同样在该实施例中，在上侧16上布置了至少两个结构元件13。可例如类似于图6、11和12中的结构元件布置具有不同形状的结构元件13，但是也可采用混合的方式。此外，结构元件13不仅可布置在载体1的上侧上也可布置在导电层2中。结构元件13可布置为隆起和/或凹陷并且具有根据以上所描述的示例性实施例的圆角半径19以及高度和深度。

在图7至图12中，省略了对部件3、可流动材料5以及限制元件4的表示。

图13示出载体1的另一实施例的示意性局部横截面，在载体的上侧16上布置了导电层2。在导电层2上靠近部件3布置了限制元件4。在导电层2上在部件3和限制元件4之间设置了可流动材料5。材料5还可覆盖部件3。此外，限制元件4还可环状地包围部件3。靠近限制元件4，沿流动方向10在导电层2的上侧引入隆起14和凹陷15作为结构元件。

取决于所选择的实施例，还能够沿流动方向10仅设置一个隆起和一个凹陷。此外，还能够沿流动方向仅设置两个或更多个隆起14。此外，还能够沿流动方向仅设置两个或更多个凹陷15。

各种实施例的结构元件的高度例如可小于20μm且大于0.1μm。

前述附图中的结构元件13、凹陷15和/或隆起14可以沟槽、凹槽、波纹的形式、或者以环形结构的形式设计，例如凹部或凸起或销。

结构元件13、凹陷15和/或隆起14具有根据以上所描述示例的圆角半径19和/或高度和/或深度。

在图1、图3至图6、图11和图12中，圆角半径19优选地在垂直于所表示的片平面的平面中且沿流动方向10布置。

图14示出了载体1的上侧16的局部细节，在该载体1的上侧16上施用了可流动材料5。在距离材料5的预定距离处，在载体1上布置了结构元件13。结构元件13具有纵向范围并且以直线配置。在垂直于结构元件13的纵向范围的距离21处，布置了第二结构元件23。第二结构元件23具有纵向范围并且以直线配置。第二结构元件23平行于结构元件13布置。在垂直于第二结构元件23的纵向范围的距离21处，布置了第三结构元件24。第三结构元件24具有纵向范围并且以直线配置。第三结构元件24平行于第二结构元件23布置。取决于所选择的实施例，可布置更多或更少的结构元件13、23、24。此外，结构元件可具有不同的形状和/或距离彼此不同的距离21。

结构元件13、23、24具有垂直于纵向范围的、小于20μm的圆角半径。此外，圆角半径可大于载体1的表面16的平均粗糙度。此外，结构元件13、23、24包括其中垂直于纵向范围的圆角半径大于20μm的部分20。然而，相邻结构元件13、23、24的部分20以沿垂直于结构元件13、23、24的纵向范围的轴线看的距离22侧向偏移地布置。距离22可优选地是相邻结构元件13、23、24之间的距离21的两倍大。同样利用结构元件13、23、24的这种布置，因此阻碍或妨碍了材料5垂直于结构元件纵向范围定向的流动。材料5将根据部分20中的箭头流过结构元件13、23、24，并且随后分别侧向地流动。

具有大于20μm的圆角半径的部分没有依次布置在相邻结构元件沿流动方向的轴线上，而是沿结构元件的纵向范围侧向偏移地布置。例如，在具有大于20μm圆角半径的相邻结构元件的两个部分之间的侧向距离可在相邻结构元件之间垂直于结构元件纵向范围的距离的至少两倍的范围内。以此方式，仍然可实现对可流动材料的流动(渗出)的充分阻滞和/或限制。结构元件13、23、24可例如被设计为接片或凹部。此外，结构元件13、23、24还可具有不同的形状，如在其他示例性实施例中举例所描述的。在图14的示例中，载体1的表面16还可由导电层形成，结构元件13、23、24被引入到该导电层中。

在所有示例性实施例中描述的导电层2可具有例如在50μm或更小的范围内的层厚度。导电层2可例如由金属组成。

在所有示例性实施例中描述的材料5可设计为可流动材料或者至少部分或完全固化的材料。

在所有实施例中，可沿流动方向依次布置至少三个或至少十个结构元件，结构元件与相邻的结构元件的距离小于200μm。因此，可将至少三个结构元件布置在大约400μm的距离上。

此外，在所有实施例中，可沿流动方向依次布置至少三个结构元件，结构元件与相邻的结构元件的距离大于20μm。因此可将至少三个结构元件布置在大约40μm的距离上。在所有实施例中圆角半径的大小可大于其中形成结构元件的材料的平均粗糙度。

本发明已经借助于优选示例性实施例进行了详细说明和描述。然而，本发明并不限于所公开的示例。而是，在不脱离本发明的保护范围的前提下本领域技术人员可通过所公开实例得到其他变型。

附图标记列表

1载体

2导电层

3光电部件

4限制元件

5可流动材料

6第一侧

7第二侧

8第一接触区域

9第二接触区域

10流动方向

11第一区域

12第二区域

13结构元件

14隆起

15凹陷

16上侧

17高度

18深度

19圆角半径。