本申请要求2017年1月4日提交至韩国知识产权局的第10-2017-0001511号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部公开通过引用合并于此。
技术领域
本公开的示例实施例的一个或多个方面涉及显示设备。
背景技术：
在各种显示设备中，有机发光显示设备包括阳极电极、阴极电极、以及位于阳极电极与阴极电极之间的有机发射层。在有机发光显示设备中，从阳极电极注入的空穴和从阴极电极注入的电子在有机发射层中结合以形成激子，并且激子通过能量发射而发射光。
有机发光显示设备包括多个像素，每个像素包括作为自发光元件的有机发光二极管。在每个像素中形成多条线以及连接到这些线以驱动有机发光二极管的至少一个薄膜晶体管。
本背景技术部分公开的上述信息是为了增强对本发明背景的理解，并且因此可以包含不构成现有技术的信息。
技术实现要素：
示例实施例的一个或多个方面针对具有改善后的显示质量的显示设备。
根据本公开的一个方面，一种显示设备包括：像素行，包括沿第一方向布置的像素，该像素行沿与第一方向交叉的第二方向重复地布置；像素列，包括沿第二方向布置的像素，该像素列沿第一方向重复地布置；数据线，连接到相应像素列，数据线中的每条数据线包括提供在对应像素列的一侧的第一子数据线和提供在对应像素列的另一侧的第二子数据线；扫描线，沿第一方向延伸，该扫描线连接到相应像素行；以及电源线，被配置为将驱动电源供应给像素，其中像素列的像素中的一个像素被连接到第一子数据线，并且与被连接到第一子数据线的像素相邻的像素被连接到第二子数据线，并且其中在同一像素列中的第一子数据线和第二子数据线位于彼此不同的层上。
电源线可以被提供在第一子数据线与第二子数据线之间。
像素中的每个像素可以包括：至少一个晶体管以及连接到晶体管的显示元件，其中晶体管可以包括：有源图案，被提供在基板上；源电极和漏电极，各自连接到有源图案；栅电极，被提供在有源图案上，在所述栅电极和所述有源图案之间插入有栅极绝缘层；以及层间绝缘层，包括将栅电极覆盖的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，该第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层被顺序地堆叠，并且显示元件可以连接到漏电极。
第一子数据线和第二子数据线中的一个可以位于第二层间绝缘层上，并且第一子数据线和第二子数据线中的另一个可以位于第三层间绝缘层上。
电源线可以包括在彼此不同的层上的第一电源供应线和第二电源供应线，该第一电源供应线和第二电源供应线彼此重叠。
第一电源供应线和第二电源供应线中的一个可以位于第二层间绝缘层上，第一电源供应线和第二电源供应线中的另一个可以位于第三层间绝缘层上，并且第一电源供应线和第二电源供应线可以通过接触孔被彼此连接。
彼此相邻的像素列的第一电源供应线可以通过第一电源连接线被彼此连接，并且第一电源连接线可以与第一电源供应线位于同一层上。
第一电源供应线和第一电源连接线可以位于第二层间绝缘层上。
彼此相邻的像素列的第二电源供应线可以通过第二电源连接线被彼此连接，并且第二电源连接线可以与第二电源供应线位于同一层上。
第二电源供应线和第二电源连接线可以在第三层间绝缘层上。
显示器还可以包括存储电容器，该存储电容器包括位于栅极绝缘层上的下电极、以及位于第一层间绝缘层上的上电极。
显示设备可以进一步包括位于第二层间绝缘层上的第一桥接图案，该第一桥接图案被配置为将漏电极和显示元件彼此电连接。
显示设备可以进一步包括位于第三层间绝缘层上的第二桥接图案，该第二桥接图案被配置为将第一桥接图案和显示元件彼此电连接。
显示元件可以包括：第一电极，位于在第三层间绝缘层上的第四层间绝缘层上；发射层，位于第一电极上；以及第二电极，位于发射层上，并且第一电极可以通过穿过第四层间绝缘层的接触孔被连接到第二桥接图案。
彼此相邻的两个不同像素列之间的第一子数据线和第二子数据线可以被连接到该两个不同像素列，并且可以位于同一层上。
在连接到彼此相邻的两个像素列上的四条子数据线中彼此相距最远的两条子数据线可以被连接到位于同一像素行上的像素。
彼此相距最远的两条子数据线可以位于同一层上。
在连接到彼此相邻的两个像素列上的四条子数据线中彼此相邻的两条子数据线可以被连接到位于同一像素行上的像素。
彼此相邻的两条子数据线可以位于同一层上。
彼此相距最远的两条子数据线和彼此相邻的两条子数据线可以位于彼此不同的层上。
显示设备可以进一步包括：数据驱动器，被配置为通过输出线将数据信号供应给数据线；以及解复用器，连接在输出线与数据线之间。
解复用器可以被配置为将数据信号时分地传送给第一子数据线和第二子数据线。
位于彼此相邻的两个不同像素列之间的第一子数据线和第二子数据线可以被连接到彼此不同的解复用器，并且可以被配置为接收在同一时段期间输入的数据信号。
附图说明
在下文中，将参考附图来更全面地描述示例实施例。然而，本发明可以以不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本发明的方面和特征而言并非必需的工艺、元素和技术。
在附图中，为了说明的清楚起见，尺寸可以被夸大。应当理解，当元件被称为在两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或多个中间元件。在整个附图和书面描述中，相同的附图标记指代相同的元件，并因此可以不重复对相同的元件的描述。
图1是示出根据本公开的实施例的显示设备的图。
图2是更详细地示出根据本公开的实施例的解复用器的图。
图3是更详细地示出根据本公开的实施例的像素的图。
图4是示出根据本公开的实施例的在显示设备中设置在第k像素行、第(k+1)像素行、第j像素列、第(j+1)像素列、第(j+2)像素列和第(j+3)像素列的交叉区域处的像素的平面图。
图5是示出布置在图4所示的第k像素行和第j像素列的交叉区域处的像素的平面图。
图6是沿图5的线I-I'截取的剖视图。
图7是沿图5的线II-II'截取的剖视图。
图8是沿图4的线III-III'截取的剖视图。
图9是沿图4的线IV-IV'截取的剖视图。
图10是示出图4至图9所示的有源图案、源电极以及漏电极的平面图。
图11是示出图4至图9所示的扫描线、发射控制线以及存储电容器的下电极的平面图。
图12是示出图4至图9所示的初始化电源线以及存储电容器的上电极的平面图。
图13是示出图4至图9所示的数据线、连接线、辅助连接线、电源线的第一导电层以及第一桥接图案的平面图。
图14是示出图4至图9所示的数据线、电源线的第二导电层以及第二桥接图案的平面图。
图15是示出图4至图9所示的有机发光二极管的平面图。
具体实施方式
本公开可以以各种变化以及不同形状来加以应用，并因此使用特定示例来详细说明。然而，这些示例并不限于在本文中描述的某些形状，而是可以适用于所有适当的更改，并且具有等同的材料以及替换。可以以对附图加以扩展的方式来示出所包含的附图以便更好地进行理解。
在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可以被夸大和/或简化。出于易于解释的目的，在本文中可以使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上面”等空间相对术语来描述如图中所图示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。应当理解，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定位为在其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方这两种方位。设备可被另外定位(例如，旋转90度或者以其他定位)，并且本文所使用的空间相对描述符应被相应地解释。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或段，但是这些元件、部件、区域、层和/或段不应受这些术语的限制。这些术语被用来将一个元件、部件、区域、层或段与另一元件、部件、区域、层或段区分开来。因此，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区域、层或段可被称为第二元件、部件、区域、层或段。
应当理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件可以是直接在另一元件或层上、或可以是直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。另外，还应当理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
本文所使用的术语的目的仅在于描述特定的实施例，并不旨在限制本发明。除非上下文中明确指示，否则如本文中所使用的单数形式“一”也旨在包括复数形式。还应当理解，当在本说明书中使用术语“包含”和“包括”时，表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。当诸如“...中的至少一个”之类的表达位于元素列表之后时，该表达修饰整个元素列表，而不修饰列表中的个别元素。
如本文所使用的，术语“大致”、“大约”和类似术语被用作近似的术语而不作为程度的术语，并且旨在解释本领域的普通技术人员会识别出的测量或计算的值中所固有的偏差。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用指示“本发明的一个或多个实施例”。如本文所使用的，术语“使用”、“正使用”和“被使用”可以被分别认为是术语“利用”、“正利用”和“被利用”的同义词。另外，术语“示例性”旨在指示示例或图示。
图1是示出根据本公开的实施例的显示设备的图。
参考图1，显示设备10可以包括：像素PXL、扫描驱动器110、发射驱动器120、数据驱动器130、解复用器DM1至DMi、解复用器控制器160、以及时序控制器170。
像素PXL可以连接到多条扫描线S0至Sn、多条发射控制线E1至En、以及多条数据线D1a至Dia以及D1b至Dib。因此，像素PXL可以接收分别通过扫描线S0至Sn和发射控制线E1至En供应的扫描信号和发射控制信号。而且，像素PXL可以接收通过数据线D1a至Dia以及D1b至Dib供应的数据信号。
像素PXL可以沿着在一个方向上延伸的多个像素行和在与像素行交叉的另一方向上延伸的多个像素列以矩阵形式布置。也就是说，像素行可以包括在一个方向上布置的像素PXL，并且像素列可以包括在与像素行交叉的另一个方向上布置的像素PXL。同时，在本实施例中，已经描述了像素PXL以矩阵形式布置的情况以作为示例。然而，本公开不限于此，并且像素PXL可以以各种形式布置。
像素PXL可以连接到第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和第三电源VINT，并且可以接收从电源提供的电源电压。
像素PXL中的每个像素可以对与数据信号相对应的从第一电源ELVDD经由有机发光二极管流向第二电源ELVSS的电流量进行控制。在这种情况下，有机发光二极管可以产生具有与电流量相对应的亮度的光。
扫描驱动器110可以将与来自时序控制器170的扫描驱动器控制信号SCS相对应的扫描信号供应给扫描线S0至Sn。例如，扫描驱动器110可以顺序地将扫描信号供应给扫描线S0至Sn。当将扫描信号顺序地供应给扫描线S0至Sn时，可以以像素行(例如，水平线)为单位来顺序地选择像素PXL。在这种情况下，扫描信号可以具有使被供应有该扫描信号的晶体管导通的电压电平。
发射驱动器120可以将与来自时序控制器170的发射驱动器控制信号ECS相对应的发射控制信号供应给发射控制线E1至En。例如，扫描驱动器120可以将发射控制信号顺序地供应给发射控制线E1至En。在这种情况下，发射控制信号可以具有使被供应有该发射控制信号的晶体管导通的电压电平。
数据驱动器130可以将与来自时序控制器170的数据驱动器控制信号DCS相对应的数据信号供应给输出线O1至Oi。也就是说，数据驱动器130可以通过输出线O1至Oi将数据信号供应给解复用器DM1至DMi。
解复用器DM1至DMi可以接收从数据驱动器130供应的数据信号，并且可以将数据信号供应给数据线D1a至Dia以及D1b至Dib。例如，解复用器DM1至DMi可以接收通过输出线O1至Oi输入的数据信号，并且可以将数据信号时分地输出到具有比输出线O1至Oi的数量更多的数量的数据线D1a至Dia以及D1b至Dib。因此，像素PXL可以接收通过数据线D1a至Dia以及D1b至Dib供应的数据信号。例如，数据线D1a至Dia以及D1b至Dib的数量可以是数据驱动器130的输出线O1至Oi的数量的两倍。
在示例实施例中，电容器可以被包括在数据线D1a至Dia以及D1b至Dib中的每条数据线上，以存储被施加到数据线D1a至Dia以及D1b至Dib的信号。例如，数据线D1a至Dia以及D1b至Dib上的电容器可以由寄生电容引起，和/或电容器可以物理地安装在数据线D1a至Dia以及D1b至Dib上。
解复用器控制器160可以经由(或通过)驱动信号Cd来对解复用器DM1至DMi的操作进行控制。例如，驱动信号Cd可以对被包括在解复用器DM1至DMi中的每个解复用器中的晶体管的操作进行控制。解复用器控制器160可以接收从时序控制器170供应的解复用器控制信号MCS，并且可以生成与解复用器控制信号MCS对应的驱动信号Cd。
在图1中，解复用器控制器160被示出为与时序控制器170分隔开。然而，如果需要的话，解复用器控制器160可以与时序控制器170集成在一起。
时序控制器170可以对扫描驱动器110、发射驱动器120、数据驱动器130、以及解复用器控制器160进行控制。因此，时序控制器170可以将扫描驱动器控制信号SCS和发射驱动器控制信号ECS分别供应给扫描驱动器110和发射驱动器120。
而且，时序控制器170可以将数据驱动器控制信号DCS和解复用器控制信号MCS分别供应给数据驱动器130和解复用器控制器160。
为了便于描述，在图1中单独地示出了扫描驱动器110、发射驱动器120、数据驱动器130、解复用器控制器160和时序控制器170，但是这些组件中的至少一些组件可以被集成在一起。
第一电源ELVDD、第二电源ELVSS和第三电源VINT可以将电源电压提供给位于像素区域100中的像素PXL。例如，第一电源ELVDD可以是高电位电源，并且第二电源ELVSS可以是低电位电源。作为示例，第一电源ELVDD可以被设置为正电压，并且第二电源ELVSS可以被设置为负电压或被接地。另外，第三电源VINT可以被设置为比数据信号的电压更低的电压。
在图1中，像素行可以分别连接到扫描线S0至Sn，并且像素列可以分别连接到输出线O1至Oi。
图2是更详细地示出根据本公开的实施例的解复用器的图。为了便于描述，在图2中主要示出被连接到对从图1的数据驱动器130输出的数据信号进行传送的第j输出线Oj和第(j+1)输出线Oj+1的第j(j是自然数)解复用器DMj、第(j+1)解复用器DMj+1、第j像素列PRj和第(j+1)像素列(PRj+1)。
参考图1和图2，第j解复用器DMj可以连接在第j输出线Oj与第j数据线Dja和Djb之间。第j数据线Dja和Djb可以包括第一子数据线Dja和第二子数据线Djb。
第j解复用器DMj可以将从数据驱动器130输出并通过第j输出线Oj传送来的数据信号时分地传送到第一子数据线Dja和第二子数据线Djb。另外，第一子数据线Dja和第二子数据线Djb可以连接到构成一个像素列(例如，像素列PRj)的像素PXL。
第一子数据线Dja可以连接到构成一个像素列PRj的像素PXL中的一些，并且第二子数据线Djb可以连接到构成一个像素列PRj的像素PXL中的另一些。例如，构成一个像素列PRj的像素PXL可以包括交替设置的第一像素PXL1和第二像素PXL2。这里，第一像素PXL1可以连接到第一子数据线Dja，并且第二像素PXL2可以连接到第二子数据线Djb。
第一像素PXL1和第二像素PXL2可以发射不同颜色的光。例如，第一像素PXL1可以发射红光，并且第二像素PXL2可以发射蓝光。
第j解复用器DMj可以包括用于传送数据信号的第一晶体管Mja和第二晶体管Mjb。
第一晶体管Mja可以连接在第j输出线Oj与第一子数据线Dja之间，并且第一晶体管Mja的开关操作可以通过第一驱动信号Cd1来控制。第二晶体管Mjb可以连接在第j输出线Oj与第二子数据线Djb之间，并且第二晶体管Mjb的开关操作可以通过第二驱动信号Cd2来控制。
例如，当供应有第一驱动信号Cd1时，第一晶体管Mja可以导通，并且相应地，第j输出线Oj的数据信号可以被供应给第一子数据线Dja。另外，当供应有第二驱动信号Cd2时，第二晶体管Mjb可以导通，并且相应地，第j输出线Oj的数据信号可以被供应给第二子数据线Djb。
第一晶体管Mja和第二晶体管Mjb可以在彼此不同的时段期间导通。为此，第一驱动信号Cd1的供应时段与第二驱动信号Cd2的供应时段可以彼此互不重叠。
第(j+1)解复用器DMj+1可以连接在第(j+1)输出线Oj+1与第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b之间。
第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b可以包括第一子数据线Dj+1a和第二子数据线Dj+1b。
第(j+1)解复用器DMj+1可以将通过第(j+1)输出线Oj+1传送来的数据信号时分地传送给第一子数据线Dj+1a和第二子数据线Dj+1b。另外，第一子数据线Dj+1a和第二子数据线Dj+1b可以连接到构成一个像素列(例如，像素列PRj+1)的像素PXL。
第一子数据线Dj+1a可以连接到构成一个像素列PRj+1的像素PXL中的一些，并且第二子数据线Dj+1b可以连接到构成一个像素列PRj+1的像素PXL中的另一些。例如，构成一个像素列PRj+1的像素PXL可以包括交替设置的第三像素PXL3和第四像素PXL4。这里，第三像素PXL3可以连接到第二子数据线Dj+1b，并且第四像素PXL4可以连接到第一子数据线Dj+1a。
第三像素PXL3和第四像素PXL4可以发射相同颜色的光，该相同颜色的光与第一像素PXL1和第二像素PXL2发射出的光不同。例如，第三像素PXL3和第四像素PXL4可以每个都发出绿色光。
第(j+1)解复用器DMj+1可以包括第一晶体管Mj+1a和第二晶体管Mj+1b。
第一晶体管Mj+1a可以连接在第(j+1)输出线Oj+1与第一子数据线Dj+1a之间，并且第一晶体管Mj+1a的开关操作可以通过第二驱动信号Cd2来控制。第二晶体管Mj+1b可以连接在第(j+1)输出线Oj+1与第二子数据线Dj+1b之间，并且第二晶体管Mj+1b的开关操作可以通过第一驱动信号Cd1来控制。
例如，当供应有第一驱动信号Cd1时，第二晶体管Mj+1b可以导通，并且相应地，第(j+1)输出线Oj+1的数据信号可以被供应给第二子数据线Dj+1b。另外，当供应有第二驱动信号Cd2时，第一晶体管Mj+1a可以导通，并且相应地，第(j+1)输出线Oj+1的数据信号可以被供应给第一子数据线Dj+1a。
第一晶体管Mj+1a和第二晶体管Mj+1b可以在彼此不同的时段期间导通。为此，第一驱动信号Cd1的供应时段与第二驱动信号Cd2的供应时段可以彼此互不重叠。
总而言之，在四条数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相邻且分别位于两个相邻的像素列PRj和PRj+1中的两条数据线Djb和Dj+1a可以连接到位于相同水平线(或像素行)上的第二像素PXL2和第四像素PXL4。
在四条数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相距最远且分别位于两个相邻的像素列PRj和PRj+1中的两条数据线可以连接到位于相同水平线上的第一像素PXL1和第三像素PXL3。
在四条数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相邻且分别位于两个相邻像素列PRj和PRj+1中的两条数据线Djb和Dj+1a可以接收在相同的时段期间输入的数据信号。为此，第j解复用器DMj的第二晶体管Mjb和第(j+1)解复用器DMj+1的第一晶体管Mj+1a可以在相同的时段期间保持或大致上保持导通状态，并且第j解复用器DMj的第二晶体管Mjb和第(j+1)解复用器DMj+1的第一晶体管Mj+1a中的每个的开关操作可以通过第二驱动信号Cd2来控制。
当数据信号在不同的时间被分别供应给彼此相邻的两条数据线Djb和Dj+1a时，在任何一条数据线中产生的电压变化可能会引起另一条数据线的电压变化，并因此可能会在另一条数据线中出现不希望的耦合噪声。因此，根据本公开的实施例，数据信号被同时地(例如，在相同或大致相同的时间)施加到彼此相邻的两条数据线Djb和Dj+1a，使得耦合噪音可以被减少或消除。相应地，可以实现高质量的图像。
另外，在四条数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相距最远且分别位于两个相邻的像素列PRj和PRj+1中的两条数据线可以接收在相同的时段期间输入的数据信号。为此，第j解复用器DMj的第一晶体管Mja和第(j+1)解复用器DMj+1的第二晶体管Mj+1b可以在相同的时段期间保持或大致上保持导通状态，并且第j解复用器DMj的第一晶体管Mja和第(j+1)解复用器DMj+1的第二晶体管Mj+1b中的每个的开关操作可以通过第一驱动信号Cd1来控制。
图3是更详细地示出根据本公开的实施例的像素的图。为了便于描述，主要示出彼此相邻的第j像素列PRj和第(j+1)像素列PRj+1。
参考图3，第一像素PXL1可以包括像素电路和有机发光二极管OLED。
有机发光二极管OLED的阳极电极可以连接到像素电路，并且有机发光二极管OLED的阴极电极可以连接到第二电源ELVSS。有机发光二极管OLED可以产生具有与从像素电路供应的电流量相对应的亮度(例如，预定亮度)的光。被供应给阳极电极以使电流能够在有机发光二极管OLED中流动的第一电源ELVDD可以被设置为比第二电源ELVSS的电压电平更高的电压电平。
像素电路可以对与数据信号对应的、经由有机发光二极管OLED从第一电源ELVDD至第二电源ELVSS流动的电流量进行控制。为此，像素电路可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、以及存储电容器Cst。
第一晶体管(例如，驱动晶体管)T1的第一电极可以连接到第一节点N1，并且第一晶体管T1的第二电极可以连接到第六晶体管T6的第一电极。另外，第一晶体管T1的栅电极可以连接到第二节点N2。第一晶体管T1可以对与存储在存储电容器Cst中的电压相对应的、从第一电源ELVDD经由有机发光二极管OLED供应到第二电源ELVSS的电流量进行控制。
第二晶体管T2可以连接在第j条第一子数据线Dja与第一节点N1之间。另外，第二晶体管T2的栅电极可以连接到第k扫描线Sk。第二晶体管T2可以在扫描信号被供应给第k扫描线Sk时导通，以允许第j条第一子数据线Dja与第一节点N1彼此电连接。
第三晶体管T3可以连接在第一晶体管T1的第二电极与第二节点N2之间。另外，第三晶体管T3的栅电极可以连接到第k扫描线Sk。第三晶体管T3可以在扫描信号被供应给第k扫描线Sk时导通，以对第一晶体管T1进行二极管连接。
第四晶体管T4可以连接在第二节点N2与第三电源VINT之间。另外，第四晶体管T4的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1。第四晶体管T4可以在扫描信号被供应给第(k-1)扫描线Sk-1时导通，以将第三电源VINT的电压供应给第二节点N2。
第五晶体管T5可以连接在第一电源ELVDD与第一节点N1之间。另外，第五晶体管T5的栅电极可以连接到第k发射控制线Ek。第五晶体管T5可以在发射控制信号被供应给第k发射控制线Ek时截止，并且在未被供应有发射控制信号时导通。
第六晶体管T6可以连接在第一晶体管T1的第二电极与有机发光二极管OLED的阳极电极之间。另外，第六晶体管T6的栅电极可以连接到第k发射控制线Ek。第六晶体管T6可以在发射控制信号被供应给第k发射控制线Ek时截止，并且在未被供应有发射控制信号时导通。
第七晶体管T7可以连接在有机发光二极管OLED的阳极电极与第三电源VINT之间。另外，第七晶体管T7的栅电极可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1。第七晶体管T7可以在扫描信号被供应给第(k-1)扫描线Sk-1时导通，以将第三电源VINT的电压供应给有机发光二极管OLED的阳极电极。
然而，本公开不限于此，例如，在另一实施例中，第七晶体管T7的栅电极可以连接到第k扫描线Sk或连接到第(k+1)扫描线Sk+1。
第三电源VINT的电压可以被设置为比数据信号的电压更低的电压。当第三电源VINT的电压被供应给有机发光二极管OLED的阳极电极时，有机发光二极管OLED的寄生电容器被放电。当有机电容器(例如，寄生电容器)被放电时，可以改善像素PXL的黑色表现能力。
存储电容器Cst可以连接在第一电源ELVDD与第二节点N2之间。存储电容器Cst可以存储与数据信号相对应的电压以及第一晶体管T1的阈值电压。
这里，晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每一个晶体管的第一电极可以是源电极和漏电极中的任何一个，并且晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的每一个晶体管的第二电极可以是不同于第一电极的电极。例如，当第一电极是源电极时，第二电极可以是漏电极。
第二像素PXL2可以与第一像素PXL1交替设置在相同的像素列PRj上。第二像素PXL2可以具有与第一像素PXL1相似或大致相同的电路配置。
然而，与第一像素PXL1相比，第二像素PXL2位于下一条水平线(或像素行)上。因此，第二像素PXL2可以连接到第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1和第(k+1)发射控制线Ek+1。
在这种情况下，第二晶体管T2的栅电极和第三晶体管T3的栅电极可以连接到第(k+1)扫描线Sk+1，第四晶体管T4的栅电极和第七晶体管T7的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，并且第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极可以连接到第(k+1)发射控制线Ek+1。
另外，第二像素PXL2可以连接到第j条第二子数据线Djb。这里，第二像素PXL2的第二晶体管T2可以连接在第j条第二子数据线Djb与第一节点N1之间。
第三像素PXL3可以具有与第一像素PXL1相似或大致相同的电路配置，并且可以设置在与第一像素PXL1相同的水平线(或像素行)上。因此，与第一像素PXL1一样，第三像素PXL3可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第k发射控制线Ek。然而，因为第三像素PXL3位于与第一像素PXL1不同的像素列PRj+1上，所以第三像素PXL3可以连接到第(j+1)条第二子数据线Dj+1b。这里，第三像素PXL3的第二晶体管T2可以连接在第(j+1)条第二子数据线Dj+1b与第一节点N1之间。
第四像素PXL4可以与第三像素PXL3交替地设置在相同的像素列PRj+1上。第四像素PXL4可以具有与第三像素PXL3相似或大致相同的电路配置。然而，与第三像素PXL3相比，第四像素PXL4位于下一条水平线(或像素行)上。因此，第四像素PXL4可以连接到第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1和第(k+1)发射控制线Ek+1。在第四像素PXL4中，第二晶体管T2的栅电极和第三晶体管T3的栅电极可以连接到第(k+1)扫描线Sk+1，第四晶体管T4的栅电极和第七晶体管T7的栅电极可以连接到第k扫描线Sk，并且第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极可以连接到第(k+1)发射控制线Ek+1。
第四像素PXL4可以连接到第(j+1)条第一子数据线Dj+1a。这里，第四像素PXL4的第二晶体管T2可以连接在第(j+1)条第一子数据线Dj+1a与第一节点N1之间。
在四条子数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相邻且分别位于彼此相邻的两个像素列(例如，第j像素列和第(j+1)像素列)中的两条子数据线Djb和Dj+1a可以连接到位于相同像素行上的像素。另外，在四条子数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b中彼此相距最远且分别位于彼此相邻的两个像素列中的两条子数据线Dja和Dj+1b可以连接到位于相同像素行上的像素。
图4是示出根据本公开的实施例的设置于在显示设备中的第k像素行、第(k+1)像素行、第j像素列、第(j+1)像素列、第(j+2)像素列和第(j+3)像素列的交叉区域处的像素的平面图。图5是示出布置在图4所示的第k像素行和第j像素列的交叉区域处的像素的平面图。图6是沿图5的线I-I'截取的剖视图。图7是沿图5的线II-II'截取的剖视图。图8是沿图4的线III-III'截取的剖视图。图9是沿图4的线IV-IV'截取的剖视图。
参考图1至图9，显示设备10可以包括基板SUB和提供在基板SUB上的像素PXL。
基板SUB可以包括透明绝缘材料以使光能够从中透过。在一些实施例中，基板SUB可以是刚性基板。例如，基板SUB可以是玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和晶体玻璃基板中的一种。
在其它实施例中，基板SUB可以是柔性基板。这里，基板SUB可以是包含聚合物有机材料的薄膜基板以及塑料基板中的一种。例如，基板SUB可以包括从由聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素组成的组中选择出的至少一种。然而，可以对构成基板SUB的材料进行各种改变，并且例如可以包括纤维增强塑料(FRP)等等。
像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的多个像素行和在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上延伸的多个像素列以矩阵形式布置。也就是说，像素行可以包括在第一方向DR1上布置的像素PXL，并且像素列可以包括在第二方向DR2上布置的像素PXL。
像素PXL可以包括第一像素PXL1、第二像素PXL2、第三像素PXL3和第四像素PXL4。第一像素PXL1可以是设置在第k像素行与第j像素列的交叉区域处的像素，第二像素PXL2可以是设置在第(k+1)像素行与第j像素列的交叉区域处的像素，第三像素PXL3可以是设置在第k像素行与第(j+1)像素列的交叉区域处的像素，并且第四像素PXL4可以是设置在第(k+1)像素行与第(j+1)像素列的交叉区域处的像素。
像素PXL可以连接到扫描线Sk-1、Sk和Sk+1、数据线Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a和Dj+3b、发射控制线Ek和Ek+1、电源线PL、以及初始化电源线IPL。
扫描线Sk-1、Sk和Sk+1可以在第一方向DR1上延伸。扫描线Sk-1、Sk和Sk+1可以包括沿着第二方向DR2顺序布置的第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk和第(k+1)扫描线Sk+1。扫描线Sk-1、Sk和Sk+1可以接收施加在扫描线Sk-1、Sk和Sk+1上的扫描信号。例如，第(k-1)扫描线Sk-1可以接收施加在第(k-1)扫描线Sk-1上的第(k-1)扫描信号。第(k-1)扫描线Sk-1可以通过第(k-1)扫描信号来对第k像素行上的像素PXL进行初始化。第k扫描线Sk可以接收施加在第k扫描线Sk上的第k扫描信号。第(k+1)扫描线Sk+1可以接收施加在第(k+1)扫描线Sk+1上的第(k+1)扫描信号。
数据线Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a和Dj+3b可以在第二方向DR2上延伸。数据线Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a和Dj+3b可以包括沿第一方向DR1顺序布置的第j数据线Dja和Djb、第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b、第(j+2)数据线Dj+2a和Dj+2b、以及第(j+3)数据线Dj+3a和Dj+3b。
第j数据线Dja和Djb、第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b、第(j+2)数据线Dj+2a和Dj+2b以及第(j+3)数据线Dj+3a和Dj+3b可以分别包括第一子数据线Dja、Dj+1a、Dj+2a和Dj+3a以及第二子数据线Djb、Dj+1b、Dj+2b和Dj+3b。第一子数据线Dja、Dj+1a、Dj+2a和Dj+3a和第二子数据线Djb、Dj+1b、Dj+2b和Dj+3b可以设置在相应像素列的侧面(例如，两侧)。例如，第一子数据线Dja、Dj+1a、Dj+2a和Dj+3a可以分别设置在像素列的一侧，并且第二子数据线Djb、Dj+1b、Dj+2b和Dj+3b可以分别设置在像素列的另一侧。
发射控制线Ek和Ek+1可以在第一方向DR1上延伸。第k发射控制线Ek可以设置在第k扫描线Sk之间，以与第k扫描线Sk分隔开。第(k+1)发射控制线Ek+1可以设置在第(k+1)扫描线Sk+1之间，以与第(k+1)扫描线Sk+1分隔开。发射控制线Ek和Ek+1可以接收施加在发射控制线Ek和Ek+1上的发射控制信号。
电源线PL可以被提供为与数据线Dja、Djb、Dj+1a、Dj+1b、Dj+2a、Dj+2b、Dj+3a和Dj+3b间隔开。例如，电源线PL可以设置在第一子数据线Dja、Dj+1a、Dj+2a和Dj+3a与第二子数据线Djb、Dj+1b、Dj+2b和Dj+3b之间。电源线PL可以接收施加在电源线PL上的第一电源ELVDD和第二电源ELVSS中的一个，例如第一电源ELVDD。
初始化电源线IPL可以沿第一方向DR1延伸。初始化电源线IPL可以在第k像素行上的像素PXL与第(k+1)像素行上的像素PXL之间。初始化电源线IPL可以接收施加在初始化电源线IPL上的初始化电源VINT。
在下文中，将更详细地描述在第k像素行和第j像素列上设置的第一像素PXL1。
第一像素PXL1可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第j数据线Dja和Djb中的第一子数据线Dja、第k发射控制线Ek、电源线PL以及初始化电源线IPL。
第一像素PXL1可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst、以及显示元件(例如有机发光二极管OLED)。
第一晶体管T1可以包括第一栅电极GE1、第一有源图案ACT1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1、以及连接线CNL。
第一栅电极GE1可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3和第四晶体管T4的第四漏电极DE4。连接线CNL可以连接在第一栅电极GE1、与第三漏电极DE3和第四漏电极DE4之间。连接线CNL的一端可以通过第一接触孔CH1被连接到第一栅电极GE1，并且连接线CNL的另一端可以通过第二接触孔CH2被连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
在本公开的实施例中，第一有源图案ACT1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且有源图案ACT1可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。
第一有源图案ACT1具有沿一方向(例如，预定方向)延伸的条形形状，并且可以具有沿着延伸方向具有多个弯曲的形状。当在平面上观察时，第一有源图案ACT1可以与第一栅电极GE1重叠。由于第一有源图案ACT1被形成得较长，所以第一晶体管T1的沟道区域可以形成得较长。因此，施加到第一晶体管T1的栅极电压的驱动范围可以变宽。因此，可以精密地对从有机发光二极管OLED发射出的光的灰度级水平(或灰度级)进行控制。
第一源电极SE1可以连接到第一有源图案ACT1的一端。第一源电极SE1可以连接到第二晶体管T2的第二漏电极DE2和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。第一漏电极DE1可以连接到第一有源图案ACT1的另一端。第一漏电极DE1可以连接到第三晶体管T3的第三源电极SE3和第六晶体管T6的第六源电极SE6。
第二晶体管T2可以包括第二栅电极GE2、第二有源图案ACT2、第二源电极SE2、以及第二漏电极DE2。
第二栅电极GE2可以连接到第k扫描线Sk。第二栅电极GE2可以被提供为第k扫描线Sk的一部分，或者可以被提供为从第k扫描线Sk突出的形状。在本公开的实施例中，第二有源图案ACT2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第二源电极SE2和第二漏电极DE2可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第二有源图案ACT2可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第二有源图案ACT2对应于与第二栅电极GE2重叠的部分。第二源电极SE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二源电极SE2的另一端可以通过第六接触孔CH6被连接到数据线Dja。第二漏电极DE2的一端可以连接到第二有源图案ACT2。第二漏电极DE2的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第五晶体管T5的第五漏电极DE5。
第三晶体管T3可以被提供为双栅极结构，以防止或大致防止泄漏电流。也就是说，第三晶体管T3可以包括第3a晶体管T3a和第3b晶体管T3b。第3a晶体管T3a可以包括第3a栅电极GE3a、第3a有源图案ACT3a、第3a源电极SE3a和第3a漏电极DE3a。第3b晶体管T3b可以包括第3b栅电极GE3b、第3b有源图案ACT3b、第3b源电极SE3b和第3b漏电极DE3b。以下，将第3a栅电极GE3a和第3b栅电极GE3b称为第三栅电极GE3，将第3a有源图案ACT3a和第3b有源图案ACT3b称为第三有源图案ACT3，将第3a源电极SE3a和第3b源电极SE3b称为第三源电极SE3，并且将第3a漏电极DE3a和第3b漏电极DE3b称为第三漏电极DE3。
第三栅电极GE3可以连接到第k扫描线Sk。第三栅电极GE3可以被提供为第i扫描线Si的一部分和/或可以被提供为从第k扫描线Sk突出的形状。例如，第3a栅电极GE3a可以被提供为第k扫描线Sk的一部分，并且第3b栅电极GE3b可以被提供为从第k扫描线Sk突出的形状。
第三有源图案ACT3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第三源电极SE3和第三漏电极DE3可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第三有源图案ACT3可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第三有源图案ACT3对应于与第三栅电极GE3重叠的部分。第三源电极SE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三源电极SE3的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第六晶体管T6的第六源电极SE6。第三漏电极DE3的一端可以连接到第三有源图案ACT3。第三漏电极DE3的另一端可以连接到第四晶体管T4的第四漏电极DE4。而且，第三漏电极DE3可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1被连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第四晶体管T4可以被提供为双栅极结构，以防止或大致防止泄漏电流。也就是说，第四晶体管T4可以包括第4a晶体管T4a和第4b晶体管T4b。第4a晶体管T4a可以包括第4a栅电极GE4a、第4a有源图案ACT4a、第4a源电极SE4a、以及第4a漏电极DE4a。第4b晶体管T4b可以包括第4b栅电极GE4b、第4b有源图案ACT4b、第4b源电极SE4b、以及第4b漏电极DE4b。以下，将第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b称为第四栅电极GE4，将第4a有源图案ACT4a和第4b有源图案ACT4b称为第四有源图案ACT4，将第4a源电极SE4a和第4b源电极SE4b称为第四源电极SE4，并且将第4a漏电极DE4a和第4b漏电极DE4b称为第四漏电极DE4。
第四栅电极GE4可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1。第四栅电极GE4可以被提供为第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，或者可以被提供为从第(k-1)扫描线Sk-1突出的形状。例如，第4a栅电极GE4a和第4b栅电极GE4b可以被设置为第(k-1)扫描线Sk-1的一部分。
第四有源图案ACT4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第四源电极SE4和第四漏电极DE4可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第四有源图案ACT4可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第四有源图案ACT4对应于与第四栅电极GE4重叠的部分。
第四源电极SE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四源电极SE4的另一端可以连接到初始化电源线IPL和第七晶体管T7的第七漏电极DE7。第一辅助连接线AUX1可以提供在第四源电极SE4与初始化电源线IPL之间。第一辅助连接线AUX1的一端可以通过第九接触孔CH9被连接到第四源电极SE4。第一辅助连接线AUX1的另一端可以通过第八接触孔CH8被连接到初始化电源线IPL。第四漏电极DE4的一端可以连接到第四有源图案ACT4。第四漏电极DE4的另一端可以连接到第三晶体管T3的第三漏电极DE3。而且，第四漏电极DE4可以通过连接线CNL、第二接触孔CH2和第一接触孔CH1被连接到第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
第五晶体管T5可以包括第五栅电极GE5、第五有源图案ACT5、第五源电极SE5、以及第五漏电极DE5。
第五栅电极GE5可以连接到第k发射控制线Ek。第五栅电极GE5可以被提供为第k发射控制线Ek的一部分，或者可以被提供为从第k发射控制线Ek突出的形状。第五有源图案ACT、第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第五源电极SE5和第五漏电极DE5可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第五有源图案ACT5可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第五有源图案ACT5对应于与第五栅电极GE5重叠的部分。第五源电极SE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五源电极SE5的另一端可以通过第五接触孔CH5被连接到电源线PL。第五漏电极DE5的一端可以连接到第五有源图案ACT5。第五漏电极DE5的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一源电极SE1和第二晶体管T2的第二漏电极DE2。
第六晶体管T6可以包括第六栅电极GE6、第六有源图案ACT6、第六源电极SE6、以及第六漏电极DE6。
第六栅电极GE6可以连接到第k发射控制线Ek。第六栅电极GE6可以被提供为第k发射控制线Ek的一部分或者可以被提供为从第k发射控制线Ek突出的形状。第六有源图案ACT6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第六源电极SE6和第六漏电极DE6可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第六有源图案ACT6可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第六有源图案ACT6对应于与第六栅电极GE6重叠的部分。第六源电极SE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六源电极SE6的另一端可以连接到第一晶体管T1的第一漏电极DE1和第三晶体管T3的第三源电极SE3。第六漏电极DE6的一端可以连接到第六有源图案ACT6。第六漏电极DE6的另一端可以连接到第七晶体管T7的第七源电极SE7。
第七晶体管T7可以包括第七栅电极GE7、第七有源图案ACT7、第七源电极SE7、以及第七漏电极DE7。
第七栅电极GE7可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1。第七栅电极GE7可以被提供为第(k-1)扫描线Sk-1的一部分，或者可以被提供为从第(k-1)扫描线Sk-1突出的形状。第七有源图案ACT7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由未掺杂或掺杂有杂质的半导体层形成。例如，第七源电极SE7和第七漏电极DE7可以由掺杂有杂质的半导体层形成，并且第七有源层ACT7可以由未掺杂有杂质的半导体层形成。第七有源图案ACT7对应于与第七栅电极GE7重叠的部分。第七源电极SE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七源电极SE7的另一端可以连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第七漏电极DE7的一端可以连接到第七有源图案ACT7。第七漏电极DE7的另一端可以连接到初始化电源线IPL。而且，第七漏电极DE7可以连接到第四晶体管T4的第四源电极SE4。第七漏电极DE7可以通过第一辅助连接线AUX1、第八接触孔CH8和第九接触孔CH9被连接到第四晶体管T4的第四源电极SE4。
存储电容器Cst可以包括下电极LE和上电极UE。下电极LE可以被提供为第一晶体管T1的第一栅电极GE1。
上电极UE与第一栅电极GE1重叠，并且当在平面上观察时可以与下电极LE重叠(例如，覆盖)。由于上电极UE和下电极LE的重叠区域变宽，所以存储电容器Cst的电容可以增加。上电极UE可以在第一方向DR1上延伸。在本公开的实施例中，具有与第一电源ELVDD相同或大致相同的电平的电压可以被施加到上电极UE。上电极UE可以具有一区域，在该区域中包括第一接触孔CH1的部分被去除，其中第一栅电极GE1和连接线CNL通过该第一接触孔CH1而彼此接触。
显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以包括第一电极AD、第二电极CD、以及提供在第一电极AD与第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以被提供为与第一像素PXL1的发光区域相对应。第一像素PXL1的发光区域可以与第一电极AD重叠。第一电极AD可以通过第七接触孔CH7、第十接触孔CH10和第十二接触孔CH12被连接到第六晶体管T6的第六漏电极DE6。第一桥接图案BRP1可以提供在第七接触孔CH7与第十接触孔CH10之间。第二桥接图案BRP2可以提供在第十接触孔CH10与第十二接触孔CH12之间。第一桥接图案BRP1和第二桥接图案BRP2可以将第一电极AD连接到第六漏电极DE6。
第(k+1)像素行与第j像素列上的第二像素PXL2、第k像素行与第(j+1)像素列上的第三像素PXL3以及第(k+1)像素行与第(j+1)像素列上的第四像素PXL4可以每个都具有与第一像素PXL1相似或大致相同的结构，除了连接于第二像素PXL2、第三像素PXL3和第四像素PXL4上的数据线、扫描线和发射控制线之外。
第二像素PXL2可以连接到第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1、第j数据线Dja和Djb中的第二子数据线Djb、第(k+1)发射控制线Ek+1、电源线PL和初始化电源线IPL。
第三像素PXL3可以连接到第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第二子数据线Dj+1b、第k发射控制线Ek，电源线PL和初始化电源线IPL。
第四像素PXL4可以连接到第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1、第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第一子数据线Dj+1a、第(k+1)发射控制线Ek+1、电源线PL和初始化电源线IPL。
另外，第二像素PXL2和第四像素PXL4还可以包括用于将第二晶体管T2的第二源电极SE2连接到数据线Djb和Dj+1a中的对应一条的第二辅助连接线AUX2。第二辅助连接线AUX2的一端可以通过第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2，并且第二辅助连接线AUX2的另一端可以通过第四接触孔CH4(例如，参见图14)被连接到数据线Djb和Dj+1a中的对应一条。
在下文中，将参考图4至图9沿着堆叠顺序来描述根据本公开的实施例的第一像素PXL1的结构。
可以在基板SUB上提供半导体图案。半导体图案可以包括第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7、第一源电极SE1至第七源电极SE7、以及第一漏电极DE1至第七漏电极DE7。半导体图案可以包括半导体材料。
可以在基板SUB和半导体图案之间设置缓冲层。
缓冲层可以防止或大致上防止杂质从基板SUB扩散到第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7中。缓冲层可以被提供为单层结构，或者可以被提供为包括至少两层的多层结构。缓冲层可以包括有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一个。有机绝缘层可以包括有机绝缘材料，以允许光从中透过。无机绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。当缓冲层被提供为多层时，层可以包括相同或大致相同的材料，或者可以包括不同的材料。例如，无机绝缘层可以包括包含氧化硅的第一层以及包含氮化硅的第二层。
栅极绝缘层GI可以设置于在其上形成有半导体图案的基板SUB上。
栅极绝缘层GI可以包括有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一个。有机绝缘层可以包括有机绝缘材料，以允许光从中透过。例如，有机绝缘层可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。无机绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek以及第一栅电极GEl至第七栅电极GE7可以被提供在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GE1也可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与第k扫描线Sk一体形成。第四栅电极GE4和第七栅电极GE7可以与第(k-1)扫描线Sk-1一体形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与第k发射控制线Ek一体形成。
第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek以及第一栅电极GEl至第七栅电极GE7可以包括金属材料。例如，第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Co)中的至少一种以及它们的任何适当的合金。第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以被形成为单层结构，但是本公开不限于此。例如，第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以被形成为在其中堆叠有两层或更多层的多层结构，该两层或更多层包括(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Co)中的至少一种、以及它们的任何适当的合金。
第一层间绝缘层IL1可以被提供于在其上形成有第(k-1)扫描线Sk-1等的基板SUB上。第一层间绝缘层IL1可以包括聚硅氧烷、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
存储电容器Cst的上电极UE和初始化电源线IPL可以被提供在第一层间绝缘层IL1上。上电极UE可以与下电极LE重叠(例如，覆盖)。上电极UE连同下电极LE一起可以构成存储电容器Cst，在上电极UE和下电极LE之间插入有第一层间绝缘层IL1。上电极UE和初始化电源线IPL可以被形成为单层或多层结构，该单层或多层结构包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Co)中的至少一种、以及它们的任何适当的合金。
第二层间绝缘层IL2可以被提供于在其上设置有上电极UE和初始化电源线IPL的基板SUB上。
第二层间绝缘层IL2可以包括无机绝缘层和有机绝缘层中的至少一个。例如，第二层间绝缘层IL2可以包括至少一个无机绝缘层。无机绝缘层可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。而且，第二层间绝缘层IL2可以包括至少一个有机绝缘层。有机绝缘层可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。另外，第二层间绝缘层IL2可以具有包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层的多层结构。
第一导电图案可以被提供在第二层间绝缘层IL2上。第一导电图案可以包括第j数据线Dja和Djb中的第一子数据线Dja、连接线CNL、第一辅助连接线AUX1、第一桥接图案BRP1、以及电源线PL的第一导电层。
第一子数据线Dja可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2。
连接线CNL的一端可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1被连接到第一栅电极GE1。另外，连接线CNL的另一端可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第二接触孔CH2被连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
第一辅助连接线AUX1可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8被连接到初始化电源线IPL。而且，第一辅助连接线AUX1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9被连接到第四源电极SE4和第七漏电极DE7。
第一桥接图案BRP1可以是在第六漏电极DE6与第一电极AD之间的图案，该图案被提供为用于将第六漏电极DE6连接到第一电极AD的介质。第一桥接图案BRP1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7被连接到第六漏电极DE6。
第一导电层可以包括第一电源供应线PL1。第一电源供应线PL1可以在一个方向上延伸，并且第一电源供应线PL1的一部分可以具有弯曲的形状。第一电源供应线PL1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第五接触孔CH5被连接到第五源电极SE5。而且，第一电源供应线PL1可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第三接触孔CH3被连接到上电极UE。
第三层间绝缘层IL3可以被提供于在其上提供有第一导电图案的基板SUB上。第三层间绝缘层IL3可以包括被提供于在其上提供有第一导电图案的基板SUB上的第一绝缘层IL31、以及在第一绝缘层IL31上提供的第二绝缘层IL32。例如，第一绝缘层IL31可以包括聚硅氧烷、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。第二绝缘层IL32可以包括有机绝缘材料。例如，第二绝缘层IL32可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
第二导电图案可以被提供在第三层间绝缘层IL3上。第二导电图案可以包括在第j数据线Dja和Djb中的第二子数据线Djb、电源线PL的第二导电层、以及第二桥接图案BRP2。第二桥接图案BRP2可以通过穿过第一绝缘层IL31和第二绝缘层IL32的第十接触孔CH10被连接到第一桥接图案BRP1。
第二导电层可以包括第二电源供应线PL2。第二电源供应线PL2的一部分可以与第一电源供应线PL1重叠。第二电源供应线PL2可以通过穿过第一绝缘层IL31和第二绝缘层IL32的第十一接触孔CH11被连接到第一电源供应线PL1。因此，电源线PL可以包括第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2。在电源线PL中，第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2彼此电连接，并因此可以防止或减少通过电源线PL供应的电源(例如，第一电源ELVDD)的电压降。
第四层间绝缘层IL4可以被提供于在其上提供有第二导电图案的第三层间绝缘层IL3上。
第四层间绝缘层IL4可以包括有机绝缘材料。例如，第四层间绝缘层IL4可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以被提供在第四层间绝缘层IL4上。显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以包括第一电极AD、第二电极CD、以及被提供在第一电极AD与第二电极CD之间的发射层EML。
第一电极AD可以被提供在第四层间绝缘层IL4上。第一电极AD可以通过穿过第四层间绝缘层IL4的第十二接触孔CH12被连接到第二桥接图案BRP2。因此，第一电极AD可以电连接到第一桥接图案BRP1。由于第一桥接图案BRP1通过第七接触孔CH7被连接到第六漏电极DE6，所以第一电极AD可以被电连接到第六漏电极DE6。
用于限定与每个像素PXL相对应的发光区域的像素限定层PDL可以被提供于在其上形成有第一电极AD等的基板SUB上。像素限定层PDL可以使第一电极AD的顶表面穿过像素限定层PDL而露出，并且可以从基板SUB中沿着像素PXL的周边突出。
发射层EML可以被提供在由像素限定层PDL围绕的发光区域中，并且第二电极CD可以被提供在发射层EML上。用于将第二电极CD覆盖的封装层SLM可以设置在第二电极CD上。
第一电极AD和第二电极CD中的一个可以是阳极电极，并且第一电极AD和第二电极CD中的另一个可以是阴极电极。例如，第一电极AD可以是阳极电极，并且第二电极CD可以是阴极电极。
另外，第一电极AD和第二电极CD中的至少一个可以是透射式电极。例如，当显示元件(例如有机发光二极管OLED)是底部发射型有机发光二极管时，第一电极AD可以是透射式电极，并且第二电极CD可以是反射式电极。当显示元件(例如有机发光二极管OLED)是顶部发射型有机发光二极管时，第一电极AD可以是反射式电极，并且第二电极CD可以是透射式电极。当显示元件(例如有机发光二极管OLED)是双面发射型有机发光二极管时，第一电极AD和第二电极CD这两者可以都是透射式电极。在附图中，作为示例描述了显示元件(例如有机发光二极管OLED)是顶部发射型有机发光二极管并且第一电极AD是阳极电极的情况。
第一电极AD可以包括用于反射光的反射层、以及设置在反射层的顶表面或底表面上的透明导电层。透明导电层和反射层中的至少一个可以电连接到第六漏电极DE6。
反射层可以包括能够反射光的材料。例如，反射层可以包括从由铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铂(Pt)、镍(Ni)组成的组中选择出的至少一种以及它们的任何适当的合金。
透明导电层可以包括透明导电氧化物。例如，透明导电层可以包括选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂氧化锡(FTO)中的至少一种透明导电氧化物。
像素限定层PDL可以包括有机绝缘材料。例如，像素限定层PDL可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚丙烯腈(PAN)、聚酰胺(PA)、聚酰亚胺(PI)、聚芳基醚(PAE)、杂环聚合物、派瑞林、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、硅氧烷基树脂和硅烷基树脂中的至少一种。
发射层EML可以设置在第一电极AD的被暴露出的表面上。发射层EML可以具有至少包括光产生层(LGL)的多层薄膜结构。例如，发射层EML可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、光产生层(LGL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。空穴注入层(HIL)可以注入空穴。空穴传输层(HTL)可以具有优异的空穴传输性质，并且可以通过抑制在光产生层(LGL)中未能结合的电子的移动来增加空穴和电子复合的机会。光产生层(LGL)可以通过所注入的电子和空穴的复合来发射光。空穴阻挡层(HBL)可以抑制在光产生层(LGL)中未能结合的空穴的移动。电子传输层(ETL)可以平稳地将电子传输到光产生层(LGL)。电子注入层(EIL)可以注入电子。在发射层EML中，HIL、HTL、HBL、ETL和/或EIL可以是共同设置在彼此相邻的第一像素PXL1至第四像素PXL4中的公共层。
第二电极CD可以是半透射反射层。例如，第二电极CD可以是具有厚度的薄金属层，通过发射层EML发射的光可以从该薄金属层中透过。第二电极CD可以使从发射层EML发射出的光的一部分通过该第二电极CD而透射，并且可以将从发射层EML发射出的光的其余部分反射。
第二电极CD可以包括具有比透明导电层的逸出功更低的逸出功的材料。例如，第二电极CD可以包括钼(Mo)、钨(W)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)中的至少一种、以其它们的任何适当的合金。
从发射层EML发射出的光的一部分可以不透过第二电极CD，并且从第二电极CD反射来的光可以再次从反射层中反射。也就是说，从发射层EML发射出的光可以在反射层和第二电极CD之间谐振。显示元件(例如有机发光二极管OLED)的光提取效率可以通过光的谐振来改善。
反射层与第二电极CD之间的距离可以依据从发射层EML发射出的光的颜色而改变。也就是说，根据从发射层EML发射出的光的颜色，可以调整反射层与第二电极CD之间的距离以对应于谐振距离。
封装层SLM可以防止或大致上防止氧气和水分渗入显示元件(例如有机发光二极管OLED)。封装层SLM可以包括多个无机层和多个有机层。例如，封装层SLM可以包括多个单元封装层，该单元封装层包括无机层和设置在无机层上的有机层。另外，无机层可以设置在封装层SLM的最上部。无机层可以包括从由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化锡组成的组中选择出的至少一种。
除了连接于其上的数据线、扫描线和发射控制线之外，第二像素PXL2、第三素PXL3和第四像素PXL4可以具有与第一像素PXL1相似或大致相同的堆叠结构。
第二像素PXL2可以连接到在第j数据线Dja和Djb中的第二子数据线Djb、第(k+1)扫描线Sk+1和第(k+1)发射控制线Ek+1。在第j数据线Dja和Djb中的第二子数据线Djb可以被提供在第三层间绝缘层IL3上。第二辅助连接线AUX2可以被提供于在第j数据线Dja和Djb中的第二子数据线Djb与第二源电极SE2之间。第二辅助连接线AUX2可以被提供在第二层间绝缘层IL2上，并且可以包括与第一辅助连接线AUX1的材料相同或大致相同的材料。第二辅助连接线AUX2的一端可以通过第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2，并且第二辅助连接线AUX2的另一端可以通过第四接触孔CH4被连接到数据线Djb和Dj+1a。
第三像素PXL3可以连接到被提供在与在第j数据线Dja和Djb中的第一子数据线Dja相同的层上的在第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第二子数据线Dj+1b、第k扫描线Sk、以及第k发射控制线Ek。
第四像素PXL4可以连接到在第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第一子数据线Dj+1a、第(k+1)扫描线Sk+1、以及第(k+1)发射控制线Ek+1。在第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第一子数据线Dj+1a可以被提供在第三层间绝缘层IL3上。第二辅助连接线AUX2可以被提供在第(j+1)数据线Dj+1a和Dj+1b中的第一子数据线Dj+1a与第二源电极SE2之间。第二辅助连接线AUX2可以被提供在第二层间绝缘层IL2上，并且可以包括与第一辅助连接线AUX1的材料相同或大致相同的材料。第二辅助连接线AUX2的一端可以通过第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2，并且第二辅助连接线AUX2的另一端可以通过第四接触孔CH4被连接到数据线Djb和Dj+1a。
图10是示出图4至图9所示的有源图案、源电极和漏电极的平面图。图11是示出图4至图9所示的扫描线、发射控制线和存储电容器的下电极的平面图。图12是示出图4至图9所示的初始化电源线和存储电容器的上电极的平面图。图13是示出图4至图9所示的数据线、连接线、辅助连接线、电源线的第一导电层、以及第一桥接图案的平面图。图14是示出图4至图9所示的数据线、电源线的第二导电层、以及第二桥接图案的平面图。图15是示出图4至图9所示的有机发光二极管的平面图。在图10至图15中，为了便于说明，针对每层示出了位于第k像素行、第(k+1)像素行、第j像素列、第(j+1)像素列、第(j+2)像素列以及第(j+3)像素列上的像素的部件。
参考图2至图15，可以在基板SUB上提供有第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7、第一源电极SE1至第七源电极SE7、以及第一漏电极DE1至第七漏电极DE7。第一有源图案ACT1到第七有源图案ACT7、第一源电极SE1到第七源电极SE7、以及第一漏电极DE1到第七漏电极DE7可以包括相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。第一源电极SE1至第七源电极SE7、以及第一漏电极DE1至第七漏电极DE7可以包括半导体材料。
第一有源图案ACT1的一端可以连接到第一源电极SE1，并且第一有源图案ACT1的另一端可以连接到第一漏电极DE1。第二有源图案ACT2的一端可以连接到第二源电极SE2，并且第二有源图案ACT2的另一端可以连接到第二漏电极DE2。第三有源图案ACT3的一端可以连接到第三源电极SE3，并且第三有源图案ACT3的另一端可以连接到第三漏电极DE3。第四有源图案ACT4的一端可以连接到第四源电极SE4，并且第四有源图案ACT4的另一端可以连接到第四漏电极DE4。第五有源图案ACT5的一端可以连接到第五源电极SE5，并且第五有源图案ACT5的另一端可以连接到第五漏电极DE5。第六有源图案ACT6的一端可以连接到第六源电极SE6，并且第六有源图案ACT6的另一端可以连接到第六漏电极DE6。第七有源图案ACT7的一端可以连接到第七源电极SE7，并且第七有源图案ACT7的另一端可以连接到第七漏电极DE7。
第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1、第k发射控制线Ek、第(k+1)发射控制线Ek+1、以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以被提供在栅极绝缘层GI上，该栅极绝缘层GI被设置在第一有源图案ACT1至第七有源图案ACT7上。第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线、第k发射控制线Ek、第(k+1)发射控制线Ek+1、以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7可以包括相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。
在第k像素行上，可以将第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第k发射控制线Ek、以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7提供在栅极绝缘层GI上。第一栅电极GE1可以是存储电容器Cst的下电极LE。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与第k扫描线Sk一体地形成。第四栅电极GE4和第七栅电极GE7可以与第(k-1)扫描线Sk-1一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与第k发射控制线Ek一体地形成。
在第(k+1)像素行上，可以将第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1、第(k+1)发射控制线Ek+1、以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7提供在栅极绝缘层GI上。第二栅电极GE2和第三栅电极GE3可以与第(k+1)扫描线Sk+1一体地形成。第四栅电极GE4和第七栅电极GE7可以与第k扫描线Sk一体地形成。第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以与第(k+1)发射控制线Ek+1一体地形成。
存储电容器Cst的上电极UE和初始化电源线IPL可以被提供在第一层间绝缘层IL1上，该第一层间绝缘层IL1被提供在第(k-1)扫描线Sk-1、第k扫描线Sk、第(k+1)扫描线Sk+1、第k发射控制线Ek、第(k+1)发射控制线Ek+1、以及第一栅电极GE1至第七栅电极GE7上。初始化电源线IPL和上电极UE可以包括相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。
第一数据图案、连接线CNL、第一辅助连接线AUX1、第二辅助连接线AUX2、第一桥接图案BRP1、以及电源线PL的第一导电层可以被提供在第二层间绝缘层IL2上，该第二层间绝缘层IL2被提供在初始化电源线IPL和上电极UE上。第一数据图案、第一辅助连接线AUX1、第二辅助连接线AUX2、第一桥接图案BRP1、以及电源线PL的第一导电层可以包括相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。
第一数据图案可以包括多条数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b。在第k像素行上，数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2。另外，被提供在第二层间绝缘层IL2上的数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b可以被设置在彼此相邻的像素列之间。
第一导电层可以包括多条第一电源供应线PL1。第一电源供应线PL1可以平行于数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b和扫描线Sk-1、Sk和Sk+1中的至少一个而延伸，例如平行于数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b而延伸。第一电源供应线PL1可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第三接触孔CH3被连接到上电极UE。而且，第一电源供应线PL1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第五接触孔CH5被连接到第五源电极SE5。
彼此相邻的第一电源供应线PL1(例如，彼此相邻的像素列上的第一电源供应线PL1)可以通过第一电源连接线PLM1被连接。第一电源连接线PLM1可以与被提供在第三层间绝缘层IL3上的数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b交叉。因此，彼此相邻的第一电源供应线PL1可以电连接到第一电源连接线PLM1。第一电源连接线PLM1可以与第一电源供应线PL1被提供在同一层上。这里，术语“被提供在同一层上”可以意味着包括相同或大致相同的材料并且通过相同或大致相同的工艺来形成。例如，像第一电源供应线PL1那样，第一电源连接线PLM1可以被提供在第二层间绝缘层IL2上。而且，第一电源连接线PLM1可以包括与第一电源供应线PL1的材料相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。
连接线CNL可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第一接触孔CH1被连接到第一栅电极GE。而且，连接线CNL可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第二接触孔CH2被连接到第三漏电极DE3和第四漏电极DE4。
第一辅助连接线AUX1可以通过穿过第二层间绝缘层IL2的第八接触孔CH8被连接到初始化电源线ILP。而且，第一辅助连接线AUX1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第九接触孔CH9被连接到第七漏电极DE7。
第二辅助连接线AUX2可以通过第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2，并且可以通过第四接触孔CH4被连接到数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b。
第一桥接图案BRP1可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第七接触孔CH7被连接到第六漏电极DE6。
第二数据图案、电源线PL的第二导电层和第二桥接图案BRP2可以被提供在第一数据图案、连接线CNL、第一辅助连接线AUX1、第二辅助连接线AUX2、第一桥接图案BRP1、以及位于电源线PL的第一导电层上的第三层间绝缘层IL3上。第二数据图案、电源线PL的第二导电层、和第二桥接图案BRP2可以包括相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。
第二数据图案可以包括多条数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a。也就是说，包括在第一数据图案中的数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b和包括在第二数据图案中的数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a可以被提供在彼此不同的层上。在第(k+1)像素行上，数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a可以通过第二辅助连接线AUX2被连接到第二源电极SE2。第二辅助连接线AUX2的一端可以通过穿过栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2的第六接触孔CH6被连接到第二源电极SE2。第二辅助连接线AUX2的另一端可以通过穿过第三层间绝缘层IL3的第四接触孔CH4被连接到数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a。另外，被提供在第三层间绝缘层IL3上的数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a可以设置在彼此相邻的像素列之间。
在四条子数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1中彼此相邻且分别连接于彼此相邻的两个像素列(例如，第j像素列和第(j+1)像素列)的两条子数据线Djb和Dj+1a可以连接到位于相同像素行上的像素。另外，在四条数据线Dja、Djb、Dj+1a和Dj+1b当中彼此相距最远且分别连接到彼此相邻的两个像素列的两条数据线Dja和Dj+1b可以连接到相同的像素行。这里，彼此相邻的两条数据线Djb和Dj+1a可以被提供在相同的层上，例如第三层间绝缘层IL3上。另外，彼此相距最远的两条数据线Dja和Dj+1b可以被提供在相同的层上，例如第二层间绝缘层IL2上。也就是说，彼此相邻的两条数据线Djb和Dj+1a以及彼此相距最远的两条数据线Dja和Dj+1b可以被提供在彼此不同的层上。
如上所述，如果在第三层间绝缘层IL3上提供有第二数据图案，则提供在第三层间绝缘层IL3上的数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a距第一晶体管T1中的相应一个的距离可以增加。因此，在数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a与第一晶体管T1的第一栅电极GE1之间形成的寄生电容器的寄生电容可以减小。由于寄生电容器的寄生电容，因此可能会在数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a与第一晶体管T1之间产生串扰。因此，如果寄生电容被减小，则数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a与第一晶体管T1之间的串扰可以被减小。
第二桥接图案BRP2可以通过穿过第三层间绝缘层IL3的第十接触孔CH10被连接到第一桥接图案BRP1。
第二导电层可以包括多条第二电源供应线PL2。第二电源供应线PL2中的至少一些可以与第一电源供应线PL1重叠。
第二电源供应线PL2可以平行于在第二数据图案的数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a与扫描线Sk-1、Sk和Sk+1中的至少一个(例如，第二数据图案的数据线Djb、Dj+1a、Dj+2b和Dj+3a)而延伸。第二电源供应线PL2可以通过穿过第三层间绝缘层IL3的第十一接触孔CH11被连接到第一电源供应线PL1。例如，第十一接触孔CH11可以设置在第一电源供应线PL1与第二电源供应线PL2彼此重叠的区域中，并且第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2可以是通过第十一接触孔CH11被彼此电连接。
彼此相邻的第二电源供应线PL2(例如，在彼此相邻的像素列上的第二电源供应线PL2)可以通过第二电源连接线PLM2被彼此连接。第二电源连接线PLM2可以与设置在第二层间绝缘层IL2上的数据线Dja、Dj+1b、Dj+2a和Dj+3b相交叉。因此，彼此相邻的第二电源供应线PL2可以通过第二电源连接线PLM2被彼此电连接。第二电源连接线PLM2可以与第二电源供应线PL2被提供在同一层上。这里，术语“被提供在同一层上”可以意味着包括相同或大致相同的材料并且通过相同或大致相同的工艺来形成。例如，像第二电源供应线PL2那样，第二电源连接线PLM2可以被提供在第三层间绝缘层IL3上。而且，第二电源连接线PLM2可以包括与第二电源供应线PL2相同或大致相同的材料，并且可以通过相同或大致相同的工艺来形成。第二电源连接线PLM2可以被提供为与第一电源连接线PLM1间隔开。
如上所述，第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2可以被提供在彼此不同的层上，并且可以通过第十一接触孔CH11被彼此连接。例如，第一电源供应线PL1可以被提供在第二层间绝缘层IL2上，并且彼此相邻的第一电源供应线PL1可以通过第一电源连接线PLM1被彼此连接。第二电源供应线PL2可以被提供在第三层间绝缘层IL3上，并且彼此相邻的第二电源供应线PL2可以通过第二电源连接线PLM2被彼此连接。另外，第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2可以通过第十一接触孔CH11被彼此电连接。因此，包括第一电源供应线PL1和第二电源供应线PL2的电源线PL以网格形式连接，用以防止或减少第一电源ELVDD的电压降。如果第一电源ELVDD的电压降得以防止或减少，则第一电源ELVDD可以被均匀地供应给像素PXL1、PXL2、PXL3和PXL4，并且可以防止或大致上防止显示设备的质量劣化。
显示元件(例如有机发光二极管OLED)可以被提供在第四层间绝缘层IL4上，该第四层间绝缘层IL4被提供在第二数据图案、第二导电层和第二桥接图案BRP2上。显示元件(例如有机发光二极管OLED)中的每个显示元件可以包括在第四层间绝缘层IL4上的第一电极AD、在第一电极AD上的发射层EML、以及在发射层EML上的第二电极CD。
第一电极AD可以通过穿过第四层间绝缘层IL4的第十二接触孔CH12被连接到第二桥接图案BRP2。
如上所述，根据本公开的一个或多个实施例，通过防止或减少串扰，可以提高显示设备的显示质量。此外，由于电源线具有网状结构，所以防止或减小电压降，使得显示设备的显示质量得到改善。
本文已经公开了示例性实施例，并且尽管采用了特定术语，但是特定术语仅在通用性和描述性的意义上被使用并且被解释，而不是为了限制的目的。在一些示例中，如对于本领域的普通技术人员显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件结合使用，除非另外具体指出。因此，本领域技术人员将理解的是，可以在形式和细节上进行各种改变，所有这些均在不脱离如所附权利要求及其等同物所阐述的本公开的精神和范围的情况下进行。