技术特征：
技术总结
本发明提出的是一种基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法，其结构自下而上为金刚石、硅纳米层、氮化镓外延层，氮化镓外延层的表面设有漏极、栅极和源极；其制备方法包括：1）清洗；2）涂敷粘合材料；3）临时键合；4）去除碳化硅衬底；5）溅射硅纳米层；6）进行活化并室温键合；7）去除粘合材料；8）制备晶体管。优点：利用表面活化室温键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，相比传统的高温键合工艺来说，降低了高温带来的应力问题，同时也不会因为高温对氮化镓外延层造成破坏。
技术研发人员：吴立枢;孔月婵;郭怀新;戴家赟
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2018.04.08
技术公布日：2018.11.13