本发明涉及太赫兹技术领域，尤其涉及一种多频带超薄太赫兹强吸收体。
背景技术：
太赫兹波是指频率处于0.1thz-10thz，对应的波长范围为0.03mm-3mm之间的电磁波，在电磁波谱中位于微波与红外之间。太赫兹波具有宽频谱、高透射、低辐射等特性，在通信、成像和安检等领域具有潜在的应用前景。为了进一步扩展和推广太赫兹技术的应用，研究者们提出了各种各样的太赫兹功能器件，比如滤波器、开关、振幅调制器、相位调制器、吸收体等等。然而由于自然界缺乏理想的可控频率吸收的天然材料，以及太赫兹隐身技术在军事安全中的苛刻要求，目前的太赫兹吸收体无法满足实际应用的需求。近年来，研究人员也设计出了多种太赫兹吸收体，这些吸收体大多是基于电磁超材料，其结构采用类似于“三明治”的多层结构组成。这些吸收体结构厚度偏厚，吸收率不高，工艺过程复杂，不易集成。为此，针对现有技术的缺陷，本发明提出了一种多频带超薄太赫兹强吸收体，该吸收体具有厚度薄，多频带，吸收率高，易于集成等优点。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是，针对现有基于电磁超材料的太赫兹强吸收体结构复杂、厚度偏厚、成本较高、吸收率不高、不易集成等技术不足，提出了一种多频带超薄太赫兹强吸收体。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种多频带超薄太赫兹强吸收体。所述的多频带超薄太赫兹强吸收体是由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2的半导体介质层2叠加而成，其中半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成，半导体圆柱体的高度为t2，半径为r，周期为p。本发明所提出的多带超薄太赫兹强吸收体具有厚度超薄，多频带，吸收率高，易于集成等优点。
进一步地、所述金属薄膜层的材料为贵金属，包括但不限于金、银和铜。
进一步地、所述金属薄膜层的厚度t1大于入射太赫兹波的趋肤深度。
进一步地、所述半导体介质层的材料为半导体，包括但不限于硅、锗和砷化镓。
进一步地、所述半导体介质层的厚度t2为2-7μm。
进一步地、所述半导体圆柱体的半径r为20-37μm。
进一步地、所述半导体圆柱体的周期为50-80μm。
综上所述，一种多频带超薄太赫兹强吸收体的优点在于：
1，本方案提出的吸收体厚度超薄，结构简单，容易集成；
2，吸收频率可以通过改变半导体圆柱体的半径及其厚度来实现调制；
3，太赫兹强吸收体具有多个强吸收峰，吸收率均达97％以上。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是多频带太赫兹强吸收体的结构示意图；
图2是多频带太赫兹强吸收体的吸收频谱图；
图中标示：1、金属薄膜层；2、半导体介质层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明：
参照图1，本发明公开了一种多频带超薄太赫兹强吸收体。所述的多频带超薄太赫兹强吸收体是由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2的半导体介质层2叠加而成，其中半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成，半导体圆柱体的高度为t2，半径为r，周期为p。
参照图2，给出了一种多频带超薄太赫兹强吸收体的吸收光谱。本实施方式为上述实施方式的一种具体体现，在本实施方式中，多频带超薄太赫兹强吸收体中半导体圆柱体的周期p为80μm，半径为35μm，材料为硅，厚度t2为3.7μm，金属薄膜层的材料为金，厚度t1为0.2μm。从图中可以看出，在4.0-6.0thz区间内，存在四个吸收峰，频率从左到右依次为4.628thz，5.098thz，5.246thz，5.726thz，对应的吸收率依次为97.565％，98.943％，98.423％，99.614％。