本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种喷墨打印amoled显示面板的制备方法。
背景技术
在蒸镀amoled(active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)技术中，蒸镀材料在像素区的膜厚均匀性好，而ijp-amoled(喷墨打印amoled)使用亲水性的液态的墨水喷吐成膜，bank区域(像素区域)的疏水性pdl(pixeldefinelayer，像素定义层)材料的残留直接影响墨水的铺展，从而导致像素功能异常并最终影响显示效果。例如，如图1所示，1’为tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)背板，2’为平坦层，3’为像素定义层，4’为阳极。如图2所示，30’为图形化后的像素定义层，上面形成有缺口31’，通过缺口31’露出阳极4’，阳极4’上有残留的像素定义层材料32’。如图3所示，在阳极4’上通过喷墨水(墨水材料可以是用于发光的材料)方式形成墨水层5’时，残留的像素定义层材料32’周围会有空白区域41’没有被墨水层5’覆盖，从而会影响amoled的显示效果。
因此，良好的墨水铺展性很大程度上决定ijp-amoled的产品品质，所以在打印墨水前bank区域的洁净无残留尤为重要。pdl材料是有机感光材料，bank区域通过黄光和oven制程(烘烤制程)形成，pdl层显影后像素区的pdl材料残留直接影响墨水铺展。现在针对蒸镀amoled像素区域的pdl材料残留的对策较多使用pdl黄光制程之后追加一道干刻蚀。但是在ijp-amoled的pdl黄光制程之后使用干刻蚀制程会带来以下问题：
1、干刻蚀会破坏pdl表面结构，使pdl失去疏水性，所以在ijp制程中滴下的墨水容易粘附在bank区域表面，而不是流入bank区域中。
2、干刻蚀会造成pdl的厚度和线宽一定程度的损失，影响墨水滴入量的确认和像素的开口率。
技术实现要素：
为解决上述技术问题，本发明提供一种喷墨打印amoled显示面板的制备方法，可以提高amoled显示面板中阳极表面的洁净程度，减少残留，使得打印发光层更容易铺展均匀，以免amoled显示面板显示异常，不会破坏像素定义层表面结构，也不会对像素定义层表面厚度和线宽造成损失。
本发明提供的一种喷墨打印amoled显示面板的制备方法，包括下述步骤：
制备tft背板，在所述tft背板上制备阳极；
在所述阳极上制备用于隔绝阳极与像素定义层的间隔层；
在所述tft背板上制备像素定义层，且所述像素定义层覆盖所述间隔层；
图形化所述像素定义层，在所述像素定义层上形成缺口以露出所述间隔层；
通过刻蚀液将所述缺口下方的间隔层刻蚀掉，露出所述阳极；
通过喷墨打印的方式在所述阳极上形成墨水层。
优选地，所述间隔层的厚度范围为300～800埃米。
优选地，所述间隔层为金属膜层，所述阳极为透明电极或者反射电极。
优选地，所述透明电极为一层ito膜层，所述反射电极包含两层ito膜层以及夹持在所述两层ito膜层之间的银金属层。
优选地，在图形化所述像素定义层之后还包括下述步骤：
对所述像素定义层以及所述阳极进行烘烤制程。
优选地，所述间隔层为钼膜层或者铝膜层，通过铝刻蚀液将所述缺口下方的间隔层刻蚀掉。
优选地，通过黄光制程图形化所述像素定义层。
优选地，所述像素定义层为疏水性的像素定义层。
优选地，还包括下述步骤：
在所述tft背板上制备平坦层，所述像素定义层以及所述阳极均位于所述平坦层上。
优选地，通过喷墨打印的方式在所述阳极上形成墨水层，具体为：
通过喷墨打印的方式在所述阳极上依次形成空穴层和发光层；其中，所述空穴层包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间。
实施本发明，具有如下有益效果：本发明通过在位于tft背板上的阳极表面制备一层间隔层，将间隔层上方的像素定义层刻蚀掉之后，即是间隔层表面还有残留的像素定义层材料，通过刻蚀液将间隔层刻蚀掉，从而去除间隔层表面所残留的像素定义层材料，从而提高阳极表面的洁净程度，减少残留，使得打印发光层更容易铺展均匀，以免amoled显示面板显示异常。而且，本发明没有增加干刻蚀制程，不会破坏像素定义层表面结构，也不会对像素定义层表面厚度和线宽造成损失。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中tft背板上制备有阳极和像素定义层的示意图；
图2是图1中的像素定义层所得到的结构示意图；
图3是在图2中的阳极上制备墨水层的示意图；
图4是本发明提供喷墨打印amoled显示面板的制备方法的流程图；
图5是本发明提供的tft背板上制备有阳极、间隔层和像素定义层的示意图；
图6是本发明提供的图形化图5中的像素定义层所得到的结构示意图；
图7是本发明提供的将图6中像素定义层的缺口下方的间隔层刻蚀掉后所得到的结构示意图；
图8是本发明提供的在图7中的阳极上制备墨水层的剖面图；
图9是本发明提供的在图7中的阳极上制备墨水层的俯视图；
图10是本发明提供的一实施例中阳极的结构示意图；
图11是本发明提供的墨水层的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种喷墨打印amoled显示面板的制备方法，如图4所示，该制备方法包括下述步骤：
参考图5，制备tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)背板1，在tft背板1上制备阳极4。
在阳极4上制备用于隔绝阳极4与像素定义层的间隔层5。
在tft背板1上制备像素定义层3，且像素定义层3覆盖间隔层5。
如图6所示，图形化像素定义层3，在像素定义层3上形成缺口31以露出间隔层5。图6中的30为图形化后的像素定义层。
如图7所示，通过刻蚀液将缺口31下方的间隔层5刻蚀掉，一并带走间隔层5上残留的像素定义层材料32，露出阳极4；阳极4的表面平坦且没有残留的像素定义层材料32或者其他的残留物。图7中所示的50为通过刻蚀液将缺口31下方的间隔层5刻蚀掉之后，露出阳极4。
如图8所示，通过喷墨打印的方式在阳极4上形成用于发光的墨水层6。从图9中可以看出，墨水层6在阳极4的表面铺展良好，墨水层6可以在阳极4表面均匀平坦的铺展，进而可以提升amoled显示面板的显示效果。
本发明中，在图形化像素定义层之后，不需要增加干刻蚀制程，因此不会破坏像素定义层的表面结构，也不会对像素定义层的厚度和线宽造成损失。
进一步地，间隔层5的厚度范围为300～800埃米。
进一步地，间隔层5为金属膜层，阳极4为透明电极或者反射电极。
在一实施例中，如图10所示，反射电极包含两层ito膜层41以及夹持在两层ito膜层41之间的银金属层42。在另一实施例中，透明电极为一层ito(铟锡氧化物)膜层。
本发明中的amoled显示面板可以是顶发光或者底发光，当amoled显示面板为顶发光时，amoled显示面板的出射光线从与阳极相对的阴极透出，此时阳极为反射电极，阴极为透明电极。当amoled显示面板为底发光时，amoled显示面板的出射光线从阳极透出，此时阳极为透明电极，阴极是反射电极。
进一步地，在图形化像素定义层3之后还包括下述步骤：
对图形化后的像素定义层30以及阳极4进行烘烤制程，通过烘烤制程可以将像素定义层进行固化，还可以将阳极4中的非晶态的ito膜层转化为结晶态的ito膜层。
进一步地，间隔层5为钼膜层或者铝膜层，通过铝刻蚀液将像素定义层的缺口31下方的间隔层5刻蚀掉。
进一步地，通过黄光制程图形化图5中所示的像素定义层3。一般而言，黄光制程包含在像素定义层上涂布光阻，曝光，显影，刻蚀像素定义层。
进一步地，像素定义层为疏水性的像素定义层。
进一步地，喷墨打印amoled显示面板的制备方法还包括下述步骤：
在tft背板1上制备平坦层2，像素定义层3以及阳极4均位于平坦层2上。
进一步地，通过喷墨打印的方式在阳极4上形成墨水层5，具体为：
通过喷墨打印的方式在阳极4上依次形成图11所示的空穴层62和发光层61；其中，空穴层62包括空穴注入层622和空穴传输层621，空穴传输层621位于空穴注入层622和发光层61之间。
优选地，上述的tft背板1上薄膜晶体管的有源层可以为低温多晶硅材料或者igzo(铟镓锌氧化物)等氧化物材料，还可以是其他的半导体材料。
综上所述，本发明提供的喷墨打印amoled显示面板中，在tft背板的阳极制作完成后增加一道间隔层的成膜、黄光和刻蚀制程，之后进行像素定义层的黄光和烘烤制程，最后再用铝刻蚀液将间隔层刻蚀掉。
由于铝刻蚀液对间隔层的刻蚀速率可达到
非晶态的ito膜层也在像素定义层的烘烤制程中形成结晶态ito膜层，铝刻蚀液不会与结晶态的ito膜层发生反应，所以本发明可以保证在刻蚀掉间隔层并带走残留像素定义层材料的同时不对阳极膜层产生影响。
本发明可以提高amoled显示面板中阳极膜层表面的洁净程度、减少残留，使得打印发光层更容易铺展均匀，以免amoled显示面板显示异常。
而且，增加间隔层的成膜制程、黄光制程、刻蚀制程都是普通制程，对设备和物料无特殊需求，所以本发明可以在少量成本增加的情况下大幅提高产品良率。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。