本发明的示例性实施例涉及一种有机发光显示设备，并且更具体地涉及一种制造有机发光显示设备的方法。
背景技术
平板显示(fpd)设备可被用作电子设备的显示设备。与阴极射线管(crt)显示设备相比，fpd设备可以相对重量轻且相对薄。fpd设备的示例包括液晶显示(lcd)设备和有机发光显示(oled)设备。
柔性oled设备可以通过包括具有柔性材料的下基板和上基板，从而能够弯曲或折叠oled设备的一部分。例如，包括在显示面板中的下基板可以由柔性基板来形成，并且包括在显示面板中的上基板可以具有薄膜封装结构。可以执行掩模工艺，该掩模工艺将设置在oled设备被弯曲的部分中的无机绝缘层去除，使得oled设备易于被弯曲。
技术实现要素：
本发明的示例性实施例提供一种能够将位于弯曲区域中的无机绝缘层去除的有机发光显示设备。
本发明的示例性实施例提供一种能够减少掩模工艺的数量的制造有机发光显示设备的方法。
根据本发明的示例性实施例，一种有机发光显示(oled)设备包括基板，该基板包括显示区域，包括像素区域和围绕像素区域的周边区域；焊盘区域，与显示区域间隔开；以及弯曲区域，位于显示区域与焊盘区域之间。缓冲层设置在基板上。缓冲层包括第一开口，该第一开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。像素结构位于缓冲层上的像素区域中。绝缘层结构设置在缓冲层上。绝缘层结构包括第二开口，该第二开口使基板的位于弯曲区域中的上表面以及缓冲层的被定位成与弯曲区域相邻的第一部分暴露。扇出布线位于绝缘层结构上的周边区域和焊盘区域中，使得基板的上表面以及缓冲层的第一部分被暴露。钝化层设置在扇出布线、绝缘层结构的被定位成与弯曲区域相邻的侧壁、以及缓冲层的第一部分上。钝化层包括第三开口，该第三开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。连接电极位于基板上的弯曲区域中，并且与扇出布线直接接触。连接电极被电连接到像素结构和外部设备。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层的第一部分可以沿着与基板的上表面相平行的方向从绝缘层结构的侧壁中突出，并且缓冲层的第二部分可以沿着与基板的上表面相正交的方向与绝缘层结构重叠。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层的第一部分沿着与基板的上表面相正交的方向的厚度可以小于缓冲层的第二部分沿着与基板的上表面相正交的方向的厚度。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层可以包括设置在基板上的第一无机层和设置在第一无机层上的第二无机层。缓冲层的第一部分可以包括第一无机层，并且缓冲层的第二部分可以包括第一无机层和第二无机层。
在本发明的示例性实施例中，第一无机层包括氮化硅，并且第二无机层包括氧化硅。
在本发明的示例性实施例中，基板可以包括：第一有机层、设置在第一有机层上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层上的第二有机层、以及设置在第二有机层上的第二阻挡层。
在本发明的示例性实施例中，第二阻挡层可以包括第四开口，该第四开口使第二有机层的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，oled设备还可以包括位于基板与连接电极之间的第一平坦化层，并且第一平坦化层可以与第二有机层的在弯曲区域中的上表面直接接触。
在本发明的示例性实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层每个可以包括氧化硅，并且第一有机层和第二有机层每个可以包括聚酰亚胺类树脂。
在本发明的示例性实施例中，第二开口可以沿着与基板的上表面相正交的方向与第一开口和第三开口重叠。第二开口沿着与基板的上表面相平行的方向的宽度可以大于第一开口和第三开口沿着与基板的上表面相平行的方向的宽度。
在本发明的示例性实施例中，沿着与基板的上表面相平行的方向，第一开口的宽度可以小于第三开口的宽度。
在本发明的示例性实施例中，钝化层可以包括位于周边区域中的第一接触孔和位于焊盘区域中的第二接触孔。扇出布线可以通过第一接触孔和第二接触孔与连接电极直接接触。
在本发明的示例性实施例中，扇出布线可以包括位于周边区域中的第一扇出布线和位于焊盘区域中的第二扇出布线。第一扇出布线可以沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以电连接到像素结构。第二扇出布线可以在焊盘区域中沿着第一方向延伸，并且可以电连接到外部设备。
在本发明的示例性实施例中，oled设备可以包括位于缓冲层与像素结构之间的半导体元件。半导体元件可以包括设置在缓冲层上的有源层、设置在有源层上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二栅电极、以及设置在第二栅电极上的源电极和漏电极。
在本发明的示例性实施例中，绝缘层结构可以包括：栅极绝缘层、第一层间绝缘层和第二层间绝缘层。栅极绝缘层可以在缓冲层上方的像素区域中设置在有源层的上表面和侧表面上，并且沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第一层间绝缘层可以在栅极绝缘层上方的像素区域中设置在第一栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第二层间绝缘层可以在第一层间绝缘层上方的像素区域中设置在第二栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，钝化层可以在第二层间绝缘层上方设置在源电极和漏电极的上表面和侧表面上，并且沿着第一方向延伸。钝化层可以在与弯曲区域相邻的周边区域中设置在扇出布线上，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，源电极和漏电极与扇出布线可以使用相同材料大致上同时地形成。
在本发明的示例性实施例中，像素结构可以包括设置在半导体元件上的下电极、设置在下电极上的发光层、以及设置在发光层上的上电极。
在本发明的示例性实施例中，oled设备可以包括第一平坦化层、布线图案和连接图案、以及第二平坦化层。第一平坦化层可以设置在像素区域中的钝化层上，并且可以在弯曲区域、被定位成与弯曲区域相邻的周边区域、以及焊盘区域中位于连接电极与基板之间。布线图案和连接图案可以位于第一平坦化层上的像素区域中。第二平坦化层可以在第一平坦化层上的像素区域中设置在布线图案和连接图案的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以设置在连接电极上。
在本发明的示例性实施例中，下电极可以通过连接图案被电连接到漏电极。
在本发明的示例性实施例中，oled设备可以包括设置在像素结构上的薄膜封装结构。薄膜封装结构可以包括设置在像素结构上并且包括无机材料的第一薄膜封装层、设置在第一薄膜封装层上并且包括有机材料的第二薄膜封装层、以及设置在第二薄膜封装层上并且包括无机材料的第三薄膜封装层。
根据本发明的示例性实施例，一种制造oled设备的方法包括：提供基板，该基板包括：显示区域，包括像素区域和围绕像素区域的周边区域；焊盘区域，与显示区域间隔开；以及弯曲区域，位于显示区域与焊盘区域之间。在基板上形成缓冲层。在缓冲层上方形成半导体元件和绝缘层结构，使得第一开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。形成第二开口，该第二开口使缓冲层的被定位成与弯曲区域相邻的第一部分暴露。在绝缘层结构上的被定位成与弯曲区域相邻的周边区域和焊盘区域中形成扇出布线，使得基板的位于弯曲区域中的上表面以及缓冲层的第一部分被暴露。在扇出布线、绝缘层结构的被定位成与弯曲区域相邻的侧壁、以及缓冲层的第一部分上形成钝化层，使得第三开口被形成，该第三开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。在基板上方的弯曲区域中形成连接电极，使得连接电极与扇出布线直接接触。在半导体元件上方形成像素结构。
在本发明的示例性实施例中，在缓冲层上形成半导体元件和绝缘层结构可以包括：在基板上形成预备绝缘层结构。在缓冲层上形成半导体元件和绝缘层结构可以包括：通过在预备绝缘层结构中选择性地执行第一蚀刻工艺，来形成包括第二开口的绝缘层结构，该第二开口使缓冲层的位于弯曲区域以及被定位成与弯曲区域相邻的周边区域和焊盘区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第一蚀刻工艺来去除缓冲层的由第二开口暴露的一部分。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层可以包括设置在基板上的第一无机层和设置在第一无机层上的第二无机层，并且可以通过第一蚀刻工艺来去除第二无机层的一部分。
在本发明的示例性实施例中，在周边区域和焊盘区域中形成扇出布线可以包括：在绝缘层结构和由第二开口暴露的缓冲层上形成预备扇出布线；以及通过在预备扇出布线中选择性地执行第二蚀刻工艺，来形成位于周边区域中的第一扇出布线和位于焊盘区域中的第二扇出布线。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第二蚀刻工艺来去除缓冲层的由第二开口暴露的一部分，并且可以通过第二开口使缓冲层的第一无机层的上表面被暴露。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第二蚀刻工艺来去除第二无机层的剩余部分。
在本发明的示例性实施例中，在扇出布线、绝缘层结构的被定位成与弯曲区域相邻的侧壁、以及缓冲层的第一部分上形成钝化层可以包括：在扇出布线、绝缘层结构和由第二开口暴露的缓冲层上形成预备钝化层。在扇出布线、绝缘层结构的被定位成与弯曲区域相邻的侧壁、以及缓冲层的第一部分上形成钝化层可以包括：通过在预备钝化层中选择性地执行第三蚀刻工艺，来形成位于周边区域中的第一接触孔、位于焊盘区域中的第二接触孔、以及使基板的上表面暴露的第三开口。
在本发明的示例性实施例中，基板可以包括第一有机层、设置在第一有机层上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层上的第二有机层、以及设置在第二有机层上的第二阻挡层。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第三蚀刻工艺来去除缓冲层的由第三开口暴露的第一无机层以及基板的第二阻挡层，并且通过第三开口使基板的第二有机层的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第三蚀刻工艺来形成使缓冲层中的第二有机层的上表面暴露的第一开口，并且可以在第二阻挡层中形成使第二有机层的上表面暴露的第四开口。
在本发明的示例性实施例中，该方法还可以包括在钝化层和第二阻挡层上形成第一平坦化层。
在本发明的示例性实施例中，第一接触孔可以使第一扇出布线的上表面暴露，并且第二接触孔可以使第二扇出布线的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，可以通过第三蚀刻工艺来形成缓冲层的从绝缘层结构的侧壁中突出的第一部分。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层的与绝缘层结构重叠的部分可以被定义为缓冲层的第二部分，并且缓冲层的第一部分沿着与基板的上表面相正交的方向的厚度可以小于缓冲层的第二部分沿着与基板的上表面相正交的方向的厚度。
根据本发明的示例性实施例，一种oled设备包括基板，该基板包括：显示区域，包括像素区域和围绕像素区域的周边区域；焊盘区域，与显示区域间隔开；以及弯曲区域，位于显示区域与焊盘区域之间。缓冲层设置在基板上。缓冲层包括第一开口，该第一开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。像素结构设置在缓冲层上的像素区域中。绝缘层结构设置在缓冲层上。绝缘层结构包括多个绝缘层并且包括第二开口，该第二开口使基板的位于弯曲区域中的上表面以及缓冲层的被定位成与弯曲区域相邻的第一部分暴露。扇出布线位于多个绝缘层之中的两个相邻绝缘层之间。扇出布线位于被定位成与弯曲区域相邻的周边区域和焊盘区域中，使得基板的上表面以及缓冲层的第一部分被暴露。导电图案设置在绝缘层结构上并且电连接到扇出布线。钝化层在导电图案、绝缘层结构的被定位成与弯曲区域相邻的侧壁、以及缓冲层的第一部分上。钝化层包括第三开口，该第三开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。连接电极在基板上的弯曲区域中。连接电极与导电图案直接接触。连接电极被电连接到像素结构和外部设备。
在本发明的示例性实施例中，缓冲层的第一部分可以从绝缘层结构的侧壁中突出，并且缓冲层的第二部分可以与绝缘层结构重叠。缓冲层的第一部分的厚度可以小于缓冲层的第二部分的厚度。
在本发明的示例性实施例中，oled设备可以包括位于缓冲层与像素结构之间的半导体元件。半导体元件可以包括设置在缓冲层上的有源层、设置在有源层上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二栅电极、以及设置在第二栅电极上的源电极和漏电极。
在本发明的示例性实施例中，绝缘层结构可以包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层以及第二层间绝缘层。栅极绝缘层可以在缓冲层上方的像素区域中设置在有源层的上表面和侧表面上，并沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第一层间绝缘层可以在栅极绝缘层上方的像素区域中设置在第一栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第二层间绝缘层可以在第一层间绝缘层上方的像素区域中设置在第二栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以在被定位成与弯曲区域相邻的周边区域中覆盖扇出布线，且使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，绝缘层结构可以包括栅极绝缘层、第一层间绝缘层和第二层间绝缘层。栅极绝缘层可以在缓冲层上方的像素区域中设置在有源层的上表面和侧表面上，并沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第一层间绝缘层可以在栅极绝缘层上方的像素区域中设置在第一栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以在被定位成与弯曲区域相邻的周边区域中覆盖扇出布线，且使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。第二层间绝缘层可以在第一层间绝缘层上方的像素区域中设置在第二栅电极的上表面和侧表面上，并沿着第一方向延伸，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，钝化层可以在绝缘层结构上方设置在源电极和漏电极的上表面和侧表面上，并且沿着第一方向延伸。钝化层可以在被定位成与弯曲区域相邻的周边区域中设置在导电图案上，并且可以使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，第二栅电极与扇出布线可以使用相同材料大致同时形成，并且源电极和漏电极与导电图案可以使用相同材料大致同时形成。
在本发明的示例性实施例中，第一栅电极与扇出布线可以使用相同材料大致同时形成，并且源电极和漏电极与导电图案可以使用相同材料大致同时形成。
在本发明的示例性实施例中，钝化层可以包括位于周边区域中的第一接触孔和位于焊盘区域中的第二接触孔。导电图案可以包括位于周边区域中的第一导电图案和位于焊盘区域中的第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案可以分别通过第一接触孔和第二接触孔与连接电极直接接触。
在本发明的示例性实施例中，扇出布线可以包括位于周边区域中的第一扇出布线和位于焊盘区域中的第二扇出布线。第一扇出布线可以沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以电连接到像素结构和第一导电图案。第二扇出布线可以在焊盘区域中沿着第一方向延伸，并且可以电连接到外部设备。
在本发明的示例性实施例中，扇出布线可以沿着从像素区域到焊盘区域的第一方向延伸，并且可以电连接到像素结构和第一导电图案。焊盘区域中的第二导电图案可以沿着第一方向延伸，并且可以电连接到外部设备。
根据本发明的示例性实施例，一种oled设备包括基板，该基板包括：显示区域，包括像素区域和围绕像素区域的周边区域；焊盘区域，与显示区域间隔开；以及弯曲区域，位于显示区域与焊盘区域之间。缓冲层设置在基板上，并且包括第一开口，该第一开口使基板的位于弯曲区域中的上表面暴露。像素结构位于缓冲层上的像素区域中。绝缘层结构设置在缓冲层上。绝缘层结构包括第二开口，该第二开口使基板的位于弯曲区域中的上表面以及基板的被定位成与弯曲区域相邻的上表面暴露。扇出布线设置在绝缘层结构上。扇出布线使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。钝化层设置在扇出布线的上表面和侧表面上。钝化层包括第三开口，该第三开口使基板的在弯曲区域中的上表面暴露。连接电极位于基板上的弯曲区域中。连接电极与扇出布线直接接触。连接电极被电连接到像素结构和外部设备。
在本发明的示例性实施例中，基板可以包括第一有机层、设置在第一有机层上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层上的第二有机层、以及设置在第二有机层上的第二阻挡层。第二阻挡层可以包括第四开口，该第四开口使第二有机层的在弯曲区域中的上表面暴露。
在本发明的示例性实施例中，第一开口、第二开口和第三开口可以同时且一体地形成。
根据本发明的示例性实施方式的oled设备通过第一蚀刻工艺、第二蚀刻工艺和第三蚀刻工艺来去除位于弯曲区域中的无机绝缘层，并因此可以降低oled设备的制造成本。另外，在本发明的示例性实施例中，由于绝缘层结构没有设置在被定位成与弯曲区域相邻的周边区域和焊盘区域中，因此oled设备的弯曲区域可以被容易地弯曲，并且oled设备可被用作具有弯曲区域被弯曲的形状的柔性oled设备。
根据本发明示例性实施例的制造oled设备的方法可以通过第一蚀刻工艺、第二蚀刻工艺和第三蚀刻工艺来去除位于弯曲区域中的无机绝缘层，并且基板的第二有机层113的上表面可以被暴露。因此，虽然不执行附加的蚀刻工艺以去除位于弯曲区域中的无机绝缘层，但是可以通过第一蚀刻工艺、第二蚀刻工艺和第三蚀刻工艺来去除位于弯曲区域中的无机绝缘层。结果，可以减少用于制造oled设备的掩模的数量。
附图说明
通过参考附图来详细描述本发明的示例性实施例，使得对本发明更为完整的理解将变得更加显而易见，其中：
图1a是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示(oled)设备的平面图；
图1b是示出图1a的oled设备的弯曲形状的透视图；
图2是示出电连接到图1a的oled设备的外部设备的框图；
图3是沿着图1a的线i-i'截取的剖视图；
图4是对应于图3的区域“a”的放大剖视图；
图5是示出包括在图4的oled设备中的缓冲层的剖视图；
图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22和图23是示出根据本发明的示例性实施例的制造oled设备的方法的剖视图；
图24是示出根据本发明的示例性实施例的oled设备的剖视图；
图25是示出包括在图24的oled设备中的扇出布线的示例的剖视图；
图26是示出根据本发明的示例性实施例的oled设备的剖视图；以及
图27是示出根据本发明的示例性实施例的oled设备的剖视图。
具体实施方式
下面将参考附图来详细描述本发明的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文所描述的本发明的示例性实施例。
在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以指代相同的要素。
图1a是示出根据本发明的示例性实施例的有机发光显示(oled)设备的平面图。图1b是示出图1a的oled设备的弯曲形状的透视图。图2是示出电连接到图1a的oled设备的外部设备的框图。
参考图1a、图1b和图2，oled设备100可以具有显示区域10、弯曲区域50以及焊盘区域60。多个像素px可以位于显示区域10中，并且焊盘区域60可以与显示区域10间隔开。电连接到外部设备101的焊盘电极470可以位于焊盘区域60中。弯曲区域50可以位于显示区域10与焊盘区域60之间。
显示区域10可以包括发射光的像素区域30以及围绕像素区域30(例如，当在平面图中观察时位于像素区域30的四边)的周边区域40。在本发明的示例性实施例中，发射光的像素px(例如，像素结构)可以位于像素区域30中，并且多个布线可以位于周边区域40中。布线可以电连接到焊盘电极470和像素px。例如，布线可以包括数据信号布线、扫描信号布线、发光信号布线或电源电压布线。扫描驱动器或数据驱动器可以位于周边区域40中。周边区域40的一部分可以位于像素区域30与弯曲区域50之间。
在本发明的示例性实施例中，围绕像素区域30的周边区域40的宽度和长度(参见例如图1a)可以是相同的，这可以形成正方形形状的周边区域40，然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，周边区域40可以包括在oled设备100的平面图中沿着与行方向相对应的第一方向d1延伸的第一区域、以及在oled设备100的平面图中沿着与列方向相对应的第二方向d2延伸的第二区域。作为示例，周边区域40的第一区域可以定位在像素区域30的两个侧部，并且周边区域40的第二区域可以被定位成与像素区域30的顶部以及弯曲区域50相邻。第一区域沿着第二方向d2延伸的宽度可以相对小于第二区域沿着第一方向d1延伸的宽度。可替代地，弯曲区域50和焊盘区域60沿着第二方向d2延伸的宽度每个可以小于显示区域10沿着第二方向d2延伸的宽度。第三方向d3沿着与第一方向d1和第二方向d2正交的方向延伸。
参考图1b，由于弯曲区域50相对于第二方向d2在轴线上弯曲，因此焊盘区域60可以位于oled设备100的下表面上。作为示例，当焊盘区域60位于oled设备100的下表面上时，弯曲区域50可以具有圆形形状(或弯曲形状)。在本发明的示例性实施例中，oled设备100可以包括连接电极。连接电极可以被定位成沿着与基板110的上表面相正交的方向与弯曲区域50重叠，并且可以电连接到布线和焊盘电极470。参考图2，位于像素区域30中的像素px可以通过位于弯曲区域50中的连接电极和位于周边区域40中的多个布线而被电连接到外部设备101，该外部设备101电连接到焊盘电极470。例如，外部设备101可以通过柔性印刷电路板(fpcb)被电连接到oled设备100。外部设备101可以将数据信号、扫描信号、发光信号或电源电压提供给oled设备100。驱动集成电路可以装配(例如，安装)在fpcb中。在本发明的示例性实施例中，驱动集成电路可以装配在oled设备100中，使得该驱动集成电路被定位成与焊盘电极470相邻。
图3是沿着图1a的线i-i'截取的剖视图。图4是对应于图3的区域“a”的放大剖视图。图5是示出包括在图4的oled设备中的缓冲层的剖视图。
参考图3和图4，oled设备100可以包括基板110、缓冲层115、绝缘层结构200、半导体元件250、像素结构400、扇出布线300、钝化层180、第一平坦化层270、第二平坦化层275、连接电极330、布线图案215、连接图案235、像素限定层310以及薄膜封装(tfe)结构450。基板110可以包括第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113以及第二阻挡层114，并且基板110可以包括像素区域30、周边区域40(例如，位于像素区域30与弯曲区域50之间的周边区域40)、弯曲区域50以及焊盘区域60(参见例如图1a)。绝缘层结构200可以包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190以及第二层间绝缘层195，并且半导体元件250可以包括有源层130、第一栅电极170、第二栅电极175、源电极210以及漏电极230。扇出布线300可以包括第一扇出布线301以及第二扇出布线302，并且像素结构400可以包括下电极290、发光层335以及上电极340。tfe结构450可以包括第一tfe层451、第二tfe层452以及第三tfe层453。
oled设备100可以包括具有柔性的基板110及tfe结构450，并且弯曲区域50可以相对于第二方向d2在轴线上弯曲，并且因此oled设备100可被用作具有弯曲区域50被弯曲的形状的柔性oled设备。
基板110可以包括透明或不透明绝缘材料。基板110可以包括柔性透明树脂基板。在本发明的示例性实施例中，基板110可以是第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113和第二阻挡层114被顺序堆叠的构造，并且第二阻挡层114可以具有第四开口504，该第四开口504使第二有机层113的在弯曲区域50中的上表面暴露(参见例如图4)。第二阻挡层114的厚度可以为约1500埃。作为示例，基板110可以在弯曲区域50中具有凹槽。第一阻挡层112和第二阻挡层114每个可以包括诸如硅化合物或金属氧化物等无机材料。例如，第一阻挡层112和第二阻挡层114每个可以包括氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)、氮氧化硅(sioxny)、碳氧化硅(sioxcy)、碳氮化硅(sicxny)、氧化铝(alox)、氮化铝(alnx)、氧化钽(taox)、氧化铪(hfox)、氧化锆(zrox)或氧化钛(tiox)。第一有机层111和第二有机层113每个可以包括诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等有机材料。在本发明的示例性实施例中，第一阻挡层112和第二阻挡层114中的每一个可以包括氧化硅，并且可以阻挡通过第一有机层111和第二有机层113渗透的湿气或水分。此外，第一有机层111和第二有机层113中的每一个可以包括聚酰亚胺类树脂。聚酰亚胺类树脂可以是共聚物或嵌段共聚物。聚酰亚胺类树脂可以具有相对高的透明度、相对低的热膨胀系数以及相对高的玻璃化转变温度。由于聚酰亚胺类树脂包含酰亚胺，因此聚酰亚胺类树脂可以具有相对高的耐热性、相对高的耐化学性、相对高的耐磨性以及相对高的导电特性。
由于基板110相对薄且柔韧，因此基板110可以设置在刚性玻璃基板上以有助于支持半导体元件250和像素结构400的形成。作为示例，基板110可以具有其中第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113和第二阻挡层114被堆叠在刚性玻璃基板上的结构。在oled设备100的制造方法中，在基板110的第二阻挡层114上提供缓冲层115之后，可以将半导体元件250和像素结构400设置在缓冲层115上。在缓冲层115上形成半导体元件250和像素结构400之后，可以将其上设置有基板110的刚性玻璃基板去除。由于基板110相对薄且柔韧，因此可能难以直接在基板110上形成半导体元件250和像素结构400。因此，可以将半导体元件250和像素结构400形成在基板110和刚性玻璃基板上，然后可以在去除刚性玻璃基板之后，将包括第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113和第二阻挡层114的基板110用作oled设备100的基板110。可替代地，基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、氟掺杂石英基板、钠钙玻璃基板或无碱玻璃基板。
在本发明的示例性实施例中，基板110可以包括四层，然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在本发明的示例性实施例中，基板110可以包括单层或多层。
缓冲层115可以设置在基板110上。在本发明的示例性实施例中，缓冲层115可以完全设置在基板110上的像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以具有第一开口501，该第一开口501使基板110的第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面暴露(参见例如图4)。缓冲层115的第一开口501沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度可以大于第四开口504沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度。参考图4和图5，缓冲层115可以包括沿着与基板110的上表面相正交的方向具有第二厚度t2的第一部分116、以及沿着与基板110的上表面相正交的方向具有第一厚度t1的第二部分。第一部分116可以被定位成与弯曲区域50相邻，并且沿着与基板110的上表面相正交的方向的第一厚度t1可以大于沿着与基板110的上表面相正交的方向的第二厚度t2。第一厚度t1可以为约2500埃，并且第二厚度t2可以为约500埃。例如，缓冲层115的第一部分116可以沿着与基板110的上表面相平行的方向从绝缘层结构200的侧壁中突出，并且缓冲层115的第二部分可以沿着与基板110的上表面相正交的方向与绝缘层结构200重叠。参考图5，缓冲层115可以包括第一无机层117、以及设置在第一无机层117上的第二无机层118。缓冲层115的第一部分116可以包括第一无机层117，并且缓冲层115的第二部分可以包括第一无机层117和第二无机层118。
缓冲层115可以防止金属原子和/或杂质从基板110扩散至半导体元件250中。另外，缓冲层115可以对用于形成有源层130的结晶工艺中的热传递速率进行控制，从而获得大致均匀的有源层130。此外，当基板110的表面相对不规则时，缓冲层115可以增加基板110的表面平坦度。在本发明的示例性实施例中，根据基板110的类型，可以在基板110上提供至少两个缓冲层115，或者可以省略缓冲层115。例如，缓冲层115可以包括硅化合物或金属氧化物。在本发明的示例性实施例中，缓冲层115的第一无机层117可以包括氮化硅，并且缓冲层115的第二无机层118可以包括氧化硅。
有源层130可以位于缓冲层115上的像素区域30中。有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)或有机半导体。
栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以在缓冲层115上的像素区域30中覆盖有源层130，并且可以沿着从像素区域30到焊盘区域60的第一方向d1延伸。例如，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上设置在有源层130的上表面和侧表面上，并且可以具有大致水平的上表面而没有围绕在有源层130周围的台阶。可替代地，栅极绝缘层150可以在缓冲层115上覆盖有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在有源层130上方形成台阶。在本发明的示例性实施例中，栅极绝缘层150可以位于缓冲层115上的像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以具有如下的开口，该开口使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面、以及缓冲层115的第一部分116暴露。栅极绝缘层150可以包括硅化合物或金属氧化物。
第一栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的在其下定位有有源层130的部分上。第一栅电极170可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，第一栅电极170可以具有多层结构。
第一层间绝缘层190可以设置在第一栅电极170上。第一层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上的像素区域30中覆盖第一栅电极170，并且可以沿着第一方向d1延伸。例如，第一层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上设置在第一栅电极170的上表面和侧表面上，并且可以具有大致水平的表面而没有围绕在第一栅电极170周围的台阶。可替代地，第一层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖第一栅电极170，并且可以沿着第一栅电极170的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在第一栅电极170上方形成台阶。在本发明的示例性实施例中，第一层间绝缘层190可以位于栅极绝缘层150上的像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以具有如下的开口，该开口使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面、以及缓冲层115的第一部分116暴露。第一层间绝缘层190可以包括硅化合物或金属氧化物。
第二栅电极175可以设置在第一层间绝缘层190的在其下定位有第一栅电极170的部分上。第一栅电极170和第二栅电极175可被用作存储电容器。第二栅电极175可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，第二栅电极175可以具有多层结构。
第二层间绝缘层195可以设置在第二栅电极175上。第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上的像素区域30中覆盖第二栅电极175，并且可以沿着第一方向d1延伸。例如，第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上设置在第二栅电极175的上表面和侧表面上，并且可以具有大致水平的表面而没有围绕在第二栅电极175周围的台阶。可替代地，第二层间绝缘层195可以在第一层间绝缘层190上覆盖第二栅电极175，并且可以沿着第二栅电极175的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在第二栅电极175上方形成台阶。在本发明的示例性实施例中，第二层间绝缘层195可以位于第一层间绝缘层190上的像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以具有如下的开口，该开口使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面、以及缓冲层115的第一部分116暴露。第二层间绝缘层195可以包括硅化合物或金属氧化物。因此，包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190和第二层间绝缘层195的绝缘层结构200可以位于焊盘区域60中。栅极绝缘层150的开口、第一层间绝缘层190的开口以及第二层间绝缘层195的开口可以被限定为第二开口502(参见例如图4)。在本发明的示例性实施例中，第二开口502可以沿着与基板110的上表面相正交的方向与第一开口501重叠，并且绝缘层结构200的第二开口502沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度可以大于缓冲层115的第一开口501沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度。
源电极210和漏电极230可以位于第二层间绝缘层195上的像素区域30中。源电极210可以经由通过去除绝缘层结构200的一部分而形成的接触孔与有源层130的源区直接接触。漏电极230可以经由通过去除绝缘层结构200的另一部分而形成的接触孔与有源层130的漏区直接接触。源电极210和漏电极230中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有多层结构。因此，包括有源层130、第一栅电极170、第二栅电极175、源电极210和漏电极230的半导体元件250可以位于像素区域30中。
在本发明的示例性实施例中，半导体元件250可以具有顶栅结构，然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，在本发明的示例性实施例中，半导体元件250可以具有底栅结构。半导体元件250的构造可以包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190以及第二层间绝缘层195。
扇出布线300可以位于绝缘层结构200上的周边区域40和焊盘区域60中，并且无需设置在第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面、绝缘层结构200的上表面的一部分、以及缓冲层115的第一部分116上，使得基板110的上表面与缓冲层115的第一部分116被暴露。在本发明的示例性实施例中，扇出布线300可以包括第一扇出布线301和第二扇出布线302。第一扇出布线301可以在绝缘层结构200上的周边区域40中沿着第一方向d1延伸，并且可以电连接到位于像素区域30中的像素结构400。此外，第二扇出布线302可以在绝缘层结构200上的焊盘区域60中沿着第一方向d1延伸，并且可以通过位于焊盘区域60中的焊盘电极470(参见例如图1a)被电连接到外部设备101。
扇出布线300可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。在本发明的示例性实施例中，扇出布线300、源电极210和漏电极230可以使用相同材料大致同时形成。例如，扇出布线300可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、铝合金、氮化铝(alnx)、银合金、氮化钨(wnx)、铜合金、钼合金、氮化钛(tinx)、氮化铬(crnx)、氮化钽(tanx)、氧化锶钌(sro)、氧化锌(znox)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化镓(gaox)或氧化铟锌(izo)。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，扇出布线300可以具有多层结构。
钝化层180可以设置在源电极210、漏电极230和扇出布线300上。在本发明的示例性实施例中，钝化层180可以在第二层间绝缘层195上的像素区域30中设置在源电极210和漏电极230的上表面和侧表面上，并且可以沿着第一方向d1延伸。钝化层180可以设置在扇出布线300、绝缘层结构200的被定位成与弯曲区域50相邻的侧壁(例如，第二开口502的侧壁)、以及周边区域40和焊盘区域60中的缓冲层115的第一部分116上。作为示例，钝化层180可以设置在周边区域40中的第一扇出布线301以及焊盘区域60中的第二扇出布线302的上表面和侧表面上，并在第二开口502的内表面中延伸，并且可以与缓冲层115的第一部分116直接接触。
例如，钝化层180可以在第二层间绝缘层195上设置在源电极210、漏电极230和扇出布线300的上表面和侧表面上，并且可以沿着源电极210、漏电极230和扇出布线300的轮廓而具有大致均匀的厚度。钝化层180可以在第二层间绝缘层195上覆盖源电极210、漏电极230和扇出布线300，并且可以具有大致水平的表面而没有围绕在源电极210、漏电极230和扇出布线300周围的台阶。在本发明的示例性实施例中，钝化层180可以完全位于第二层间绝缘层195上的像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以具有第三开口503，该第三开口503使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面暴露(参见例如图4)。第三开口503沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度可以小于第二开口502沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度，并且可以大于第一开口501沿着与基板110的上表面相平行的方向的宽度。第三开口503可以沿着与基板110的上表面相正交的方向与第一开口501和第二开口502重叠。另外，钝化层180可以包括位于周边区域40中的第一接触孔181、以及位于焊盘区域60中的第二接触孔182。钝化层180可以包括硅化合物或金属氧化物。
第一平坦化层270可以设置在钝化层180上。第一平坦化层270可以在像素区域30中设置在钝化层180的上表面和侧表面上，并且可以位于第一开口501、第二开口502、第三开口503和第四开口504中，使得第一平坦化层270没有沿着与基板110的上表面相正交的方向与周边区域40和焊盘区域60中的钝化层180的第一接触孔181和第二接触孔182重叠。作为示例，第一平坦化层270可以位于基板110上的周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中的连接电极330的下方(或连接电极330与基板110之间)。在本发明的示例性实施例中，第一平坦化层270可以与第二有机层113的在弯曲区域50中的上表面直接接触。例如，第一平坦化层270可以沿着与基板110的上表面相正交的方向相对厚。作为示例，第一平坦化层270可以具有大致平坦的上表面，并且可以进一步对第一平坦化层270执行平坦化工艺，以实现第一平坦化层270的平坦上表面。可替代地，第一平坦化层270可以沿着钝化层180的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在钝化层180上方形成台阶。第一平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，第一平坦化层270可以包括有机材料。
布线图案215和连接图案235可以位于第一平坦化层270上的像素区域30中。扫描信号、数据信号、发光信号、初始化信号、电源电压等可以通过布线图案215来传输。连接图案235可以经由通过去除第一平坦化层270的位于像素区域30中的一部分而形成的接触孔与漏电极230接触，并且可以电连接到下电极290和漏电极230。布线图案215和连接图案235中的每一个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，布线图案215和连接图案235中的每一个可以具有多层结构。
连接电极330可以位于钝化层180和第一平坦化层270上的周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中。连接电极330可以与扇出布线300直接接触。例如，连接电极330可以通过周边区域40中的第一接触孔与第一扇出布线301直接接触，并且可以通过焊盘区域60中的第二接触孔与第二扇出布线302直接接触。当连接电极330电连接到第一扇出布线301和第二扇出布线302时，可以将从外部设备101中施加的扫描信号、数据信号、发光信号、初始化信号或电源电压提供给像素结构400。在本发明的示例性实施例中，连接电极330、布线图案215和连接图案235可以使用相同材料大致同时形成。连接电极330可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，连接电极330可以具有多层结构。
第二平坦化层275可以布置在布线图案215、连接图案235、连接电极330、第一平坦化层270以及钝化层180上。第二平坦化层275可以在第一平坦化层270上的像素区域30中设置在布线图案215和连接图案235的上表面和侧表面上，并沿着第一方向d1延伸，并且可以在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中设置在连接电极330的上表面和侧表面上。作为示例，第二平坦化层275可以位于整个基板110上。
根据本发明的示例性实施例，oled设备100可以包括在位于像素区域30与弯曲区域50之间的周边区域40的一部分中沿着第二方向d2延伸的阻挡区域(参见例如图1a)。该阻挡区域可以与弯曲区域50平行地布置，并且第一平坦化层270和第二平坦化层275无需位于该阻挡区域中。例如，第一平坦化层270和第二平坦化层275无需设置在该阻挡区域中以通过位于焊盘区域60和/或弯曲区域50中的第一平坦化层270和第二平坦化层275来阻挡渗透到像素区域30中的水分或湿气。
第二平坦化层275可以沿着与基板110的上表面相正交的方向相对厚，以覆盖布线图案215、连接图案235和连接电极330。作为示例，第二平坦化层275可以具有大致平坦的上表面，并且可以进一步对第二平坦化层275执行平坦化工艺，以实现第二平坦化层275的平坦上表面。可替代地，第二平坦化层275可以沿着布线图案215、连接图案235和连接电极330的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在布线图案215上方形成台阶。第二平坦化层275可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，第二平坦化层275可以包括有机材料。
下电极290可以位于第二平坦化层275上的像素区域30中。下电极290可以经由通过去除第二平坦化层275的一部分而形成的接触孔与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，下电极290可以具有多层结构。
像素限定层310可以位于第二平坦化层275上的像素区域30中，并且可以使下电极290的一部分暴露。作为示例，发光层335可以设置在下电极290的由像素限定层310暴露的部分上。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
发光层335可以设置在下电极290的由像素限定层310暴露的部分上。发光层335可以使用能够根据子像素来产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光或绿色光)的发光材料中的至少一种来形成。可替代地，发光层335通常可以通过堆叠能够产生诸如红色光、绿色光或蓝色光等不同颜色的光的多种发光材料来产生白色光。作为示例，可以在发光层335上设置滤色器。滤色器可以包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可替代地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器或品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂(或彩色光致抗蚀剂)。
上电极340可以位于像素限定层310和发光层335上的像素区域30中。上电极340可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，上电极340可以具有多层结构。因此，包括下电极290、发光层335和上电极340的像素结构400可以位于像素区域30中。
tfe结构450可以设置在上电极340上。tfe结构450可以包括第一tfe层451、第二tfe层452和第三tfe层453。例如，第二tfe层452可以设置在第一tfe层451上，并且第三tfe层453可以设置在第二tfe层452上。
第一tfe层451可以位于上电极340上的像素区域30中。第一tfe层451可以设置在上电极340的上表面和侧表面上，并且可以沿着上电极340的轮廓而具有大致均匀的厚度。第一tfe层451可以防止像素结构400由于湿气、水分或氧气的渗透而劣化。另外，第一tfe层451可以保护像素结构400免受外部冲击。第一tfe层451可以包括无机材料。
第二tfe层452可以设置在第一tfe层451上。第二tfe层452可以增加oled设备100的平坦度，并且可以保护像素结构400。第二tfe层452可以包括有机材料。
第三tfe层453可以设置在第二tfe层452上。第三tfe层453可以覆盖第二tfe层452，并且可以沿着第二tfe层452的轮廓而具有大致均匀的厚度。第三tfe层453与第一tfe层451和第二tfe层452一起可以防止像素结构400由于湿气、水分或氧气的渗透而劣化。另外，第三tfe层453与第一tfe层451和第二tfe层452一起可以保护像素结构400免受外部冲击。第三tfe层453可以包括无机材料。因此，包括第一tfe层451、第二tfe层452和第三tfe层453的tfe结构450可以位于像素区域30中。
可替代地，tfe结构450可以具有堆叠了第一tfe层至第五tfe层的五层结构或者堆叠了第一tfe层至第七tfe层的七层结构。
在本发明的示例性实施例中，oled设备100还可以包括下保护膜和弯曲保护层。下保护膜可以设置在基板110的下表面上。下保护膜可以保护像素结构400和半导体元件250。下保护膜可以完全位于像素区域30、周边区域40和焊盘区域60中，并且可以使基板110的位于弯曲区域50中的下表面暴露。下保护膜可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚丙烯(pp)、聚碳酸酯(pc)、聚苯乙烯(ps)、聚砜(psul)、聚乙烯(pe)、聚邻苯二甲酰胺(ppa)、聚醚砜(pes)、聚芳酯(par)、聚碳酸酯氧化物(pco)或改性聚苯醚(mppo)。
弯曲保护层可以位于第二平坦化层275上的周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中。弯曲保护层可以保护连接电极330，并且可以沿着与第一方向d1和第二方向d2相正交的第三方向d3提升弯曲区域50的中性面。例如，当弯曲区域50被弯曲时，由于弯曲区域50的中性面位于设置有连接电极330的部分内，因此连接电极330不会断裂。弯曲保护层可以包括诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酸类树脂、聚酯、光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂或硅氧烷类树脂等有机材料，并且可以包括诸如硅树脂、聚氨酯或热塑性聚氨酯(tpu)等弹性材料。
在制造oled设备100的工艺中，可以在整个基板110上形成预备绝缘层结构。可以在用于在预备绝缘层结构上形成源电极210和漏电极230的工艺之前，执行第一蚀刻工艺(例如，第一干法蚀刻工艺)。可以通过第一蚀刻工艺使像素区域30中的有源层130的源区和漏区被暴露。此外，可以通过第一蚀刻工艺在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中去除缓冲层115的一部分(例如，包括在缓冲层115中的第二无机层118的一部分)和预备绝缘层结构。因此，可以形成绝缘层结构200。
在第一蚀刻工艺之后，可以在整个基板110上方形成预备电极层。在形成预备电极层之后，可以执行第二蚀刻工艺(例如，第二干法蚀刻工艺)。可以通过第二蚀刻工艺在像素区域30中形成源电极210和漏电极230。另外，可以通过第二蚀刻工艺在周边区域40和焊盘区域60中形成扇出布线300。此外，可以通过第二蚀刻工艺在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中去除包括在缓冲层115中的第二无机层118的剩余部分。
在第二蚀刻工艺之后，可以在整个基板110上方形成预备钝化层。在形成预备钝化层之后，可以执行第三蚀刻工艺(例如，第三干法蚀刻工艺)。可以通过第三蚀刻工艺来形成使像素区域30中的漏电极230暴露的接触孔。另外，可以通过第三蚀刻工艺在周边区域40和焊盘区域60中形成第一接触孔181和第二接触孔182。因此，可以形成钝化层180。此外，可以通过第三蚀刻工艺在弯曲区域50中去除缓冲层115的第一无机层117以及基板110的第二阻挡层114。作为示例，可以通过第三蚀刻工艺在弯曲区域50中去除无机绝缘层，并且可以使包括在基板110中的第二有机层113的上表面暴露。因此，虽然不执行附加的蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的无机绝缘层，但是可以通过第一蚀刻工艺、第二蚀刻工艺和第三蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的无机绝缘层。
因为根据本发明的示例性实施例的oled设备100通过第一蚀刻工艺、第二蚀刻工艺和第三蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的无机绝缘层，因此可以降低oled设备100的制造成本。另外，由于在被定位成与弯曲区域50相邻的周边区域40和焊盘区域60中省略了绝缘层结构200，因此oled设备100的弯曲区域50可以被容易地弯曲，并且oled设备100可被用作具有弯曲区域50被弯曲的形状的柔性oled设备。
图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22和图23是示出根据本发明的示例性实施例的制造oled设备的方法的剖视图。例如，图9是与图8的区域“b”相对应的放大剖视图，并且图10是示出图9的缓冲层的剖视图。图14是与图13的区域“c”相对应的放大剖视图，并且图15是示出图14的缓冲层的剖视图。此外，图19是与图18的区域“d”相对应的放大剖视图，并且图20是示出图19的缓冲层的剖视图。
参考图6，可以提供刚性玻璃基板105。可以在玻璃基板105上形成包括透明或不透明绝缘材料的基板110。基板110可以使用诸如柔性透明树脂基板等柔性透明材料来形成。在本发明的示例性实施例中，基板110可以具有其中顺序堆叠有第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113和第二阻挡层114的构造。第一阻挡层112和第二阻挡层114每个可以使用诸如硅化合物或金属氧化物等无机材料来形成。例如，第一阻挡层112和第二阻挡层114每个可以包括siox、sinx、sioxny、sioxcy、sicxny、alox、alnx、taox、hfox、zrox或tiox。作为示例，第一有机层111和第二有机层113每个可以使用诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂或环氧类树脂等有机材料来形成。在本发明的示例性实施例中，第一阻挡层112和第二阻挡层114中的每一个可以由氧化硅来形成，并且可以阻挡通过第一有机层111和第二有机层113渗透的湿气或水分。此外，第一有机层111和第二有机层113中的每一个可以由聚酰亚胺类树脂来形成。聚酰亚胺类树脂可以是无规共聚物或嵌段共聚物。聚酰亚胺类树脂可以具有相对高的透明度、相对低的热膨胀系数以及相对高的玻璃化转变温度。由于聚酰亚胺类树脂包含酰亚胺，因此聚酰亚胺类树脂可以具有相对高的耐热性、相对高的耐化学性、相对高的耐磨性以及相对高的导电特性。
可以在基板110上形成缓冲层115。在本发明的示例性实施例中，缓冲层115可以完全形成在基板110上的像素区域30、周边区域40、弯曲区域50和焊盘区域60中。缓冲层115可以包括第一无机层117和在第一无机层117上形成的第二无机层118。第一无机层117的厚度可以为约500埃，并且第二无机层118的厚度可以为约2000埃。缓冲层115可以防止金属原子和/或杂质从基板110扩散至半导体元件250中。另外，缓冲层115可以对用于形成有源层130的结晶工艺中的热传递速率进行控制，从而获得大致均匀的有源层130。此外，当基板110的表面相对不规则时，缓冲层115可以增加基板110的表面平坦度。缓冲层115可以使用硅化合物或金属氧化物来形成。在本发明的示例性实施例中，缓冲层115的第一无机层117可以由氮化硅来形成，并且缓冲层115的第二无机层118可以由氧化硅来形成。
有源层130可以位于缓冲层115上的像素区域30中。有源层130可以使用氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)或有机半导体来形成。
可以在有源层130上形成预备栅极绝缘层1150。预备栅极绝缘层1150可以在缓冲层115上的像素区域30中设置在有源层130的上表面和侧表面上，并且可以沿着从像素区域30到焊盘区域60的第一方向d1延伸。作为示例，预备栅极绝缘层1150可以形成在大致整个缓冲层115上。例如，预备栅极绝缘层1150可以在缓冲层115上覆盖有源层130，并且可以具有大致水平的上表面而没有围绕在有源层130周围的台阶。可替代地，预备栅极绝缘层1150可以在缓冲层115上覆盖有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓而形成为大致均匀的厚度。因此，可以在有源层130上方形成台阶。预备栅极绝缘层1150可以使用硅化合物或金属氧化物来形成。
可以在预备栅极绝缘层1150的在其下定位有有源层130的部分上形成第一栅电极170。第一栅电极170可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，第一栅电极170可以具有多层结构。
可以在第一栅电极170上形成预备第一层间绝缘层1190。预备第一层间绝缘层1190可以在预备栅极绝缘层1150上的像素区域30中设置在第一栅电极170的上表面和侧表面上，并且可以沿着第一方向d1延伸。作为示例，预备第一层间绝缘层1190可以形成在大致整个预备栅极绝缘层1150上。例如，预备第一层间绝缘层1190可以在预备栅极绝缘层1150上覆盖第一栅电极170，并且可以具有大致水平的表面而没有围绕在第一栅电极170周围的台阶。可替代地，预备第一层间绝缘层1190可以在预备栅极绝缘层1150上覆盖第一栅电极170，并且可以沿着第一栅电极170的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在第一栅电极170上方形成台阶。在本发明的示例性实施例中，预备第一层间绝缘层1190可以使用硅化合物或金属氧化物来形成。
可以在预备第一层间绝缘层1190的在其下定位有第一栅电极170的部分上形成第二栅电极175。第二栅电极175可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，第二栅电极175可以具有多层结构。
可以在第二栅电极175上形成预备第二层间绝缘层1195。预备第二层间绝缘层1195可以在预备第一层间绝缘层1190上的像素区域30中设置在第二栅电极175的上表面和侧表面上，并且可以沿着第一方向d1延伸。作为示例，预备第二层间绝缘层1195可以形成在大致整个预备第一层间绝缘层1190上。例如，预备第二层间绝缘层1195可以在预备第一层间绝缘层1190上覆盖第二栅电极175，并且可以具有大致水平的表面而没有围绕在第二栅电极175周围的台阶。可替代地，预备第二层间绝缘层1195可以在预备第一层间绝缘层1190上覆盖第二栅电极175，并且可以沿着第二栅电极175的轮廓而设置为大致均匀的厚度。因此，可以在第二栅电极175上方形成台阶。在本发明的示例性实施例中，预备第二层间绝缘层1195可以使用硅化合物或金属氧化物来形成。因此，可以形成包括预备栅极绝缘层1150、预备第一层间绝缘层1190和预备第二层间绝缘层1195的预备绝缘层结构1200。
参考图7，可以在预备绝缘层结构1200上选择性地执行第一干法蚀刻工艺(例如，第一蚀刻工艺)。例如，第一干法蚀刻工艺可以使用与碳氟化合物和/或氧气混合后的气体来执行。可替代地，可以执行使用蚀刻剂的第一湿法蚀刻工艺来代替第一干法蚀刻工艺。
参考图8、图9和图10，可以通过第一干法蚀刻工艺使像素区域30中的有源层130的源区和漏区暴露。另外，绝缘层结构200可以通过利用第一干法蚀刻工艺去除周边区域40的被定位成与弯曲区域50相邻的一部分、弯曲区域50、以及焊盘区域60的被定位成与弯曲区域50相邻的一部分中的预备绝缘层结构1200的一部分来形成。此外，可以通过第一干法蚀刻工艺来去除缓冲层115的一部分(例如，包括在缓冲层115中的第二无机层118的一部分)。作为示例，在执行第一干法蚀刻工艺的同时，包括在缓冲层115中的第二无机层118的一部分可能会在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被过蚀刻。例如，可能会通过第一干法蚀刻工艺在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中去除约一半的第二无机层118(例如约1000埃)(参见例如图10)。
作为示例，可以通过第一干法刻蚀工艺在绝缘层结构200中形成第二开口502，该第二开口502使缓冲层115的位于周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中的上表面暴露。另外，参考图9和图10，可以通过第一干法蚀刻工艺来去除包括在缓冲层115中的第二无机层118的一部分，使得缓冲层115可以具有第一厚度t1和第二厚度t2。例如，缓冲层115可以具有第一部分和第二部分。第一部分可以与如下部分相对应，在该部分中，通过第一干法蚀刻工艺去除了包括在缓冲层115中的第二无机层118的一部分并且可以具有第二厚度t2(例如约1500埃)。另外，第二部分可以被定位成沿着与基板110的上表面相正交的方向与绝缘层结构200重叠，并且可以具有第一厚度t1(例如约2500埃)。例如，沿着与基板110的上表面相正交的方向，第一厚度t1可以大于第二厚度t2。
参考图11和图12，在第一干法蚀刻工艺之后，可以在整个基板110上形成预备电极层1301。在形成预备电极层1301之后，可以在预备电极层1301中选择性地执行第二干法蚀刻工艺(例如，第二蚀刻工艺)(参见例如图12)。例如，第二干法蚀刻工艺可以使用与碳氟化合物和/或氧气混合后的气体来执行。可替代地，可以执行使用蚀刻剂的第二湿法蚀刻工艺来代替第二干法蚀刻工艺。
参考图13、图14和图15，可以通过第二干法蚀刻工艺在像素区域30中形成源电极210和漏电极230。另外，可以通过第二干法蚀刻工艺在周边区域40和焊盘区域60中形成扇出布线300。扇出布线300可以包括第一扇出布线301和第二扇出布线302。包括在缓冲层115中的第二无机层118的剩余部分可以通过第二干法蚀刻工艺在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被去除。作为示例，在执行第二干法蚀刻工艺的同时，包括在缓冲层115中的第二无机层118的剩余部分可能会在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被过蚀刻。例如，第二无机层118的剩余部分(例如约1000埃)可以通过第二干法蚀刻工艺(参见例如图15)在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被去除(例如，第二无机层118可以在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被完全去除)。
作为示例，可以通过第二干法蚀刻工艺在绝缘层结构200上的周边区域40中形成第一扇出布线301，并且可以通过第二干法蚀刻工艺在绝缘层结构200上的焊盘区域60中形成第二扇出布线302。第一扇出布线301和第二扇出布线302无需形成在缓冲层115的位于周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中的上表面中，使得基板110的上表面以及缓冲层115的第一部分116被暴露。
参考图14和图15，包括在缓冲层115中的第二无机层118的剩余部分可以通过第二干法蚀刻工艺在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被去除，使得缓冲层115可以沿着与基板110的上表面相正交的方向而具有第一厚度t1和第三厚度t3。例如，如上所述，缓冲层115可以包括第一部分和第二部分。第一部分可以对应于如下部分，在该部分中，通过第二干法蚀刻工艺去除了包括在缓冲层115中的第二无机层118的剩余部分并且可以具有第三厚度t3(例如约500埃)。另外，第二部分可以被定位成沿着与基板110的上表面相正交的方向与绝缘层结构200重叠，并且可以具有第一厚度t1(例如约2500埃)。例如，第一厚度t1可以大于第三厚度t3。
参考图16和图17，在第二干法蚀刻工艺之后，可以在整个基板110上方形成预备钝化层1180。例如，预备钝化层1180可以共形地形成在基板110上方。在形成预备钝化层1180之后，可以在预备钝化层1180中选择性地执行第三干法蚀刻工艺(例如，第三蚀刻工艺)(参见例如图17)。例如，第三干法蚀刻工艺可以使用与碳氟化合物和/或氧气混合后的气体来执行。在本发明的示例性实施例中，从蚀刻工艺产生的颗粒可能位于包括在绝缘层结构200中的第二开口502的侧壁中。当预备钝化层1180被设置在第二开口502的侧壁上时，预备钝化层1180可以完全地覆盖颗粒。例如，当颗粒未被覆盖时，oled设备100可能会由这些颗粒而损坏。因此，由于这些颗粒被覆盖，因此可以保护oled设备100免受颗粒的影响。
参考图18，可以通过第三干法蚀刻工艺来形成使像素区域30中的漏电极230暴露的接触孔。另外，可以通过第三干法蚀刻工艺在周边区域40和焊盘区域60中形成第一接触孔181和第二接触孔182。因此，可以形成钝化层180。此外，缓冲层115的第一无机层117以及基板110的第二阻挡层114可以通过第三干法蚀刻工艺在弯曲区域50中被去除。作为示例，在执行第三干法蚀刻工艺的同时，第一无机层117和第二阻挡层114可能会在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中被过蚀刻。例如，可以通过第三干法蚀刻工艺(参见例如图15)在弯曲区域50中去除第一无机层117(例如约500埃)和第二阻挡层114(例如约1500埃)(例如，第一无机层117和第二阻挡层114可以在弯曲区域50中被完全去除)。
作为示例，可以通过第三干法蚀刻工艺来形成使弯曲区域50暴露的第三开口503，并且第三开口503可以使第二有机层113的上表面暴露。另外，可以通过第三干法蚀刻工艺在第二阻挡层114中形成使第二有机层113的上表面暴露并且位于弯曲区域50中的第四开口504，并且可以通过第三干法蚀刻工艺在缓冲层115中形成使第二有机层113的上表面暴露并且位于弯曲区域50中的第一开口501。
参考图19，可以通过第三干法蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的缓冲层115，使得缓冲层115可以包括具有第三厚度t3(例如约500埃)的第一部分和具有第一厚度t1(例如约2500埃)的第二部分。例如，第一厚度t1可以大于第三厚度t3。这里，第一部分可以沿着与基板110的上表面相平行的方向从绝缘层结构200的侧壁中突出，并且缓冲层115的第二部分可以沿着与基板110的上表面相正交的方向与绝缘层结构200重叠。
因此，可以通过第一干法蚀刻工艺、第二干法蚀刻工艺和第三干法蚀刻工艺在弯曲区域50中去除无机绝缘层，并且可以使包括在基板110中的第二有机层113的上表面暴露。因此，虽然不执行附加的干法蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的无机绝缘层，但是可以通过第一干法蚀刻工艺、第二干法蚀刻工艺和第三干法蚀刻工艺来去除位于弯曲区域50中的无机绝缘层。因此，可以减少用于制造oled设备的掩模的数量。
参考图20，可以在钝化层180上形成第一平坦化层270。第一平坦化层270可以在像素区域30中覆盖钝化层180，并且可以形成在第一开口501、第二开口502、第三开口503和第四开口504中，使得第一平坦化层270没有沿着与基板110的上表面相正交的方向与周边区域40和焊盘区域60中的钝化层180的第一接触孔181和第二接触孔182重叠。在本发明的示例性实施例中，第一平坦化层270可以在弯曲区域50中与第二有机层113的上表面直接接触。例如，第一平坦化层270可以沿着与基板110的上表面相正交的方向相对较厚。作为示例，第一平坦化层270可以具有大致平坦的上表面，并且可以进一步对第一平坦化层270执行平坦化工艺，以实现第一平坦化层270的平坦上表面。可替代地，第一平坦化层270可以沿着钝化层180的轮廓而形成为大致均匀的厚度。因此，可以在钝化层180上方形成台阶。第一平坦化层270可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，第一平坦化层270可以使用有机材料来形成。
参考图21，可以在第一平坦化层270上的像素区域30中形成布线图案215和连接图案235。扫描信号、数据信号、发光信号、初始化信号、电源电压可以通过布线图案215来传送。连接图案235可以经由通过去除第一平坦化层270的位于像素区域30中的一部分而形成的接触孔与漏电极230接触。布线图案215和连接图案235中的每一个可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，布线图案215和连接图案235中的每一个可以具有多层结构。
可以在钝化层180和第一平坦化层270上的周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中形成连接电极330。连接电极330可以与扇出布线300直接接触。例如，连接电极330可以经由周边区域40中的第一接触孔181与第一扇出布线301直接接触，并且可以经由焊盘区域60中的第二接触孔182与第二扇出布线302直接接触。当连接电极330电连接到第一扇出布线301和第二扇出布线302时，可以将从外部设备101施加的扫描信号、数据信号、发光信号、初始化信号、电源电压等提供给像素结构400。在本发明的示例性实施例中，连接电极330、布线图案215和连接图案235可以使用相同材料大致同时形成。例如，在整个基板110上方形成预备电极层之后，可以通过部分地去除预备电极层来大致同时形成布线图案215、连接图案235和连接电极330。连接电极330可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。在本发明的示例性实施例中，连接电极330可以具有多层结构。
参考图22，可以在布线图案215、连接图案235、连接电极330、第一平坦化层270和钝化层180上形成第二平坦化层275。第二平坦化层275可以在第一平坦化层270上的像素区域30中覆盖布线图案215和连接图案235，并沿着第一方向d1延伸，并且可以在周边区域40的一部分、弯曲区域50、和焊盘区域60的一部分中覆盖连接电极330。例如，第二平坦化层275可以形成在整个基板110上方。
第二平坦化层275可以相对较厚以充分地覆盖布线图案215、连接图案235和连接电极330。作为示例，第二平坦化层275可以具有大致平坦的上表面，并且可以进一步对第二平坦化层275执行平坦化工艺，以实现第二平坦化层275的平坦上表面。可替代地，第二平坦化层275可以沿着布线图案215、连接图案235和连接电极330的轮廓而形成为大致均匀的厚度。因此，可以在布线图案215、连接图案235和/或连接电极330上方形成至少一个台阶。第二平坦化层275可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，第二平坦化层275可以使用有机材料来形成。
可以在第二平坦化层275上的像素区域30中形成下电极290。下电极290可以经由通过去除第二平坦化层275的一部分而形成的接触孔与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，下电极290可以具有多层结构。
可以在第二平坦化层275上的像素区域30中形成像素限定层310，并且可以使下电极290的一部分暴露。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在本发明的示例性实施例中，像素限定层310可以使用有机材料来形成。
可以在如下部分中形成发光层335，在该部分中，下部电极290的一部分通过像素限定层310被暴露。发光层335可以使用能够根据子像素来产生不同颜色的光(例如，红色光、蓝色光或绿色光)的发光材料中的至少一种来形成。可替代地，发光层335通常可以通过堆叠能够产生诸如红色光、绿色光或蓝色光等不同颜色的光的多种发光材料来产生白光。作为示例，可以在发光层335上形成滤色器。滤色器可以包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种。可替代地，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器或品红色滤色器。滤色器可以使用光敏树脂(或彩色光致抗蚀剂)来形成。
可以在像素限定层310和发光层335上的像素区域30中形成上电极340。上电极340可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料来形成。这些可以单独使用或者以所期望的其组合来使用。在本发明的示例性实施例中，上电极340可以具有多层结构。因此，包括下电极290、发光层335和上电极340的像素结构400可以被形成。
参考图23，可以在上电极340上的像素区域30中形成第一薄膜封装(tfe)层451。例如，第一tfe层451可以共形地形成在像素区域30中的上电极340的上表面上。第一tfe层451可以覆盖上电极340，并且可以沿着上电极340的轮廓而形成为大致均匀的厚度。第一tfe层451可以防止像素结构400由于湿气、水分或氧气的渗透而劣化。另外，第一tfe层451可保护像素结构400免受外部冲击。第一tfe层451可以使用无机材料来形成。
可以在第一tfe层451上形成第二tfe层452。第二tfe层452可以增加oled设备的平坦度，并且可以保护像素结构400。第二tfe层452可以使用有机材料来形成。
可以在第二tfe层452上形成第三tfe层453。第三tfe层453可以覆盖第二tfe层452，并且可以沿着第二tfe层452的轮廓而形成为大致均匀的厚度。第三tfe层453与第一tfe层451和第二tfe层452一起可以防止像素结构400由于湿气、水分或氧气的渗透而劣化。另外，第三tfe层453与第一tfe层451和第二tfe层452一起可以保护像素结构400免受外部冲击。第三tfe层453可以使用无机材料来形成。因此，包括第一tfe层451、第二tfe层452和第三tfe层453的tfe结构450可以位于像素区域30中。可替代地，tfe结构450可以具有堆叠了第一tfe层至第五tfe层的五层结构或堆叠了第一tfe层至第七tfe层的七层结构。在形成tfe结构450之后，可以将刚性玻璃基板与基板110分离。因此，可以制造出oled设备100(参见例如图3)。
图24是示出根据本发明示例性实施例的oled设备的剖视图。图25是示出包括在图24的oled设备中的扇出布线的示例的剖视图。参考图24，除了第三扇出布线401之外，oled设备500可以具有与上述oled设备100大致相同或相似的构造。因此，下面可以省略对于与上述要素(例如参考图3)大致相同或相似的要素的重复描述。
参考图24，oled设备500可以包括基板110、缓冲层115、绝缘层结构200、半导体元件250、像素结构400、扇出布线300(例如导电图案)、第三扇出布线401、钝化层180、第一平坦化层270、第二平坦化层275、连接电极330、布线图案215、连接图案235、像素限定层310以及薄膜封装(tfe)结构450。基板110可以包括第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113以及第二阻挡层114，并且基板110可以包括像素区域30、周边区域40(例如位于像素区域30与弯曲区域50之间的周边区域40)、弯曲区域50以及焊盘区域60(参考图1a)。另外，绝缘层结构200可以包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190以及第二层间绝缘层195，并且半导体元件250可以包括有源层130、第一栅电极170、第二栅电极175、源电极210以及漏电极230。此外，扇出布线300可以包括第一扇出布线301(例如第一导电图案)以及第二扇出布线302(例如第二导电图案)，并且像素结构400可以包括下电极290、发光层335以及上电极340。tfe结构450可以包括第一tfe层451、第二tfe层452以及第三tfe层453。
第三扇出布线401可以设置在第一层间绝缘层190上。第三扇出布线401可以在第一层间绝缘层190上的周边区域40中沿着第一方向d1延伸，并且可以电连接到设置在像素区域30中的像素结构400。第三扇出布线401和第二栅电极175可以使用相同材料大致同时形成。例如，第三扇出布线401可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。
第一扇出布线301可以设置在绝缘层结构200上的周边区域40中，并且可以经由通过去除第二层间绝缘层195的位于周边区域40中的一部分而形成的接触孔被电连接到第三扇出布线401。图24的第一扇出布线301可被用作将连接电极330和第三扇出布线401电连接的连接布线。因此，可以减小连接电极330的布线电阻。
另外，参考图25，oled设备100还可以包括辅助扇出布线460。辅助扇出布线460可以包括第三扇出布线401和第四扇出布线402。第二扇出布线302(例如第二导电图案)可以设置在绝缘层结构200上的焊盘区域60中，并且可以经由通过去除第二层间绝缘层195的位于焊盘区域60中的一部分而形成的接触孔被电连接到第四扇出布线402。第二扇出布线302(参见例如图25)可被用作将连接电极330与第四扇出布线402电连接的连接布线。因此，可以进一步减小连接电极330的布线电阻。
图26是示出根据本发明示例性实施例的oled设备的剖视图。参考图26，除了第五扇出布线701之外，oled设备700可以具有与上述oled设备100大致相同或相似的构造。因此，下面可以省略对于与上述要素(例如，参考图3)大致相同或相似的要素的重复描述。
参考图26，oled设备700可以包括基板110、缓冲层115、绝缘层结构200、半导体元件250、像素结构400、扇出布线300(例如导电图案)、第五扇出布线701、钝化层180、第一平坦化层270、第二平坦化层275、连接电极330、布线图案215、连接图案235、像素限定层310以及薄膜封装(tfe)结构450。基板110可以包括像素区域30、周边区域40(例如，位于像素区域30与弯曲区域50之间的周边区域40)、弯曲区域50以及焊盘区域60(参见例如图1a)。另外，绝缘层结构200可以包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190以及第二层间绝缘层195，并且半导体元件250可以包括有源层130、第一栅电极170、第二栅电极175、源电极210以及漏电极230。此外，扇出布线300可以包括第一扇出布线301(例如第一导电图案)和第二扇出布线302(例如第二导电图案)。
第五扇出布线701可以设置在栅极绝缘层150上。第五扇出布线701可以在栅极绝缘层150上的周边区域40中沿着第一方向d1延伸，并且可以电连接到设置在像素区域30中的像素结构400。第五扇出布线701和第一栅电极170可以使用相同材料大致同时形成。例如，第五扇出布线701可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。
第一扇出布线301可以位于绝缘层结构200上的周边区域40中，并且可以经由通过去除第一层间绝缘层190的位于周边区域40中的一部分和第二层间绝缘层195的位于周边区域40中的一部分而形成的接触孔被电连接到第五扇出布线701。图26的第一扇出布线301可被用作将连接电极330与第五扇出布线701电连接的连接布线。因此，可以减小连接电极330的布线电阻。
图27是示出根据本发明示例性实施例的oled设备的剖视图。参考图27，除了绝缘层的形状之外，oled设备900可以具有与上述的oled设备100大致相同或相似的构造。因此，下面可以省略对于与上述要素(例如参考图3)大致相同或相似的要素的重复描述。
参考图27，oled设备900可以包括基板110、缓冲层115、绝缘层结构200、半导体元件250、像素结构400、扇出布线300、钝化层180、第一平坦化层270、第二平坦化层275、连接电极330、布线图案215、连接图案235、像素限定层310以及薄膜封装(tfe)结构450。基板110可以包括第一有机层111、第一阻挡层112、第二有机层113以及第二阻挡层114，并且可以包括像素区域30、周边区域40(例如，位于像素区域30与弯曲区域50之间的周边区域40)、弯曲区域50以及焊盘区域60(参见例如图1a)。另外，绝缘层结构200可以包括栅极绝缘层150、第一层间绝缘层190以及第二层间绝缘层195，并且半导体元件250可以包括有源层130、第一栅电极170、第二栅电极175、源电极210以及漏电极230。此外，扇出布线300可以包括第一扇出布线301和第二扇出布线302，并且像素结构400可以包括下电极290、发光层335以及上电极340。tfe结构450可以包括第一tfe层451、第二tfe层452以及第三tfe层453。
缓冲层115可以设置在基板110上。在本发明的示例性实施例中，缓冲层115可以位于整个基板110上的像素区域30和周边区域40中，并且可以使包括在基板110中的第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面暴露。
绝缘层结构200可以位于缓冲层115上方。在本发明的示例性实施例中，绝缘层结构200可以位于整个基板110上的像素区域30和周边区域40中，并且可以使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面暴露。
钝化层180可以设置在源电极210、漏电极230和扇出布线300上。在本发明的示例性实施例中，钝化层180可以在第二层间绝缘层195上的像素区域30中覆盖源电极210和漏电极230，可以沿着第一方向d1延伸。另外，钝化层180可以在周边区域40和焊盘区域60中覆盖扇出布线300，并且可以使第二有机层113的位于弯曲区域50中的上表面暴露。
作为示例，可以增加弯曲区域50沿着第一方向d1延伸的距离。例如，oled设备900可应用于具有相对较大弯曲半径的弯曲区域50的柔性显示设备。
本发明可应用于包括oled设备的各种显示设备。例如，本发明可以应用于车辆显示设备、船上显示设备、飞机显示设备、便携式通信设备、用于显示或用于信息传递的显示设备、或医疗显示设备。
尽管已经参考本发明的示例性实施例示出和描述了本发明，但是对于本领域的普通技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。