一种微带滤波器的制造方法与流程

文档序号:16053252发布日期:2018-11-24 11:28阅读:191来源:国知局

本发明涉及一种微带滤波器,具体涉及一种微带滤波器的制造方法。



背景技术:

微带滤波器是微波系统中应用较为广泛、非常重要的元件之一,它是微波放大器、振荡器、变频器等电路的重要组成部分。随着现代微波通讯行业的快速发展,小型化、轻量化、高可靠性、高频带的微波器件越来越受重视,薄膜工艺技术因而得到了飞速发展。

现有技术中,使用传统薄膜生产工艺来制作薄膜微带滤波器合格率低,薄膜容易影响滤波器的微波特性。



技术实现要素:

本发明目的在于提供一种微带滤波器的制造方法,解决上述的问题。

本发明通过下述技术方案实现:

一种微带滤波器的制造方法,包括以下步骤:

s1、准备一块p型硅片,在p型硅片上进行硼扩散,制造p+区;

s2、根据滤波器指标设计电路图形;

s3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面;

s4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜;

s5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。

进一步的,一种微带滤波器的制造方法,所述步骤s1和s2之间还包括预处理,所述预处理包括:

对p型硅片进行超声波处理;

在p型硅片的下表面覆盖一层保护膜。

进一步的,一种微带滤波器的制造方法,所述步骤s4还包括:烘干处理,所述烘干处理的温度为50°,时间为30min。

进一步的,一种微带滤波器的制造方法,所述步骤s5中增厚均匀,增厚的厚度为2微米。

本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:

本发明操作方便易掌握,能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率,通过薄膜采用聚四氟乙烯,薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。

实施例1

本实施例一种微带滤波器的制造方法,包括以下步骤:

s1、准备一块p型硅片,在p型硅片上进行硼扩散,制造p+区;

s2、根据滤波器指标设计电路图形;

s3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面;

s4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜;

s5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。所述步骤s5中增厚均匀,增厚的厚度为2微米。

本发明操作方便易掌握,能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率,通过薄膜采用聚四氟乙烯,薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。

实施例2

在实施例1的基础之上,所述步骤s1和s2之间还包括预处理,所述预处理包括:

对p型硅片进行超声波处理;

在p型硅片的下表面覆盖一层保护膜。

实施例3

在实施例1的基础之上,所述步骤s4还包括:烘干处理,所述烘干处理的温度为50°,时间为30min。

以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种微带滤波器的制造方法,包括以下步骤:S1、准备一块P型硅片,在P型硅片上进行硼扩散,制造P+区;S2、根据滤波器指标设计电路图形;S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面;S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜;S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。本发明操作方便易掌握,能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率,通过薄膜采用聚四氟乙烯,薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。

技术研发人员:江文彬;王东;宋旭
受保护的技术使用者:成都旭思特科技有限公司
技术研发日:2018.06.29
技术公布日:2018.11.23
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