一种膜结构及其制作方法与流程

本发明涉及电容薄膜领域，尤其涉及一种膜结构及其制作方法。

背景技术：

电子产品的芯片必需经由封装包裹后才可配置在电子产品中，因此常用的封装材料必需提供高机械强度、耐温度变化、耐冲击、抗腐蚀及氧化等多种特性，以保护芯片。为了使芯片能适当运作及发挥功能，封装材料的选择系很重要的要素之一。常见的封装材料为高分子复合材料，其主要成分为塑料材质，例如环氧树脂，其可并搭配其它材料，例如陶瓷或金属等成分，以调整封装材料的特性。而常见的封装芯片方法则有真空热压成型及网版印刷成型。

真空热压成型系将芯片置入压模具中，并使用粉状、粒状、片状、或团粒状的塑料或金属涂积在芯片上，在真空下经高温高压成型以封装芯片。网版印刷系将在芯片上覆盖网版后，将液状封装材料倒入该网版中，使封装材料硬化后即可封装芯片。

现今，高分子介电电容膜系一种常用的封装材料，特别系封装半导体芯片。由于科技的发展，电子产品越来越小型化，而电子组件也得同步缩小，因此电子电路得有高密度化及高集成化，才可满足电子组件越来越精细的需求。高分子介电电容膜因具有介电常数高的特性，可将用于电子组件中的电容膜小型化，且具有较高的容量，即可满足电子组件精细化的需求。

然而，常用的真空热压成型及网版印刷成型之封装方法，虽然可封装芯片，却存有制程复杂需要清理模具、封装时间长、精密度低及使用大量有机溶剂之问题。主要因素在于使用粉状类封装材料搭配真空热压成型封装芯片时，会使用高温高压成型，而材料经热熔时黏度会瞬间降低，造成材料外溢，因此需要清理模具，精密度为模具公差；而使用液状类封装材料搭配网印刷成型封装芯片时，液状材料因含有有机溶剂，使得网版需常清洗，而制程周期时间长，精密度为网/刮刀公差。

技术实现要素：

本发明的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种膜结构及其制作方法，本产品适用于电容膜，可用于封装芯片，但不限于半导体芯片及指纹辨识芯片，且分为了导电层和绝缘层，实用性强，工艺步骤简单高效。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

1.一种膜结构及其制作方法，包括膜，其特征在于：所述膜包括导电层和绝缘层，所述绝缘层紧密贴合在导电层的另一面，并且不易脱落，所述膜通过以下装置进行制作：包括出膜口、膜处理装置和卷膜轴，所述出膜口设置于膜处理装置的一端，所述卷膜轴设置于膜处理装置的另一端；所述膜处理装置包括导膜辊组件、加工仓装置和粉体喷槽，所述加工仓装置设置于导膜辊组件上；所述导膜辊组件包括导膜辊支架、与导膜辊支架滚动连接的导膜辊和与导膜辊连接的多个电机；所述导膜辊包括依次设置在导膜辊组件上的粗糙导膜辊、第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊；所述加工仓装置包括依次设置于第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊中间的压力仓、加热仓和冷却仓；所述粉体喷槽设置于粗糙导膜辊与第一光滑导膜辊的中间，且通过粉管连接粉仓，所述粉仓内设置有导电粉体；其制作方法包括以下步骤：

1）所述膜从出膜口传出，经过粗糙导膜辊的压力后，导电层表面变为粗糙，粗糙度为ra0.1~0.6；

2）膜经过粗糙导膜辊后，膜的表面受到粉体喷槽内喷洒出的导电粉体覆盖在导电层表面，所述导电粉体细度为纳米级；

3）膜继续导送，经过第一光滑导膜辊时，倒膜辊的压力将膜所覆盖的导电粉体压实，进而做到不易脱落；

4）膜导入至所述压力仓，进行进一步的压实，下一步经过加热仓，对已被压实的导电粉体进行加热至熔点20~30度，使其更好的附着在导电层的表面，再通过过冷却仓对导电粉体进行冷却；

5）冷却后，经第二光滑倒膜辊压力的压实，至卷膜轴，由卷膜轴卷起。

作为优选，所述粗糙导膜辊、第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊均设置有上下两个导膜轴配合工作，且每个导膜轴均对应设置有电机。

作为优选，所述粗糙倒膜辊上下方的两个导膜轴中，上方的导膜轴表面为粗糙表面，粗糙度为ra0.1~0.6。

作为优选，所述导电粉体的为石墨烯粉。

作为优选，所述膜的膜厚为0.2-1nm。

作为优选，所述粉体喷槽所喷洒范围的贴近粗糙压力管方向的边缘设置有遮挡导电粉体的隔挡。

作为优选，所述第二电机与所述多个电机配合转动。

本发明的有益效果是：

本产品适用于电容膜，可用于封装芯片，但不限于半导体芯片及指纹辨识芯片，且分为了导电层和绝缘层，实用性强，工艺步骤简单高效。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明涉及的侧面示意图；

图2是本发明涉及的俯视示意图；

图3是本发明涉及的膜结构示意图；

图中标号说明：1、膜，2、膜处理装置，3、卷膜轴，11、出膜口，21、导膜辊组件，22、加工仓装置，23、粉体喷槽，201、导膜辊支架，202、导膜辊，203、电机，301、导电粉体，501、粗糙导膜辊，502、第一光滑导膜辊，503、第二光滑导膜辊，601、压力仓，602、加热仓，603、冷却仓。

下面结合附图对本发明作进一步的描述：

2.参照图1至图3所示，一种膜结构及其制作方法，包括膜，其特征在于：所述膜包括导电层和绝缘层，所述绝缘层紧密贴合在导电层的另一面，并且不易脱落，所述膜通过以下装置进行制作：包括出膜口、膜处理装置和卷膜轴，所述出膜口设置于膜处理装置的一端，所述卷膜轴设置于膜处理装置的另一端；所述膜处理装置包括导膜辊组件、加工仓装置和粉体喷槽，所述加工仓装置设置于导膜辊组件上；所述导膜辊组件包括导膜辊支架、与导膜辊支架滚动连接的导膜辊和与导膜辊连接的多个电机；所述导膜辊包括依次设置在导膜辊组件上的粗糙导膜辊、第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊；所述加工仓装置包括依次设置于第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊中间的压力仓、加热仓和冷却仓；所述粉体喷槽设置于粗糙导膜辊与第一光滑导膜辊的中间，且通过粉管连接粉仓，所述粉仓内设置有导电粉体；其制作方法包括以下步骤：

6）所述膜从出膜口传出，经过粗糙导膜辊的压力后，导电层表面变为粗糙，粗糙度为ra0.1~0.6；

7）膜经过粗糙导膜辊后，膜的表面受到粉体喷槽内喷洒出的导电粉体覆盖在导电层表面，所述导电粉体细度为纳米级；

8）膜继续导送，经过第一光滑导膜辊时，倒膜辊的压力将膜所覆盖的导电粉体压实，进而做到不易脱落；

9）膜导入至所述压力仓，进行进一步的压实，下一步经过加热仓，对已被压实的导电粉体进行加热至熔点20~30度，使其更好的附着在导电层的表面，再通过过冷却仓对导电粉体进行冷却；

10）冷却后，经第二光滑倒膜辊压力的压实，至卷膜轴，由卷膜轴卷起。

作为优选，所述粗糙导膜辊、第一光滑导膜辊和第二光滑导膜辊均设置有上下两个导膜轴配合工作，且每个导膜轴均对应设置有电机。

作为优选，所述粗糙倒膜辊上下方的两个导膜轴中，上方的导膜轴表面为粗糙表面，粗糙度为ra0.1~0.6。

作为优选，所述导电粉体的为石墨烯粉。

作为优选，所述膜的膜厚为0.2-1nm。

作为优选，所述粉体喷槽所喷洒范围的贴近粗糙压力管方向的边缘设置有遮挡导电粉体的隔挡。

作为优选，所述第二电机与所述多个电机配合转动。

具体实施例：

使用者使用本发明，一种膜结构及其制作方法，使用者启动此膜处理装置，此时电机开始工作，带动导膜辊和卷膜轴配合转动，膜从出膜口传出，经过粗糙导膜辊的压力后，导电层表面变为粗糙，粗糙度为ra0.1~0.6，经过粗糙导膜辊后，膜的表面受到粉体喷槽内喷洒出的导电粉体覆盖在导电层表面，所述导电粉体细度为纳米级，膜继续导送，经过第一光滑导膜辊时，倒膜辊的压力将膜所覆盖的导电粉体压实，进而做到不易脱落，之后导入至所述压力仓，进行进一步的压实，下一步经过加热仓，对已被压实的导电粉体进行加热至熔点20~30度，使其更好的附着在导电层的表面，再通过过冷却仓对导电粉体进行冷却后，再通过第二光滑倒膜辊压力的压实后，连接至卷膜轴，由卷膜轴卷起，完成使用。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。