一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备及方法与流程

本发明涉及微机电系统技术领域，特别是涉及一种mems晶圆表面颗粒去除设备及一种去除mems晶圆表面颗粒的方法。

背景技术

mems(micro-electro-mechanicalsystem，微机电系统)是一种基于微电子技术和微加工技术而产生的一种高科技领域。mems技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元，所集成出来的微型单元也可以称为mems芯片。

在制作mems芯片时，有两个重要的步骤，其一是需要将mems晶圆释放，所述mems晶圆即表面设置有mems结构的晶圆，该步骤是要在晶圆上形成具有一定功能的微型结构。在释放之后，通常情况下会在晶圆表面引入表面颗粒。所述表面颗粒包括但不限于颗粒、金属杂质、有机物污染及氧化物、能粘附在晶圆表面的小物体、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等，引入表面颗粒后通常危害mems芯片的成品率以及电学性能等。

在现有技术中，对mems晶圆进行清洗主要有两种方法，一种是使用溶剂对mems晶圆进行清洗的湿法清洗；另一种是使用等离子体轰击晶圆，以与晶圆表面的颗粒发生反应生成挥发性气体的干法清洗。但是在现有技术中，无论是湿法清洗还是干法清洗，均容易破坏mems晶圆表面的mems结构，从而使得降低mems芯片的产率。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种mems晶圆表面颗粒去除设备，可以在不破坏晶圆表面mems结构的前提下有效去除晶圆表面的表面颗粒；本发明的另一目的在于提供一种去除mems晶圆表面颗粒的方法，可以在不破坏晶圆表面mems结构的前提下有效去除晶圆表面的表面颗粒。

为解决上述技术问题，本发明提供一种mems晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；

所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。

可选的，所述设备还包括离子风机；

所述离子风机的出风口朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述离子风机向所述晶圆吹扫离子风。

可选的，所述晶圆贴合于所述薄膜的下表面，所述气体喷射装置位于所述扩晶环下方。

可选的，所述气体喷射装置包括至少一条气体喷射管；

所述气体喷射管的轴向方向与所述扩晶环的径向方向相互平行；所述气体喷射管表面设置有至少两个所述气体喷嘴，多个所述气体喷嘴沿所述气体喷射管轴向方向分布。

可选的，所述气体喷射管表面设置有至少三个所述气体喷嘴，相邻两个所述气体喷嘴的间距沿所述气体喷射管中气体流动方向依次减小。

可选的，所述气体喷射管表面设置有至少两个所述气体喷嘴，所述气体喷嘴的直径沿所述气体喷射管中气体流动方向依次增加。

可选的，所述气体喷射装置还包括表面固定有所述气体喷射管的固定平台和旋转电机；

所述旋转电机的输出轴与所述固定平台固定连接，所述旋转电机用于驱动所述固定平台沿所述固定平台的周向方向旋转。

可选的，所述设备还包括振动台；

所述振动台与所述扩晶环固定连接，所述振动台用于带动所述扩晶环振动。

可选的，所述设备还包括外壳体，所述扩晶环与所述外壳体固定连接，所述气体喷射装置和所述振动台设置于所述外壳体的内腔中；其中，所述振动台与所述外壳体固定连接。

本发明还提供了一种去除mems晶圆表面颗粒的方法，包括：

通过薄膜将释放后的晶圆固定于扩晶环；

通过气体喷射装置的气体喷嘴向所述晶圆喷气，以去除所述晶圆表面的表面颗粒。

本发明所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将mems晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的mems结构产生破坏，从而可以提高mems芯片的产率。

本发明还提供了一种去除mems晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；

图2为图1中设置有晶圆的扩晶环的结构示意图；

图3为本发明实施例所提供的一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；

图4为图3中气体喷射管的第一种结构示意图；

图5为图3中气体喷射管的第二种结构示意图；

图6为本发明实施例所提供的另一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；

图7为本发明实施例所提供的再一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的一种去除mems晶圆表面颗粒方法的流程图。

图中：1.晶圆、2.薄膜、3.扩晶环、40.气体喷射装置、4.旋转电机、5.气体喷射管、6.固定平台、7.离子风机、8.振动台。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种mems晶圆表面颗粒去除设备。在现有技术中，对mems晶圆进行清洗主要有两种方法，一种是湿法清洗，另一种是干法清洗。其中湿法清洗会使用化学溶剂直接接触以及冲击晶圆表面的mems结构，从而可能破坏晶圆表面的mems结构；干法清洗会使用高能的等离子体轰击晶圆表面的mems结构，极易导致mems结构应力发生变化，破坏mems结构，从而导致mems芯片的产率偏低。

而本发明所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将mems晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的mems结构产生破坏，从而可以提高mems芯片的产率。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1与图2，图1为本发明实施例所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图2为图1中设置有晶圆的扩晶环的结构示意图。

参见图1，在本发明实施例中，mems晶圆表面颗粒去除设备包括用于固定表面贴合有晶圆1的薄膜2的扩晶环3和气体喷射装置40；所述气体喷射装置40的气体喷嘴朝向所述扩晶环3中设置所述晶圆1的区域，以使所述气体喷射装置40向所述晶圆1喷气。

所谓mems晶圆1即表面具有mems结构的晶圆1，当对晶圆1切割完成之后，mems晶圆1由多个mems芯片构成。有关mems晶圆1的具体结构可以参照现有技术中，在本发明实施例中并不做具体限定。通常情况下，晶圆1中设置有mems结构的表面为晶圆1的正面；相应的晶圆1中未设置有mems结构的表面为晶圆1的背面。

参见图2，上述扩晶环3用于固定完成释放且完成扩膜的晶圆1，即固定在扩晶环3中的晶圆1通常由多个彼此分离的mems芯片构成。通常情况下，会先将切割好的晶圆1背面贴附薄膜2；再通过扩膜机扩膜，即拉伸薄膜2，从而带动贴附在薄膜2表面中各个mems芯片彼此分离；最后通过扩晶环3固定薄膜2以及固定扩膜后的晶圆1。有关扩晶环3的具体结构可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。

上述气体喷射装置40的气体喷嘴需要朝向扩晶环3中设置晶圆1的区域，即上述气体喷嘴需要朝向在扩晶环3中所固定的晶圆1。需要说明的是，上述喷气装置需要向晶圆1喷气，即上述晶圆1以及喷气装置通常需要位于扩晶环3中薄膜2的同一侧，例如若晶圆1固定在薄膜2的上表面，此时气体喷射装置40通常也位于薄膜2的上方，同时气体喷嘴会朝向下指向晶圆1，从而使得气体喷射装置40可以向晶圆1喷气。

上述在工作状态时向晶圆1喷射的气体需要为无毒高纯气体，通常情况下气体喷射装置40会在工作状态下通过气体喷嘴向晶圆1喷射氮气，从而吹走附着在晶圆1表面的表面颗粒。当然，上述气体喷射装置40也可以喷射其他种类的气体，例如空气等等，有关上述气体喷射装置40所喷射气体的具体种类可以根据实际情况自行设定，在本发明实施例中并不做具体限定。需要说明的是，当上述气体喷射装置40喷射的气体为空气时，通常需要先对被喷射的空气进行干燥过滤。

在本发明实施例中，上述气体喷嘴与晶圆1之间的距离通常在10mm至50mm之间，包括端点值。即上述气体喷嘴与晶圆1之间的距离可以恰好为10mm或50mm。上述气体喷嘴与晶圆1之间的角度可以是在0°至180°之间，即只要保证气体喷射装置40可以通过气体喷嘴向晶圆1喷射气体即可。当气体喷射装置40在工作状态下向晶圆1喷射氮气时，上述氮气的压力通常在0psi至100psi之间可调，以保证向晶圆1喷射的氮气可以在清除晶圆1表面的表面颗粒的同时，不破坏晶圆1表面的mems结构。有关气体喷射装置40的具体结构将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

为了保证有效去除晶圆1表面的表面颗粒，作为优选的，所述晶圆1贴合于所述薄膜2的下表面，所述气体喷射装置40位于所述扩晶环3下方。晶圆1贴合于薄膜2的下表面，且气体喷射装置40位于扩晶环3下方，意味着此时晶圆1的正面朝向下，相比于将晶圆1正面朝向上，将晶圆1正面朝向下设置可以有效避免气体喷射装置40在吹走晶圆1表面的表面颗粒之后，表面颗粒二次落在晶圆1表面。即将晶圆1正面朝向下设置可以有效避免表面颗粒对晶圆1造成二次污染。

本发明实施例所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆1的薄膜2的扩晶环3和气体喷射装置40；所述气体喷射装置40的气体喷嘴朝向所述扩晶环3中设置所述晶圆1的区域，以使所述气体喷射装置40向所述晶圆1喷气。在工作状态时，气体喷射装置40可以朝安装在扩晶环3中的晶圆1吹气，通过气流可以有效将mems晶圆1表面的表面颗粒吹离晶圆1表面，从而有效去除晶圆1表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆1表面喷射气体，几乎不会对晶圆1表面的mems结构产生破坏，从而可以提高mems芯片的产率。

有关上述气体喷射装置40的具体结构将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图3，图4和图5，图3为本发明实施例所提供的一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图4为图3中气体喷射管的第一种结构示意图；图5为图3中气体喷射管的第二种结构示意图。

区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对气体喷射装置40的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图3，在本发明实施例中，所述气体喷射装置40包括至少一条气体喷射管5；所述气体喷射管5的轴向方向与所述扩晶环3的径向方向相互平行；所述气体喷射管5表面设置有至少两个所述气体喷嘴，多个所述气体喷嘴沿所述气体喷射管5轴向方向分布。

上述气体喷射管5中流动有需要向晶圆1喷射的气体，在工作状态时，气体喷射管5中的气体会通过分布在气体喷射管5表面的气体喷嘴向晶圆1喷射，从而吹走晶圆1表面的表面颗粒。为了增加向晶圆1表面喷气的面积，通常情况下气体喷射管5的轴向方向会与扩晶环3的径向方向相互平行，同时在气体喷射管5表面设置有至少两个气体喷嘴，多个气体喷嘴沿气体喷射管5轴向方向分布。当然，在本发明实施例中对于气体喷射管5具体设置的数量并不做具体限定，视具体情况而定。

作为优选的，为了方便气体喷射管5所喷射出的气体可以从多个角度作用于晶圆1表面的表面颗粒，在本发明实施例中所述气体喷射装置40还包括表面固定有所述气体喷射管5的固定平台6和旋转电机4；所述旋转电机4的输出轴与所述固定平台6固定连接，所述旋转电机4用于驱动所述固定平台6沿所述固定平台6的周向方向旋转。

上述固定平台6用于固定气体喷射管5，通常情况下气体喷射管5固定于固定平台6的上表面，即固定平台6用于承载上述气体喷射管5。同时旋转电机4的输出轴与固定平台6固定连接，上述旋转电机4可以驱动固定平台6沿固定平台6的周向方向旋转，从而带动固定在固定平台6表面的气体喷射管5旋转，从而使得气体喷射管5所喷射出的气体可以从多个角度作用于晶圆1表面的表面颗粒。在本发明实施例中，通常情况下旋转电机4的旋转速度可以在0rpm至600rpm的范围内可调。

通常情况下，在气体喷射管5中沿气体流动方向气压会逐步减小，相应的沿气体流动方向分布的多个气体喷嘴所喷出的气体会逐步减少。为了使得气体喷射管5所喷射出气体的量更加的均匀，下面将提供两种具体的气体喷射管5的结构示意图。

第一种：参见图4，在本发明实施例中，所述气体喷射管5表面设置有至少三个所述气体喷嘴，相邻两个所述气体喷嘴的间距沿所述气体喷射管5中气体流动方向依次减小。需要说明的是，在本方案中，气体喷嘴的直径通常均相等。

还需要说明的是，气体喷射管5的轴向方向与气体喷射管5中气体流动方向通常一致。上述相邻两个气体喷嘴的间距沿气体喷射管5中气体流动方向依次减小，即沿气体喷射管5中气体流动方向，气体喷嘴分布的密度逐步增大。通过增大气体喷嘴分布的密度可以有效补充气体喷射管5中沿气体流动方向所减少的气体喷射的量；即增加气体喷嘴分布密度所增加的气体喷射的量与气体喷射管5中沿气体流动方向所减少的气体喷射的量可以形成互补，从而使得气体喷射管5所喷射出气体的量更加的均匀。

第二种：参见图5，在本发明实施例中，所述气体喷射管5表面设置有至少两个所述气体喷嘴，所述气体喷嘴的直径沿所述气体喷射管5中气体流动方向依次增加。需要说明的是，在本方案中，通常情况下相邻气体喷嘴的间距通常均相等。

上述气体喷嘴的直径沿气体喷射管5中气体流动方向依次增加，即沿气体喷射管5中气体流动方向，气体喷嘴所喷出气体的量逐步增大。通过增大气体喷嘴的直径可以有效补充气体喷射管5中沿气体流动方向所减少的气体喷射的量；即增加气体喷嘴直径所增加的气体喷射的量与气体喷射管5中沿气体流动方向所减少的气体喷射的量可以形成互补，从而使得气体喷射管5所喷射出气体的量更加的均匀。

本发明实施例所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备，具体提供两种气体喷射管5的具体结构，可以使得气体喷射管5所喷射出气体的量更加的均匀；设置有用于驱动气体喷射管5旋转的旋转电机4，可以驱动气体喷射管5所喷射出的气体从多个角度作用于晶圆1表面的表面颗粒。

为了进一步的清除晶圆1表面的表面颗粒，本发明所提供的mems晶圆表面颗粒去除设备还可以包括离子风机7以及振动台8，详细内容将在下述发明实施例中做详细介绍。

请参考图6以及图7，图6为本发明实施例所提供的另一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图；图7为本发明实施例所提供的再一种具体的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构示意图。

区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对mems晶圆表面颗粒去除设备的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。

参见图6，在本发明实施例中，mems晶圆表面颗粒去除设备还包括离子风机7；所述离子风机7的出风口朝向所述扩晶环3中设置所述晶圆1的区域，以使所述离子风机7向所述晶圆1吹扫离子风。

上述离子风机7可以喷射出离子风，所谓离子风即被电离的气流，在离子风中富含有大量的正、负离子。上述离子风机7的出风口朝向扩晶环3中设置晶圆1的区域，使得在工作状态时，可以向晶圆1吹扫离子风，由于离子风中富含有大量的正、负离子，使得离子风可以有效消除晶圆1表面的静电，从而避免晶圆1受到静电损伤。同时，离子风还可以中和晶圆1表面附着的表面颗粒所带静电，降低表面颗粒对晶圆的吸附力，以便于上述气体喷射装置40将表面颗粒从晶圆1表面吹走。有关离子风机7的具体结构可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。

参见图7，在本发明实施例中，mems晶圆表面颗粒去除设备还包括振动台8；所述振动台8与所述扩晶环3固定连接，所述振动台8用于带动所述扩晶环3振动。

上述振动台8与扩晶环3固定连接，振动台8可以发生振动，并带动扩晶环3振动，以便在工作状态时带动通过扩晶环3固定的晶圆1振动，从而将表面颗粒从晶圆1的表面抖落，进而清除晶圆1表面的表面颗粒。在本发明实施例中，上述振动台8通常可以分别沿水平方向以及竖直方向两个方向振动，从而可以在工作状态下带动晶圆1朝水平方向以及竖直方向两个方向振动，从而更加有效的去除晶圆1表面的表面颗粒。上述振动台8的振动频率通常在0hz至5000hz之间可调；上述振动台8的振动幅度通常在0.5mm至5mm之间可调。当然，在本发明实施例中对于振动台8具体的振动方向、振动频率、振动幅度、振动时间均不作具体限定，视具体情况而定。

通常情况下，在本发明实施例中，mems晶圆表面颗粒去除设备还包括外壳体，所述扩晶环3与所述外壳体固定连接，所述气体喷射装置40和所述振动台8设置于所述外壳体的内腔中；其中，所述振动台8与所述外壳体固定连接。

通常情况下，由于上述气体喷射装置40以及离子风机7均是依靠气流作用于固定在扩晶环3中的晶圆1，相应的在本设备中需要具有一外壳体，从而避免外界环境中气流在工作状态时对晶圆1产生影响。通常情况下，上述扩晶环3具体是通过卡扣与上述外壳体固定连接。需要说明的是，为了防止振动台8对气体喷射装置40以及离子风机7造成损坏，需要防止振动台8与气体喷射装置40以及离子风机7相互连接，即本发明实施例所提供的mems晶圆表面颗粒去除设备通常具有两套支撑结构，其中一套为上述外壳体，扩晶环3与振动台8会与外壳体固定连接；而上述气体喷射装置40与离子风机7会通过另一套直接结构固定在外壳体的内腔中，上述两套支撑结构彼此分离，从而保证在工作状态时气体喷射装置40与离子风机7不会随振动台8的振动而振动，从而可以保证气体喷射装置40与离子风机7气压的稳定，延长设备使用寿命。还需要说明的是，上述气体喷射装置40、振动台8以及离子风机7分别具有独立的控制装置，即通常情况下可以单独的控制气体喷射装置40、振动台8以及离子风机7中的任意一个或任意组合进行工作，以适应不同的工作环境。

本发明实施例所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备，通过离子风机7可以有效去除晶圆1表面的静电，以防止晶圆1受到静电损伤同时，离子风还可以中和晶圆1表面附着的表面颗粒所带静电，降低表面颗粒对晶圆的吸附力，以便于上述气体喷射装置40将表面颗粒从晶圆1表面吹走；通过振动台8可以在工作状态时带动晶圆1振动，从而有效的去除晶圆1表面的表面颗粒。

下面对本发明所提供的一种去除mems晶圆表面颗粒的方法进行介绍，本发明实施例所提供的去除表面颗粒的方法主要用于使用上述mems晶圆表面颗粒去除设备，有关mems晶圆表面颗粒去除设备的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。下文描述的去除表面颗粒的方法与上述描述的mems晶圆表面颗粒去除设备的结构可以相互对应参照。

请参考图8，图8为本发明实施例所提供的一种去除mems晶圆表面颗粒方法的流程图。

参见图8，在本发明实施例中，去除mems晶圆表面颗粒的方法包括：

s101：通过薄膜将释放后的晶圆固定于扩晶环。

在本步骤之前，通常会先对晶圆进行半切割。所谓半切割，即仅仅切割预设厚度的晶圆，而不会将整个晶圆完全切割透。通常情况下，在进行半切割时，会切割整个晶圆厚度的60％至80％，相应的会预留有晶圆厚度的20％至40％不切割，从而使得整个晶圆还是一个整体。

在半切割完成之后，通常会对晶圆进行结构释放，已在晶圆表面形成mems结构。在结构释放完成后，通常会利用贴膜机在晶圆的背面贴膜；贴膜完成后会利用裂片装置将晶圆裂开，确保构成晶圆的mems芯片彼此分离；最后通过扩膜机使得晶圆扩散开来，通常情况下在扩膜完成之后，构成晶圆的相邻mems芯片之间的距离会在50μm至200μm之间，并用扩晶环将扩膜完成后的晶圆固定。即在本步骤中，通常情况下通过扩晶环固定的晶圆是经过结构释放，且经过扩膜机将构成晶圆的mems芯片相互分离的晶圆。通常情况下，在本步骤中会将晶圆的正面朝向下的设置在mems晶圆表面颗粒去除设备中。上述晶圆的正面即晶圆中形成有mems结构的表面。

s102：通过气体喷射装置的气体喷嘴向晶圆喷气，以去除晶圆表面的表面颗粒。

在本步骤中，会通过气体喷射装置向晶圆喷射气流，从而去除晶圆表面的表面颗粒。有关气体喷射装置的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

当mems晶圆表面颗粒去除设备中设置有离子风机时，在本发明实施例中还可以通过离子风机的出风口向所述晶圆吹扫离子风，以消除所述晶圆表面和晶圆表面附着的表面颗粒的静电。

当mems晶圆表面颗粒去除设备中设置有振动台时，在本发明实施例中还可以通过与所述扩晶环固定连接的振动台带动所述晶圆振动，以去除所述晶圆表面的颗粒。有关上述离子风机以及振动台的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。

在本步骤之后，需要先将晶圆从扩晶环中取出，再通过光学检测设备挑选出合格的mems芯片，最后通过芯片分选设备将合格的mems芯片放入芯片储存盒中进入后续的封装工序。有关具体的封装工序可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。

本发明实施例所提供的一种去除mems晶圆表面颗粒的方法，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将mems晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的mems结构产生破坏，从而可以提高mems芯片的产率。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(ram)、内存、只读存储器(rom)、电可编程rom、电可擦除可编程rom、寄存器、硬盘、可移动磁盘、cd-rom、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种mems晶圆表面颗粒去除设备及方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。