本发明属于芯片加工领域，具体涉及一种不同尺寸的芯片切割方法。
背景技术：
晶圆切割是半导体芯片制造流程中必不可少的一道工序，用于将做好芯片的晶圆分成单个的芯片（晶粒），在晶圆制造中属于后道工序。在芯片的开发阶段，为测试不同尺寸的芯片性能，往往需要设计多个尺寸的芯片，甚至是不同形状的芯片，但传统生产方法中一片晶圆只包含一种尺寸的芯片，而通过多片晶圆得到多个尺寸的芯片很显然会造成浪费，不规则的形状也会为切割带来困难。此外，刀片切割作为最经济常见的切割方式仍然占据半导体芯片市场主要地位，刀片切割以撞击的方式将晶圆敲碎，再利用刀口将粉末移除，易发生晶圆边缘崩裂及破损，切割宽度较宽，且需要频繁更换刀片，成本高，只能切出方形晶圆，不同尺寸的芯片只能依赖于排版方式。隐形切割属于无接触式加工，直接将硅材料汽化，可切割较薄的晶圆，但激光完全切割耗时长，造价昂贵，虽然能够设计切割路径，实现各个形状切割，但需编程才能实现。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提出一种不同尺寸的芯片切割方法，实现同一晶圆上不同尺寸和形状的芯片切割，解决芯片崩边破碎等问题。
本发明采用如下技术方案，一种不同尺寸的芯片切割方法，包括以下步骤：
一种不同尺寸的芯片切割方法，包括以下步骤：
1）在晶圆上形成目标区域的掩膜；目标区域可以为任意尺寸，任意形状；
2）将步骤1）处理过的晶圆固定于操作台上；
3）进行干法刻蚀，形成深沟槽，去除未被掩膜覆盖的部分；
4）去除掩膜；
5）取下具有深沟槽的晶圆，用替代材料填充深沟槽；
6）对晶圆背面进行研磨直至沟槽处的替代材料露出；
7）去除替代材料，完成芯片切割。
优选地，所述操作台通过陶瓷吸盘固定晶圆。
优选地，所述操作台通过晶圆切割胶带固定晶圆。
优选地，所述掩膜为光刻胶。
优选地，所述干法刻蚀为深反应离子体刻蚀。
优选地，在所述步骤6）前，在晶圆正面贴上保护膜，步骤6）之后去除保护膜。
优选地，所述步骤7）中通过清洗剂溶解替代材料，然后进行甩干。
发明所达到的有益效果：本发明是一种不同尺寸的芯片切割方法，实现同一晶圆上不同尺寸和形状的芯片切割，解决芯片崩边破碎等问题。本发明简单高效，能够实现所有芯片的一次性分离，减少了晶圆的生产数量，降低了成本，缩短了晶圆制造时间，也即加速了开发进程；同时实现了不同尺寸和不同形状的芯片的分离，避免了切割过程可能出现的晶圆破碎问题。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案作进一步阐述。
本发明采用如下技术方案，一种不同尺寸的芯片切割方法，包括以下步骤：
1）在晶圆上形成目标区域的掩膜；目标区域可以为任意尺寸，任意形状；
2）将步骤1）处理过的晶圆固定于操作台上；
3）进行干法刻蚀，形成深沟槽，去除未被掩膜覆盖的部分；
4）去除掩膜；
5）取下具有深沟槽的晶圆，用替代材料填充深沟槽；替代材料用于支撑深沟槽，避免研磨过程对晶圆的压力导致晶圆崩裂
6）对晶圆背面进行研磨直至沟槽处的替代材料露出；
7）去除替代材料，完成芯片切割。
作为一种较佳的实施例，所述操作台通过陶瓷吸盘固定晶圆。
作为一种较佳的实施例，所述操作台通过晶圆切割胶带固定晶圆。
作为一种较佳的实施例，所述掩膜为光刻胶。
作为一种较佳的实施例，所述干法刻蚀为深反应离子体刻蚀。
作为一种较佳的实施例，在所述步骤6）前，在晶圆正面贴上保护膜，步骤6）之后去除保护膜，将保护膜覆盖于晶圆正面，在研磨过程中，保护膜能够保护晶圆正面不被磨损。
作为一种较佳的实施例，所述步骤7）中通过清洗剂溶解替代材料，然后进行甩干。
上述实施例，能够实现本发明，需要说明的是，基于上述方法，为解决同样的技术问题，在本发明的基础上做出的一些无实质性的改动，其实质仍与本发明相同，故应在本发明的保护范围内。