1.一种具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；
接触层上设有脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方设有绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方设有上电极层。
2.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，绝缘层的空断间隔与掩盖层的水平方向间隔位于同一竖直方向上。
3.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述掩盖层为sio2或者si3n4，掩盖层的厚度为50-100nm，掩盖层的水平方向的间隔宽度为50-200um。
4.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，缓冲层的厚度为1-2um。
5.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述缓冲层与衬底的材料相同。
6.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述绝缘层的材料为sio2或si3n4，厚度为50-200nm。
7.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，脊型结构凸部顶端的绝缘层空断间隔的宽度为50-200um。
8.一种制备权利要求1-7任意一项权利要求所述具有双面电流限制结构的半导体激光器的制备方法，包括步骤如下：
(1)在衬底上方生长一层掩盖层，垂直于激光器腔面方向腐蚀出周期分布的掩盖层长条；
(2)将带有周期分布掩盖层的衬底放入气相外延炉中，使用气相外延的方法在图形衬底上依次外延生长缓冲层及激光器外延层，外延层包括下包层、有源层、上包层和接触层；
(3)从接触层开始腐蚀出脊型结构，脊型结构的凹部下陷至上包层；
(4)在晶片接触层脊型结构的上方生长一层绝缘层，并去掉脊型结构凸部顶端一定宽度的绝缘层，形成绝缘层的空断间隔；
(5)减薄衬底背面至厚度80-120μm，在绝缘层上表面蒸镀上电极层，在衬底下表面蒸镀下电极层，并进行合金；
(6)经过巴条解理及镀膜，在掩盖层的间隔中心处解离成单颗芯片，形成具有双面电流限制结构的半导体激光器。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，掩盖层水平方向上的周期宽度与单颗芯片水平方向上的周期宽度一致。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，单颗芯片水平方向上的周期宽度为300-500um。