半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及半导体装置的制造方法。特别涉及使用了阻挡件(レジスト)的半导体装置的制造方法。

背景技术：

近年来为了推进兼顾半导体元件的高密度化和电极端子的多引脚化(多ピン化)，谋求半导体元件的电极端子的窄间距化、面积缩小化。通常，在倒装芯片安装中，在系统lsi、存储器、cpu等半导体元件的电极端子上形成焊料凸块等突起电极，将该半导体元件以面朝下的方式相对于安装基板的连接端子压接/加热而凸块连接，从而进行安装。

作为在半导体元件的电极端子上形成焊料凸块的方法，采取通过丝网印刷、分给、电解电镀而在电极上形成焊料后，通过回流炉加热至焊料熔点以上而形成突起状的焊料凸块的方法。

但是，近年对电极间的窄间距化的要求变得非常严格，因此，在倒装芯片安装时的加热工序中，产生了熔融的焊料发生变形，产生因焊料的表面张力而产生焊料凸块彼此相连的焊料桥接不良这样的问题。

因此，提出了如下方法，使用例如由金、铜等构成的前端尖细的微细金属凸块，在面朝下安装工序中使前端塑性变形，通过固相扩散进行接合。根据该方法，前端尖细的微细金属凸块在倒装芯片时不熔融，因此能够防止桥接产生，能够应对窄间距化。

作为形成前端尖细的微细金属凸块的方法，有喷射微粒子和载气而堆积金属微粒子的气体沉积法(例如，参照专利文献1)。图5是示意性地表示专利文献1所记载的实施例的微细金属凸块形成方法的剖视图。

如图5的(a)所示在基板110形成有电极112，电极112被由树脂构成的掩模层130覆盖。在掩模层130形成有凹部134，以使电极112的规定部位露出。该凹部134的开口形状为圆形形状。

接下来，如图5的(b)所示，在将基板110载置在金属板上的状态下，将基板110载置在气体沉积装置的真空气氛中，将使金属蒸发而得到的金属微粒子与载气一起从喷嘴125向电极112的露出面上喷射，利用堆积在规定部位的气体沉积法形成微细的金属凸块。

若从喷嘴125持续喷射金属微粒子，则如图5的(c)以及图5的(d)所示，形成在直线状的凹部134的底面的电极112堆积的金属凸块114a，并且，堆积在掩模层130上的金属膜132的前端从直线状的凹部134的开口边缘往上推，直线状的凹部134的开口部也变窄。因此，堆积在电极112的露出面上的金属微粒子量也从直线状的凹部134的内周缘朝向中心逐渐减少，形成圆锥台状的金属凸块114a。

进而，若持续喷射金属微粒子，则如图5的(e)所示那样，通过堆积在掩模层130上的金属膜132的前端部，直线状的凹部134的开口部被完全闭塞。此时，在直线状的凹部134的底面露出的电极112的露出面上，不与金属膜132接触地独立地形成圆锥状的金属凸块114。

接下来，停止从喷嘴125喷射金属粒子和载气，如图5的(f)所示那样，在保持圆锥状的金属凸块114的形状的状态下，从气体沉积装置取出基板110，从基板110的一面侧机械地剥离掩模层130以及金属膜132。其结果是，沿基板110的外周缘形成金属凸块114。

根据该实施方式，能够提供一种能够在形成于基板的一面侧的金属部件的规定部位稳定地在工业上形成微细的金属凸块的微细金属凸块的形成方法。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4826924号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

然而，在现有的方法中，为了形成圆锥状的金属凸块，必须对每一个凸块从喷嘴向电极部喷射金属微粒子和载气。为了对多引脚且大口径的晶圆形成多个凸块，需要使晶圆整个面扫描而进行金属微粒子和载气的喷射，因此，存在需要较长的生产时间的问题。进而，由于难以控制为晶圆整个面的多个开口部中喷射的气体流量均匀，因此，存在凸块的形状产生偏差的问题。

进而，由于堆积的金属膜132与掩模层130同时被剥离，因此，需要废弃或者回收由金、白金等昂贵的金属构成的金属膜132，还存在生产成本提高的问题。

本发明借鉴上述问题，其目的在于提供一种在推进多引脚化、大口径化的半导体元件中，在短的生产时间内确保稳定的形状，进而能够以低成本制造的微小突起电极的形成方法。

用于解决课题的手段

在本发明的一个方式的半导体装置的制造方法中，具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，以使得覆盖所述电极焊盘面；开口工序，对在所述电极焊盘面上的所述阻挡件进行开口，以使得所述电极焊盘面从所述阻挡件露出；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。

本发明的另一个方式的半导体装置的制造方法具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，在所述电极焊盘面上形成所述阻挡件的开口，以使得所述电极焊盘面露出；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。

发明效果

根据本发明的半导体装置的制造方法，在推进多引脚化、大口径化的半导体元件中，能够以低成本提供高生产率并且形状稳定的微小突起电极。

附图说明

图1的(a)～(g)是说明本发明的实施方式1中的半导体装置的制造方法的剖视图。

图2的(a)是示意性地表示实施方式1中的纳米压印模具的立体图，图2的(b)是示意性地表示实施方式1中的通过纳米压印模具形成有多个凸块的半导体装置的立体图。

图3的(a)～(f)是表示本发明的实施方式2中的半导体装置的制造方法的剖视图。

图4的(a)～(j)是说明本发明的实施方式3中的半导体装置的制造方法的剖视图。

图5的(a)～(f)示意性地表示专利文献1所记载的实施例的微细金属凸块形成方法的剖视图。

符号说明

1：半导体元件，2：电极焊盘，3：阻挡件，3a：开口部，3b：开口部，4：识别标记，5：纳米压印模具，5a：突起部，5b：突起部，6：显影液，7：晶种层，8：凸块，8a：头顶部，8b：台座部，10：挥发性的树脂层，13：阻挡件，13a：阻挡件，13b：阻挡件，14：识别标记，110：基板，112：电极，114：金属凸块，114a：金属凸块，125：喷嘴，130：掩模层，132：金属膜，134：凹部。

具体实施方式

本发明的一个方式的半导体装置的制造方法具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，以使得覆盖所述电极焊盘面；开口工序，对在所述电极焊盘面上的所述阻挡件进行开口，以使得从所述阻挡件露出所述电极焊盘面；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。

在所述开口工序中，可以通过将纳米压印的转印模具加压至所述阻挡件而形成所述开口。

在所述开口工序中，可以将所述开口形成为所述阻挡件的所述开口的底部部分比入口部分扩大。

在所述阻挡件工序前，具有在所述电极焊盘面上形成树脂层的工序，在所述阻挡件工序中，对所述半导体元件的所述第一面供给所述阻挡件，以使得覆盖形成在所述电极焊盘面上的所述树脂层，在所述开口工序中，除去在所述电极焊盘面上的所述阻挡件以及所述树脂层而形成所述开口，以使得所述电极焊盘面露出。

在所述开口工序中，可以在对所述树脂层上的所述阻挡件进行开口以使得所述树脂层露出后，通过所述开口除去所述树脂层而在所述电极焊盘面上形成所述阻挡件的所述开口。

在所述开口工序中，可以在所述阻挡件的所述开口内注入不超过所述开口的深度的量的溶解液，对所述阻挡件的所述开口的内壁进行溶解，使所述阻挡件的所述开口的底部部分比入口部分扩大。

本发明的又一个方式的半导体装置的制造方法具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，在所述电极焊盘面上形成所述阻挡件的开口，以使得所述电极焊盘面露出；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。

在所述阻挡件工序中，可以在通过纳米压印的转印而将在与所述电极焊盘面对应的部分具有第一开口的第一阻挡件层配置在所述半导体元件的所述第一面后，与所述第一阻挡件层层叠地配置具有第二开口的第二阻挡件层，所述第二开口的尺寸比所述第一阻挡件层的所述第一开口小。

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

(实施方式1)

图1是本发明的实施方式1中的半导体装置的制造方法。以下进行说明。如图1的(a)所示，在作为半导体元件1的图示上表面的第一面形成有多个电极焊盘2。在形成晶种层(シ一ド層)7使得覆盖形成有电极焊盘2的第一面的整体后，在各个电极焊盘2上配置挥发性的树脂层10(树脂层形成工序)。

另外，晶种层7用作用于形成电镀的基底层。材质例如可以使用ni、w、cr、cu、co、ti等，厚度可以形成为0.02～2μm。

挥发性的树脂层10例如通过纳米压印、喷墨、光刻、针刺转印、涂敷、印刷等方法形成，然后，通过光照射、加热进行固化反应直至作为弹性体进行动作。

接下来，如图1的(b)所示，在半导体元件1的第一面配置阻挡件3，使得覆盖各个电极焊盘2以及树脂层10(阻挡件工序)。阻挡件3例如使用旋涂、棒涂机等，被形成为膜变得均匀。阻挡件3可以使用感光型、热固化型、光热并用型的阻挡件。优选地，向半导体元件1的第一面的整个面实质上供给阻挡件3。

之后，如图1的(c)所示，将以与各个电极焊盘2相对地设置有多个突起部5a的纳米压印模具5与半导体元件1的电极焊盘2进行对位。然后，将纳米压印模具5的各个突起部5a按压到阻挡件3，将突起部5a按压的部分的阻挡件3推开，对阻挡件3进行加压直到突起部5a与挥发性的树脂层10相接为止。在利用纳米压印模具5对阻挡件3进行了加压的状态下，通过进行光照射或者加热使阻挡件3固化(固化工序)。

纳米压印模具5是纳米压印的转印模具，例如，可以使用丙烯酸、硅酮、环氧树脂等树脂形成。通过纳米压印模具5在加压时变形，能够吸收半导体元件1的翘曲、起伏，能在半导体元件1整个面均匀地形成后述的开口部。

接下来，通过从半导体元件1剥离纳米压印模具5，如图1的(d)所示，在挥发性的树脂层10上设置有开口部3a。另外，可以在纳米压印模具5的表面形成脱模层。作为脱模层例如可以使用硅酮、氟、丙烯酸等树脂、镍等金属膜。通过形成脱模层，从而能够从阻挡件3以及树脂层10容易地剥离纳米压印模具5。

之后，将半导体元件1浸渍于溶解液中，使得液体进入半导体元件1的阻挡件3的开口部3a。由此，在不溶解阻挡件3的状态下，仅选择性地溶解挥发性的树脂层10，通过开口部3a除去树脂层10。然后，利用清洗液清洗半导体元件1并使其干燥。如图1的(e)所示，形成有除去了电极焊盘面上的阻挡件3的开口，使得各个电极焊盘面(电极焊盘2的表面)从阻挡件3露出(开口工序)。该开口由相当于树脂层10存在的部分的开口部3b和由纳米压印模具5的突起部5a形成的阻挡件3的开口部3a连通而构成。半导体元件1的沿第一面的方向的开口部3b的尺寸被形成为比开口部3a的尺寸大。此外，阻挡件3的开口的底部部分侧相当于开口部3b，入口部分侧相当于开口部3a。

接下来，在阻挡件3的开口(开口部3a以及3b)内填充了镀敷液的状态下，在晶种层7上连接电极，实施电化学镀敷。由此，如图1的(f)所示，在阻挡件3的开口(开口部3a、3b)内，在电极焊盘2的表面形成有作为突起电极的一例的镀敷凸块8(镀敷工序)。

然后，在阻挡件3的剥离液中浸渍半导体元件1，从半导体元件1的第一面剥离阻挡件3(剥离工序)。进而，从半导体元件1的第一面剥离晶种层7。由此，完成在半导体元件1的各个电极焊盘2上形成有镀敷凸块8的半导体装置。在此，作为阻挡件3的剥离液，例如可以使用醇、乙醇、丙酮、纯水等。晶种层7的剥离例如可以使用利用氟酸、盐酸、硝酸等剥离液的湿式蚀刻、或者灰化等干式蚀刻法。

镀敷凸块8具有头顶部8a和台座部8b。头顶部8a根据开口部3a的形状，即纳米压印模具的突起部5a的形状来决定。因此，在以与半导体元件1的第一面平行的面进行了切断时的各个头顶部8a的截面能够以更均匀的形状以及尺寸形成。例如，在头顶部8a的截面形状为圆、四边形、六边形、八边形的情况下，成为圆柱、四棱柱、六棱柱、八棱柱这样的立体形状。另一方面，台座部8b具有由开口部3b的形状、即挥发性的树脂层10的形状支配的倾向，成为具有一定的圆角、倾斜的形状。在此，对阻挡件3的开口部3a和开口部3b相连的阻挡件3的开口填充镀敷液，通过镀敷形成镀敷凸块8。因此，由于在头顶部8a与台座部8b之间不存在接合界面，因此，镀敷凸块8能够确保良好的强度。

头顶部8a的沿半导体元件1的第一面的方向上的尺寸(例如，直径)比台座部8b细。因此，在半导体装置的安装工序中，通过头顶部8a被压缩而在横向上扩大并变形，从而能够吸收半导体元件1以及基板(未图示)的翘曲/起伏，具有使镀敷凸块8与基板的电极可靠地接触的功能。

在此，阻挡件3可以使用挥发性的树脂层10和溶解参数(sp值)大于1以上的材料。若小于1，则与挥发性的树脂层10的溶解同时，阻挡件3的开口部的内壁部也开始溶解，形状不稳定。若为1以上，则实质上能够选择性地仅溶解挥发性的树脂层10。

另外，作为挥发性的树脂层10，可以使用在阻挡件3的耐热温度以下升华的材料来代替对溶解于溶解液的材料进行选择。根据该方法，在阻挡件3的固化工序中，通过挥发性的树脂层10挥发，能够形成如图1的(e)那样的阻挡件3的开口部3b。由此，不需要另外实施挥发性的树脂层10的溶解工序，能够使挥发性的树脂层10的残渣难以残留。例如，在形成微细/多引脚的凸块的情况下，能够确保稳定的凸块形状。进一步进行了升华的成分附着于阻挡件3的开口部的内壁，形成纳米级的亲水膜。因此，即使为如入口部分窄、底部部分宽且微小的开口部那样形状上难以进入液体的开口，也能形成镀敷液充分浸透，没有空孔的稳定的镀敷凸块。

另外，可以是不使用晶种层7的情况。在图1的(a)的挥发性的树脂层10的形成工序中，例如，可以将与半导体元件1的电极焊盘2的附近部分相比与挥发性的树脂层10的亲水性高的材料用作电极焊盘2。由此，即使对半导体元件1的第一面整个面供给液状的挥发性的树脂层10，也能够在电极焊盘2上选择性地形成挥发性的树脂层10。

根据该方法，对于具有微细且窄间距的电极焊盘2的半导体元件1，也能够在各个电极焊盘2上稳定地形成挥发性的树脂层10。镀敷工序可以通过非电解电镀法来进行。即使没有晶种层7，也能够形成镀敷凸块8。

图2的(a)、图2的(b)是示意性地表示本发明的实施方式1中的纳米压印模具5以及半导体元件1的立体图。如图2的(a)所示，在纳米压印模具5的表面例如以一定间隔设置有多个八棱柱形状的突起部5a。

图2的(b)表示使用图2的(a)的纳米压印模具5形成的凸块8。例如，由穹顶状的台座部8b和八棱柱状的头顶部8a构成的凸块8在半导体元件1上以一定间隔设置有多个。在将这样构成的半导体装置安装在基板(未图示)的情况下，细的八棱柱状的头顶部8a一边在横向上扩展一边被压缩，引起塑性变形，与基板侧的电极接合。由于即使压缩变形，头顶部8a也较细，因此，能够不产生与邻接的凸块短路不良地进行接合。

接下来，通过实施方式1中的制造方法制作半导体装置。半导体元件1设为1mm×1mm，电极焊盘2的间距设为10μm，直径设为5μm。在电极焊盘2上形成直径为4～6μm且高度为2μm的挥发性的树脂层10。阻挡件3的厚度为6μm。突起部5a的直径为3μm，高度为5μm，通过上述的制造方法，在阻挡件3形成了开口(开口部3a以及3b)。通过截面研磨利用sem观察形状，结果确认到作为阻挡件3的开口的底部部分的开口部3b的最大直径为6μm，作为入口部分的开口部3a的最大直径为3μm，以一样的形状形成开口。作为镀敷材料使用au进行电镀，结果确认到凸块8的高度为6μm，且具有八棱柱的头顶部8a和具有圆角的台座部8b。

如上所述，根据本发明的实施方式1，即使是微小的多引脚的凸块，也能够在确保高生产率的同时，简单且稳定地形成凸块。

(实施方式2)

图3是本发明的实施方式2中的半导体装置的制造方法。以下进行说明。首先，如图3的(a)所示，在作为半导体元件1的图示上表面的第一面设置有多个电极焊盘2。例如，电极焊盘2的形状在俯视时可以采用四边形、八边形、圆等各种形状。

在作为纳米压印的转印模具的第一纳米压印模具5设置有突起部5a，使得在与半导体元件1的第一面相对置时，避开多个电极焊盘2的形成部位。即，在第一纳米压印模具5与半导体元件1的第一面相对置的状态下，在第一纳米压印模具5设置突起部5a，使得与包围各个电极焊盘2的周围区域对置。例如，在半导体元件1的第一面，在四边形状的电极焊盘2被配置成矩阵状的情况下，突起部5a具有与包围各个电极焊盘2的格子状的周围区域对应的形状。

首先，转印到半导体元件1的阻挡件以一定的膜厚形成在转印用板(未图示)。接下来，将纳米压印模具5按压到该阻挡件，将第一阻挡件13a转印到纳米压印模具5的突起部5a。然后，使纳米压印模具5与半导体元件1对置，进行对位以使突起部5a与包围各个电极焊盘2的周围区域对置。该对位也可以使用设置在半导体元件1的第一面上的识别标记4通过图像处理等手段来进行。然后，通过使纳米压印模具5的突起部5a接近半导体元件1的第一面而进一步按压，从而转印到纳米压印模具5的突起部5a的第一阻挡件13a被转印到半导体元件1的第一面。具体地说，在半导体元件1的第一面包围各个电极焊盘2的周围区域转印第一阻挡件13a，在与各个电极焊盘2的表面对应的部分形成具有第一开口的第一阻挡件13a的层(第一阻挡件层)(阻挡件工序)。

接下来，如图3的(b)所示，通过对转印至半导体元件1的第一阻挡件13a照射光，或者对第一阻挡件13a进行加热，从而使第一阻挡件13a固化(固化工序)。

接下来，如图3的(c)所示，使用设置有截面积的宽度比突起部5a大的突起部5b的纳米压印模具5，进一步进行阻挡件的转印。在纳米压印模具5中，突起部5b以与突起部5a实质上相同的配置形成，但突起部5b的截面积的宽度比突起部5a的截面积的宽度大这一点不同。使用这种结构的纳米压印模具5，以与突起部5a的情况相同的方法，将第二阻挡件13b转印到突起部5b，转印第二阻挡件13b，使得与配置在半导体元件1上的第一阻挡件13a层叠(阻挡件工序)。第二阻挡件13b的层在与各个电极焊盘2的表面对应的部分具有第二开口，该第二开口成为比第一开口小的开口。然后，进行光照射或者热固化，如图3的(d)所示，形成有开口尺寸不同的第一阻挡件13a的层和第二阻挡件13b的层在上下方向上被层叠的阻挡件13。

接下来，如图3的(e)所示，在由阻挡件13形成的电极焊盘2上的开口内填充镀敷液，通过镀敷在电极焊盘2上形成镀敷凸块8(镀敷工序)。在此，镀敷可以使用无电解电镀法。此外，作为电极焊盘2的材料，例如可以使用al、al-cu、al-si-cu、cu、au、p-al等，镀敷凸块8的材料例如可以使用cu、au、co、w等。

最后，若从半导体元件1的第一面剥离阻挡件13(剥离工序)，则如图3的(f)所示，形成与头顶部(前端侧部分)相比台座部(电极焊盘2侧的部分)具有较大尺寸的突起状的凸块8。

在此，如图3的(d)所示，阻挡件13b中的第二开口的入口部分具有向上方扩大的形状。因此，即使在第二开口具有微小尺寸的情况下，镀敷液容易沿入口部分流入，能够不具有空孔部分地填充镀敷液。

另外，在以上的实施方式中，说明了基于无电解电镀敷的凸块形成的方法，但不限于此。与实施方式1同样，通过在阻挡件形成前预先追加晶种层的形成工序、在阻挡件剥离后追加晶种层剥离工序，从而可以使用电镀、电化学镀敷。

如上所述，根据本发明的实施方式2，与实施方式1相比，能够在多引脚并且微细的半导体元件中一边使形状稳定，一边形成凸块。

(实施方式3)

图4是本发明的实施方式3中的半导体装置的制造方法。以下进行说明。

如图4的(a)所示，在形成晶种层7使得覆盖形成有半导体元件1的电极焊盘2的第一面整体后，在第一面上形成阻挡件3。例如，使用旋涂、棒涂机、喷雾器、喷射分配(ジエツトデイスペンス)法等，被形成为膜变得均匀。半导体元件1例如是圆盘状的晶圆。

接下来，如图4的(b)所示，使设置在纳米压印模具5上的识别标记14与半导体元件1的识别标记4对位。纳米压印模具5的俯视时的外形尺寸可以比半导体元件1大，例如为矩形形状。

进而，如图4的(c)所示，将纳米压印模具5所具有的突起部5a按压到阻挡件3，一边在阻挡件3形成开口，一边使突起部5a与半导体元件1的电极焊盘2接触(开口工序)。在此，阻挡件3例如以凝胶状具有流动性。在纳米压印模具5中，形成有多个突起部5a，使得与电极焊盘2对置。突起部5a的形状例如可以使用圆、四边形、八边形等形状。此外，作为纳米压印模具5的加压单元，例如可以使用辊压法等。

之后，如图4的(d)所示，在将纳米压印模具5按压到电极焊盘2的状态下，使光透射纳米压印模具5而照射到阻挡件3后，进行加热，使阻挡件3固化(固化工序)。

接下来，如图4的(e)所示，通过提拉纳米压印模具5，在阻挡件3，在电极焊盘2上形成微细的开口部3a。

作为提拉纳米压印模具5的手段，例如可以使用如下的方法。在利用夹具保持矩形形状的纳米压印模具5的一端后，在利用压板等压住了纳米压印模具5的状态下，以一定的张力拉伸纳米压印模具5。进而，通过一边使压板的位置在水平方向上移动，一边提拉纳米压印模具5所保持的一端，从而能够在纳米压印模具5的垂直方向上对半导体元件1进行提拉。在此，可以通过耐热性的脱模剂对包括突起部5a的纳米压印模具5的表面实施脱模处理。加热后的提拉变得容易。

之后，通过向阻挡件3的开口部3a内注入显影液6，从而溶解阻挡件3的开口部3a的内壁，扩大阻挡件3的开口部3a。在此，若管理显影液6的液量，不超过阻挡件3的开口部3a的深度地注入显影液6，则通过重力靠近半导体元件1的第一面的底部部分的阻挡件3与阻挡件3的表层部分相比更容易溶解于显影液6。因此，形成有与头顶部相比底部部分大的具有锥形状的开口部3a的阻挡件3。

接下来，如图4的(g)所示，利用清洗液除去进入阻挡件3的开口部3a的显影液6、残渣。例如，清洗液可以使用纯水、醇、乙醇、丙酮等。

接下来，如图4的(h)所示，在阻挡件3的开口部3a内填充镀敷液，通过镀敷形成镀敷凸块8(镀敷工序)。镀敷凸块8例如可以使用碱性的升底型的填补镀敷(ボトムアツプタイプのフイルドぁっき)。利用碱将阻挡件的底部部分与表层部分相比被溶解，进而在扩展底部部分的扩展直径的同时，升底(ボトムアツプ)地使镀敷堆积。在此，由于阻挡件3的开口部3a的内壁的润湿性增加，因此，即使是微小的尺寸的开口部3a，也容易注入镀敷液，升底地形成镀敷。进而，如图4的(i)所示，将阻挡件3浸渍在阻挡件剥离液中，从半导体元件1的第一面剥离阻挡件3(剥离工序)。

最后，如图4的(j)所示，通过湿式蚀刻或者灰化处理除去晶种层7，从而形成有具有锥形状的台座部的凸块8。

在此，在图4的(f)中，可以不是浸渍于大量的显影液6中，而是一边使半导体元件1旋转，一边使被计量的显影液6滴下或者喷射。能够将填满多个开口部3a内的显影液6的量均保持为固定量，并能够使进行溶解的阻挡件3的直径稳定化。

此外，图4的(f)～图4的(g)的显影方法可以使用干式工艺。能够减少工序数，并且能够使气流向微细开口部的进入量稳定化，能够得到形状稳定化的效果。

如上所述，如果使用实施方式3，则能够稳定且高生产率地形成更微小且高纵横比的微细镀敷凸块。

(作为整体)

上述实施方式能够进行组合。特别是，可以将实施方式1和3的一部分分别组入。

工业上的可利用性

本发明是能够稳定、高生产率地生产多个微细突起状凸块形状的半导体装置的制造方法以及半导体装置，在对推进多引脚化、大口径化的半导体元件进行安装的安装领域是特别有用的。