1.一种用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构，其特征在于，所述结构包括经过裁剪的vcsel结构外延材料样品，蓝膜和基底，
所述vcsel结构外延样品直立设置，且通过蓝膜粘贴固定在基底上。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述vcsel结构外延材料样品的的宽度为1-2cm。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述vcsel结构外延材料为砷化镓、砷化铝镓、砷化铟、砷化铟稼、砷化铝铟、磷化铝铟、磷化铟镓、磷化镓中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述基底由半导体材料制成。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于，所述基底为方根粗糙度为0-50nm的砷化镓、碳化硅、氮化镓、蓝宝石或硅片中的任意一种。
6.一种如权利要求1-5任一所述的用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构的制备方法，其特征在于,按照以下步骤进行：
(1)在vesel结构外沿材料的边沿处按照固定宽度切割下一条外沿材料；
(2)对切割下的外沿材料在长度方向上继续按照固定长度切割，切割下的vcsel结构外延材料为vcsel结构外延材料样品；
(3)将vcsel结构外延材料样品直立设置，下端设置蓝膜；
(4)将vcsel结构外延材料样品通过蓝膜粘贴在基底上；
(5)对制备的vcsel结构外延材料结构利用光致发光激光器进行光致发光测试。
7.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中切割宽度为1-2cm。
8.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束的波长为300nm-600nm或900-1100nm。
9.根据权利要求6所述的用于光致发光测试的vcsel结构外延材料结构的制备方法，其特征在于，步骤(5)中所用的光致发光激光器发出的入射光束与vcsel结构外延材料结构样品的顶面呈入射角为15度-90度的范围入射。