1.一种复合荧光胶膜，其特征在于包括荧光膜以及与所述荧光膜结合的红外辐射膜，所述荧光膜包括有机硅基体，所述有机硅基体中均匀分散有荧光颗粒物，所述红外辐射膜包括基材及于所述基材中均匀分散的无机散热填料，所述复合荧光胶膜可使设定波长的光线透过。
2.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料包括二氧化钛、二氧化锆、氧化硅、氮化硼、氧化锌、氧化铝、氧化镁、云母、稀土金属氧化物中的任意一种或多种的组合。
3.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料的粒径为0.001μm～500μm，优选为0.05μm～50μm，更优选为0.5μm～10μm。
4.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述红外辐射膜内无机散热填料的含量为0.001wt％～10wt％，优选为0.1wt％～10wt％，更优选为1wt％～10wt％。
5.如权利要求2、3或4所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述无机散热填料采用氧化锌与氧化镁的组合和/或云母；优选的，所述红外辐射膜内氧化锌的含量为0.001wt％～10wt％，进一步优选为0.1wt％～10wt％，尤其优选为1wt％～10wt％；优选的，所述红外辐射膜内氧化镁的含量为0.001wt％～10wt％，进一步优选为0.1wt％～10wt％，尤其优选为1wt％～10wt％；优选的，所述红外辐射膜内云母的含量为0.001wt％～10wt％，进一步优选为0.1wt％～10wt％，尤其优选为1wt％～10wt％。
6.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述基材由有机硅组合物形成。
7.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述荧光膜或红外辐射膜中的有机硅组合物是预固化的，且所述荧光膜或红外辐射膜表面具有压敏胶功能。
8.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述荧光膜或红外辐射膜的下述剥离强度的百分率为30％以上；
所述剥离强度的百分率＝[75℃气氛下的剥离强度/25℃气氛下的剥离强度]×100
所述75℃气氛下的剥离强度：在温度75℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜或红外辐射膜从半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度；
所述25℃气氛下的剥离强度：在温度25℃，以剥离角度180度、速度300mm/分钟将所述荧光膜或红外辐射膜从半导体发光器件的出光面剥离时的剥离强度。
9.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述红外辐射膜的厚度为0.005μm～10000μm，优选为0.05μm～5000μm，尤其优选为1μm～1000μm。
10.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述荧光颗粒物为荧光粉，其粒径为0.001～50μm，或者，所述荧光颗粒物为荧光量子点，其粒径为1.0～100nm。
11.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述荧光膜的厚度为0.005μm～10000μm，优选为20～500μm。
12.如权利要求1所述的复合荧光胶膜，其特征在于：所述复合荧光胶膜的厚度为0.010μm～10000μm，优选为0.05μm～5000μm，尤其优选为1μm～1000μm。
13.一种半导体发光装置，其特征在于包括半导体发光器件以及权利要求1-12中任一项所述的复合荧光胶膜，所述复合荧光胶膜中的荧光膜或红外辐射膜与所述半导体发光器件结合；优选的，所述荧光膜或红外辐射膜与所述半导体发光器件的出光面直接结合。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于：所述半导体发光器件包括led。
15.一种半导体发光装置的封装方法，其特征在于包括：
提供权利要求1-12中任一项所述的复合荧光胶膜，以及
将所述复合荧光胶膜中的荧光膜或红外辐射膜与所述半导体发光器件的出光面固定结合。
16.根据权利要求15所述的封装方法，其特征在于：所述半导体发光器件包括led。