本实用新型涉及一种用于传感器单晶硅刻蚀中的片架定位装置，应用于传感器加工技术领域。
背景技术：
刻蚀技术是在半导体工艺中，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，在传感器单晶硅加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，通常将单晶硅置于旋转的片架上，然后向片架所在位置导入反应气体，使反应气体在电场环境下产生等离子体，然而现有的片架在旋转过程中，在使用一段时间后，容易发生偏移，使用周期较短，同时偏移的片架若继续使用，会严重影响刻蚀效果。
技术实现要素：
为解决现有技术方案的缺陷，本实用新型公开了一种用于传感器单晶硅刻蚀中的片架定位装置，具有结构新颖、使用寿命长的优点。
本实用新型公开了一种用于传感器单晶硅刻蚀中的片架定位装置，包括：反应箱、气源室、进气管、出气管、抽气装置、片架、旋转电机、固定座、立柱、滚动球，所述气源室设置在反应箱的一侧，所述反应箱与气源室之间通过进气管连接，所述反应箱的底壁上连接一根出气管，所述出气管不与反应箱连接的另一端与抽气装置连接，所述片架设置在反应箱的内部，所述旋转电机固定安装在反应箱下端面，所述旋转电机输出轴向上穿过反应箱底壁后末端固接一个固定座，所述片架固接在固定座上端面处，所述固定座下端面上周向均匀地固接有若干立柱，所述立柱竖直设置，且每个立柱的下端均转动安装一个滚动球，所述反应箱底壁上开有环形槽，所述滚动球下端置于环形槽内。
所述进气管不与气源室连接的另一端固接在反应箱的顶部。
所述抽气装置为真空泵或抽风机中的一种。
所述立柱的数目为3~6个，且所有立柱置于同一个同心圆上，其同心圆的圆心为旋转电机输出轴与固定座连接接点。
由于采用上述技术方案，本实用新型具有以下有益优点：
1、结构新颖；
2、使用寿命长。
附图说明
图1是本实用新型一种用于传感器单晶硅刻蚀中的片架定位装置的结构示意图；
图2是本实用新型中反应箱底壁处的结构示意图。
其中：1-反应箱；2-气源室；3-进气管；4-出气管；5-抽气装置；6-片架；7-旋转电机；8-固定座；9-立柱；10-滚动球；11-反应箱底壁；111-环形槽。
具体实施方式
如图1、2所示，本实用新型公开了一种用于传感器单晶硅刻蚀中的片架定位装置，包括：反应箱1、气源室2、进气管3、出气管4、抽气装置5、片架6、旋转电机7、固定座8、立柱9、滚动球10，所述气源室2设置在反应箱1的一侧，所述反应箱1与气源室2之间通过进气管3连接，所述反应箱1的底壁上连接一根出气管4，所述出气管4不与反应箱1连接的另一端与抽气装置5连接，所述片架6设置在反应箱1的内部，所述旋转电机7固定安装在反应箱1下端面，所述旋转电机7输出轴向上穿过反应箱底壁11后末端固接一个固定座8，所述片架6固接在固定座8上端面处，所述固定座8下端面上周向均匀地固接有若干立柱9，所述立柱9竖直设置，且每个立柱9的下端均转动安装一个滚动球10，所述反应箱底壁11上开有环形槽111，所述滚动球10下端置于环形槽111内。
所述进气管3不与气源室2连接的另一端固接在反应箱1的顶部。
所述抽气装置5为真空泵或抽风机中的一种。
所述立柱9的数目为3~6个，且所有立柱9置于同一个同心圆上，其同心圆的圆心为旋转电机7输出轴与固定座8连接接点。
本实用新型是这样实施的：将单晶硅置于片架6上，通过气源室2向反应箱1内供入反应气体，旋转电机7带动固定座8以及固定座8上的片架6一起转动，在固定座8的下端面设置有立柱9，且立柱9下端转动安装有滚动球10，在转动过程中，带动立柱9一同转动，滚动球10在环形槽111内移动，由于立柱9的限制作用，可保证片架6始终在同一平面上，亦提高了片架6的稳定性，从而可提高刻蚀效果。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离本实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。