可降低插入损失的磁芯结构的制作方法

文档序号:15596765发布日期:2018-10-02 19:37阅读:157来源:国知局

本实用新型涉及一种磁芯结构,尤其涉及一种可降低插入损失的磁芯结构。



背景技术:

电感器(Inductor)、共模滤波器(Common Mode Choke)或变压器(transformer),在电子产品中时常运用。其在电子电路里面具有抗拒电流变化、或从而过滤电流杂讯、稳定电路中的电流值、降低电磁干扰(EMI)、功率转换等功能。

对此,我国台湾专利第M445243号揭露了一种「电感元件」,其M445243号该案中第一图所示的主要结构,是由工字形铁芯、盖板铁芯相互以接著剂接著,该接著剂可为热固型接著剂、热塑型接著剂、矽胶接著剂等黏设而成,且於工字形铁芯上绕设有漆包线,而致使形成电感元件。

此技术方案中,工字形铁芯与盖板铁芯之间(接触面)的黏接使用接著剂时,无论其接著剂涂布的量多寡,当工字形铁芯与盖板铁芯之间的接触面结合时,通常会使接著剂外溢而渗漏到漆包线上。如此,即会改变原本漆包线绕线的介电常数值(原本无接著剂外溢时为空气等於1),因此亦会影响漆包线绕线之间所形成的寄生电容(parasitic capacitance),其寄生电容会上升,该寄生电容可称杂散电容、并联电容。此电容容易引起电路干扰,讯号的插入损失(insertion loss)大。是故,如何针对以上所论述的缺失加以改进,即为本案申请人所欲解决的技术困难点所在。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于:针对现有技术的缺陷和不足,提供一种可降低插入损失的磁芯结构。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是一种可降低插入损失的磁芯结构,包括:一磁芯本体,所述磁芯本体的两侧分别延伸设有第一法兰和第二法兰,所述的第一法兰上设有第一凹槽,且所述的第二法兰上设有第二凹槽,所述的第一凹槽和第二凹槽分别设于该第一法兰和第二法兰的同一侧面方向;

一磁芯盖体,是相邻设于该第一凹槽和第二凹槽,且所述的磁芯盖体结合设于该第一法兰和第二法兰的同一侧上。

在本实用新型中:所述的第一法兰和第二法兰为立体矩形。

采用上述结构后,本实用新型有益效果为:本实用新型结构简单、设计合理,使本创作达到改善溢胶,降低线圈绕线本身所产生的寄生电容,因此可降低讯号的插入损失(insertion loss),除了让电性(磁)特性变好,更可维持其产品良率稳定性,予以达成功效。

【附图说明】

此处所说明的附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本申请的一部分,但并不构成对本实用新型的不当限定,在附图中:

图1是本实用新型的立体结构分解示意图;

图2是本实用新型的组合后的示意图;

图3是本实用新型的侧视图;

图4是本实用新型中磁芯本体与磁芯盖体结合的动作前示意图;

图5是本实用新型中磁芯本体与磁芯盖体结合的动作后示意图。

图中:1、磁芯本体;11、第一法兰;12、第二法兰;13、第一凹槽;14、第二凹槽;15、侧面;16、侧面;2、磁芯盖体;100、接著剂;200、绕线。

【具体实施方式】

下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型,其中的示意性实施例以及说明仅用来解释本实用新型,但并不作为对本实用新型的限定。

如图1至图3所示,一种可降低插入损失的磁芯结构,其包含:一磁芯本体1和一磁芯盖体2。

该磁芯本体1的两侧分别延伸设有第一法兰11和第二法兰12,该第一法兰11和第二法兰12可为立体矩形。该第一法兰11上设有第一凹槽13,且该第二法兰12上设有第二凹槽14,该第一凹槽13和第二凹槽14分别设於该第一法兰11和第二法兰12的同一侧面15、16方向。该磁芯盖体2相邻设于该第一凹槽13和第二凹槽14,且该磁芯盖体2结合黏设于该第一法兰11和第二法兰12的同一侧上。

因此,如图4和图5所示,其中当磁芯本体1与磁芯盖体2之间的黏接以接著剂100涂布接著时,该接著剂100可大部分的容置於第一凹槽13和第二凹槽14内,无论其接著剂100涂布的量多寡,均可避免或减少接著剂100外溢的现象,绕线200也因此不会受到接著剂100的影响,可让绕线200周围环境为空气,介电常数值不变。故可使本创作达到改善溢胶,降低线圈绕线本身所产生的寄生电容,使其阻抗值可保持稳定,因此可降低讯号的插入损失(insertion loss),进而使本创作磁芯结构达到保持讯号的稳定性。

此外,除了让电性(磁)特性变好,在本实施例中,接著剂100也不会失去黏著的效果,更可维持其产品良率稳定性,予以达成功效。

以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。

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