1.一种二极管一体化框架结构，包括引线框架本体(1)，其特征在于：所述引线框架本体(1)的两端设有第一竖架(2)和第二竖架(3)，并且所述第一竖架(2)和第二竖架(3)相对设置，所述第一竖架(2)的一侧设有第一引脚单元(4)，并且所述第一引脚单元(4)远离第一竖架(2)的一侧固定连接有连接片(5)，所述第二竖架(3)的一侧相对于第一竖架(2)设置第一引脚单元(4)的位置设有第二引脚单元(6)，并且所述第一引脚单元(4)与第二引脚单元(6)之间以及两个相邻第一引脚单元(4)或第二引脚单元(6)之间为冲孔(8)；
所述第一引脚单元(4)包括第一引脚区(41)，并且所述第一引脚区(41)的一端与第一竖架(2)之间固定连接，所述第一引脚区(41)远离第一竖架(2)的一端设有第一凹形槽(42)，并且所述第一凹形槽(42)远离第一引脚区(41)设有第一连接部(43)；
所述连接片(5)包括第二连接部(51)，并且所述第二连接部(51)与第一连接部(43)之间固定连接，所述第二连接部(51)远离第一连接部(43)的一侧设有折弯槽(52)，并且所述折弯槽(52)远离第二连接部(51)的一端设有第四连接部(56)，所述第四连接部(56)远离折弯槽(52)的一端设有折弯板(55)，并且所述折弯板(55)远离第四连接部(56)的一端设有第三连接部(53)，所述第三连接部(53)的底部设有凸块(54)；
所述第二引脚单元(6)包括第二引脚区(64)，并且所述第二引脚区(64)与第二竖架(3)之间固定连接，所述第二引脚区(64)远离第二竖架(3)的一端设有第三凹形槽(63)，并且所述第三凹形槽(63)远离第二引脚区(64)的一端设有支撑部(62)，所述支撑部(62)的表面设有第二凹形槽(61)，并且所述第二凹形槽(61)内安装有二极管芯片(7)。
2.根据权利要求1所述的一种二极管一体化框架结构，其特征在于：所述第一引脚单元(4)和第二引脚单元(6)为一组引脚组。
3.根据权利要求1所述的一种二极管一体化框架结构，其特征在于：所述折弯槽(52)的底部的截面为V字型结构。
4.根据权利要求1所述的一种二极管一体化框架结构，其特征在于：所述第一凹形槽(42)和第三凹形槽(63)的截面呈下小上大的形状。
5.根据权利要求1所述的一种二极管一体化框架结构，其特征在于：所述连接片(5)的长度大于第一连接部(43)的中心处与支撑部(62)中心处之间的间距。