面光源及采用该面光源的显示装置的制作方法

本实用新型涉及柔性显示装置等领域，具体涉及一种面光源及采用该面光源的显示装置。

背景技术：

随着科技的不断发展，人们与电子设备的接触越来越频繁，对显示装置(或称显示屏)的要求也不断的变高。miniLED显示装置作为未来市场OLED显示装置(有机电致发光二极管显示装置)的强有力竞争产品，MiniLED显示装置具有高亮、柔性可弯曲、可制作高动态对比度显示技术、窄边框显示技术、异形显示技术等诸多优点，已成为市场研究热点。

然而，目前miniLED显示装置在出光效率、混光均匀性、成本、模组厚度等方面与常规产品背光及OLED显示装置相比还有一些差距。就光效而言，miniLED显示装置采用柔性电路板(Flexible Printed Circuit简称FPC)或印制电路板(Printed Circuit Board，简称PCB)作为基板的直下式背光架构，背光架构中面光源的基板表面采用反射率较高的白油有膜层，将miniLED显示装置的内部回光反射进入扩散层和增亮膜层。而市面上，由于现有白油油墨反射率较难超过85％，同时，油墨类型的有机材料具有较高的吸收值，导致面光源内部回光光效损失较多，通过油墨反射率提升来达到提升面光源光效的方式会产生一个技术瓶颈。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种面光源及采用该面光源的显示装置，其利用覆有耐高温膜层的镜面反射层替代目前市面上白油反射层，以有效提高面光源的反射率和整体光效。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种面光源，包括一基板；一导线层，具有若干根导线，分布于所述基板的一表面；一镜面反射层，覆于所述导线层上；一耐高温膜层，覆于所述镜面反射层上；若干LED芯片，分布于所述耐高温膜层上且对应的电连接至所述导线；一荧光膜，覆于若干所述LED芯片及所述耐高温膜层上。

在本实用新型一实施例中，所述耐高温膜层的耐热温度为200℃-500℃，其穿透率高于90％，其厚度为100μm-150μm。

在本实用新型一较佳的实施例中，所述耐高温膜层的穿透率高于90％。

在本实用新型一实施例中，所述耐高温膜层的厚度为100μm-150μm。

在本实用新型一实施例中，所述耐高温膜层所用材料为聚碳酸酯共聚物、聚芳醚酮衍生物、聚酰亚胺砜衍生物、聚酰亚胺类衍生物、芳香聚杂环类衍生物中的一种。

在本实用新型一实施例中，所述镜面反射层的厚度为1μm-5μm。

在本实用新型一实施例中，所述镜面反射层的表面粗糙度为0.1μm-0.3μm。

在本实用新型一实施例中，所述LED芯片的长宽尺寸范围均为100μm-500μm。

在本实用新型一实施例中，该面光源还蚀刻有若干通孔，每一所述通孔贯穿整个所述耐高温膜层和所述镜面反射层；所述导线层上具有与所述导线连接的焊盘，所述通孔的位置对应于所述焊盘，每一所述LED芯片具有相应的引脚，所述引脚穿过所述通孔固定至所述焊盘。

本实用新型还提供了一种显示装置，其包括所述的面光源。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的面光源及采用该面光源的显示装置，其利用覆有耐高温膜层的镜面反射层替代目前市面上白油反射层，覆有耐高温膜层的镜面反射层反射率达到90％以上，高于目前市面上最好的白油反射层的反射率85％，覆有耐高温膜层的镜面反射层，其反射频谱在蓝光波段的反射率更高，蓝光的出光效率和激发能量也更高，更加有效提高了面光源的反射率和整体光效。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步解释。

图1是本实用新型一实施例的面光源层状结构图。

图2是图1中导线层的一种导线分布图，主要体现导线的分布以及焊盘的位置。

图3是本实用新型实施例中覆有耐高温膜层的镜面反射层与白油反射层的反射率对比曲线图。

图4是本实用新型一实施例的面光源的制备方法的步骤流程图。

图5是本实用新型一实施例的显示装置的层状结构图。

附图标记：

1背光装置；

100面光源； 110光学膜片；

101柔性基板； 102导线层；

103镜面反射层； 104耐高温膜层；

105LED芯片； 106荧光膜；

107通孔； 1020导线；

1021焊盘； 10201P极导线；

10202N极导线；

2第一偏光片； 3第一玻璃基板；

4第一电极层； 5液晶分子层；

6第二电极层； 7彩色滤光片；

8第二玻璃基板； 9第二偏光片。

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。

如图1所示，在其中一实施例中，本发明的面光源100包括一基板101、一导线层102、一镜面反射层103、一耐高温膜层104、若干LED芯片105、一荧光膜106。

所述基板101可以是FPC基板或PCB基板。在本实施例中，所述基板101为FPC柔性基板。

所述导线层102具有若干根导线1020(见图2)。所述导线1020分布于所述基板101的上表面从而形成所述导线层102，所述导线1020可采用铜质导线。铜质导线附着在所述柔性基板101的上表面形成面光源100的基本架构。

如图2所示，按照工艺设计要求，由于每一所述LED芯片105具有相应的引脚，该引脚分为P极和N极，因此，所述导线1020也分为P极导线10201和N极导线10202，N极导线10202和P极导线10202上设置相应的焊盘1021。

所述镜面反射层103覆于所述导线层102上；本实施例中，所述镜面反射层103覆盖所述面光源100的基本架构上，亦即覆盖所述铜质导线所在的整个面。所述镜面反射层103的厚度为1μm-5μm，优选为3μm；所述镜面反射层103的表面粗糙度为0.1μm-0.3μm，其平均表面粗糙度一般为0.2μm。所述镜面反射层103的表面粗糙度能够在一定程度上增加光线的漫反射，使光线均匀分散。

所述耐高温膜层104覆于所述镜面反射层103上；在所述镜面反射层103上方加入隔热的所述耐高温膜层104，保证后续热压荧光膜106时，所述镜面反射层103不被破坏。根据设计性能需求，所述耐高温膜层104所用材料为聚碳酸酯共聚物、聚芳醚酮衍生物、聚酰亚胺砜衍生物、聚酰亚胺类衍生物、芳香聚杂环类衍生物中的一种。其中，所述耐高温膜层104的耐热温度为200℃-500℃，其穿透率高于90％，其厚度为100μm-150μm，优选为120μm-130μm。

如图3所示，图3为本实施例中的覆有耐高温膜层的镜面反射层与白油反射层的反射率对比曲线图，从频谱可以看出覆有耐高温膜层104的镜面反射层103反射率达到90％以上，高于目前市面上最好的白油反射层的反射率85％，覆有耐高温膜层104的镜面反射层103，其反射频谱在蓝光波段的反射率更高，蓝光的出光效率和激发能量也更高，更有利于提升光效。

如图1所示，所述LED芯片105分布于所述耐高温膜层104上且对应的电连接至所述导线1020(标号见图2)；所述LED芯片105长宽尺寸范围均为100μm-500μm。

在具体固晶时，该面光源100还蚀刻有若干通孔107，每一所述通孔107贯穿整个所述耐高温膜层104和所述镜面反射层103，所述通孔107的位置对应于所述焊盘1021。该引脚穿过所述通孔107固定至所述焊盘1021。

所述荧光膜106覆于若干所述LED芯片105及所述耐高温膜层104上。

如图4所示，为了能够完整地实现上述实施例面光源100，本发明还提供了一种面光源100的制备方法，具体包括步骤S01-S08。

以下描述涉及到的元件或结构符号请同时参照图1及图2。

S01：提供一基板101；所述基板101为FPC基板或PCB基板。

S02：在所述基板101的上表面附着若干导线1020，形成一导线层102；所述导线1020可采用铜质导线，所述铜质导线附着在所述基板101的上表面形成面光源100的基本架构。

S03：在所述基板101具有所述导线1020的一面，溅镀形成一镜面反射层103；所述镜面反射层103覆盖面光源100的基本架构上铜质导线所在的整个面。所述镜面反射层103的厚度为1μm-5μm，优选为3μm；所述镜面反射层103的表面粗糙度为0.1μm-0.3μm，其平均表面粗糙度一般为0.2μm。

S04：在所述镜面反射层103上胶合一耐高温膜层104；其中，所述耐高温膜层104的耐热温度为200℃-500℃，其穿透率高于90％，其厚度100μm-150μm，优选为120μm-130μm。所述耐高温膜层104与所述镜面反射层103通过胶层粘合，保证所述耐高温膜层104与所述镜面反射层103能够紧密贴合。

S05：蚀刻出贯穿整个所述耐高温膜层104和所述镜面反射层103的若干通孔107，由于所述导线层102上具有与所述导线1020连接的焊盘1021，在实际情况中，每一所述LED芯片105均具有相应的引脚，该引脚分为P极和N极，而导线1020也分为P极导线和N极导线，在N极导线和P极导线上设置相应的焊盘1021，所述通孔107的位置对应于所述焊盘1021，所述通孔107蚀刻完成后，能够暴露出所述基板的焊盘1021，以利后续作业。

S06：在所述耐高温膜层104上设置若干LED芯片105，每一所述LED芯片105均对应的电连接至所述导线层102中的相对应的导线。具体的，所述LED芯片105的引脚穿过对应的所述通孔107并通过刷锡膏工艺、固晶工艺和回流焊工艺固定在所述焊盘1021上。刷锡膏工艺中，将锡膏涂覆在焊盘1021位置，之后通过固晶工艺和回流焊工艺固定LED芯片105。所述回流焊工艺为激光回流焊工艺。本实施例中，采用激光回流焊工艺对每颗LED芯片105进行焊接，区别于常规的热气回流焊工艺，常规的热气回流焊工艺焊接时，其所占用的焊接面积大，而采用激光回流焊工艺焊接时，可以通过光学系统将激光束聚集在焊盘1021区域内，在较短时间内使焊盘1021区域形成局部加热区，从而避免了用常规的热气回流焊工艺焊接时带来的基板或各膜层涨缩的影响。

S07：在所述耐高温膜层104和LED芯片105上热压一荧光膜106，热压温度为：130℃-150℃；热压时间为10min-15min(即10至15分钟)。其中，热压温度为130℃-150℃，所述耐高温膜层104的耐热温度为200℃-500℃，热压温度远低于耐高温膜层104的耐热温度，可以有效的保护所述镜面反射层103不受热压温度影响。在所述耐高温膜层104和LED芯片105上热压一荧光膜106后，得到面光源100的半成品。

S08：将面光源100的半成品放入烤箱，在130℃-150℃的温度下烘烤2min-10min，使所述荧光膜106进一步固化，得到面光源100的成品。

下面将以miniLED显示装置为例介绍本发明显示装置的构造。

如图5所示，在其中一实施例中，本发明miniLED显示装置包括背光装置1、第一偏光片2、第一玻璃基板3、第一电极层4、液晶分子层5、第二电极层6、彩色滤光片7、第二玻璃基板8和第二偏光片9。其中，第一偏光片2和第二偏光片9相对设置，且位于所述背光装置1上，第一玻璃基板3、第二玻璃基板8相对设置，位于第一偏光片2和第二偏光片9之间，第一电极层4和第二电极层6设于第一玻璃基板3和第二玻璃基板8之间，液晶分子层5设于第一电极层4和第二电极层6之间，彩色滤光片7设于第二玻璃基板8和第二电极层6之间。所述背光装置1发出的光依次经过第一偏光片2、第一玻璃基板3、液晶分子5、彩色滤光片7、第二玻璃基板8和第二偏光片9后透出。

所述背光装置1包括本发明实施例的面光源100以及至少一个光学膜片110。其中，所述光学膜片110配置于该面光源100上，其例如是扩散片、棱镜片、增光片或其组合。

由于本发明的重点在于miniLED显示装置的背光装置1中的面光源100，因此对于miniLED显示装置其他构件就不在一一赘述。

当然，本实施例的所述背光装置1还可以应用到其他种类的miniLED显示装置中，本实施例中所列举的miniLED液晶显示装置仅仅是对本发明的一种解释说明，而不是对本发明的一种限制。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。