太阳能电池的制作方法

文档序号:18020855发布日期:2019-06-26 01:14阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:基底(1),位于基底(1)正面的正面结构和位于基底(1)背面的背面结构;

所述正面结构包括:第一掺杂层(2)、钝化隧穿层(3)、第二掺杂层(4)、钝化减反射层(5)和正面电极(6);所述第一掺杂层(2)、所述钝化隧穿层(3)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化减反射层(5)依次排列,所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)与所述第二掺杂层(4)接触;

所述背面结构包括:背面钝化膜(8)和背面电极(9);所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述基底(1)接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述正面电极(6)穿过所述钝化减反射层(5)、所述第二掺杂层(4)和所述钝化隧穿层(3),并与所述第一掺杂层(2)接触。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,所述基底(1)具有第一导电类型,所述第一掺杂层(2)和所述第二掺杂层(4)均具有第二导电类型。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一导电类型为p型导电;

以及,所述背面结构还包括空穴掺杂层(12);

所述空穴掺杂层(12)在第一区域与所述基底(1)接触;所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述空穴掺杂层(12)接触。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一导电类型为p型导电;

以及,所述背面结构还包括:空穴掺杂层(12)和合金层(13);

所述空穴掺杂层(12)在第一区域与所述基底(1)接触;所述合金层(13)设置于所述空穴掺杂层(12)的、与所述基底(1)相对的一侧,并与所述空穴掺杂层接触;

所述背面电极(9)通过所述背面钝化膜(8)的接触区域(10)与所述合金层(13)接触。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一掺杂层(2)的方块电阻为50ohm/sq-300ohm/sq。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二掺杂层(4)的厚度为1-50nm。

8.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化隧穿层(3)的厚度为0.1-5nm。

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