用于离子注入系统的主动工件加热或冷却的制作方法

本申请要求名称为“activeworkpieceheatingorcoolingforanionimplantationsystem”、申请日为2017年1月10日、申请号为62/444,620的美国临时申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。

本发明总体上涉及工件处理系统以及处理工件的方法，更具体涉及在离子注入系统中利用同一静电夹盘以多种模式控制工件温度的系统和方法。

背景技术：

在半导体处理中，可以对工件或半导体晶片执行诸如离子注入等许多操作。随着离子注入处理技术的进步，可以实施各种工件的离子注入温度，从而实现各种工件中的注入特征。举例而言，在常规的离子注入处理中，通常考虑三种温度状态：冷注入，其中工件的处理温度保持在低于室温的温度；热注入，其中工件的处理温度维持在通常高达100℃至600℃的高温；以及所谓的准室温注入，其中工件的处理温度维持在略高于室温但低于高温注入中所用温度的温度，准室温注入的温度范围通常为50℃至100℃。

例如，热注入日益普遍，其中实现工艺温度通常经由专用的高温静电夹盘(esc)，又称加热夹盘。在注入期间，加热夹盘将工件保持或夹持到其表面上。常规的高温esc例如包括嵌入夹持表面下方的一组加热器，用于将esc和工件加热到工艺温度(例如100℃至600℃)，由此气体界面通常提供从夹持表面到工件背面的热界面。通常，高温esc通过向背景中的腔室表面辐射能量来冷却。

冷淬离子注入工艺也十分常见，其中常规上将室温工件放置在冷淬夹盘上，并将冷淬夹盘冷却到冷淬温度(例如低于室温的温度)，从而冷却工件。冷却冷淬夹盘从离子注入中移除传递到工件中的热能，同时在注入期间经由从冷淬夹盘移除热量进一步使夹盘和工件维持在冷淬温度。

离子注入工艺也可在所谓的“准室温”下进行(例如温度略高于室温，诸如50℃至60℃，但不及热离子注入工艺)，由此在注入期间通常使用低热夹盘(例如配置成加热到100℃以下温度的夹盘)来控制工件的温度。

通常，高温esc(例如加热夹盘)仅用于热注入，若期望处理过程从高温处理(例如100℃至600℃)变为准室温处理(例如低于100℃)，则会至少部分由于其中加热器的配置以及用于控制注入温度的控制机制而产生问题。因此，从高温注入变为准室温注入时，将使用低热夹盘取代加热夹盘，由此针对额定处理温度，加热夹盘和低热夹盘具有不同的传热能力。

技术实现要素：

本发明克服现有技术局限性的解决方案为提供一种用于对单个加热的静电夹盘上的工件进行注入的系统和方法，由此该系统和方法提供一种既可用于高温注入又可用于准室温注入的配置，而不会在物理方面改性该加热的静电夹盘。

据此，下文介绍本发明的简要概述，以便对本发明的某些方面具有基本了解。本发明内容部分并非本发明的详尽概述。既非旨在确定本发明的关键或主要元素，亦非限定本发明的范围。其目的在于，以简要形式呈现本发明的某些构思，作为下文具体实施方式的引言。

本发明大体上涉及配置成将离子注入工件的离子注入系统。加热夹盘例如定位于处理腔室内，其中该加热夹盘配置成选择性将工件夹持到其夹持表面。加热夹盘例如包括承板，该承板具有用于将工件夹持到其上的夹持表面。承板具有嵌入其中或以其他方式与其相关联的一个或多个加热器，其中一个或多个加热器配置成选择性加热夹持表面。基板可操作地耦合至承板，其中基板与承板之间设置有间隙。在基板中进一步限定一个或多个冷却通道。在间隙中进一步选择性布置传热介质。根据某一实例，冷却流体源进一步选择性可操作地耦合至冷却通道。

控制器例如配置成以第一模式和第二模式中的一种模式选择性操作离子注入系统。在第一模式下，控制器配置成不激活(notactivate)一个或多个加热器并使冷却流体流过冷却通道。据此，通过承板与基板之间的传热介质传递热量，其中将热量传递到冷却流体。在第二模式下，控制器配置成将一个或多个加热器激活到预定温度并可选地从冷却通道中清除冷却流体。

根据某一实例，进一步提供气体和真空源，其中传热介质包括气体。控制器例如进一步配置成在第一模式下经由控制气体和真空源以预定压力选择性向间隙供应气体。这样，承板选择性热耦合至基板。控制器例如进一步配置成在第二模式下经由控制气体和真空源选择性抽空间隙，其中选择性使承板与基板隔热。在一个或多个实例中，预定压力约为5托，并且间隙约为10微米。

根据另一实例，传热介质包括配置成在承板与基板之间传递热量的凝胶、柔性材料和浆料中的一种或多种材料。在另一实例中，加热夹盘配置成将工件加热到预定处理温度，诸如范围从约100℃至约200℃的处理温度。在又一实例中，所述系统包括预热站和后冷站中的一个或多个站，用于在将工件置于夹盘上之前或之后对工件进行预热或后冷。

根据本发明另一示例性方面，提供一种加热夹盘，其包括承板和基板，该基板具有限定在其中的冷却通道。基板可操作地耦合至承板，其中在承板与基板之间限定间隙，并且其中间隙中选择性设置有传热介质。进一步提供一个或多个加热器，其中加热夹盘可选择性以第一模式和第二模式操作。在第一模式下，一个或多个加热器未激活，并且冷却流体流过基板中的冷却通道，其中通过承板与基板之间的传热介质传递热量。在第二模式下，将一个或多个加热器激活到预定温度，并且能够可选地从冷却通道中清除冷却流体。

在某一实例中，冷却流体源选择性可操作地耦合至冷却通道，并且控制器配置成经由控制一个或多个加热器、冷却流体源和传热介质来选择性以第一模式和第二模式控制加热夹盘的操作。

根据本发明的还一示例性方面，提供一种以多种模式将离子注入工件的方法。所述方法包括以第一模式和第二模式中的一种模式选择性操作离子注入系统的加热夹盘。所述方法例如包括将工件静电夹持至加热夹盘的夹持表面。在第一模式下，控制器停止激活加热夹盘中的一个或多个加热器，并且冷却流体流过加热夹盘中的冷却通道。在第一模式下，通过布置在夹盘的承板与基板之间的间隙中的传热介质传递热量，其中热量传递到冷却流体。在第二模式下，将一个或多个加热器激活到预定温度，并且可以从冷却通道中清除冷却流体。

在某一实例中，传热介质包括气体，其中在第一模式下，以预定压力向间隙供应气体，其中使承板热耦合至基板。在第二模式下，将间隙抽空，其中使承板与基板大体上隔热。例如，加热夹盘将工件加热到预定处理温度，其中处理温度在第一模式下约为室温并且在第二模式下的范围从约100℃至约200℃。

在又一实例中，所述方法进一步包括执行将离子注入工件。可以进一步执行在注入之前对工件进行预热以及在注入之后对工件进行后冷中的一个或多个步骤。

为实现前述及有关目的，本发明包括下文完整描述且特别在权利要求书中所指出的特征。下列说明及附图详细提出于本发明的某些说明性实施方案。但这些实施方案仅表明采用本发明原理的多种不同方式中的少数几种。结合附图并参阅下文对本发明的详细描述，本发明的其他目的、优点及新颖性特征将显而易见。

附图说明

图1示出根据本发明某一方面的示例性加热离子注入系统的框图；

图2示出根据本发明某一方面的esc的夹持表面的俯视透视图；

图3示出根据本发明某一方面的esc的仰视透视图；

图4a示出根据本发明某一方面的esc的局部剖视透视图；

图4b示出根据本发明某一方面的esc的局部侧视图；

图5示出说明根据本发明另一示例性方面的在室温下将离子注入工件的示例性方法的框图；

图6示出说明根据本发明另一示例性方面的用于加热离子注入工件的示例性方法的框图；

图7示出说明根据另一方面的示例性控制系统的框图。

具体实施方式

本发明大体上涉及离子注入系统，更具体涉及一种配置用于高温注入和准室温注入的离子注入系统和夹盘。据此，现将结合附图对本发明予以阐述，其中相同的附图标记通篇可指代相同的元素。应当理解，对这些方面的描述仅供说明，而不得解释为限定目的。在下文内容中，出于解释目的阐述许多具体细节，以便提供对本发明的全盘了解。但本领域技术人员显而易见的是，本发明可在不具备这些具体细节的情况下实施。

加热的离子注入过程能够将工件加热到范围从100℃至200℃的处理温度。例如在静电夹盘上部分地达到并保持处理温度，该静电夹盘在注入期间支撑工件。为了降低购置成本，本发明提供一种离子注入机，其不仅能够执行加热的注入，而且能够在环境温度(室温)下开始对工件的注入，使温度保持低于约100℃。为了实现这一点，还为这种操作模式提供对工件的主动冷却。本发明提供一种系统，该系统能够在加热工件与冷却工件之间快速更改操作模式，而不会对硬件产生物理变化。

另外，在静电夹盘(esc)上加热工件后再处理工件的系统会对工件总处理量和降低购置成本产生显著影响。美国马萨诸塞州比佛利的axcelistechnologies公司设计了一种预热站，其在工件转移并转交到esc之前将工件温度提升到注入温度(例如，在约100℃至约200℃的范围内)，从而基于期望的注入过程，使esc维持期望的注入温度。预热站增加了对工件平行加热的优点，这会直接影响总处理量，因为可能正在esc上处理第一工件(例如注入)的同时，加热(例如预热)后续的工件。另外，将工件预热到相对接近处理期间所用温度的温度将显著缓解因热膨胀而产生颗粒和工件损坏的风险。

有鉴于此，根据本发明某一方面，图1示出示例性离子注入系统100。本实例中的离子注入系统100包括示例性离子注入设备101，但亦涵盖其他各类型基于真空的半导体处理系统，如等离子处理系统或其他半导体处理系统。离子注入设备101例如包括终端102、束线总成104及终端站106。

一般而言，终端102中的离子源108耦合至电源110，以使掺杂剂气体离子化成多个离子且形成离子束112。在本实例中，引导离子束112穿过质量分析设备114且穿出穿孔116射向终端站106。在终端站106中，离子束112轰击工件118(例如硅晶片、显示面板等衬底)，该工件118被选择性夹持至或安装至夹盘120(例如静电夹盘或esc)。一旦注入的离子嵌入工件118的晶格时，则其改变工件的物理和/或化学性质。正因如此，离子注入用于半导体装置制造和金属表面处理以及材料科学研究中的各种应用。

本发明的离子束112可采取任何形式，如笔形束或点束、带状束、扫描束或使离子指向终端站106的任何其他形式，并且所有这些形式均属本发明的范围内。

根据一典型方面，终端站106包括处理腔室122，如真空腔室124，其中处理环境126与该处理腔室关联。处理环境126一般存在于处理腔室122内，在某个实例中，处理环境126包括由耦合至处理腔室并配置成大体上将该处理腔室抽成真空的真空源128(例如真空泵)所产生的真空。

在某个实例中，离子注入设备101配置成提供高温离子注入，其中工件118被加热到处理温度(例如约100至600℃)。因此，在本实例中，夹盘120包括加热夹盘130，其中该加热夹盘配置成支撑并保持工件118，同时还在工件暴露于离子束112之前、期间和/或之后在处理腔室122内加热工件118。

加热夹盘130例如包括配置成将工件118加热到处理温度的静电夹盘(esc)，该处理温度显著高于周围或外部环境132(例如也称作“大气环境”)的环境或大气温度。可以进一步提供加热系统134，其中该加热系统配置成加热加热夹盘130，进而将居于其上的工件118加热到期望的处理温度。加热系统134例如配置成经由布置于加热夹盘130内的一个或多个加热器136选择性加热工件118。

对于某些高温注入而言，工件118能够在处理环境126的真空内“浸泡”在加热夹盘130上，直至达到期望温度。作为替代方案，为延长通过离子注入系统100的循环时间，可在一个或多个腔室138a、138b(例如一个或多个装载锁定腔室)中预热工件，这些腔室经由预热设备152可操作地耦合至处理腔室122。

根据工具架构、工艺和额定产量，工件118可经由预热设备152预热到第一温度，其中该第一温度等于或低于工艺温度，从而实现真空腔室124内的加热夹盘130上的最终热均衡。这种情况导致工件118在转移到处理腔室122期间损失一些热量，其中在加热夹盘130上执行最终加热到处理温度。作为替代方案，工件118可经由预热设备152预热到高于处理温度的第一温度。据此，第一温度将得到优化，以便工件118在转移到处理腔室122期间的冷却恰好足以使工件处于其夹持到加热夹盘130上时期望的处理温度。

与一个或多个腔室相关联的预热设备152(例如图1中的腔室138a)能够有利地在外部环境132的大气压力下加热工件118，之后将工件带入处理腔室120的处理环境126的真空。举例而言，主要由辐射主导在高度真空环境中(如在处理腔室120内)将热量传递到工件118中。结晶硅在300至500℃的温度下的总半球发射率例如约在0.2至0.6的范围内，因此由于工件118的低辐射热吸收率而无法良好适应快速的热瞬变。

为加速热升温并实现热传递的附加机制，工件118的背面与加热夹盘130导通。通过加热夹盘130与工件118之间的压控气体界面(又称“背面气体”)实现这种导通。背面气体的压力例如通常受加热夹盘130的静电力限制，并且通常可能保持在5至20托的范围内。在某个实例中，背面气体界面的厚度(例如工件118与加热夹盘130之间的距离)以微米量级(通常为5至20μm)来控制，照此分子平均自由路径在这种压力状态下使得界面厚度的大小足以将系统推入过渡和分子气体状态。

作为替代方案，预热设备152可在处理环境126的真空压力下加热工件118。在又一替代方案中，预热设备152可在与一个或多个腔室138a、138b被抽气以从大气压力转变为真空压力相同的时间帧内加热工件118。

预热设备152例如包括定位于腔室138a内的热板154。热板154例如包括电阻加热器，其能够包括嵌入热板中的加热元件、热泵或用于将热能从热板传递到工件118的其他加热机制。作为替代方案，预热设备152包括辐射热源，诸如卤素灯、发光二极管和红外放热装置中的一个或多个。

根据本发明的另一方面，腔室138b包括冷却设备160，该冷却设备配置成在离子注入期间继离子注入之后将工件118布置在腔室138b内时冷却工件。冷却设备160例如可包括冷淬工件支撑件162，其中该冷淬工件支撑件配置成经由热传导主动冷却居于其上的工件118。冷淬工件支撑件162例如包括冷板，该冷板具有贯穿其中的一个或多个冷却通道，其中经过冷却通道的冷却流体大致冷却居于冷板表面上的工件118。冷淬工件支撑件162可包括其他冷却机制，诸如珀尔帖冷却器或本领域普通技术人员公知的其他冷却机制。

根据另一示例性方面，进一步提供控制器170并且该控制器配置成选择性激活加热系统134、预热设备152和冷却设备，以选择性加热或冷却相应位于其上的工件118。控制器170例如可配置成经由预热设备152加热腔室138a中的工件118，以在处理腔室122中经由加热夹盘130和加热系统134将工件加热到预定温度，经由离子注入设备101将离子注入工件，选择性经由冷却设备160冷却腔室138b中的工件，并经由控制泵和排气口172、相应腔室138a、138b的相应大气门174a、174b和真空门176a、176b以及工件转移设备178a、178b在大气环境132与真空环境126之间转移工件。

在某个实例中，可进一步往返于处理腔室122递送工件118，以便经由工件转移设备178a在所选的前开式统集盒(frontopeningunifiedpod，foup)180a、180b与腔室138a、138b之间转移工件，并经由工件转移设备178b在腔室138a、138b与加热夹盘130之间转移工件。控制器170例如进一步配置成经由控制工件转移设备178a、178b选择性在foup180a、180b、腔室138a、138b与加热夹盘130之间转移工件。

如前所述，常规离子注入系统通常使用各种不同配置的静电夹盘，由此在不同温度范围内执行的注入分别使用具有不同传热能力的不同静电夹盘。然而，本发明图1中的系统100有利地配置成执行高温注入(例如在100℃至600℃的范围内)以及准室温注入(例如在20℃至100℃的范围内)，同时使用相同的加热夹盘130。这种配置在简便性和生产率方面均优于常规系统，因为图1中的系统100可用于各种注入方案，其配置变化最小，同时缓解常规离子注入系统的常规激活操作中常见的各种缺陷。

图2示出示例性加热夹盘130，其中esc例如具有两种功能，即夹持图1中的工件118并加热和/或冷却该工件。如图2所示的一个或多个接地脚182例如设置用于工件的电接地，并且台面184设置在esc130的顶表面186上，以便尽量减少与图1中工件118的接触并消除微粒污染。

例如，图3示出esc130的背面188，其中为esc提供多个机械与电气接口190。例如，第一接口190a设置用于高压静电电极(未示出)，该高压静电电极配置成以静电方式将工件吸引到esc130。第二接口190b设置用于为嵌入esc130的双区加热器191a和191b供电。在图3的示意图中并未明确示出，但双区加热器191a和191b例如可以定位在esc130内来加热esc的各个区域，诸如中央区域和外围区域中的一个或多个区域，并且该双区加热器可以轴向和/或径向定位，以便对工件进行所需的加热。例如，进一步提供第三接口190c，用于通过嵌入esc130的电阻温度探测器(rtd)192给予温度反馈，以便进行温度控制。

根据本发明另一示例性方面，图4a示出esc130的一部分200。例如，图中示出上承板202，由此可以实施一个或多个高压电极204，以将工件(未示出)夹持到esc130的顶表面186。在某一实例中，上承板202由陶瓷材料构成，其具有嵌入其中或以其他方式与其相关联的一个或多个高压电极204。上承板202例如粘结到加热器承板206，该加热器承板206具有与其相关联的加热器208(例如一个或多个加热元件)。例如，加热器承板206可以由陶瓷材料构成，由此加热器208布置在上承板202与加热器承板之间的界面210位置或附近。加热器208例如能够配置成在注入过程期间主动加热或保持图1中工件118的温度。图4a中的加热器208例如能够视需要加热工件或以其他方式使工件温度保持在200℃至500℃或各种其他升高温度。上承板202和加热器承板206例如统称为承板212。因此，图1中的工件118例如能够经由通过图4a中的承板212将热量传递到工件来加热。

在某一实例中，图4b示出如图4b所示的esc130的部分200的进一步放大部分214，其中在承板212的顶表面186与居于其上的工件118之间的背面间隙216中提供背气(未示出)，以便加热或冷却工件。例如，在背面间隙216中设置背气层218(例如约10微米)，以在冷却模式下将热量从工件118传导到夹盘130，或者加热器208能够将热量从夹盘传导到工件，以便提供或保持更高的温度。

根据另一示例性方面，本发明进一步提供传热介质220，其定位于承板212与基板224之间的间隙222(例如约10微米)中，由此能够利用相同的esc130进行室温(rt)操作和升温下的加热注入。例如，在第一实施方案中，在承板212与基板224之间设置传热介质220(例如低热阻的延性材料)，以便能够通过上承板202和加热器承板206(例如，两者都是陶瓷板)将工件118中的热量传递到基板224(例如由铝构成)的一个或多个冷却通道228中的冷却流体226。传热介质220例如可以包括具有高传热能力的柔性或延性材料。例如，传热介质220可以包括硅树脂基底，其中布置有碳或其他适当的导热体。传热介质220可以替代地包括诸如柔性聚合物或凝胶的其他材料、导热膏或者在承板212与基板224之间提供良好表面接触的其他材料。

在第二实施方案中，在承板212与基板224之间的间隙222中设置气体薄层(未示出)作为传热介质220。例如，在室温操作中，能够在间隙222内以预定气压(例如约5托)提供传热气体作为传热介质220，以便将热量从承板212传导到基板224，并且进一步经由如图1所示的冷却流体系统230传导到设置在一个或多个冷却通道228中的冷却流体226(例如水)。替选地，可以在图4b的间隙222中提供真空，以使承板212与基板224大体上隔热，从而大体上防止加热操作期间可能存在的热量传递到基板中的冷却通道228。

在第一实施方案或第二实施方案中，可以有利地抽空一个或多个冷却通道228内的冷却流体226，以便在对esc130的加热操作期间基本上消除冷却流体(例如水)沸腾相关的有害问题。例如，在某些情况下，能够从esc130中清除冷却流体226，由此不提供冷却。替选地，冷却流体226可以较低的速率流过esc130，或者可以改变冷却流体的外部冷却，以便向基板224提供更少量的冷却，以减轻对o形环231或与esc130相关联的其他特征造成潜在的热损伤。

在某一实例中，一个或多个冷却通道228填充水作为冷却流体226，使得水流过其中，以便通过背体层218、承板212和传热介质220导热时传导工件118中的热量(例如从其中带走热量)到基板224，诸如将适合于esc130的室温操作。在这样的操作中，水将流过esc130中的一个或多个冷却通道226，以从esc中移除热量并将热量传递到外置热交换器。

据此，在本实例中，esc130的结构能够保持大致不变，除了在承板212与基板224之间的间隙222中提供气体作为传热介质220或者从间隙中抽空气体，并且/或者基板224的一个或多个冷却通道226中的水流过一个或多个冷却通道或从一个或多个冷却通道排出，以便提供esc的各种操作模式而无需在机械上修改esc。

例如，在第一种操作模式(例如，室温操作模式)下，由图1的气体输送系统232将气体提供到图4b的承板212与基板224之间的间隙222，从而能够在约5托下输送气体，以便提供良好的热传导路径，将热量从工件118传递到一个或多个冷却通道228中的冷却流体226。例如，在室温离子注入中可能需要这样的第一种操作模式。在第一实施方案中例如可以同样实施第一种操作模式，其中传热介质222在承板212与基板224之间将热量传导到一个或多个冷却通道228中的冷却流体226。

替选地，在第二种操作模式(例如加热操作模式)下，图1中的气体输送系统232能够配置成选择性抽空间隙222以在承板212与基板224之间限定真空，以便尽量减少从一个或多个加热器208到一个或多个冷却通道228中的冷却流体226的热传递。这样的第二种操作模式例如可能适合于加热的离子注入操作，其中将工件118加热到更高的温度(例如高于200℃)。再次指出，在上文讨论的第一实施方案或第二实施方案中的任一实施方案中，在第二操作模式(例如加热操作)期间，可以通过图1中的冷却流体系统230从冷却通道228中排出水或其他冷却流体226。

应当指出，在利用上述柔性材料作为图4b的传热介质222并利用水作为冷却流体228的加热操作中，可以优选经由图1的冷却流体系统230从一个或多个冷却通道228中排水，以便尽量减少水沸腾的可能性。

有鉴于此，本发明提供一种系统，该系统能够在室温下主动冷却和/或主动加热工件(例如，主动冷却，以便由于注入过程中涉及的热量而从工件移除热量)，或者将工件加热到升高温度(例如，主动向工件增加热量，以便进行加热注入过程)。如上所述，图1的离子注入系统101例如可以有利地包括esc130和相关系统。例如，预热设备152可以用于将工件118的温度增高到期望温度，从而esc130维持或设定注入温度，并且经由冷却设备160在注入之后进一步提供对工件的冷却。

据此，本发明的系统可操作成在一个系统中执行任意或全部上述操作，其中该系统的物理结构不变，而简单地更改或修改系统的操作条件或流体经过系统。这样，本发明提供了利用相同物理加热夹盘130的多种操作模式。

在本发明的另一方面，图5示出用于以第一操作模式处理工件的方法300。应当指出，尽管在本文中以一系列动作或事件阐述示例性方法，但应领会，本发明不仅限于这类动作或事件的所示次序，根据本发明，某些步骤会以不同顺序执行且/或与除本文所述之外的其他步骤同时进行。此外，并非所述各步骤均需用于实现根据本发明的方法。还应领会，所述方法可结合本文所述的系统并结合本文未示的其他系统来实施。

如图5所示的方法300说明在第一种操作模式下操作的系统或者在室温下将离子注入工件的主动冷却的实例。首先，如图5所示，在步骤302中，泵水和/或阀控系统使冷却水流入扫描机器人的冷却管线和esc中的冷却通道。将esc中的一个或多个加热器设置为“off”，并且将预热站设置为“off”。在动作306中，一旦达到环境温度(例如，在约60分钟内)，离子注入系统就准备进行生产。在动作308中，将传热介质调到“on”，从而在承板与基板之间的间隙中提供传热气体。在动作310中，执行工件处理并将离子注入工件，而在动作312中，从esc移取工件。

如图6所示的方法350说明在主动加热的第二种操作模式下操作的系统的实例(例如，用于在200℃下加热注入)。在动作352中，泵水和/或阀控系统例如可选地从esc和扫描机器人中的管线中清除冷却水(例如，无水流过esc)。例如，在某些情况下，能够从esc中清除冷却水，由此不提供冷却。替选地，冷却水可以较低的速率流过esc，或者可以改变冷却水的外部冷却，以便向基板提供少量的冷却(例如，以热保护o形环或esc的其他特征)。在动作354中，将esc加热器设定为约205℃，并且将预热站设定为约210℃。在动作356中，一旦达到期望温度(例如，在约60分钟内)，该系统就准备进行生产。在动作358中，将工件在负载锁定腔室中预热到约210℃。然后，在动作360中，将工件转移到esc上。在动作362中，夹持工件，打开背气(bsg)阀，例如提供约5托的背气压力(bsgp)，并且开始离子注入。在动作364中，在将离子注入工件之后，将工件从esc转移到后冷站并在负载锁定腔室中冷却到低于约80℃。

根据另一方面，可在一个或多个控制器、通用计算机或基于处理器的系统中利用计算机程序代码实施前述方法。如图7所示，根据另一实施方案提供基于处理器的系统400的框图。基于处理器的系统400是通用型计算机平台并可用于实施本文所述的方法流程。基于处理器的系统400可包括处理单元402，诸如台式计算机、工作站、笔记本电脑或为特定应用程序定制的专用单元。基于处理器的系统400可配备显示器418以及一个或多个输入/输出装置420，诸如鼠标、键盘或打印机。处理单元402可包括中央处理单元(cpu)404、存储器406、大容量存储部408、视频适配器412和/或连接至总线410的i/o接口414。

总线410可以是任意类型的诸多种总线体系结构中的一个或多个，包含存储器总线或存储控制器、外围总线或视频总线。cpu304可包括任意类型的电子数据处理器，存储器306可包括任意类型的系统存储器，诸如静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)或只读存储器(rom)。

大容量存储部408可包括任意类型的配置用于存储数据、程序及其他信息且可经由总线410访问这些数据、程序及其他信息的存储装置。大容量存储部408可包括例如硬盘驱动器、磁盘驱动器或光盘驱动器中的一个或多个。

视频适配器412及i/o接口414为将外部输入及输出装置连接至处理单元402提供接口。输入及输出装置的实例包含连接至视频适配器412的显示器418以及连接至i/o接口414的i/o装置420，诸如鼠标、键盘、打印机等。其他装置也可连接至处理单元402并可使用或多或少的接口卡。举例而言，串行接口卡(图中未示)可用于为打印机提供串行接口。处理单元402还可包括网络接口416，该网络接口可有线连接至局域网(lan)或广域网(wan)422和/或无线线路。

应当指出，基于处理器的系统400可包括其他部件。举例而言，基于处理器的系统400可包含电源、连接线、主板、移动储存媒介、机箱等。这些其他部件尽管在图中并未示出，但均视作所述基于处理器的系统400的组成部分。

本发明的实施方案可在基于处理器的系统400上实施，如通过cpu404执行的程序代码实施。根据上述实施方案所述的各种方法均可通过程序代码实施而成。据此，此处省略详尽说明。

此外，还应指出，图1至图6中的各种模块及装置均可在一个或多个图7中基于处理器的系统400上实施并受其控制。不同模块及装置间的通讯可根据模块实施的方式而有所差异。倘若模块是在一个基于处理器的系统400上实施，则数据可在由cpu404执行用于不同步骤的程序代码之间存储于存储器406或大容量存储部408。而后在各步骤执行期间，可由cpu404通过总线410访问存储器406或大容量存储部408而提供数据。倘若模块是在不同的基于处理器的系统400上实施或预计由其他存储系统(如独立数据库)提供数据，则可通过i/o接口414或网络接口416在系统400之间提供数据。类似地，由装置或存储器提供的数据可由i/o接口414或网络接口416输入一个或多个基于处理器的系统300。本领域的普通技术人员容易理解实施落入不同实施方案范围内的系统及方法的其他变化方案及改进方案。

尽管本发明的内容已就某一或某些优选实施方式得以阐明，但基于对本发明说明书及附图的阅读和理解，等同变化及修改对于本领域的技术人员而言显而易见。特别关于由上述组件(总成、装置、电路等)执行的各种功能，若非特别注明，否则用于描述这些组件的术语(包括提及“构件”)旨在对应于执行所述组件的特定功能(即功能上等同)的任意部件，即便其在结构上不等同于执行本文所述的本发明的示例性实施方案所公开的结构亦然。此外，虽然仅就多个实施方案中的一种方案公开本发明的特定特征，但若适于或利于任何指定或特定应用，则这一特征可结合其他实施方案的一个或多个其他特征。