TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法与流程

本发明涉及扫描天线，特别是涉及天线单位(有时也称为“元件天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)、这种扫描天线所使用的tft基板以及这种tft基板的制造方法。

背景技术：

移动体通信或卫星广播用天线需要能改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)”。)，已知具备天线单位的相控阵列天线。但是，现有的相控阵列天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单位的数量增加时，成本会显著上升。

因此，已提出利用了液晶材料(包括向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～5和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数m(εm)”。

在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“lcd”。)的技术能得到价格低的扫描天线。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2007-116573号公报

专利文献2：特开2007-295044号公报

专利文献3：特表2009-538565号公报

专利文献4：特表2013-539949号公报

专利文献5：国际公开第2015/126550号

非专利文献

非专利文献1：r.a.stevensonetal.，“rethinkingwirelesscommunications：advancedantennadesignusinglcdtechnology”，sid2015digest，pp.827-830.

非专利文献2：m.andoetal.，“aradiallineslotantennafor12ghzsatellitetvreception”，ieeetransactionsofantennasandpropagation，vol.ap-33，no.12，pp.1347-1353(1985).

技术实现要素：

发明要解决的问题

如上所述，虽然已知通过应用lcd技术来实现价格低的扫描天线这样的想法，但是没有具体地记载了利用lcd技术的扫描天线的结构、其制造方法以及其驱动方法的文献。

因此，本发明的目的在于提供能利用现有的lcd的制造技术批量生产的扫描天线、这种扫描天线所使用的tft基板以及这种tft基板的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的tft基板具有电介质基板和在上述电介质基板上排列的多个天线单位区域，具备包含上述多个天线单位区域的发送接收区域和位于上述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域，上述多个天线单位区域各自具有tft和电连接到上述tft的漏极电极的贴片电极，在上述tft基板中，具有：源极金属层，其支撑于上述电介质基板，包含上述tft的源极电极、上述漏极电极、连接到上述源极电极的源极总线、以及上述贴片电极；栅极金属层，其形成在上述源极金属层上，包含上述tft的栅极电极和连接到上述栅极电极的栅极总线；栅极绝缘层，其形成在上述源极金属层与上述栅极金属层之间；以及导电层，其形成在上述栅极金属层上，在上述栅极金属层与上述导电层之间不具有绝缘层。

在某实施方式中，上述栅极金属层的上表面和侧面被上述导电层覆盖。

在某实施方式中，上述栅极金属层包含：包含从包括cu、al、ag以及au的组中选择的至少1种元素的层。

在某实施方式中，上述栅极金属层的至少一部分未被上述导电层覆盖。

在某实施方式中，上述栅极金属层不包含：包含从包括cu、al、ag以及au的组中选择的至少1种元素的层。

在某实施方式中，上述栅极金属层包含：包含从包括ti、w、mo、ta以及nb的组中选择的至少1种元素的层。

在某实施方式中，上述导电层包含透明导电层。

在某实施方式中，上述导电层包含：第1导电层，其包含透明导电层；以及第2导电层，其形成在上述第1导电层之下，由从包括ti层、monb层、monbni层、mow层、w层以及ta层的组中选择的至少1个层形成。

在某实施方式中，上述tft基板还具有配置在上述非发送接收区域的源极端子部，上述源极端子部具有：源极端子用下部连接部，其包含于上述源极金属层，与上述源极总线电连接；第1开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述源极端子用下部连接部；以及源极端子用上部连接部，其包含于上述导电层，在上述第1开口部内与上述源极端子用下部连接部连接。

在某实施方式中，上述tft基板还具有配置在上述非发送接收区域的栅极-源极连接部，上述栅极-源极连接部具有：栅极下部连接配线，其包含于上述源极金属层，是与上述源极总线电分离的；第2开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述栅极下部连接配线；栅极总线连接部，其包含于上述栅极金属层，连接到上述栅极总线；以及栅极上部连接部，其包含于上述导电层，在上述第2开口部内与上述栅极下部连接配线连接，并且与上述栅极总线连接部连接。

在某实施方式中，上述tft基板还具有配置在上述非发送接收区域的栅极端子部，上述栅极端子部具有：栅极端子用下部连接部，其包含于上述源极金属层，与上述栅极下部连接配线电连接；第3开口部，其形成于上述栅极绝缘层，到达上述栅极端子用下部连接部；以及栅极端子用上部连接部，其包含于上述导电层，在上述第3开口部内与上述栅极端子用下部连接部连接。

在某实施方式中，上述栅极绝缘层还具有到达上述贴片电极的第4开口部，上述导电层包含覆盖上述贴片电极中的通过上述第4开口部露出的部分的贴片导电部。

本发明的实施方式的扫描天线具备：上述的任意一个tft基板；缝隙基板，其以与上述tft基板相对的方式配置；液晶层，其设置在上述tft基板与上述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层与上述缝隙基板的与上述液晶层相反的一侧的表面相对的方式配置，上述tft基板还具有覆盖上述导电层的第1取向膜，上述缝隙基板具有：其它电介质基板；缝隙电极，其形成在上述其它电介质基板的上述液晶层侧的表面；以及第2取向膜，其覆盖上述缝隙电极，上述缝隙电极具有多个缝隙，上述多个缝隙与上述tft基板的上述多个天线单位区域中的上述贴片电极对应地配置。

在某实施方式中，上述第1取向膜与上述导电层接触，与上述栅极金属层不接触。

在某实施方式中，上述第1取向膜与上述栅极金属层接触。

本发明的实施方式的tft基板的制造方法是上述的任意一个tft基板的制造方法，包含：工序(a)，在上述电介质基板上形成源极用导电膜，将上述源极用导电膜图案化，从而形成上述源极金属层；工序(b)，沉积覆盖上述源极金属层的第1绝缘膜；工序(c)，进行上述第1绝缘膜的蚀刻，从而得到上述栅极绝缘层；工序(d)，在上述第1绝缘膜上或上述栅极绝缘层上形成栅极用导电膜，将上述栅极用导电膜图案化，从而形成上述栅极金属层；以及工序(e)，在上述栅极金属层上形成上述导电层。

在某实施方式中，上述工序(d)在上述工序(c)之前进行，其包含在上述第1绝缘膜上形成上述栅极用导电膜的工序。

在某实施方式中，上述工序(d)在上述工序(c)之后进行，其包含在上述栅极绝缘层上形成上述栅极用导电膜的工序。

在某实施方式中，上述工序(c)包含在上述第1绝缘膜形成上述第1开口部的工序。

发明效果

根据本发明的某实施方式，可提供能利用现有的lcd的制造技术批量生产的扫描天线、这种扫描天线所使用的tft基板以及这种tft基板的制造方法。

附图说明

图1是示意性地示出第1实施方式的扫描天线1000的一部分的截面图。

图2的(a)和(b)是分别示出扫描天线1000的tft基板101和缝隙基板201的示意性俯视图。

图3的(a)和(b)是分别示意性地示出tft基板101的天线单位区域u的截面图和俯视图。

图4的(a)～(c)是分别示意性地示出tft基板101的栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。

图5是示出tft基板101的制造工序的一例的图。

图6是示意性地示出缝隙基板201的天线单位区域u和端子部it的截面图。

图7是用于说明tft基板101和缝隙基板201的传输部的示意性截面图。

图8的(a)～(c)是分别示出第2实施方式的tft基板102的栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。

图9是示出tft基板102的制造工序的一例的图。

图10的(a)～(c)是分别示出第3实施方式的tft基板103的栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。

图11是示出tft基板103的制造工序的一例的图。

图12是用于说明tft基板103和缝隙基板203的传输部的示意性截面图。

图13的(a)是具有加热器用电阻膜68的tft基板104的示意性俯视图，(b)是用于说明缝隙57和贴片电极15的尺寸的示意性俯视图。

图14的(a)和(b)是示出电阻加热结构80a和80b的示意性结构和电流的分布的图。

图15的(a)～(c)是示出电阻加热结构80c～80e的示意性结构和电流的分布的图。

图16的(a)是具有加热器用电阻膜68的液晶面板100pa的示意性截面图，(b)是具有加热器用电阻膜68的液晶面板100pb的示意性截面图。

图17是示出本发明的实施方式的扫描天线的1个天线单位的等价电路的图。

图18的(a)～(c)、(e)～(g)是示出在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的例子的图，(d)是示出进行点反转驱动的lcd面板的显示信号的波形的图。

图19的(a)～(e)是示出在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的另一例的图。

图20的(a)～(e)是示出在实施方式的扫描天线的驱动中使用的各信号的波形的又一例的图。

图21的(a)～(c)是例示第4实施方式的tft基板105的示意性俯视图。

图22的(a)～(e)是tft基板105的示意性截面图。

图23的(a)～(c)是tft基板105的示意性截面图。

图24的(a)～(e)是示出tft基板105的制造方法的一例的工序截面图。

图25的(a)～(c)是示出tft基板105的制造方法的一例的工序截面图。

图26的(a)～(c)是示出tft基板105的制造方法的一例的工序截面图。

图27的(a)～(c)是例示第4实施方式的变形例1的tft基板106的示意性俯视图。

图28的(a)～(e)是tft基板106的示意性截面图。

图29的(a)～(c)是tft基板106的示意性截面图。

图30的(a)～(c)是示出tft基板106的制造方法的一例的工序截面图。

图31的(a)～(c)是例示第4实施方式的变形例2的tft基板107的示意性俯视图。

图32的(a)～(e)是tft基板107的示意性截面图。

图33的(a)～(c)是tft基板107的示意性截面图。

图34的(a)～(e)是示出tft基板107的制造方法的一例的工序截面图。

图35的(a)～(c)是示出tft基板107的制造方法的一例的工序截面图。

图36的(a)～(c)是示出tft基板107的制造方法的一例的工序截面图。

图37的(a)～(c)是例示第4实施方式的变形例3的tft基板108的示意性俯视图。

图38的(a)～(e)是tft基板108的示意性截面图。

图39的(a)～(c)是tft基板108的示意性截面图。

图40的(a)～(c)是示出tft基板108的制造方法的一例的工序截面图。

图41的(a)～(c)是例示第5实施方式的tft基板105a的示意性俯视图。

图42的(a)～(e)是tft基板105a的示意性截面图。

图43的(a)～(c)是tft基板105a的示意性截面图。

图44是示出具备tft基板105a的扫描天线中的液晶面板100a的结构的截面图。

图45的(a)～(c)是示出tft基板105a的制造方法的一例的工序截面图。

图46的(a)～(c)是例示第5实施方式的变形例1的tft基板106a的示意性俯视图。

图47的(a)～(e)是tft基板106a的示意性截面图。

图48的(a)～(c)是tft基板106a的示意性截面图。

图49的(a)～(c)是示出tft基板106a的制造方法的一例的工序截面图。

图50的(a)～(c)是例示第5实施方式的变形例2的tft基板107a的示意性俯视图。

图51的(a)～(e)是tft基板107a的示意性截面图。

图52的(a)～(c)是tft基板107a的示意性截面图。

图53的(a)～(c)是示出tft基板107a的制造方法的一例的工序截面图。

图54的(a)～(c)是例示第5实施方式的变形例3的tft基板108a的示意性俯视图。

图55的(a)～(e)是tft基板108a的示意性截面图。

图56的(a)～(c)是tft基板108a的示意性截面图。

图57的(a)～(c)是示出tft基板108a的制造方法的一例的工序截面图。

图58的(a)是示出现有的lcd900的结构的示意图，图58的(b)是lcd面板900a的示意性截面图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式的扫描天线及其制造方法。在以下的说明中，首先，说明公知的tft型lcd(以下称为“tft-lcd”。)的结构和制造方法。不过，关于在lcd的技术领域中的周知事项，有时省略说明。关于tft-lcd的基本技术，例如，请参照liquidcrystals，applicationsanduses，vol.1-3(editor：birendabahadur，publisher：worldscientificpubcoinc)等。为了进行参考，在本说明书中引用上述的文献的全部公开内容。

参照图58的(a)和(b)，说明典型的透射型的tft-lcd(以下简称为“lcd”。)900的结构和动作。在此，例示在液晶层的厚度方向上施加电压的纵向电场模式(例如为tn模式或垂直取向模式)的lcd900。对lcd的液晶电容施加的电压的帧频率(典型地为极性反转频率的2倍)例如在4倍速驱动下也是240hz，作为lcd的液晶电容的电介质层的液晶层的介电常数ε与相对于微波(例如卫星广播或ku频带(12～18ghz)、k频带(18～26ghz)、ka频带(26～40ghz))的介电常数m(εm)不同。

如在图58的(a)中示意性地示出的那样，透射型的lcd900具备液晶显示面板900a、控制电路cntl、背光源(未图示)以及电源电路(未图示)等。液晶显示面板900a包含：液晶显示单元lcc；以及包含栅极驱动器gd和源极驱动器sd的驱动电路。驱动电路例如可以安装于液晶显示单元lcc的tft基板910，驱动电路的一部分或者全部也可以与tft基板910一体化(单片化)。

在图58的(b)中示意性地示出lcd900所具有的液晶显示面板(以下称为“lcd面板”。)900a的截面图。lcd面板900a具有tft基板910、相对基板920以及设置于tft基板910和相对基板920之间的液晶层930。tft基板910和相对基板920均具有玻璃基板等透明基板911、921。作为透明基板911、921，除了玻璃基板以外，有时也使用塑料基板。塑料基板例如用透明的树脂(例如聚酯)和玻璃纤维(例如无纺布)形成。

lcd面板900a的显示区域dr包括排列成矩阵状的像素p。在显示区域dr的周边形成有无助于显示的边框区域fr。液晶材料由以包围显示区域dr的方式形成的密封部(未图示)密封到显示区域dr内。密封部例如通过使包含紫外线固化性树脂和间隔物(例如树脂珠或硅石珠)的密封材料固化而形成，将tft基板910与相对基板920相互粘接、固定。密封材料中的间隔物将tft基板910与相对基板920的间隙、即液晶层930的厚度控制为恒定。为了抑制液晶层930的厚度的面内不匀，在显示区域dr内的被遮光的部分(例如配线上)使用紫外线固化性树脂形成柱状间隔物。近年来，如在液晶电视或智能电话用lcd面板中可以看到的，无助于显示的边框区域fr的宽度变得非常窄。

在tft基板910中，在透明基板911上形成有tft912、栅极总线(扫描线)gl、源极总线(显示信号线)sl、像素电极914、辅助电容电极(未图示)、cs总线(辅助电容线)(未图示)。cs总线与栅极总线平行地设置。或者有时也将下一级的栅极总线作为cs总线使用(栅极上cs结构)。

像素电极914由控制液晶的取向的取向膜(例如聚酰亚胺膜)覆盖。取向膜以与液晶层930接触的方式设置。tft基板910多配置于背光源侧(与观察者相反的一侧)。

相对基板920多配置于液晶层930的观察者侧。相对基板920在透明基板921上具有彩色滤光片层(未图示)、相对电极924以及取向膜(未图示)。相对电极924设置为构成显示区域dr的多个像素p共用，因此也被称为共用电极。彩色滤光片层包括按每一像素p设置的彩色滤光片(例如红滤光片、绿滤光片、蓝滤光片)和用于遮挡对于显示而言不需要的光的黑矩阵(遮光层)。黑矩阵例如以对显示区域dr内的像素p之间和边框区域fr进行遮光的方式配置。

tft基板910的像素电极914、相对基板920的相对电极924以及它们之间的液晶层930构成液晶电容clc。各个液晶电容与像素对应。为了保持对液晶电容clc施加的电压(为了提高所谓的电压保持率)，形成有与液晶电容clc电并联连接的辅助电容cs。辅助电容cs典型地包括与像素电极914设为相同电位的电极、无机绝缘层(例如栅极绝缘层(sio2层))以及连接到cs总线的辅助电容电极。从cs总线典型地供应与相对电极924相同的共用电压。

作为对液晶电容clc施加的电压(有效电压)降低的原因，有(1)基于作为液晶电容clc的电容值cclc与电阻值r的乘积的cr时间常数的原因、(2)由液晶材料中包含的离子性杂质导致的界面极化和/或液晶分子的取向极化等。其中，液晶电容clc的cr时间常数带来的贡献较大，通过设置电并联连接到液晶电容clc的辅助电容cs，能增大cr时间常数。此外，液晶电容clc的作为电介质层的液晶层930的体积电阻率在是通用的向列液晶材料的情况下，超过10¹²ω·cm的量级。

对像素电极914供应的显示信号是在根据从栅极驱动器gd供应到栅极总线gl的扫描信号而选择的tft912成为导通状态时对连接到该tft912的源极总线sl供应的显示信号。因而，连接到某栅极总线gl的tft912同时成为导通状态，此时，从连接到该行的像素p的各个tft912的源极总线sl供应对应的显示信号。从第1行(例如显示面的最上行)到第m行(例如显示面的最下行)为止依次进行该动作，从而在由m行的像素行构成的显示区域dr中写入、显示1个图像(帧)。当像素p按m行n列排列成矩阵状时，与各像素列对应地设置至少1根源极总线sl，而总共设置至少n根源极总线sl。

这种扫描被称为线顺序扫描，从选择1个像素行到选择下1行为止的时间被称为水平扫描期间(1h)，从选择某行到再次选择该行为止的时间被称为垂直扫描期间(1v)或者帧。此外，一般来说，1v(或者1帧)成为将选择全部m个像素行的期间m·h加上消隐期间而得到的期间。

例如，在输入视频信号为ntsc信号的情况下，现有的lcd面板的1v(＝1帧)是1/60sec(16.7msec)。ntsc信号是隔行信号，帧频率为30hz，场频率为60hz，但在lcd面板中需要在各场中对全部像素供应显示信号，因此以1v＝(1/60)sec驱动(60hz驱动)。此外，近年来，为了改善动态图像显示特性，也有以2倍速驱动(120hz驱动、1v＝(1/120)sec)驱动的lcd面板，还有为了进行3d显示而以4倍速(240hz驱动、1v＝(1/240)sec)驱动的lcd面板。

当对液晶层930施加直流电压时，有效电压降低，像素p的亮度降低。在该有效电压的降低中有上述的界面极化和/或取向极化的贡献，因此即使设置辅助电容cs也难以完全防止。例如，当将与某中间灰度级对应的显示信号按每一帧写入全部像素时，亮度会按每一帧变动，而被观察为闪烁。另外，当对液晶层930长时间施加直流电压时，有时会发生液晶材料的电解。另外，有时也会是杂质离子偏析于单侧的电极，而无法对液晶层施加有效的电压，液晶分子无法动作。为了防止这些情况，lcd面板900a进行所谓的交流驱动。典型地进行使显示信号的极性按每一帧(每一垂直扫描期间)反转的帧反转驱动。例如在现有的lcd面板中，按每1/60sec进行极性反转(极性反转的周期为30hz)。

另外，为了在1帧内也使施加的电压的极性不同的像素均匀地分布，而进行点反转驱动或者线反转驱动等。其原因是，正极性与负极性时，难以使对液晶层施加的有效电压的大小完全一致。例如当液晶材料的体积电阻率超过10¹²ω·cm的量级时，若按每1/60sec进行点反转或者线反转驱动，则几乎不会看到闪烁。

基于从控制电路cntl向栅极驱动器gd和源极驱动器sd供应的信号，lcd面板900a中的扫描信号和显示信号从栅极驱动器gd和源极驱动器sd分别供应到栅极总线gl和源极总线sl。例如，栅极驱动器gd和源极驱动器sd分别连接到设置于tft基板910的对应的端子。栅极驱动器gd和源极驱动器sd例如有时作为驱动器ic安装于tft基板910的边框区域fr，有时以单片形成于tft基板910的边框区域fr。

相对基板920的相对电极924经由被称为传输(转移)的导电部(未图示)电连接到tft基板910的端子(未图示)。传输是通过例如与密封部重叠或者对密封部的一部分赋予导电性而形成的。这是为了缩窄边框区域fr。从控制电路cntl对相对电极924直接或者间接地供应共用电压。典型地，共用电压如上所述也对cs总线供应。

[扫描天线的基本结构]

使用了利用液晶材料的大的介电常数m(εm)的各向异性(双折射率)的天线单位的扫描天线对施加于与lcd面板的像素对应的天线单位的各液晶层的电压进行控制，使各天线单位的液晶层的有效的介电常数m(εm)变化，从而由静电电容不同的天线单位形成二维图案(与由lcd进行的图像的显示对应。)。从天线出射或者由天线接收的电磁波(例如微波)被赋予与各天线单位的静电电容相应的相位差，根据由静电电容不同的天线单位形成的二维图案而在特定的方向上具有强指向性(波束扫描)。例如，从天线出射的电磁波是通过考虑由各天线单位赋予的相位差而对输入电磁波入射到各天线单位并在各天线单位散射后得到的球面波进行积分而得到的。也能够认为各天线单位作为“移相器：phaseshifter”发挥功能。关于使用液晶材料的扫描天线的基本结构和动作原理，请参照专利文献1～4和非专利文献1、2。非专利文献2公开了排列有螺旋状缝隙的扫描天线的基本结构。为了参考，在本说明书中引用专利文献1～4和非专利文献1、2的全部公开内容。

此外，本发明的实施方式的扫描天线的天线单位虽然与lcd面板的像素类似，但是与lcd面板的像素的结构不同，且多个天线单位的排列也与lcd面板中的像素的排列不同。参照表示后面详细说明的第1实施方式的扫描天线1000的图1来说明本发明的实施方式的扫描天线的基本结构。扫描天线1000是缝隙排列成同心圆状的径向线缝隙天线，但本发明的实施方式的扫描天线不限于此，例如缝隙的排列也可以是公知的各种排列。特别是关于缝隙和/或天线单位的排列，为了参考而将专利文献5的全部公开内容引用到本说明书中。

图1是示意性地示出本实施方式的扫描天线1000的一部分的截面图，示意性地示出从设置于排列成同心圆状的缝隙的中心近旁的供电销72(参照图2的(b))起沿着半径方向的截面的一部分。

扫描天线1000具备tft基板101、缝隙基板201、配置在它们之间的液晶层lc、以及以隔着空气层54与缝隙基板201相对的方式配置的反射导电板65。扫描天线1000从tft基板101侧发送、接收微波。

tft基板101具有玻璃基板等电介质基板1、形成于电介质基板1上的多个贴片电极15以及多个tft10。各贴片电极15连接到对应的tft10。各tft10连接到栅极总线和源极总线。

缝隙基板201具有玻璃基板等电介质基板51和形成于电介质基板51的液晶层lc侧的缝隙电极55。缝隙电极55具有多个缝隙57。

反射导电板65配置成隔着空气层54与缝隙基板201相对。能够使用由相对于微波的介电常数m小的电介质(例如ptfe等氟树脂)形成的层来代替空气层54。缝隙电极55和反射导电板65以及它们之间的电介质基板51及空气层54作为波导301发挥功能。

贴片电极15、包含缝隙57的缝隙电极55的部分以及它们之间的液晶层lc构成天线单位u。在各天线单位u中，1个贴片电极15隔着液晶层lc与包含1个缝隙57的缝隙电极55的部分相对，构成液晶电容。贴片电极15与缝隙电极55隔着液晶层lc相对的结构与图58所示的lcd面板900a的像素电极914与相对电极924隔着液晶层930相对的结构类似。即，扫描天线1000的天线单位u与lcd面板900a中的像素p具有类似的构成。另外，天线单位在具有与液晶电容电并联连接的辅助电容(参照图13的(a)、图17)方面也具有与lcd面板900a中的像素p相似的构成。但是，扫描天线1000与lcd面板900a具有许多不同之处。

首先，扫描天线1000的电介质基板1、51所要求的性能不同于lcd面板的基板所要求的性能。

lcd面板一般使用在可见光中透明的基板，例如使用玻璃基板或塑料基板。在反射型的lcd面板中，背面侧的基板不需要有透明性，因此有时也使用半导体基板。而作为天线用的电介质基板1、51，优选相对于微波的介电损耗(将相对于微波的介电损耗角正切表示为tanδm。)小。电介质基板1、51的tanδm优选为大致0.03以下，进一步优选为0.01以下。具体地，能使用玻璃基板或者塑料基板。玻璃基板与塑料基板相比尺寸稳定性、耐热性优异，适于使用lcd技术形成tft、配线、电极等电路要素。例如在形成波导的材料是空气和玻璃的情况下，玻璃的上述介电损耗较大，因此从较薄的玻璃更能减小波导损耗这一观点来看，优选是400μm以下，更优选是300μm以下。没有特别的下限，只要在制造工艺中能无破损地进行处理即可。

电极所使用的导电材料也是不同的。在lcd面板的像素电极、相对电极中多使用ito膜作为透明导电膜。但是，ito相对于微波的tanδm大，无法作为天线中的导电层使用。缝隙电极55与反射导电板65一起作为波导301的壁发挥功能。因而，为了抑制微波透射过波导301的壁，优选波导301的壁的厚度、即金属层(cu层或者al层)的厚度大。已知金属层的厚度若是表皮深度的3倍，则电磁波衰减为1/20(-26db)，若是5倍，则衰减为1/150(-43db)左右。因而，若金属层的厚度是表皮深度的5倍，则能将电磁波的透射率降低为1％。例如，针对10ghz的微波，当使用厚度为3.3μm以上的cu层和厚度为4.0μm以上的al层时，能将微波降低到1/150。另外，当针对30ghz的微波使用厚度为1.9μm以上的cu层和厚度为2.3μm以上的al层时，能将微波降低到1/150。这样，优选缝隙电极55由比较厚的cu层或者al层形成。cu层或者al层的厚度没有特别的上限，可考虑成膜时间、成本而适当地设定。当使用cu层时，能得到与使用al层相比形成为较薄的优点。不仅能采用在lcd的制造工艺中使用的薄膜沉积法，还能采用将cu箔或者al箔贴附于基板等其它方法来形成比较厚的cu层或者al层。金属层的厚度例如是2μm以上30μm以下。在使用薄膜沉积法形成的情况下，优选金属层的厚度是5μm以下。此外，反射导电板65能使用厚度例如为几mm的铝板、铜板等。

贴片电极15并不是如缝隙电极55那样构成波导301，因此能使用与缝隙电极55相比厚度较小的cu层或者al层。但是，为了避免缝隙电极55的缝隙57附近的自由电子的振动诱发贴片电极15内的自由电子的振动时转化为热的损耗，而优选电阻低的贴片电极15。从批量生产性的观点来看，与cu层相比优选使用al层，优选al层的厚度例如是0.3μm以上2μm以下。

另外，天线单位u的排列间距与像素间距大为不同。例如，当考虑12ghz(ku频带)的微波用的天线时，波长λ例如是25mm。这样，如专利文献4所记载的，天线单位u的间距是λ/4以下和/或λ/5以下，因此成为6.25mm以下和/或5mm以下。这比lcd面板的像素的间距大10倍以上。因而，天线单位u的长度和宽度也会比lcd面板的像素长度和宽度大约10倍。

当然，天线单位u的排列可与lcd面板中的像素的排列不同。在此，示出排列成同心圆状的例子(例如参照特开2002-217640号公报)，但不限于此，例如也可以如非专利文献2所记载的那样排列成螺旋状。而且，也可以如专利文献4所记载的那样排列成矩阵状。

扫描天线1000的液晶层lc的液晶材料所要求的特性与lcd面板的液晶材料所要求的特性不同。lcd面板通过像素的液晶层的折射率变化而对可见光(波长为380nm～830nm)的偏振光赋予相位差，从而使偏振状态变化(例如使直线偏振光的偏振轴方向旋转或者使圆偏振光的圆偏振度变化)，由此进行显示。而实施方式的扫描天线1000通过使天线单位u所具有的液晶电容的静电电容值变化而使从各贴片电极激振(再辐射)的微波的相位变化。因而，优选液晶层的相对于微波的介电常数m(εm)的各向异性(δεm)大，优选tanδm小。例如能适合使用在m.witteketal.，sid2015digestpp.824-826中记载的δεm为4以上且tanδm为0.02以下(均为19gz的值)。除此之外，能使用在九鬼、高分子55卷8月号pp.599-602(2006)中记载的δεm为0.4以上、tanδm为0.04以下的液晶材料。

液晶材料的介电常数一般具有频率分散性，但相对于微波的介电各向异性δεm与相对于可见光的折射率各向异性δn存在正相关关系。因而可以说，就相对于微波的天线单位用的液晶材料而言，优选是相对于可见光的折射率各向异性δn大的材料。lcd用的液晶材料的折射率各向异性δn是用相对于550nm的光的折射率各向异性来评价的。当在此也将相对于550nm的光的δn(双折射率)用作指标时，在针对微波的天线单位中使用δn为0.3以上、优选为0.4以上的向列液晶。δn没有特别的上限。不过，δn大的液晶材料存在极性强的倾向，因此有可能使可靠性降低。从可靠性的观点来看，优选δn是0.4以下。液晶层的厚度例如是1μm～500μm。

以下，更详细地说明本发明的实施方式的扫描天线的结构和制造方法。

(第1实施方式)

首先，参照图1和图2。图1如详述那样是扫描天线1000的中心附近的示意性局部截面图，图2的(a)和(b)分别是示出扫描天线1000中的tft基板101和缝隙基板201的示意性俯视图。

扫描天线1000具有按二维排列的多个天线单位u，在此例示的扫描天线1000中，多个天线单位排列成同心圆状。在以下的说明中，将与天线单位u对应的tft基板101的区域和缝隙基板201的区域称为“天线单位区域”，标注与天线单位相同的附图标记u。另外，如图2的(a)和图2的(b)所示，在tft基板101和缝隙基板201中，将由按二维排列的多个天线单位区域划定的区域称为“发送接收区域r1”，将发送接收区域r1以外的区域称为“非发送接收区域r2”。在非发送接收区域r2中设置端子部、驱动电路等。

图2的(a)是示出扫描天线1000中的tft基板101的示意性俯视图。

在图示的例子中，从tft基板101的法线方向观察时，发送接收区域r1是环状。非发送接收区域r2包含位于发送接收区域r1的中心部的第1非发送接收区域r2a和位于发送接收区域r1的周缘部的第2非发送接收区域r2b。发送接收区域r1的外径例如是200mm～1500mm，是根据通信量等设定的。

在tft基板101的发送接收区域r1中设置有由电介质基板1支撑的多根栅极总线gl和多根源极总线sl，利用这些配线来规定天线单位区域u。天线单位区域u在发送接收区域r1中排列成例如同心圆状。天线单位区域u各自包含tft和电连接到tft的贴片电极。tft的源极电极电连接到源极总线sl，tft的栅极电极电连接到栅极总线gl。另外，tft的漏极电极与贴片电极电连接。

在非发送接收区域r2(r2a、r2b)中以包围发送接收区域r1的方式配置有密封区域rs。对密封区域rs赋予密封材料(未图示)。密封材料使tft基板101和缝隙基板201相互粘接，并且在这些基板101、201之间封入液晶。

在非发送接收区域r2中的密封区域rs的外侧设置有栅极端子部gt、栅极驱动器gd、源极端子部st以及源极驱动器sd。栅极总线gl各自经由栅极端子部gt连接到栅极驱动器gd。源极总线sl各自经由源极端子部st连接到源极驱动器sd。此外，在该例中，源极驱动器sd和栅极驱动器gd形成于电介质基板1上，但这些驱动器中的一方或者双方也可以设置于另一电介质基板上。

在非发送接收区域r2中还设置有多个传输端子部pt。传输端子部pt与缝隙基板201的缝隙电极55(图2的(b))电连接。在本说明书中，将传输端子部pt与缝隙电极55的连接部称为“传输部”。如图所示，传输端子部pt(传输部)可以配置于密封区域rs内。在该情况下，可以使用含有导电性粒子的树脂作为密封材料。由此，能使液晶封入tft基板101与缝隙基板201之间，并且能确保传输端子部pt与缝隙基板201的缝隙电极55的电连接。在该例中，在第1非发送接收区域r2a和第2非发送接收区域r2b两者中均配置有传输端子部pt，但也可以仅配置于任意一者。

此外，传输端子部pt(传输部)也可以不配置于密封区域rs内。例如也可以配置于非发送接收区域r2中的密封区域rs的外侧。

图2的(b)是例示扫描天线1000中的缝隙基板201的示意性俯视图，示出缝隙基板201的液晶层lc侧的表面。

在缝隙基板201中，在电介质基板51上，跨发送接收区域r1和非发送接收区域r2形成有缝隙电极55。

在缝隙基板201的发送接收区域r1中，多个缝隙57配置于缝隙电极55。缝隙57与tft基板101中的天线单位区域u对应配置。在图示的例子中，多个缝隙57为了构成径向线缝隙天线，而使在相互大致正交的方向上延伸的一对缝隙57排列成同心圆状。由于具有相互大致正交的缝隙，因此扫描天线1000能发送、接收圆偏振波。

缝隙电极55的端子部it在非发送接收区域r2中设置有多个。端子部it与tft基板101的传输端子部pt(图2的(a))电连接。在该例中，端子部it配置于密封区域rs内，通过含有导电性粒子的密封材料与对应的传输端子部pt电连接。

另外，在第1非发送接收区域r2a中，供电销72配置于缝隙基板201的背面侧。微波通过供电销72进入由缝隙电极55、反射导电板65以及电介质基板51构成的波导301。供电销72连接到供电装置70。从排列有缝隙57的同心圆的中心进行供电。供电的方式可以是直接连结供电方式和电磁耦合方式中的任意一种，能采用公知的供电结构。

在图2的(a)和(b)中，示出了密封区域rs以将包含发送接收区域r1的比较窄的区域包围的方式设置的例子，但不限于此。特别是，设置于发送接收区域r1的外侧的密封区域rs也可以是以与发送接收区域r1之间具有一定距离以上的方式设置于例如电介质基板1和/或电介质基板51的边的近旁。当然，设置于非发送接收区域r2的、例如端子部或驱动电路也可以形成于密封区域rs的外侧(即，不存在液晶层的一侧)。通过在与发送接收区域r1相隔一定距离以上的位置形成密封区域rs，由此，能够抑制受到密封材料(特别是固化性树脂)中包含的杂质(特别是离子性杂质)的影响而致使天线特性下降。

以下，参照附图更详细地说明扫描天线1000的各构成要素。

＜tft基板101的结构＞

·天线单位区域u

图3的(a)和(b)分别是示意性地示出tft基板101的天线单位区域u的截面图和俯视图。

天线单位区域u各自具备：电介质基板(未图示)；tft10，其支撑于电介质基板；第1绝缘层11，其覆盖tft10；贴片电极15，其形成于第1绝缘层11上，电连接到tft10；以及第2绝缘层17，其覆盖贴片电极15。tft10例如配置于栅极总线gl和源极总线sl的交点近旁。

tft10具备栅极电极3g、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3g与半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7s以及漏极电极7d。tft10的结构没有特别限定。在该例中，tft10是具有底栅结构的沟道蚀刻型tft。

栅极电极3g电连接到栅极总线gl，由栅极总线gl供应扫描信号。源极电极7s电连接到源极总线sl，由源极总线sl供应数据信号。栅极电极3g和栅极总线gl可以由相同导电膜(栅极用导电膜)形成。源极电极7s、漏极电极7d以及源极总线sl可以由相同导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜和源极用导电膜例如是金属膜。在本说明书中，有时将使用栅极用导电膜形成的层(layer)称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜形成的层称为“源极金属层”。

半导体层5以隔着栅极绝缘层4与栅极电极3g重叠的方式配置。在图示的例子中，在半导体层5上形成有源极接触层6s和漏极接触层6d。源极接触层6s和漏极接触层6d分别配置于半导体层5中的形成沟道的区域(沟道区域)的两侧。可以是，半导体层5为本征非晶硅(i-a-si)层，源极接触层6s和漏极接触层6d为n⁺型非晶硅(n⁺-a-si)层。

源极电极7s以与源极接触层6s接触的方式设置，并经由源极接触层6s连接到半导体层5。漏极电极7d以与漏极接触层6d接触的方式设置，并经由漏极接触层6d连接到半导体层5。

第1绝缘层11具有到达tft10的漏极电极7d的接触孔ch1。

贴片电极15设置于第1绝缘层11上和接触孔ch1内，在接触孔ch1内与漏极电极7d接触。贴片电极15包含金属层。贴片电极15也可以是仅由金属层形成的金属电极。贴片电极15的材料也可以与源极电极7s和漏极电极7d相同。不过，贴片电极15中的金属层的厚度(在贴片电极15为金属电极的情况下是贴片电极15的厚度)设定为大于源极电极7s和漏极电极7d的厚度。贴片电极15中的金属层的厚度在由al层形成的情况下例如设定为0.3μm以上。

可以使用与栅极总线gl相同的导电膜来设置cs总线cl。cs总线cl可以是以隔着栅极绝缘层4与漏极电极(或者漏极电极的延长部分)7d重叠的方式配置，构成以栅极绝缘层4为电介质层的辅助电容cs。

也可以在比栅极总线gl靠电介质基板侧形成有对准标记(例如金属层)21和覆盖对准标记21的基底绝缘膜2。关于对准标记21，在由1个玻璃基板制作例如m个tft基板的情况下，若光掩模的个数为n个(n＜m)，则需要将各曝光工序分为多次进行。这样，在光掩模的个数(n个)比由1个玻璃基板1制作的tft基板101的个数(m个)少时，用于光掩模的对准。对准标记21可省略。

在本实施方式中，在与源极金属层不同的层内形成贴片电极15。

由此，能得到如下优点。

由于源极金属层通常是使用金属膜形成的，所以还可以考虑在源极金属层内形成贴片电极。但是，优选贴片电极是不阻碍电子的振动程度的低电阻，例如由厚度为0.3μm以上的比较厚的al层形成。从天线性能的观点来看，优选厚的贴片电极。然而，虽也取决于tft的构成，但当在源极金属层形成具有例如超过1μm的厚度的贴片电极时，有时会产生无法得到期望的图案化精度的问题。例如，有时会产生无法以高精度控制源极电极和漏极电极的间隙(相当于tft的沟道长度)的问题。对此，在本实施方式中，与源极金属层分开地形成贴片电极15，因此能独立地控制源极金属层的厚度和贴片电极15的厚度。因而能确保形成源极金属层时的控制性且形成希望厚度的贴片电极15。

在本实施方式中，能与源极金属层的厚度分开地以高自由度设定贴片电极15的厚度。此外，贴片电极15的尺寸无需如源极总线sl等那样被严格地控制，因此即使由于增厚贴片电极15而致使线宽度变动(与设计值的偏差)变大也不要紧。此外，并不排除贴片电极15的厚度与源极金属层的厚度相等的情况。

贴片电极15可以包含cu层或者al层作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻相关，主层的厚度以能得到希望的电阻的方式设定。从电阻的观点来看，存在cu层与al层相比更能减小贴片电极15的厚度的可能性。

·栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt

图4的(a)～(c)分别是示意性地示出栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。

栅极端子部gt具备形成于电介质基板上的栅极总线gl、覆盖栅极总线gl的绝缘层、以及栅极端子用上部连接部19g。栅极端子用上部连接部19g在形成于绝缘层的接触孔ch2内与栅极总线gl接触。在该例中，覆盖栅极总线gl的绝缘层从电介质基板侧起包含栅极绝缘层4、第1绝缘层11以及第2绝缘层17。栅极端子用上部连接部19g例如是由设置于第2绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。

源极端子部st具备形成于电介质基板上(在此为栅极绝缘层4上)的源极总线sl、覆盖源极总线sl的绝缘层、以及源极端子用上部连接部19s。源极端子用上部连接部19s在形成于绝缘层的接触孔ch3内与源极总线sl接触。在该例中，覆盖源极总线sl的绝缘层包含第1绝缘层11和第2绝缘层17。源极端子用上部连接部19s例如是由设置于第2绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。

传输端子部pt具有形成于第1绝缘层11上的贴片连接部15p、覆盖贴片连接部15p的第2绝缘层17、以及传输端子用上部连接部19p。传输端子用上部连接部19p在形成于第2绝缘层17的接触孔ch4内与贴片连接部15p接触。贴片连接部15p与贴片电极15由相同导电膜形成。传输端子用上部连接部(也称为上部透明电极。)19p例如是由设置于第2绝缘层17上的透明导电膜形成的透明电极。在本实施方式中，各端子部的上部连接部19g、19s以及19p由相同的透明导电膜形成。

在本实施方式中，有如下优点：能通过在形成了第2绝缘层17后的蚀刻工序同时形成各端子部的接触孔ch2、ch3、ch4。后述详细的制造工艺。

＜tft基板101的制造方法＞

tft基板101例如可用以下的方法来制造。图5是例示tft基板101的制造工序的图。

首先，在电介质基板上形成金属膜(例如ti膜)，并对其进行图案化，从而形成对准标记21。作为电介质基板，例如能使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板(树脂基板)等。接着，以覆盖对准标记21的方式形成基底绝缘膜2。例如使用sio2膜作为基底绝缘膜2。

接下来，在基底绝缘膜2上形成包含栅极电极3g和栅极总线gl的栅极金属层。

栅极电极3g可与栅极总线gl一体地形成。在此，在电介质基板上通过溅射法等形成未图示的栅极用导电膜(厚度：例如为50nm以上500nm以下)。接着，通过对栅极用导电膜进行图案化，得到栅极电极3g和栅极总线gl。栅极用导电膜的材料没有特别限定。能适当地使用包含铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，形成将mon(厚度：例如为50nm)、al(厚度：例如为200nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜作为栅极用导电膜。

接着，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4可通过cvd法等形成。能适当地使用氧化硅(sio2)层、氮化硅(sinx)层、氧化氮化硅(sioxny；x＞y)层、氮化氧化硅(sinxoy；x＞y)层等作为栅极绝缘层4。栅极绝缘层4也可以具有层叠结构。在此，形成sinx层(厚度：例如为410nm)作为栅极绝缘层4。

接着，在栅极绝缘层4上形成半导体层5和接触层。在此，将本征非晶硅膜(厚度：例如为125nm)和n⁺型非晶硅膜(厚度：例如为65nm)按该顺序形成并对其进行图案化，从而得到岛状的半导体层5和接触层。在半导体层5中使用的半导体膜不限于非晶硅膜。例如也可以形成氧化物半导体层作为半导体层5。在该情况下，可以不在半导体层5与源极/漏极电极之间设置接触层。

接着，在栅极绝缘层4上和接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如为50nm以上500nm以下)，并对其进行图案化，从而形成包含源极电极7s、漏极电极7d以及源极总线sl的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6s和漏极接触层6d。

源极用导电膜的材料没有特别限定。能适当地使用包含铝(al)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铬(cr)、钛(ti)、铜(cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。在此，形成将mon(厚度：例如为30nm)、al(厚度：例如为200nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜作为源极用导电膜。此外，也可以取而代之，形成将ti(厚度：例如为30nm)、mon(厚度：例如为30nm)、al(厚度：例如为200nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜作为源极用导电膜。

在此，例如用溅射法形成源极用导电膜，通过湿式蚀刻进行源极用导电膜的图案化(源极/漏极分离)。之后，例如通过干式蚀刻将接触层中的位于成为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去而形成间隙部，分离成源极接触层6s和漏极接触层6d。此时，在间隙部中，半导体层5的表面近旁也被蚀刻(过蚀刻)。

此外，例如在使用将ti膜和al膜按该顺序层叠而成的层叠膜作为源极用导电膜的情况下，也可以在使用例如磷酸醋酸硝酸水溶液以湿式蚀刻进行了al膜的图案化之后，以干式蚀刻对ti膜和接触层(n⁺型非晶硅层)6同时进行图案化。或者，也能一并对源极用导电膜和接触层进行蚀刻。但是，在同时对源极用导电膜或者其下层与接触层6进行蚀刻的情况下，有时难以控制基板整体的半导体层5的蚀刻量(间隙部的挖深量)的分布。相对于此，若如上述那样，通过分开的蚀刻工序进行源极/漏极分离与间隙部的形成，则能够更加容易地控制间隙部的蚀刻量。

接着，以覆盖tft10的方式形成第1绝缘层11。在该例中，第1绝缘层11以与半导体层5的沟道区域接触的方式配置。另外，通过公知的光刻，在第1绝缘层11形成到达漏极电极7d的接触孔ch1。

第1绝缘层11例如可以是氧化硅(sio2)膜、氮化硅(sinx)膜、氧化氮化硅(sioxny；x＞y)膜、氮化氧化硅(sinxoy；x＞y)膜等无机绝缘层。在此，例如通过cvd法形成厚度例如为330nm的sinx层作为第1绝缘层11。

接着，在第1绝缘层11上和接触孔ch1内形成贴片用导电膜，并对其进行图案化。由此，在发送接收区域r1形成贴片电极15，在非发送接收区域r2形成贴片连接部15p。贴片电极15在接触孔ch1内与漏极电极7d接触。此外，在本说明书中，有时将由贴片用导电膜形成的、包含贴片电极15、贴片连接部15p的层称为“贴片金属层”。

可使用与栅极用导电膜或源极用导电膜同样的材料作为贴片用导电膜的材料。不过，贴片用导电膜设定为比栅极用导电膜和源极用导电膜厚。由此，通过减小贴片电极的片电阻，能降低贴片电极内的自由电子的振动转化为热的损耗。贴片用导电膜的合适厚度例如是0.3μm以上。若比其薄，则片电阻变成0.10ω/sq以上，可能产生损耗变大的问题。贴片用导电膜的厚度例如为3μm以下，更优选为2μm以下。若比其厚，则有时会由于工艺中的热应力而产生基板的翘曲。若翘曲较大，则在量产工艺中，有时会发生输送故障、基板的缺损、或者基板的开裂等问题。

在此，形成将mon(厚度：例如为50nm)、al(厚度：例如为1000nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(mon/al/mon)作为贴片用导电膜。此外，也可以取而代之，形成将ti(厚度：例如为50nm)、mon(厚度：例如为50nm)、al(厚度：例如为2000nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(mon/al/mon/ti)。或者，还可以取而代之，形成将ti(厚度：例如为50nm)、mon(厚度：例如为50nm)、al(厚度：例如为500nm)以及mon(厚度：例如为50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(mon/al/mon/ti)。或者，还可以使用将ti膜、cu膜以及ti膜按该顺序层叠而成的层叠膜(ti/cu/ti)、或是将ti膜和cu膜按该顺序层叠而成的层叠膜(cu/ti)。

接着，在贴片电极15和第1绝缘层11上形成第2绝缘层(厚度：例如为100nm以上300nm以下)17。作为第2绝缘层17，没有特别限定，例如能适当地使用氧化硅(sio2)膜、氮化硅(sinx)膜、氧化氮化硅(sioxny；x＞y)膜、氮化氧化硅(sinxoy；x＞y)膜等。在此，例如形成厚度为200nm的sinx层作为第2绝缘层17。

之后，例如通过使用了氟系气体的干式蚀刻对无机绝缘膜(第2绝缘层17、第1绝缘层11以及栅极绝缘层4)一并进行蚀刻。在蚀刻中，贴片电极15、源极总线sl以及栅极总线gl作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在第2绝缘层17、第1绝缘层11以及栅极绝缘层4形成到达栅极总线gl的接触孔ch2，在第2绝缘层17和第1绝缘层11形成到达源极总线sl的接触孔ch3。另外，在第2绝缘层17形成到达贴片连接部15p的接触孔ch4。

在该例中，由于对无机绝缘膜一并进行蚀刻，因此在所得到的接触孔ch2的侧壁，第2绝缘层17、第1绝缘层11以及栅极绝缘层4的侧面对齐，在接触孔ch3的侧壁，第2绝缘层17和第1绝缘层11的侧壁对齐。此外，在本说明书中，在接触孔内不同的2个以上的层的“侧面对齐”不仅包括这些层中的在接触孔内露出的侧面在垂直方向上齐平的情况，还包括连续地构成锥形等倾斜面的情况。这种构成例如通过使用同一掩模对上述层进行蚀刻或者将1个层作为掩模来进行另1个层的蚀刻等而得到。

接着，在第2绝缘层17上以及接触孔ch2、ch3、ch4内，例如通过溅射法形成透明导电膜(厚度：50nm以上200nm以下)。能够使用例如ito(氧化铟锡)膜、izo膜、zno膜(氧化锌膜)等作为透明导电膜。在此，使用厚度例如是100nm的ito膜作为透明导电膜。

接着，通过对透明导电膜进行图案化而形成栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s以及传输端子用上部连接部19p。栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s以及传输端子用上部连接部19p用于保护在各端子部露出的电极或配线。这样，得到栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt。

＜缝隙基板201的结构＞

接着，更具体地说明缝隙基板201的结构。

图6是示意性地示出缝隙基板201中的天线单位区域u和端子部it的截面图。

缝隙基板201具备：具有表面和背面的电介质基板51、形成在电介质基板51的表面的第3绝缘层52、形成在第3绝缘层52上的缝隙电极55、以及覆盖缝隙电极55的第4绝缘层58。反射导电板65以隔着电介质层(空气层)54而与电介质基板51的背面相对的方式配置。缝隙电极55和反射导电板65作为波导301的壁发挥功能。

在发送接收区域r1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57。缝隙57是贯通缝隙电极55的开口。在该例中，在各天线单位区域u配置有1个缝隙57。

第4绝缘层58形成在缝隙电极55上和缝隙57内。第4绝缘层58的材料可以与第3绝缘层52的材料相同。通过用第4绝缘层58覆盖缝隙电极55，缝隙电极55与液晶层lc不会直接接触，因此能够提高可靠性。若缝隙电极55由cu层形成，则cu有时会熔出到液晶层lc。另外，若使用薄膜沉积技术由al层形成缝隙电极55，则有时al层会含有孔隙。第4绝缘层58能够防止液晶材料侵入到al层的孔隙中。此外，若通过将铝箔利用粘接材料贴附于电介质基板51而对al层进行图案化，来制作缝隙电极55，则能够避免孔隙的问题。

缝隙电极55包含cu层、al层等主层55m。缝隙电极55也可以具有包含主层55m以及以夹着主层55m的方式配置的上层55u和下层55l的层叠结构。主层55m的厚度根据材料并考虑表皮效应而进行设定，例如可以为2μm以上30μm以下。主层55m的厚度典型地大于上层55u和下层55l的厚度。

在图示的例子中，主层55m为cu层，上层55u和下层55l为ti层。通过在主层55m与第3绝缘层52之间配置下层55l，能够提高缝隙电极55与第3绝缘层52的贴紧性。另外，通过设置上层55u，能够抑制主层55m(例如cu层)的腐蚀。

反射导电板65构成波导301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上的厚度，更优选具有表皮深度的5倍以上的厚度。反射导电板65例如能够使用通过切削而制作出的厚度为几mm的铝板、铜板等。

在非发送接收区域r2设置有端子部it。端子部it具备缝隙电极55、覆盖缝隙电极55的第4绝缘层58、以及上部连接部60。第4绝缘层58具有到达缝隙电极55的开口。上部连接部60在开口内与缝隙电极55接触。在本实施方式中，端子部it配置在密封区域rs内，并通过含有导电性粒子的密封树脂而与tft基板中的传输端子部连接(传输部)。

·传输部

图7是用于说明将tft基板101的传输端子部pt与缝隙基板201的端子部it连接的传输部的示意性截面图。在图7中，对与图1～图4同样的构成要素标注相同的附图标记。

在传输部中，端子部it的上部连接部60与tft基板101中的传输端子部pt的传输端子用上部连接部19p电连接。在本实施方式中，将上部连接部60与传输端子用上部连接部19p经由包含导电性珠71的树脂(密封树脂)73(有时也称为“密封部73”。)连接。

上部连接部60、19p均为ito膜、izo膜等透明导电层，有时在其表面形成氧化膜。在形成了氧化膜时，无法确保透明导电层彼此的电连接，接触电阻有可能变高。而在本实施方式中，由于经由包含导电性珠(例如au珠)71的树脂使这些透明导电层粘接，因此即使形成有表面氧化膜，导电性珠也会将表面氧化膜刺破(贯通)，从而能够抑制接触电阻的增大。导电性珠71也可以不仅贯通表面氧化膜，还贯通作为透明导电层的上部连接部60、19p，而与贴片连接部15p和缝隙电极55直接接触。

传输部既可以配置于扫描天线1000的中心部和周缘部(即，从扫描天线1000的法线方向观看时的环状的发送接收区域r1的内侧和外侧)这两者，也可以仅配置于任意一者。传输部既可以配置在将液晶封入的密封区域rs内，也可以配置在密封区域rs的外侧(与液晶层相反的一侧)。

＜缝隙基板201的制造方法＞

缝隙基板201例如可用以下的方法制造。

首先，在电介质基板上形成第3绝缘层(厚度：例如为200nm)52。能够使用玻璃基板、树脂基板等相对于电磁波的透射率高的(介电常数εm和介电损耗tanδm小的)基板作为电介质基板。为了抑制电磁波的衰减，优选电介质基板较薄。例如，也可以在玻璃基板的表面通过后述的工艺形成缝隙电极55等构成要素之后，从背面侧使玻璃基板薄板化。由此，能够将玻璃基板的厚度降低到例如500μm以下。

在使用树脂基板作为电介质基板的情况下，既可以将tft等构成要素直接形成在树脂基板上，也可以使用转印法将其形成在树脂基板上。若利用转印法，则例如在玻璃基板上形成树脂膜(例如聚酰亚胺膜)，并在树脂膜上通过后述的工艺形成构成要素之后，使形成有构成要素的树脂膜与玻璃基板分离。通常，与玻璃相比，树脂的介电常数εm和介电损耗tanδm较小。树脂基板的厚度例如为3μm～300μm。除聚酰亚胺之外，例如也能够使用液晶高分子作为树脂材料。

作为第3绝缘层52，没有特别限定，例如能适当地使用氧化硅(sio2)膜、氮化硅(sinx)膜、氧化氮化硅(sioxny；x＞y)膜、氮化氧化硅(sinxoy；x＞y)膜等。

接着，在第3绝缘层52之上形成金属膜，并对其进行图案化，由此得到具有多个缝隙57的缝隙电极55。作为金属膜，可以使用厚度为2μm～5μm的cu膜(或者al膜)。在此，使用将ti膜、cu膜以及ti膜按该顺序层叠而成的层叠膜。此外，也可以取而代之，形成将ti(厚度：例如为50nm)和cu(厚度：例如为5000nm)按该顺序层叠而成的层叠膜。

之后，在缝隙电极55上和缝隙57内形成第4绝缘层58(厚度：例如为100nm或200nm)。第4绝缘层58的材料可以与第3绝缘层的材料相同。之后，在非发送接收区域r2中，在第4绝缘层58形成到达缝隙电极55的开口部。

接着，在第4绝缘层58上和第4绝缘层58的开口部内形成透明导电膜，并对其进行图案化，从而形成在开口部内与缝隙电极55接触的上部连接部60。由此，得到端子部it。

＜tft10的材料和结构＞

在本实施方式中，使用将半导体层5设为活性层的tft作为配置于各像素的开关元件。半导体层5并不限于非晶硅层，也可以是多晶硅层、氧化物半导体层。

在使用氧化物半导体层的情况下，氧化物半导体层所包含的氧化物半导体可以是非晶质氧化物半导体，也可以是具有结晶质部分的结晶质氧化物半导体。作为结晶质氧化物半导体，可举出多晶氧化物半导体、微晶氧化物半导体、c轴与层面大致垂直取向的结晶质氧化物半导体等。

氧化物半导体层也可以具有两层以上的层叠结构。在氧化物半导体层具有层叠结构的情况下，氧化物半导体层可以包含非晶质氧化物半导体层和结晶质氧化物半导体层。或者，也可以包含结晶结构不同的多个结晶质氧化物半导体层。另外，也可以包含多个非晶质氧化物半导体层。在氧化物半导体层具有包含上层和下层的双层结构的情况下，优选上层所包含的氧化物半导体的能隙大于下层所包含的氧化物半导体的能隙。但是，在上述层的能隙之差比较小的情况下，下层的氧化物半导体的能隙也可以大于上层的氧化物半导体的能隙。

非晶质氧化物半导体和上述各结晶质氧化物半导体的材料、结构、成膜方法、具有层叠结构的氧化物半导体层的构成等例如记载于特开2014-007399号公报。为了参考，在本说明书中引用特开2014-007399号公报的全部公开内容。

氧化物半导体层可以包含例如in、ga以及zn中的至少一种金属元素。在本实施方式中，氧化物半导体层包含例如in-ga-zn-o系的半导体(例如氧化铟镓锌)。在此，in-ga-zn-o系的半导体为in(铟)、ga(镓)、zn(锌)的三元系氧化物，in、ga以及zn的比例(组成比)并无特别限定，例如能够包括in：ga：zn＝2：2：1、in：ga：zn＝1：1：1、in：ga：zn＝1：1：2等。这种氧化物半导体层可由包含in-ga-zn-o系的半导体的氧化物半导体膜形成。

in-ga-zn-o系的半导体既可以是非晶质，也可以是结晶质。作为结晶质in-ga-zn-o系的半导体，优选c轴与层面大致垂直取向的结晶质in-ga-zn-o系的半导体。

此外，结晶质in-ga-zn-o系的半导体的结晶结构例如公开于上述的特开2014-007399号公报、特开2012-134475号公报、特开2014-209727号公报等。为了进行参考，在本说明书中引用特开2012-134475号公报和特开2014-209727号公报的全部公开内容。具有in-ga-zn-o系半导体层的tft具有高迁移率(与a-sitft相比超过20倍)和低漏电流(与a-sitft相比不到百分之一)，因此适合用作驱动tft(例如设置于非发送接收区域的驱动电路所包含的tft)和设置于各天线单位区域的tft。

氧化物半导体层也可以包含其它氧化物半导体来代替in-ga-zn-o系半导体。例如可以包含in-sn-zn-o系半导体(例如in2o3-sno2-zno；insnzno)。in-sn-zn-o系半导体为in(铟)、sn(锡)以及zn(锌)的三元系氧化物。或者，氧化物半导体层也可以包含in-al-zn-o系半导体、in-al-sn-zn-o系半导体、zn-o系半导体、in-zn-o系半导体、zn-ti-o系半导体、cd-ge-o系半导体、cd-pb-o系半导体、cdo(氧化镉)、mg-zn-o系半导体、in-ga-sn-o系半导体、in-ga-o系半导体、zr-in-zn-o系半导体、hf-in-zn-o系半导体、al-ga-zn-o系半导体、ga-zn-o系半导体等。

在图3所示的例子中，tft10是具有底栅结构的沟道蚀刻型tft。在“沟道蚀刻型tft”中，在沟道区域上没有形成蚀刻阻挡层，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面以与半导体层的上表面接触的方式配置。沟道蚀刻型tft例如通过在半导体层上形成源极/漏极电极用导电膜，并进行源极/漏极分离而形成。在源极/漏极分离工序中，有时沟道区域的表面部分会被蚀刻。

此外，tft10也可以是在沟道区域上形成有蚀刻阻挡层的蚀刻阻挡型tft。在蚀刻阻挡型tft中，源极和漏极电极的沟道侧的端部下表面例如位于蚀刻阻挡层上。蚀刻阻挡型tft例如通过在形成将半导体层中的成为沟道区域的部分覆盖的蚀刻阻挡层之后，在半导体层和蚀刻阻挡层上形成源极/漏极电极用的导电膜，进行源极/漏极分离而形成。

另外，tft10具有源极和漏极电极与半导体层的上表面接触的顶部接触结构，但源极和漏极电极也可以是以与半导体层的下表面接触的方式配置(底部接触结构)。而且，tft10既可以是在半导体层的电介质基板侧具有栅极电极的底栅结构，也可以是在半导体层的上方具有栅极电极的顶栅结构。

(第2实施方式)

参照附图说明第2实施方式的扫描天线。本实施方式的扫描天线中的tft基板与图2所示的tft基板101的不同之处在于，成为各端子部的上部连接部的透明导电层设置于tft基板中的第1绝缘层与第2绝缘层之间。

图8的(a)～(c)分别是示出本实施方式中的tft基板102的栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。对与图4同样的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。此外，天线单位区域u的截面结构与上述的实施方式(图3)是同样的，因此省略图示和说明。

本实施方式的栅极端子部gt具备形成于电介质基板上的栅极总线gl、覆盖栅极总线gl的绝缘层、以及栅极端子用上部连接部19g。栅极端子用上部连接部19g在形成于绝缘层的接触孔ch2内与栅极总线gl接触。在该例中，覆盖栅极总线gl的绝缘层包含栅极绝缘层4和第1绝缘层11。在栅极端子用上部连接部19g和第1绝缘层11上形成有第2绝缘层17。第2绝缘层17具有将栅极端子用上部连接部19g的一部分露出的开口部18g。在该例中，第2绝缘层17的开口部18g也可以是以将整个接触孔ch2露出的方式配置。

源极端子部st具备形成于电介质基板上(在此为栅极绝缘层4上)的源极总线sl、覆盖源极总线sl的绝缘层、以及源极端子用上部连接部19s。源极端子用上部连接部19s在形成于绝缘层的接触孔ch3内与源极总线sl接触。在该例中，覆盖源极总线sl的绝缘层仅包含第1绝缘层11。第2绝缘层17延伸设置于源极端子用上部连接部19s和第1绝缘层11上。第2绝缘层17具有将源极端子用上部连接部19s的一部分露出的开口部18s。第2绝缘层17的开口部18s也可以是以将整个接触孔ch3露出的方式配置。

传输端子部pt具有：源极连接配线7p，其与源极总线sl由相同导电膜(源极用导电膜)形成；第1绝缘层11，其延伸设置于源极连接配线7p上；以及传输端子用上部连接部19p和贴片连接部15p，它们形成于第1绝缘层11上。

在第1绝缘层11设置有将源极连接配线7p露出的接触孔ch5和接触孔ch6。传输端子用上部连接部19p配置于第1绝缘层11上和接触孔ch5内，并在接触孔ch5内与源极连接配线7p接触。贴片连接部15p配置于第1绝缘层11上和接触孔ch6内，并在接触孔ch6内与源极连接配线7p接触。传输端子用上部连接部19p是由透明导电膜形成的透明电极。贴片连接部15p与贴片电极15由相同导电膜形成。此外，各端子部的上部连接部19g、19s以及19p也可以由相同的透明导电膜形成。

第2绝缘层17延伸设置于传输端子用上部连接部19p、贴片连接部15p以及第1绝缘层11上。第2绝缘层17具有将传输端子用上部连接部19p的一部分露出的开口部18p。在该例中，第2绝缘层17的开口部18p以将整个接触孔ch5露出的方式配置。另一方面，贴片连接部15p被第2绝缘层17覆盖。

这样，在本实施方式中，通过形成于源极金属层的源极连接配线7p将传输端子部pt的传输端子用上部连接部19p与贴片连接部15p电连接。虽未图示，但与上述的实施方式同样地，传输端子用上部连接部19p通过含有导电性粒子的密封树脂与缝隙基板201中的缝隙电极连接。

在上述的实施方式中，在第2绝缘层17的形成之后，一并形成深度不同的接触孔ch1～ch4。例如在栅极端子部gt上，蚀刻比较厚的绝缘层(栅极绝缘层4、第1绝缘层11以及第2绝缘层17)，而在传输端子部pt，仅蚀刻第2绝缘层17。因此，成为浅的接触孔的基底的导电膜(例如贴片电极用导电膜)在蚀刻时可能受到大的损伤。

而在本实施方式中，在形成第2绝缘层17之前形成接触孔ch1～ch3、ch5、ch6。这些接触孔仅形成于第1绝缘层11或者形成于第1绝缘层11和栅极绝缘层4的层叠膜，因此与上述的实施方式相比，能减小一并形成的接触孔的深度的差。因而，能减小对成为接触孔的基底的导电膜的损伤。特别是，在贴片电极用导电膜中使用al膜的情况下，若使ito膜与al膜直接接触，则无法得到良好的接触，所以有时在al膜的上层形成mon层等盖层。在这种情况下，不需要考虑蚀刻时的损伤而增大盖层的厚度，因此是有利的。

＜tft基板102的制造方法＞

例如用如下方法制造tft基板102。图9是例示tft基板102的制造工序的图。此外，以下在各层的材料、厚度、形成方法等与上述的tft基板101同样的情况下省略说明。

首先，用与tft基板102同样的方法在电介质基板上形成对准标记、基底绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、接触层以及源极金属层，得到tft。在形成源极金属层的工序中，由源极用导电膜形成源极和漏极电极、源极总线以及源极连接配线7p。

接着，以覆盖源极金属层的方式形成第1绝缘层11。之后，一并蚀刻第1绝缘层11和栅极绝缘层4，形成接触孔ch1～ch3、ch5、ch6。在蚀刻中，源极总线sl和栅极总线gl作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在发送接收区域r1中，在第1绝缘层11形成到达tft的漏极电极的接触孔ch1。另外，在非发送接收区域r2中，在第1绝缘层11和栅极绝缘层4形成到达栅极总线gl的接触孔ch2，在第1绝缘层11形成到达源极总线sl的接触孔ch3和到达源极连接配线7p的接触孔ch5、ch6。可以将接触孔ch5配置于密封区域rs，将接触孔ch6配置于密封区域rs的外侧。或者也可以将两者均配置于密封区域rs的外部。

接着，在第1绝缘层11上和接触孔ch1～ch3、ch5、ch6形成透明导电膜，并对其进行图案化。由此，形成在接触孔ch2内与栅极总线gl接触的栅极端子用上部连接部19g、在接触孔ch3内与源极总线sl接触的源极端子用上部连接部19s、以及在接触孔ch5内与源极连接配线7p接触的传输端子用上部连接部19p。

接着，在第1绝缘层11上、栅极端子用上部连接部19g、源极端子用上部连接部19s、传输端子用上部连接部19p上、以及接触孔ch1、ch6内形成贴片电极用导电膜，并进行图案化。由此，在发送接收区域r1形成在接触孔ch1内与漏极电极7d接触的贴片电极15，在非发送接收区域r2形成在接触孔ch6内与源极连接配线7p接触的贴片连接部15p。可以通过湿式蚀刻进行贴片电极用导电膜的图案化。在此，使用能增大透明导电膜(ito等)与贴片电极用导电膜(例如al膜)的蚀刻选择比的蚀刻剂。由此，在贴片电极用导电膜的图案化时，能够使透明导电膜作为蚀刻阻挡物发挥功能。源极总线sl、栅极总线gl以及源极连接配线7p中的在接触孔ch2、ch3、ch5露出的部分被蚀刻阻挡物(透明导电膜)覆盖，因此不会被蚀刻。

接下来，形成第2绝缘层17。之后，例如通过使用氟系气体的干式蚀刻进行第2绝缘层17的图案化。由此，在第2绝缘层17设置将栅极端子用上部连接部19g露出的开口部18g、将源极端子用上部连接部19s露出的开口部18s以及将传输端子用上部连接部19p露出的开口部18p。这样，得到tft基板102。

(第3实施方式)

参照附图说明第3实施方式的扫描天线。本实施方式的扫描天线中的tft基板与图8所示的tft基板102的不同之处在于，不将包括透明导电膜的上部连接部设置于传输端子部。

图10的(a)～(c)分别是示出本实施方式的tft基板103的栅极端子部gt、源极端子部st以及传输端子部pt的截面图。对与图8同样的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。此外，天线单位区域u的结构与上述的实施方式(图3)是同样的，因此省略图示和说明。

栅极端子部gt和源极端子部st的结构与图8所示的tft基板102的栅极端子部和源极端子部的结构是同样的。

传输端子部pt具有形成于第1绝缘层11上的贴片连接部15p和层叠于贴片连接部15p上的保护导电层23。第2绝缘层17延伸设置于保护导电层23上，并具有将保护导电层23的一部分露出的开口部18p。另一方面，贴片电极15被第2绝缘层17覆盖。

＜tft基板103的制造方法＞

例如用如下方法制造tft基板103。图11是例示tft基板103的制造工序的图。此外，以下在各层的材料、厚度、形成方法等与上述的tft基板101同样的情况下省略说明。

首先，用与tft基板101同样的方法在电介质基板上形成对准标记、基底绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、接触层以及源极金属层，得到tft。

接着，以覆盖源极金属层的方式形成第1绝缘层11。之后，一并蚀刻第1绝缘层11和栅极绝缘层4，形成接触孔ch1～ch3。在蚀刻中，源极总线sl和栅极总线gl作为蚀刻阻挡物发挥功能。由此，在第1绝缘层11形成到达tft的漏极电极的接触孔ch1，并且在第1绝缘层11和栅极绝缘层4形成到达栅极总线gl的接触孔ch2，在第1绝缘层11形成到达源极总线sl的接触孔ch3。在形成传输端子部的区域不形成接触孔。

接着，在第1绝缘层11上和接触孔ch1、ch2、ch3内形成透明导电膜，并对其进行图案化。由此，形成在接触孔ch2内与栅极总线gl接触的栅极端子用上部连接部19g、以及在接触孔ch3内与源极总线sl接触的源极端子用上部连接部19s。在形成传输端子部的区域，透明导电膜被除去。

接着，在第1绝缘层11上、栅极端子用上部连接部19g和源极端子用上部连接部19s上、以及接触孔ch1内形成贴片电极用导电膜，并进行图案化。由此，在发送接收区域r1形成在接触孔ch1内与漏极电极7d接触的贴片电极15，在非发送接收区域r2形成贴片连接部15p。与上述的实施方式同样地，在贴片电极用导电膜的图案化中使用能确保透明导电膜(ito等)与贴片电极用导电膜的蚀刻选择比的蚀刻剂。

接下来，在贴片连接部15p上形成保护导电层23。能使用ti层、ito层以及izo(铟锌氧化物)层等(厚度：例如为50nm以上100nm以下)作为保护导电层23。在此，使用ti层(厚度：例如为50nm)作为保护导电层23。此外，也可以将保护导电层形成于贴片电极15之上。

接着，形成第2绝缘层17。之后，例如通过使用氟系气体的干式蚀刻进行第2绝缘层17的图案化。由此，在第2绝缘层17设置将栅极端子用上部连接部19g露出的开口部18g、将源极端子用上部连接部19s露出的开口部18s、以及将保护导电层23露出的开口部18p。这样，得到tft基板103。

＜缝隙基板203的结构＞

图12是用于说明本实施方式的将tft基板103的传输端子部pt与缝隙基板203的端子部it连接的传输部的示意性截面图。在图12中，对与上述的实施方式同样的构成要素标注相同的附图标记。

首先，说明本实施方式的缝隙基板203。缝隙基板203具备电介质基板51、形成于电介质基板51的表面的第3绝缘层52、形成于第3绝缘层52上的缝隙电极55、以及覆盖缝隙电极55的第4绝缘层58。反射导电板65以隔着电介质层(空气层)54而与电介质基板51的背面相对的方式配置。缝隙电极55和反射导电板65作为波导301的壁发挥功能。

缝隙电极55具有将cu层或al层设为主层55m的层叠结构。在发送接收区域r1中，在缝隙电极55形成有多个缝隙57。发送接收区域r1中的缝隙电极55的结构与参照图6说明的上述的缝隙基板201的结构相同。

在非发送接收区域r2设置有端子部it。在端子部it中，在第4绝缘层58设置有将缝隙电极55的表面露出的开口。缝隙电极55的露出的区域成为接触面55c。这样，在本实施方式中，缝隙电极55的接触面55c未被第4绝缘层58覆盖。

在传输部中，经由包含导电性珠71的树脂(密封树脂)将tft基板103中的覆盖贴片连接部15p的保护导电层23与缝隙基板203中的缝隙电极55的接触面55c连接。

本实施方式的传输部与上述的实施方式同样地，既可以配置于扫描天线的中心部和周缘部这两者，也可以仅配置于任意一者。另外，既可以配置于密封区域rs内，也可以配置于密封区域rs的外侧(与液晶层相反的一侧)。

在本实施方式中，在传输端子部pt和端子部it的接触面不设置透明导电膜。因此，能够使保护导电层23与缝隙基板203的缝隙电极55经由含有导电性粒子的密封树脂连接。

另外，在本实施方式中，与第1实施方式(图3和图4)相比，一并形成的接触孔的深度的差较小，因此能降低对成为接触孔的基底的导电膜的损伤。

＜缝隙基板203的制造方法＞

如下制造缝隙基板203。各层的材料、厚度以及形成方法与缝隙基板201是同样的，因此省略说明。

首先，用与缝隙基板201同样的方法在电介质基板上形成第3绝缘层52和缝隙电极55，在缝隙电极55形成多个缝隙57。接着，在缝隙电极55上和缝隙内形成第4绝缘层58。之后，为了将缝隙电极55的成为接触面的区域露出而在第4绝缘层58设置开口部18p。这样，制造缝隙基板203。

＜内部加热器结构＞

如上所述，优选在天线的天线单位中使用的液晶材料的介电各向异性δεm大。但是，介电各向异性δεm大的液晶材料(向列液晶)的粘度大，存在响应速度慢的问题。特别是，当温度降低时，粘度上升。移动体(例如船舶、飞机、汽车)所搭载的扫描天线的环境温度会发生变动。因而，优选能将液晶材料的温度调整为某程度以上、例如30℃以上、或者45℃以上。优选设定温度以向列液晶材料的粘度成为大致10cp(厘泊)以下的方式设定。

优选本发明的实施方式的扫描天线除了具有上述的结构以外，还具有内部加热器结构。优选将利用焦耳热的电阻加热方式的加热器作为内部加热器。作为加热器用电阻膜的材料，没有特别限定，例如能使用ito、izo等电阻率比较高的导电材料。另外，为了调整电阻值，也可以用金属(例如镍铬合金、钛、铬、白金、镍、铝、铜)的细线、丝网来形成电阻膜。还能够使用ito、izo等的细线、丝网。只要根据所要求的发热量设定电阻值即可。

例如，为了在直径为340mm的圆的面积(约90,000mm²)中以100v交流(60hz)将电阻膜的发热温度设为30℃，只要将电阻膜的电阻值设为139ω、将电流设为0.7a、将功率密度设为800w/m²即可。为了在相同的面积中以100v交流(60hz)将电阻膜的发热温度设为45℃，只要将电阻膜的电阻值设为82ω、将电流设为1.2a、将功率密度设为1350w/m²即可。

加热器用电阻膜只要不影响扫描天线的动作就可以设置于任意的部位，但为了对液晶材料高效地进行加热，优选设置在液晶层的附近。例如可以像图13的(a)所示的tft基板104那样，在电介质基板1的大致整个面形成电阻膜68。图13的(a)是具有加热器用电阻膜68的tft基板104的示意性俯视图。电阻膜68例如被图3所示的基底绝缘膜2覆盖。基底绝缘膜2形成为具有足够的绝缘耐压。

优选电阻膜68具有开口部68a、68b以及68c。当tft基板104与缝隙基板被贴合时，缝隙57位于与贴片电极15相对的位置。此时，为了在从缝隙57的边缘起距离为d的周围不存在电阻膜68，而配置开口部68a。d例如是0.5mm。另外，优选在辅助电容cs的下部也配置开口部68b，在tft的下部也配置开口部68c。

此外，天线单位u的尺寸例如是4mm×4mm。另外，如图13的(b)所示，例如缝隙57的宽度s2是0.5mm，缝隙57的长度s1是3.3mm，缝隙57的宽度方向的贴片电极15的宽度p2是0.7mm，缝隙的长度方向的贴片电极15的宽度p1是0.5mm。此外，天线单位u、缝隙57以及贴片电极15的尺寸、形状、配置关系等不限于图13的(a)和(b)所示的例子。

为了进一步降低来自加热器用电阻膜68的电场的影响，也可以形成屏蔽导电层。屏蔽导电层例如在基底绝缘膜2之上形成于电介质基板1的几乎整个面。在屏蔽导电层中，虽然不需要像电阻膜68那样设置开口部68a、68b，但优选设置开口部68c。屏蔽导电层例如由铝层形成，并被设为接地电位。

另外，为了能对液晶层均匀地进行加热，优选使电阻膜的电阻值具有分布。优选在液晶层的温度分布中，最高温度-最低温度(温度不匀)例如为15℃以下。当温度不匀超过15℃时，有时会发生如下缺陷：相位差调制在面内不匀，无法形成良好的波束。另外，当液晶层的温度接近tni点(例如125℃)时，δεm会变小，因此并不优选。

参照图14的(a)、(b)和图15的(a)～(c)，说明电阻膜的电阻值的分布。在图14的(a)、(b)和图15的(a)～(c)中，示出电阻加热结构80a～80e的示意性结构与电流的分布。电阻加热结构具备电阻膜和加热器用端子。

图14的(a)所示的电阻加热结构80a具有第1端子82a和第2端子84a以及连接到它们的电阻膜86a。第1端子82a配置于圆的中心，第2端子84a沿着整个圆周配置。在此，圆与发送接收区域r1对应。当对第1端子82a与第2端子84a之间供应直流电压时，例如电流ia从第1端子82a以辐射状向第2端子84a流动。因而，电阻膜86a即使是面内的电阻值恒定，也能均匀地发热。当然，电流的流动方向也可以是从第2端子84a朝向第1端子82a的方向。

在图14的(b)中，电阻加热结构80b具有第1端子82b、第2端子84b以及连接到它们的电阻膜86b。第1端子82b和第2端子84b沿着圆周相互相邻配置。为了使由在电阻膜86b中的第1端子82b与第2端子84b之间流动的电流ia产生的每单位面积的发热量保持恒定，电阻膜86b的电阻值具有面内分布。电阻膜86b的电阻值的面内分布例如在用细线构成电阻膜86的情况下，只要以细线的粗细、细线的密度进行调整即可。

图15的(a)所示的电阻加热结构80c具有第1端子82c、第2端子84c以及连接到它们的电阻膜86c。第1端子82c沿着圆的上侧半个圆周配置，第2端子84c沿着圆的下侧半个圆周配置。例如用在第1端子82c与第2端子84c之间上下延伸的细线构成电阻膜86c的情况下，为了使电流ia的每单位面积的发热量在面内保持恒定，例如将中央附近的细线的粗细、密度调高。

图15的(b)所示的电阻加热结构80d具有第1端子82d、第2端子84d以及连接到它们的电阻膜86d。第1端子82d和第2端子84d分别以沿着圆的直径在上下方向、左右方向延伸的方式设置。在图中虽然进行了简化，但第1端子82d与第2端子84d是相互绝缘的。

另外，图15的(c)所示的电阻加热结构80e具有第1端子82e、第2端子84e以及连接到它们的电阻膜86e。电阻加热结构80e与电阻加热结构80d不同，第1端子82e和第2端子84e均具有从圆的中心向上下左右四个方向延伸的四个部分。相互成90度的第1端子82e的部分与第2端子84e的部分配置成电流ia顺时针流动。

在电阻加热结构80d和电阻加热结构80e的任意1个中，为了使每单位面积的发热量在面内保持均匀，均以离圆周越近电流ia越多、例如加粗离圆周近的一侧的细线、并提高密度的方式进行调整。

这种内部加热器结构例如可以检测扫描天线的温度并在低于预先设定的温度时自动动作。当然，也可以响应使用者的操作而动作。

＜外部加热器结构＞

本发明的实施方式的扫描天线也可以具有外部加热器结构来代替上述的内部加热器结构，或者不仅具有内部加热器结构还具有外部加热器结构。作为外部加热器，能够使用公知的各种加热器，但优选利用焦耳热的电阻加热方式的加热器。将加热器中的发热的部分称为加热部。以下，说明将电阻膜用作加热部的例子。以下，电阻膜也用附图标记68表示。

例如，如图16的(a)和(b)所示的液晶面板100pa或者100pb那样，优选配置加热器用电阻膜68。在此，液晶面板100pa和100pb具有图1所示的扫描天线1000的tft基板101、缝隙基板201、以及设置在它们之间的液晶层lc，而且在tft基板101的外侧具有包含电阻膜68的电阻加热结构。虽然也可以将电阻膜68形成在tft基板101的电介质基板1的液晶层lc侧，但tft基板101的制造工艺会复杂化，因此优选将其配置在tft基板101的外侧(与液晶层lc相反的一侧)。

图16的(a)所示的液晶面板100pa具有：加热器用电阻膜68，其形成于tft基板101的电介质基板1的外侧的表面；以及保护层69a，其覆盖加热器用电阻膜68。也可以将保护层69a省略。扫描天线例如收纳于塑料制的壳体，因此用户不会直接接触到电阻膜68。

电阻膜68能够例如使用公知的薄膜沉积技术(例如溅射法、cvd法)、涂布法或者印刷法形成于电介质基板1的外侧的表面。电阻膜68根据需要被图案化。例如通过光刻工艺进行图案化。

作为加热器用电阻膜68的材料，如关于内部加热器结构前述的那样，没有特别限定，例如能使用ito、izo等电阻率比较高的导电材料。另外，为了调整电阻值，也可以通过金属(例如镍铬合金、钛、铬、白金、镍、铝、铜)的细线、丝网形成电阻膜68。还能够使用ito、izo等的细线、丝网。只要根据所要求的发热量设定电阻值即可。

保护层69a由绝缘材料形成，并以覆盖电阻膜68的方式形成。可以是将电阻膜68图案化，并在电介质基板1露出的部分不形成保护层69a。电阻膜68如后述的那样以使得天线的性能不下降的方式被图案化。在由于存在形成保护层69a的材料而会致使天线的性能下降的情况下，与电阻膜68同样地，优选使用被图案化的保护层69a。

保护层69a可以通过湿式工艺、干式工艺的任意一种工艺形成。例如，通过对形成有电阻膜68的电介质基板1的表面赋予液状的固化性树脂(或者树脂的前体)或者溶液之后，使固化性树脂固化而形成。液状的树脂或者树脂的溶液通过各种涂布法(例如使用缝隙式涂布机、旋涂机、喷雾器)或者各种印刷法，以成为规定的厚度的方式被赋予到电介质基板1的表面。之后，根据树脂的种类，进行室温固化、加热固化或者光固化，由此能够由绝缘性树脂膜形成保护层69a。绝缘性树脂膜例如可通过光刻工艺进行图案化。

作为形成保护层69a的材料，能够适合使用固化性树脂材料。固化性树脂材料包含热固化型和光固化型。另外，热固化型包含热交联型和热聚合型。

作为热交联型的树脂材料，例如可举出环氧系化合物(例如环氧树脂)与胺系化合物的组合、环氧系化合物与酰肼系化合物的组合、环氧系化合物与醇系化合物(例如包括酚醛树脂)的组合、环氧系化合物与羧酸系化合物(例如包括酸酐)的组合、异氰酸酯系化合物与胺系化合物的组合、异氰酸酯系化合物与酰肼系化合物的组合、异氰酸酯系化合物与醇系化合物的组合(例如包括氨基甲酸酯树脂)、异氰酸酯系化合物与羧酸系化合物的组合。另外，作为阳离子聚合型粘接材料，例如可举出环氧系化合物与阳离子聚合引发剂的组合(代表性的阳离子聚合引发剂、芳香族锍盐)。作为自由基聚合型的树脂材料，例如可举出各种丙烯酸、甲基丙烯酸、氨基甲酸酯改性丙烯酸(甲基丙烯酸)树脂等包含乙烯基的单体和/或低聚物与自由基聚合引发剂的组合(代表性的自由基聚合引发剂：偶氮系化合物(例如aibn(偶氮二异丁腈)))，作为开环聚合型的树脂材料，例如可举出环氧乙烷系化合物、乙烯亚胺系化合物、硅氧烷系化合物。除此之外，能够使用马来酰亚胺树脂、马来酰亚胺树脂与胺的组合、马来酰亚胺与甲基丙烯酸化合物的组合、双马来酰亚胺-三嗪树脂以及聚苯醚树脂。另外，也能够适合使用聚酰亚胺。此外，“聚酰亚胺”以包含作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸的含义而使用。聚酰亚胺例如与环氧系化合物或者异氰酸酯系化合物组合而使用。

从耐热性、化学稳定性、机械特性的观点出发，优选使用热固化性类型的树脂材料。特别是，优选包含环氧树脂或者聚酰亚胺树脂的树脂材料，从机械特性(特别是机械强度)和吸湿性的观点出发，优选包含聚酰亚胺树脂的树脂材料。也能将聚酰亚胺树脂与环氧树脂混合使用。另外，也可以对聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂混合热塑性树脂和/或弹性体。而且，作为聚酰亚胺树脂和/或环氧树脂，也可以混合进行了橡胶改性的材料。通过混合热塑性树脂或者弹性体，能够使柔软性、韧性(韧度)提高。使用进行了橡胶改性的材料也能够获得同样的效果。

光固化型通过紫外线或者可见光产生交联反应和/或聚合反应，并固化。在光固化型中，例如存在自由基聚合型和阳离子聚合型。作为自由基聚合型，是以丙烯酸树脂(环氧改性丙烯酸树脂、氨基甲酸酯改性丙烯酸树脂、有机硅改性丙烯酸树脂)与光聚合引发剂的组合为代表的。作为紫外光用自由基聚合引发剂，例如可举出苯乙酮型和二苯甲酮型。作为可见光用自由基聚合引发剂，例如可举出苄基型和噻吨酮型。作为阳离子聚合型，是以环氧系化合物与光阳离子聚合引发剂的组合为代表的。光阳离子聚合引发剂例如能够列举碘盐系化合物。此外，也能够使用兼具光固化性与热固化性的树脂材料。

图16的(b)所示的液晶面板100pb与液晶面板100pa的不同之处在于，在电阻膜68与电介质基板1之间还具有粘接层67。另外，保护层69b是使用预先制作出的高分子膜或者玻璃板而形成的，这一点也不同。

例如，如以下那样制造保护层69b由高分子膜形成的液晶面板100pb。

首先，准备成为保护层69b的绝缘性的高分子膜。作为高分子膜，例如使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜、聚苯砜、以及聚酰亚胺、聚酰胺等超级工程塑料的膜。高分子膜的厚度(即，保护层69b的厚度)例如是5μm以上200μm以下。

在该高分子膜的1个表面上形成电阻膜68。电阻膜68可通过上述的方法形成。电阻膜68可以被图案化，高分子膜也可以根据需要而被图案化。

使用粘接材料将形成有电阻膜68的高分子膜(即，保护层69b与电阻膜68被形成为一体的构件)贴附于电介质基板1。作为粘接材料，能够使用与上述的保护层69a的形成所使用的固化性树脂同样的固化性树脂。而且，也能够使用热熔型的树脂材料(粘接材料)。热熔型的树脂材料以热塑性树脂为主要成分，通过加热而熔融，通过冷却而固化。可例示聚烯烃系(例如聚乙烯、聚丙烯)、聚酰胺系、乙烯醋酸乙烯酯系。另外，具有反应性的氨基甲酸酯(urethane)系的热熔树脂材料(粘接材料)也有销售。从粘接性和耐久性的观点出发，优选反应性的氨基甲酸酯系。

另外，粘接层67也可以与电阻膜68和保护层(高分子膜)69b同样地被图案化。不过，粘接层67只要能将电阻膜68和保护层69b固定于电介质基板1即可，因此粘接层67也可以比电阻膜68和保护层69b小。

也能够代替高分子膜，而使用玻璃板形成保护层69b。制造工艺可以与使用高分子膜的情况是同样的。玻璃板的厚度优选1mm以下，进一步优选0.7mm以下。玻璃板的厚度没有特别的下限，但从处理性的观点出发，优选玻璃板的厚度是0.3mm以上。

在图16的(b)所示的液晶面板100pb中，是经由粘接层67将形成于保护层(高分子膜或者玻璃板)69b的电阻膜68固定于电介质基板1，但只要将电阻膜68配置为与电介质基板1接触即可，并非一定需要将电阻膜68和保护层69b固定(粘接)于电介质基板1。即，也可以省略粘接层67。例如，也可以将形成有电阻膜68的高分子膜(即，保护层69b和电阻膜68被形成为一体的构件)以电阻膜68与电介质基板1接触的方式配置，并通过收纳扫描天线的壳体将电阻膜68按压到电介质基板1。例如，若仅是单纯放置形成有电阻膜68的高分子膜，则存在接触热电阻变高的担忧，因此优选通过按压而使接触热电阻下降。当采用这样的构成时，能够使得电阻膜68和保护层(高分子膜或者玻璃板)69b被形成为一体的构件成为可取下的。

此外，在电阻膜68(和保护层69b)如后述的那样被图案化的情况下，为了使天线的性能不下降，优选将电阻膜68(和保护层69b)固定成相对于tft基板的位置不偏离的程度。

加热器用电阻膜68只要不影响扫描天线的动作，设置在何处均可，但为了有效地加热液晶材料，优选设置在液晶层的附近。因而，如图16的(a)和(b)所示，优选设置于tft基板101的外侧。另外，与如图16的(b)所示隔着粘接层67将电阻膜68设置于电介质基板1的外侧相比，如图16的(a)所示，直接在tft基板101的电介质基板1的外侧设置电阻膜68的情况下，能量效率更高且温度的控制性也更高，因此是更优选的。

电阻膜68例如也可以对于图13的(a)所示的tft基板104，设置于电介质基板1的几乎整个面。如关于内部加热器结构前述的那样，优选电阻膜68具有开口部68a、68b以及68c。

保护层69a和69b也可以是以覆盖电阻膜68的方式形成于整个面。如上述的那样，保护层69a或者69b会对天线特性带来不良影响的情况下，也可以设置与电阻膜68的开口部68a、68b以及68c对应的开口部。在该情况下，保护层69a或者69b的开口部形成在电阻膜68的开口部68a、68b以及68c的内侧。

为了进一步降低来自加热器用电阻膜68的电场的影响，也可以形成屏蔽导电层。屏蔽导电层例如隔着绝缘膜形成在电阻膜68的电介质基板1侧。屏蔽导电层形成于电介质基板1的几乎整个面。在屏蔽导电层中，虽然不需要像电阻膜68那样设置开口部68a、68b，但优选设置开口部68c。屏蔽导电层例如由铝层形成，并被设为接地电位。另外，为了能对液晶层均匀地进行加热，优选使电阻膜的电阻值具有分布。它们也是如关于内部加热器结构前述的那样。

电阻膜只要能对发送接收区域r1的液晶层lc进行加热即可，因此如例示的那样，只要在与发送接收区域r1对应的区域设置电阻膜即可，但并不限于此。例如，如图2所示的那样，tft基板101具有能够划定包含发送接收区域r1的矩形的区域那样的外形的情况下，也可以在与包含发送接收区域r1的矩形的区域对应的区域设置电阻膜。当然，电阻膜的外形并不限于矩形，可以是包含发送接收区域r1的任意的形状。

在上述的例子中，是在tft基板101的外侧配置了电阻膜，但也可以是在缝隙基板201的外侧(与液晶层lc相反的一侧)配置电阻膜。在该情况下，可以与图16的(a)的液晶面板100pa同样地，在电介质基板51直接形成电阻膜，也可以与图16的(b)的液晶面板100pb同样地，隔着粘接层将形成于保护层(高分子膜或者玻璃板)的电阻膜固定于电介质基板51。或者，还可以省略粘接层，将形成有电阻膜的保护层(即，保护层与电阻膜被形成为一体的构件)以电阻膜与电介质基板51接触的方式配置。例如，若仅是单纯放置形成有电阻膜的高分子膜，则存在接触热电阻变高的担忧，因此优选通过按压而使接触热电阻下降。当采用这样的构成时，能够使得电阻膜和保护层(高分子膜或者玻璃板)被形成为一体的构件成为可取下的。此外，在电阻膜(和保护层)被图案化的情况下，为了使天线的性能不下降，优选将电阻膜(和保护层)固定成相对于缝隙基板的位置不偏离的程度。

当在缝隙基板201的外侧配置电阻膜的情况下，优选在与电阻膜的缝隙57对应的位置设置开口部。另外，优选电阻膜是能充分透射微波的厚度。

在此，说明了使用电阻膜作为加热部的例子，但作为加热部，除此之外，例如能够使用镍铬合金线(例如绕组)、红外线加热部等。在这种情况下，为了不使天线的性能下降，也优选配置加热部。

这种外部加热器结构例如可以是检测扫描天线的温度，并在低于预先设定的温度时自动进行动作。当然，也可以是响应使用者的操作而进行动作。

作为用于使外部加热器结构自动进行动作的温度控制装置，例如能够使用公知的各种恒温器。例如，只要在连接到电阻膜的2个端子中的1个端子与电源之间，连接使用了双金属的恒温器即可。当然，也可以采用如下温度控制装置：使用温度检测器，为了不低于预先设定的温度，而从电源对外部加热器结构供应电流。

＜驱动方法＞

本发明的实施方式的扫描天线所具有的天线单位的阵列具有与lcd面板类似的结构，因此与lcd面板同样地进行线顺序驱动。但是，若应用现有的lcd面板的驱动方法，则有可能产生以下问题。参照图17所示的扫描天线的1个天线单位的等效电路图来说明可能在扫描天线中产生的问题。

首先，如上所述，微波区域的介电各向异性δεm(相对于可见光的双折射率δn)大的液晶材料的电阻率低，因此若直接应用lcd面板的驱动方法，则无法充分保持对液晶层施加的电压。这样，对液晶层施加的有效电压降低，液晶电容的静电电容值达不到目标值。

这样，若对液晶层施加的电压偏离规定的值，则天线的增益成为最大的方向会偏离所希望的方向。这样，例如就无法准确地追踪通信卫星。为了防止该情况，以与液晶电容clc电并联的方式设置辅助电容cs，使辅助电容cs的电容值c-ccs足够大。优选以使得液晶电容clc的电压保持率成为例如至少30％、更优选成为55％以上的方式适当地设定辅助电容cs的电容值c-ccs。辅助电容cs的电容值c-ccs依赖于电极cse1和电极cse2的面积、以及电极cse1和电极cse2之间的电介质层的厚度和介电常数。典型地，对电极cse1供应与贴片电极15相同的电压，对电极cse2供应与缝隙电极55相同的电压。

另外，若使用电阻率低的液晶材料，则也会引起由于界面极化和/或取向极化所致的电压下降。为了防止这些极化所致的电压下降，可以考虑施加将电压降低量估计在内的足够高的电压。但是，当对电阻率低的液晶层施加高电压时，有可能发生动态散射效应(ds效应)。ds效应起因于液晶层中的离子性杂质的对流，液晶层的介电常数εm接近平均值((εm∥+2εm⊥)/3)。另外，为了以多级(多灰度级)控制液晶层的介电常数εm，也无法始终施加足够高的电压。

为了抑制上述的ds效应和/或极化所致的电压降低，只要使对液晶层施加的电压的极性反转周期足够短即可。如已知的那样，当缩短施加电压的极性反转周期时，产生ds效应的阈值电压会变高。因而，只要以使对液晶层施加的电压(绝对值)的最大值不到发生ds效应的阈值电压的方式决定极性反转频率即可。若极性反转频率是300hz以上，则例如即使对电阻率为1×10¹⁰ω·cm、介电各向异性δε(@1khz)为-0.6左右的液晶层施加绝对值为10v的电压，也能确保良好的动作。另外，若极性反转频率(典型地与帧频率的2倍相同)是300hz以上，则也能抑制由于上述的极化所导致的电压下降。从功耗等的观点出发，优选极性反转周期的上限是约5khz以下。

对液晶层施加的电压的极性反转频率当然依赖于液晶材料(特别是电阻率)。因而，根据液晶材料的不同，有时即使以不到300hz的极性反转周期施加电压也不会发生上述的问题。不过，本发明的实施方式的扫描天线所使用的液晶材料与lcd所使用的液晶材料相比电阻率较小，因此，优选以大致60hz以上进行驱动。

如上所述，液晶材料的粘度依赖于温度，因此优选适当地控制液晶层的温度。在此描述的液晶材料的物理性质和驱动条件是液晶层的动作温度时的值。反言之，优选以使得用上述条件能够驱动的方式控制液晶层的温度。

参照图18的(a)～(g)说明在扫描天线的驱动中使用的信号的波形的例子。在此，在18的(d)中，为了进行比较，而示出了供应到lcd面板的源极总线的显示信号vs(lcd)的波形。

图18的(a)示出向栅极总线g-l1供应的扫描信号vg的波形，图18的(b)示出向栅极总线g-l2供应的扫描信号vg的波形，图18的(c)示出向栅极总线g-l3供应的扫描信号vg的波形，图18的(e)示出向源极总线供应的数据信号vda的波形，图18的(f)示出向缝隙基板的缝隙电极供应的缝隙电压vidc的波形，图18的(g)示出向天线单位的液晶层施加的电压的波形。

如图18的(a)～(c)所示，向栅极总线供应的扫描信号vg的电压依次从低电平(vgl)切换为高电平(vgh)。vgl和vgh可根据tft的特性适当地设定。例如是vgl＝-5v～0v，vgh＝+20v。另外，也可以设为vgl＝-20v，vgh＝+20v。将从某栅极总线的扫描信号vg的电压从低电平(vgl)切换为高电平(vgh)的时刻起直至该栅极总线的下一个栅极总线的电压从vgl切换为vgh的时刻为止的期间称为1个水平扫描期间(1h)。另外，将各栅极总线的电压变为高电平(vgh)的期间称为选择期间ps。在该选择期间ps，连接到各栅极总线的tft变成导通状态，向源极总线供应的数据信号vda此时的电压被供应到对应的贴片电极。数据信号vda例如是-15v～+15v(绝对值为15v)，例如使用与12灰度级、优选与16灰度级对应的绝对值不同的数据信号vda。

在此，例示对所有天线单位施加某中间电压的情况。即，数据信号vda的电压相对于所有天线单位(设为连接到m根栅极总线。)是恒定的。这与在lcd面板中显示作为整个面的中间灰度级的情况对应。此时，在lcd面板中进行点反转驱动。即，在各帧中以相互相邻的像素(点)的极性互为相反的方式供应显示信号电压。

图18的(d)示出进行点反转驱动的lcd面板的显示信号的波形。如图18的(d)所示，vs(lcd)的极性按每1h反转。对与被供应具有该波形的vs(lcd)的源极总线相邻的源极总线供应的vs(lcd)的极性与图18的(d)所示的vs(lcd)的极性是相反的。另外，对全部像素供应的显示信号的极性按每一帧反转。在lcd面板中，正极性与负极性时，难以使对液晶层施加的有效电压的大小完全一致，且有效电压的差成为亮度的差，而被观察为闪烁。为了不易观察到该闪烁，使施加极性不同的电压的像素(点)在空间上分散在各帧中。典型地，通过进行点反转驱动，使极性不同的像素(点)按方格花纹排列。

而在扫描天线中，闪烁本身不会成为问题。即，液晶电容的静电电容值是所希望的值即可，各帧中的极性的空间分布不会成为问题。因而，从低功耗等观点出发，优选减小从源极总线供应的数据信号vda的极性反转的次数，即延长极性反转的周期。例如只要像图18的(e)所示，将极性反转的周期设为10h(按每5h进行极性反转)即可。当然，当连接到各源极总线的天线单位的数量(典型地与栅极总线的个数相等。)设为m个时，也可以将数据信号vda的极性反转的周期设为2m·h(按每m·h进行极性反转)。数据信号vda的极性反转的周期也可以等于2帧(按每一帧进行极性反转)。

另外，也可以将从所有源极总线供应的数据信号vda的极性设为相同。因而，例如可以在某一帧，从所有源极总线供应正极性的数据信号vda，在下一帧，从所有源极总线供应负极性的数据信号vda。

或者，还可以将从相互相邻的源极总线供应的数据信号vda的极性设为互为相反极性。例如在某一帧，从奇数列的源极总线供应正极性的数据信号vda，从偶数列的源极总线供应负极性的数据信号vda。然后，在下一帧，从奇数列的源极总线供应负极性的数据信号vda，从偶数列的源极总线供应正极性的数据信号vda。这种驱动方法在lcd面板中被称为源极线反转驱动。若将从相邻的源极总线供应的数据信号vda设为相反极性，则通过在帧间使供应的数据信号vda的极性反转之前，将相邻的源极总线相互连接(使其短路)，而能使充电到液晶电容的电荷在相邻的列之间抵消。因而，可得到能减小在各帧中从源极总线供应的电荷量的优点。

如图18的(f)所示，缝隙电极的电压vidc例如是dc电压，典型地是接地电位。天线单位的电容(液晶电容和辅助电容)的电容值大于lcd面板的像素电容的电容值(例如与20英寸左右的lcd面板相比约30倍)，因此不存在由tft的寄生电容引起的馈通电压的影响，即使将缝隙电极的电压vidc设为接地电位，将数据信号vda以接地电位为基准设为正负对称的电压，向贴片电极供应的电压也成为正负对称的电压。在lcd面板中，考虑tft的馈通电压，而调整相对电极的电压(共用电压)，由此对像素电极施加正负对称的电压，但针对扫描天线的缝隙电压则不必这样，也可以是接地电位。另外，虽在图18中未图示，但向cs总线供应与缝隙电压vidc相同的电压。

向天线单位的液晶电容施加的电压是相对于缝隙电极的电压vidc(图18的(f))的贴片电极的电压(即，图18的(e)所示的数据信号vda的电压)，因此在缝隙电压vidc是接地电位时，如图18的(g)所示，与图18的(e)所示的数据信号vda的波形一致。

扫描天线的驱动所使用的信号的波形不限于上述的例子。例如也可以像参照图19和图20在下面说明的那样，使用具有振动波形的viac作为缝隙电极的电压。

例如能使用像在图19的(a)～(e)中例示那样的信号。在图19中，省略了向栅极总线供应的扫描信号vg的波形，但在此也使用参照图18的(a)～(c)所说明的扫描信号vg。

如图19的(a)所示，与在图18的(e)中示出的同样，例示数据信号vda的波形按10h周期(每5h)进行极性反转的情况。在此，作为数据信号vda，示出振幅为最大值|vdamax|的情况。如上所述，也可以使数据信号vda的波形按2帧周期(每一帧)进行极性反转。

在此，如图19的(c)所示，缝隙电极的电压viac设为极性与数据信号vda(on)相反，振动的周期与数据信号vda(on)相同的振动电压。缝隙电极的电压viac的振幅等于数据信号vda的振幅的最大值|vdamax|。即，缝隙电压viac设为如下电压：极性反转的周期与数据信号vda(on)相同，极性与数据信号vda(on)相反(相位相差180°)，在-vdamax与+vdamax之间振动。

向天线单位的液晶电容施加的电压vlc是相对于缝隙电极的电压viac(图19的(c))的贴片电极的电压(即，图19的(a)所示的数据信号vda(on)的电压)，因此在数据信号vda的振幅以±vdamax振动时，向液晶电容施加的电压如图19的(d)所示变成以vdamax的2倍的振幅振动的波形。因而，为了将向液晶电容施加的电压vlc的最大振幅设为±vdamax而需要的数据信号vda的最大振幅变成±vdamax/2。

通过使用这种缝隙电压viac，能将数据信号vda的最大振幅设为一半，因此可得到如下优点：例如能使用耐压为20v以下的通用的驱动器ic作为输出数据信号vda的驱动器电路。

此外，如图19的(e)所示，为了将向天线单位的液晶电容施加的电压vlc(off)设为零，如图19的(b)所示，只要将数据信号vda(off)设为与缝隙电压viac相同的波形即可。

例如考虑将向液晶电容施加的电压vlc的最大振幅设为±15v的情况。当作为缝隙电压使用图18的(f)所示的vidc，设vidc＝0v时，图18的(e)所示的vda的最大振幅变成±15v。而作为缝隙电压使用图19的(c)所示的viac，将viac的最大振幅设为±7.5v时，图19的(a)所示的vda(on)的最大振幅变成±7.5v。

在将向液晶电容施加的电压vlc设为0v的情况下，只要将图18的(e)所示的vda设为0v即可，图19的(b)所示的vda(off)的最大振幅只要设为±7.5v即可。

在使用图19的(c)所示的viac的情况下，向液晶电容施加的电压vlc的振幅与vda的振幅不同，因此需要适当地转换。

还能使用如图20的(a)～(e)中例示的信号。图20的(a)～(e)所示的信号与图19的(a)～(e)所示的信号同样地，将缝隙电极的电压viac如图20的(c)所示设为振动的相位与数据信号vda(on)相差180°的振动电压。不过，如在图20的(a)～(c)中分别所示，将数据信号vda(on)、vda(off)以及缝隙电压viac均设为在0v与正的电压之间振动的电压。缝隙电极的电压viac的振幅等于数据信号vda的振幅的最大值|vdamax|。

当使用这种信号时，驱动电路只要仅输出正的电压即可，这有助于低成本化。这样，即使是使用在0v与正的电压之间振动的电压，也如图20的(d)所示，向液晶电容施加的电压vlc(on)发生极性反转。在图20的(d)所示的电压波形中，+(正)表示贴片电极的电压高于缝隙电压，-(负)表示贴片电极的电压低于缝隙电压。即，对液晶层施加的电场的方向(极性)与其它例子同样地进行反转。向液晶电容施加的电压vlc(on)的振幅是vdamax。

此外，如图20的(e)所示，为了将向天线单位的液晶电容施加的电压vlc(off)设为零，如图20的(b)所示，只要将数据信号vda(off)设为与缝隙电压viac相同的波形即可。

使参照图19和图20说明的缝隙电极的电压viac振动(反转)的驱动方法若以lcd面板的驱动方法来说，则与使相对电压反转的驱动方法对应(有时被称为“普通反转驱动”。)。在lcd面板中，由于无法充分地抑制闪烁，所以不采用普通反转驱动。而在扫描天线中，闪烁不会成为问题，因此能使缝隙电压反转。例如按每一帧进行振动(反转)(将图19和图20中的5h设为1v(垂直扫描期间或者帧))。

在上述的说明中，说明了缝隙电极的电压viac为施加1个电压的例子、即对全部贴片电极设置有共用的缝隙电极的例子，但也可以将缝隙电极与贴片电极的1行或2个以上的行对应地进行分割。在此，行是指经由tft连接到1根栅极总线的贴片电极的集合。若这样将缝隙电极分割为多个行部分，则能使缝隙电极各部分的电压的极性相互独立。例如在任意的帧中，能将对贴片电极施加的电压的极性在连接到相邻的栅极总线的贴片电极之间设为互为相反的。这样，不仅能进行使极性按贴片电极的每1行反转的行反转(1h反转)，还能进行使极性按每2个以上的行反转的m行反转(mh反转)。当然，可将行反转与帧反转组合。

从驱动的简单性的观点出发，优选在任意的帧中进行使对贴片电极施加的电压的极性全部相同且极性按每一帧反转的驱动。

＜天线单位的排列、栅极总线、源极总线的连接的例子＞

在本发明的实施方式的扫描天线中，天线单位例如排列成同心圆状。

例如，在排列成m个同心圆的情况下，栅极总线例如对于各圆各设置1根，总共设置m根栅极总线。若将发送接收区域r1的外径例如设为800mm，则m例如为200。若将最内侧的栅极总线设为第1根，则在第1根栅极总线连接有n个(例如30个)天线单位，在第m根栅极总线连接有nx个(例如620个)天线单位。

在这种排列中，连接到各栅极总线的天线单位的数量不同。另外，连接到构成最外侧的圆的nx个天线单位的nx根源极总线中的、也连接到构成最内侧的圆的天线单位的n根源极总线连接着m个天线单位，但连接到其它源极总线的天线单位的数量小于m。

这样，扫描天线中的天线单位的排列与lcd面板中的像素(点)的排列不同，根据栅极总线和/或源极总线的不同，所连接的天线单位的数量有时会不同。因而，若将全部天线单位的电容(液晶电容+辅助电容)设为相同，则根据栅极总线和/或源极总线的不同，而所连接的电负载有时会不同。于是，存在向天线单位的电压写入会产生偏差这一问题。

因此，为了防止该情况，例如优选对辅助电容的电容值进行调整，或者对连接到栅极总线和/或源极总线的天线单位的数量进行调整，由此使连接到各栅极总线和各源极总线的电负载大致相同。

(第4实施方式)

以下，说明第4实施方式的扫描天线。

本实施方式的扫描天线所使用的tft基板具有具备顶栅结构的tft，并且具有由源极金属层形成的贴片电极。本实施方式的扫描天线所使用的tft基板能以比先前的实施方式少的制造工序数(例如光掩模数)来制造。

图21的(a)～(c)是例示本实施方式的tft基板105的示意性俯视图。

tft基板105具有：排列有多个天线单位区域u的发送接收区域r1；以及设置有端子部等的非发送接收区域r2。非发送接收区域r2包含以包围发送接收区域r1的方式设置的密封区域rs。密封区域rs例如位于配置端子部的端子部区域与发送接收区域r1之间。

图21的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图21的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图21的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。传输端子部(也称为传输部)pt包含：第1传输端子部pt1，其位于密封区域rs；以及第2传输端子部pt2，其设置于密封区域rs的外侧(与液晶层相反的一侧)。在该例子中，第1传输端子部pt1沿着密封区域rs以包围发送接收区域r1的方式延伸。

一般地，栅极端子部gt和源极端子部st分别按每个栅极总线和按每个源极总线设置。栅极-源极连接部sg一般按每个栅极总线设置。cs端子部ct一般按每个cs总线设置。cs-源极连接部sc一般按每个cs总线设置。图21的(b)中与栅极端子部gt并排地图示有cs端子部ct和第2传输端子部pt2，但cs端子部ct和第2传输端子部pt2的个数和配置分别与栅极端子部gt独立地设定。通常，cs端子部ct和第2传输端子部pt2的个数比栅极端子部gt的个数少，可考虑cs电极和缝隙电极的电压的均匀性而适当设定。另外，在形成有第1传输端子部pt1的情况下，能省略第2传输端子部pt2。

图22的(a)～(e)和图23的(a)～(c)分别是tft基板105的示意性截面图。图22的(a)示出沿着图21的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图22的(b)示出沿着图21的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图22的(c)示出沿着图21的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图22的(d)示出沿着图21的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图22的(e)示出沿着图21的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图23的(a)示出沿着图21的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图23的(b)示出沿着图21的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图23的(c)示出沿着图21的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

·天线单位区域u

如图21的(a)和图22的(a)所示，tft基板105中的各天线单位区域u具有tft10和连接到tft10的漏极电极7d的贴片电极7pe。在本实施方式中，贴片电极7pe包含于源极金属层7。

如图21～图23所示，tft基板105具有：源极金属层7，其支撑于电介质基板1；栅极金属层3，其形成在源极金属层7上；栅极绝缘层4，其形成在源极金属层7与栅极金属层3之间；以及层间绝缘层(第1绝缘层)11，其形成在栅极金属层3上。tft基板105还具有形成在层间绝缘层11上的导电层19。

tft10具备：栅极电极3g；岛状的半导体层5；接触层6s和6d；栅极绝缘层4，其配置在栅极电极3g与半导体层5之间；以及源极电极7s和漏极电极7d。本实施方式的tft10在具有顶栅结构这一点上与例如参照图3所说明的先前的实施方式不同。即，在tft基板105的tft10中，栅极电极3g隔着栅极绝缘层4配置在半导体层5上。各tft10的栅极电极3g连接到栅极总线gl，源极电极7s连接到源极总线sl。

具体地说明tft基板105的天线单位区域u的结构。

源极金属层7包含：tft10的源极电极7s和漏极电极7d；源极总线sl；以及贴片电极7pe。

栅极绝缘层4具有到达贴片电极7pe的开口部4a。

栅极金属层3包含：tft10的栅极电极3g；以及栅极总线gl。

层间绝缘层(第1绝缘层)11以覆盖tft10的方式形成。层间绝缘层11具有在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4aa重叠的开口部11a。形成于栅极绝缘层4的开口部4a和形成于层间绝缘层11的开口部11a构成接触孔ch_a。

导电层19包含在接触孔ch_a内与贴片电极7pe接触的贴片导电部19a。优选贴片导电部19a以覆盖贴片电极7pe中的通过开口部4a露出的部分的方式形成。贴片导电部19a是与后述的各端子部的上部连接部由相同导电膜形成。

在tft基板105中，贴片电极7pe是与源极电极7s和漏极电极7d由相同导电膜形成(即，贴片电极7pe包含于源极金属层7)，因此能削减制造成本。例如，能减少制造工序数(例如光掩模数)。例如，在参照图3～图5所说明的第1实施方式的tft基板101的制造工序中，使用7个光掩模(对准标记21的形成除外)。相对于此，本实施方式的tft基板105例如能使用5个光掩模来制造。包含于导电层19的贴片导电部19a是与后述的各端子部的上部连接部由相同导电膜形成，因此tft基板105能使用5个光掩模来制造。后述详细的制造工艺。

优选贴片电极7pe被贴片导电部19a、层间绝缘层11以及栅极绝缘层4中的至少任意一者覆盖。当贴片电极7pe被贴片导电部19a、层间绝缘层11以及栅极绝缘层4中的至少任意一者覆盖时，能抑制在贴片电极7pe发生腐蚀。另外，当贴片电极7pe被贴片导电部19a、层间绝缘层11以及栅极绝缘层4中的至少任意一者覆盖时，能抑制金属(特别是cu)从贴片电极7pe熔出到液晶层lc。

在图示的例子中，贴片电极7pe被贴片导电部19a覆盖，并且未被绝缘层覆盖。在该情况下，能实现高的天线性能。

此外，能省略接触孔ch_a和贴片导电部19a。在该情况下，贴片电极7pe由层间绝缘层11和栅极绝缘层4覆盖，因此能有效地抑制在贴片电极7pe发生腐蚀和金属从贴片电极7pe熔出到液晶层lc。此外，在该情况下，为了得到高的天线性能，优选层间绝缘层11的厚度和栅极绝缘层4的厚度之和小。

tft基板105也可以在电介质基板1与半导体层5之间还具有基底绝缘层20。基底绝缘层20例如可以形成在电介质基板1的整个面。此外，能省略基底绝缘层20。

在本实施方式中，有时将包含源极电极、漏极电极以及贴片电极的导电膜称为源极用导电膜。另外，有时将使用包含源极电极、漏极电极以及贴片电极的源极用导电膜形成的层(layer)称为源极金属层。在本实施方式中，优选源极金属层满足作为形成已述的贴片电极的金属膜所优选的条件。例如，优选本实施方式的源极金属层的厚度是0.3μm以上1μm以下。如已述的那样，虽然也依赖于tft的构成，但例如具有超过1μm的厚度的源极金属层有时无法得到希望的图案化精度。例如，有时会产生无法以高精度控制源极电极与漏极电极的间隙(相当于tft的沟道长度)的长度的问题。因此，优选源极金属层的厚度为1μm以下。

包含源极电极7s、漏极电极7d以及贴片电极7pe的源极金属层7可以仅由低电阻金属层(例如cu层、al层、ag层、au层、或者具有其中任意几者的层叠结构)形成，也可以具有包含低电阻金属层的层叠结构。包含低电阻金属层的层叠结构在低电阻金属层之上和/或之下具有含高熔点金属的层。此外，“含高熔点金属的层”例如是指由钛(ti)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)、铌(nb)、包含它们的合金及它们的氮化物、以及上述金属或者合金与上述氮化物的固溶体中的任意一者形成的层。包含源极电极7s、漏极电极7d以及贴片电极7pe的源极金属层7所具有的低电阻金属层的厚度例如可以是0.3μm以上0.9μm以下。在源极电极7s、漏极电极7d以及贴片电极7pe包含al层的情况下(即，在源极金属层7包含al层的情况下)，优选al层的厚度为0.3μm以上0.9μm以下。在源极电极7s、漏极电极7d以及贴片电极7pe包含cu层的情况下(即，在源极金属层7包含cu层的情况下)，优选cu层的厚度为0.3μm以上0.8μm以下。

各天线单位区域也可以具有与液晶电容电并联连接的辅助电容。在该例子中，辅助电容包括：下部辅助电容电极7c，其与漏极电极7d电连接；栅极绝缘层4；上部辅助电容电极3c，其隔着栅极绝缘层4与下部辅助电容电极7c相对。下部辅助电容电极7c包含于源极金属层7，上部辅助电容电极3c包含于栅极金属层3。栅极金属层3进一步包含连接到上部辅助电容电极3c的cs总线(辅助电容线)cl。cs总线cl例如与栅极总线gl大致平行地延伸。在该例子中，上部辅助电容电极3c是与cs总线cl一体地形成。上部辅助电容电极3c的宽度可以比cs总线cl的宽度大。另外，在该例子中，下部辅助电容电极7c从漏极电极7d延伸设置。下部辅助电容电极7c的宽度可以比从漏极电极7d延伸设置的部分中的下部辅助电容电极7c以外的部分的宽度大。在该例子中，贴片电极7pe从下部辅助电容电极7c延伸设置，下部辅助电容电极7c是从漏极电极7d延伸设置的。此外，辅助电容与贴片电极7pe的配置关系不限于图示的例子。

·栅极-源极连接部sg

tft基板105在非发送接收区域r2具有栅极-源极连接部sg。栅极-源极连接部sg将各栅极总线gl电连接到在源极金属层7内形成的连接配线(有时称为“栅极下部连接配线”。)。通过设置栅极-源极连接部sg，能由源极金属层7形成栅极端子部gt的下部连接部。具有由源极金属层7形成的下部连接部的栅极端子部gt的可靠性优异。详细情况将后述。

如图21的(b)、图22的(b)、图23的(b)以及图23的(c)所示，栅极-源极连接部sg将栅极总线gl与栅极下部连接配线7sg经由栅极上部连接部19sg电连接。

具体地说，栅极-源极连接部sg具有：栅极下部连接配线7sg；开口部4sg1，其形成于栅极绝缘层4；栅极总线连接部3sg，其连接到栅极总线gl；开口部11sg1和开口部11sg2，其形成于层间绝缘层11；以及栅极上部连接部19sg。

栅极下部连接配线7sg包含于源极金属层7，是与源极总线sl电分离的。

形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1到达栅极下部连接配线7sg。

栅极总线连接部3sg包含于栅极金属层3，连接到栅极总线gl。在该例子中，栅极总线连接部3sg从栅极总线gl延伸设置，与栅极总线gl一体地形成。栅极总线连接部3sg的宽度可以比栅极总线gl的宽度大。

形成于层间绝缘层11的开口部11sg1在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1和形成于层间绝缘层11的开口部11sg1构成接触孔ch_sg1。

形成于层间绝缘层11的开口部11sg2到达栅极总线连接部3sg。有时将形成于层间绝缘层11的开口部11sg2称为接触孔ch_sg2。

栅极上部连接部19sg包含于导电层19。栅极上部连接部19sg形成在层间绝缘层11上、接触孔ch_sg1内以及接触孔ch_sg2内，在接触孔ch_sg1内与栅极下部连接配线7sg连接，在接触孔ch_sg2内与栅极总线连接部3sg连接。即，栅极上部连接部19sg在形成于栅极绝缘层4的开口部4sg1内与栅极下部连接配线7sg接触，在形成于层间绝缘层11的开口部11sg2内与栅极总线连接部3sg接触。

栅极上部连接部19sg是与后述的各端子部的上部连接部由相同导电膜形成。由此，能使用5个光掩模来制造tft基板105。

导电层19例如包含透明导电层(例如ito层)。导电层19例如也可以仅由透明导电层形成。或者，导电层19也可以包含：第1导电层，其包含透明导电层；以及第2导电层，其形成在第1导电层之下。第2导电层例如由从包括ti层、monbni层、monb层、mow层、w层以及ta层的组中选择的1个层或2个以上的层的叠层形成。

在图示的例子中，接触孔ch_sg2形成在从接触孔ch_sg1空开间隔的位置。本实施方式不限于此，接触孔ch_sg1和接触孔ch_sg2也可以是连续的(即，也可以形成为单个接触孔)。接触孔ch_sg1和接触孔ch_sg2可以是以相同工序形成为单个接触孔。具体地说，可以在栅极绝缘层4和层间绝缘层11形成到达栅极下部连接配线7sg和栅极总线连接部3sg的单个接触孔，在该接触孔内和层间绝缘层11上形成栅极上部连接部19sg。

·栅极端子部gt

tft基板105在非发送接收区域r2具有栅极端子部gt。栅极端子部gt一般与按每个栅极总线设置的栅极-源极连接部sg对应地设置。

如图21的(b)和图22的(c)所示，栅极端子部gt具有：栅极端子用下部连接部7ga(有时也简称为“下部连接部7ga”。)；开口部4g，其形成于栅极绝缘层4；开口部11g，其形成于层间绝缘层11；以及栅极端子用上部连接部19ga(有时也简称为“上部连接部19ga”。)。

下部连接部7ga包含于源极金属层7。下部连接部7ga与形成于栅极-源极连接部sg的栅极下部连接配线7sg连接。在该例子中，下部连接部7ga从栅极下部连接配线7sg延伸设置，与栅极下部连接配线7sg一体地形成。

形成于栅极绝缘层4的开口部4g到达下部连接部7ga。

形成于层间绝缘层11的开口部11g在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4g重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4g和形成于层间绝缘层11的开口部11g构成接触孔ch_g。

上部连接部19ga包含于导电层19。上部连接部19ga形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_g内，在接触孔ch_g内与下部连接部7ga连接。即，上部连接部19ga在形成于栅极绝缘层4的开口部4g内与下部连接部7ga接触。

也可以是，在从电介质基板1的法线方向观看时，上部连接部19ga的整个范围与下部连接部7ga重叠。

栅极端子部gt不包含：包含于栅极金属层3的导电部。

栅极端子部gt具有包含于源极金属层7的下部连接部7ga，因此具有优异的可靠性。在端子部、特别是设置于比密封区域rs靠外侧(与液晶层相反的一侧)的端子部，有时会由于大气中的水分(可能包含杂质。)而发生腐蚀。大气中的水分可能从到达下部连接部的接触孔侵入，到达下部连接部并在下部连接部引发腐蚀。从抑制腐蚀的发生的观点来看，优选到达下部连接部的接触孔深。即，优选形成有构成接触孔的开口部的绝缘层的厚度大。

在tft基板105的栅极端子部gt中，下部连接部7ga包含于源极金属层7，因此到达下部连接部7ga的接触孔ch_g具有形成于栅极绝缘层4的开口部4g和形成于层间绝缘层11的开口部11g。接触孔ch_g的深度是栅极绝缘层4的厚度和层间绝缘层11的厚度之和。相对于此，在例如下部连接部包含于栅极金属层3的情况下，到达下部连接部的接触孔仅具有形成于层间绝缘层11的开口部，其深度是层间绝缘层11的厚度，而小于接触孔ch_g的深度。在此，接触孔的深度和绝缘层的厚度分别是指在电介质基板1的法线方向上的深度和厚度。关于其它接触孔和绝缘层，只要没有特别指明，则也是同样的。这样，tft基板105的栅极端子部gt由于下部连接部7ga包含于源极金属层7，因此例如与下部连接部包含于栅极金属层3的情况相比，具有优异的可靠性。

当端子部的上部连接部的厚度大(即导电层19的厚度大)时，会抑制在下部连接部发生腐蚀。为了有效地抑制在下部连接部发生腐蚀，如上所述，导电层19也可以具有包含第1导电层和第2导电层的层叠结构，其中，第1导电层包含透明导电层(例如ito层)，第2导电层形成在第1导电层之下，由从包括ti层、monbni层、monb层、mow层、w层以及ta层的组中选择的1个层或2个以上的层的叠层形成。为了更有效地抑制在下部连接部发生腐蚀，也可以将第2导电层的厚度设为例如超过100nm。

·源极端子部st

如图21的(c)和图22的(d)所示，源极端子部st能具有与栅极端子部gt同样的构成。源极端子部st一般按每个源极总线设置。

源极端子部st具有：源极端子用下部连接部7sa(有时也简称为“下部连接部7sa”。)；开口部4s，其形成于栅极绝缘层4；开口部11s，其形成于层间绝缘层11；以及源极端子用上部连接部19sa(有时也简称为“上部连接部19sa”。)。

下部连接部7sa包含于源极金属层7，连接到源极总线sl。在该例子中，下部连接部7sa从源极总线sl延伸设置，与源极总线sl一体地形成。

形成于栅极绝缘层4的开口部4s到达下部连接部7sa。

形成于层间绝缘层11的开口部11s在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4s重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4s和形成于层间绝缘层11的开口部11s构成接触孔ch_s。

上部连接部19sa包含于导电层19。上部连接部19sa形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_s内，在接触孔ch_s内与下部连接部7sa连接。即，上部连接部19sa在形成于栅极绝缘层4的开口部4s内与下部连接部7sa接触。

也可以是，在从电介质基板1的法线方向观看时，上部连接部19sa的整个范围与下部连接部7sa重叠。

源极端子部st不包含：包含于栅极金属层3的导电部。

源极端子部st具有包含于源极金属层7的下部连接部7sa，因此与栅极端子部gt同样具有优异的可靠性。如上所述，为了由源极金属层7形成栅极端子部gt的下部连接部，对于各栅极端子部gt，设置有连接栅极金属层3和源极金属层7的栅极-源极连接部sg。相对于此，对于源极端子部st，无需设置这种连接部。

·cs端子部ct、cs-源极连接部sc

如图21的(b)所示，tft基板105在非发送接收区域r2具有cs端子部ct和cs-源极连接部sc。cs-源极连接部sc例如按每个cs总线设置。cs端子部ct例如与按每个cs总线设置的cs-源极连接部sc对应地设置。cs端子部ct虽然省略了截面结构的图示，但是如图21的(b)所示，也可以具有与栅极端子部gt同样的构成。虽然cs-源极连接部sc省略了截面结构的图示，但是cs-源极连接部sc在该例子中具有与栅极-源极连接部sg同样的构成。

具体地说，cs-源极连接部sc具有：cs下部连接配线7sc；开口部4sc1，其形成于栅极绝缘层4；cs总线连接部3sc，其连接到cs总线cl；开口部11sc1和开口部11sc2，其形成于层间绝缘层11；以及cs上部连接部19sc。

cs下部连接配线7sc包含于源极金属层7，是与源极总线sl电分离的。

形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1到达cs下部连接配线7sc。

cs总线连接部3sc包含于栅极金属层3，连接到cs总线cl。在该例子中，cs总线连接部3sc从cs总线cl延伸设置，与cs总线cl一体地形成。cs总线连接部3sc的宽度可以大于cs总线cl的宽度。

形成于层间绝缘层11的开口部11sc1在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1和形成于层间绝缘层11的开口部11sc1构成接触孔ch_sc1。

形成于层间绝缘层11的开口部11sc2到达cs总线连接部3sc。有时将形成于层间绝缘层11的开口部11sc2称为接触孔ch_sc2。

cs上部连接部19sc包含于导电层19。cs上部连接部19sc形成在层间绝缘层11上、接触孔ch_sc1内以及接触孔ch_sc2内，在接触孔ch_sc1内与cs下部连接配线7sc连接，在接触孔ch_sc2内与cs总线连接部3sc连接。即，cs上部连接部19sc在形成于栅极绝缘层4的开口部4sc1内与cs下部连接配线7sc接触，在形成于层间绝缘层11的开口部11sc2内与cs总线连接部3sc接触。

cs上部连接部19sc是与各端子部的上部连接部由相同导电膜形成。由此，能使用5个光掩模来制造tft基板105。通过设置cs-源极连接部sc，能由源极金属层7形成cs端子部ct的下部连接部。由此，tft基板105的cs端子部ct具有优异的可靠性。

cs端子部ct具有：cs端子用下部连接部7c(有时也简称为“下部连接部7c”。)；开口部4c，其形成于栅极绝缘层4；开口部11c，其形成于层间绝缘层11；以及cs端子用上部连接部19c(有时也简称为“上部连接部19c”。)。

下部连接部7c包含于源极金属层7。下部连接部7c与形成于cs-源极连接部sc的cs下部连接配线7sc连接。在该例子中，下部连接部7c从cs下部连接配线7sc延伸设置。在该例子中，从cs下部连接配线7sc延伸设置的部分包含后述的第1传输端子部pt1的下部连接部7p1a、第2传输端子部pt2的下部连接部7p2、以及下部连接部7c。

形成于栅极绝缘层4的开口部4c到达下部连接部7c。

形成于层间绝缘层11的开口部11c在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4c重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4c和形成于层间绝缘层11的开口部11c构成接触孔ch_c。

上部连接部19c包含于导电层19。上部连接部19c形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_c内，在接触孔ch_c内与下部连接部7c连接。即，上部连接部19c在形成于栅极绝缘层4的开口部4c内与下部连接部7c接触。

也可以是，在从电介质基板1的法线方向观看时，上部连接部19c的整个范围与下部连接部7c重叠。

cs端子部ct不包含：包含于栅极金属层3的导电部。

cs端子部ct具有包含于源极金属层7的下部连接部7c，因此与栅极端子部gt同样具有优异的可靠性。

在图示的例子中，栅极-源极连接部sg和cs-源极连接部sc设置在密封区域rs的内侧(液晶层侧)。本实施方式并不局限于此，栅极-源极连接部sg和/或cs-源极连接部sc也可以设置在密封区域rs的外侧(与液晶层相反的一侧)。

·传输端子部pt

如图21的(b)和图23的(a)所示，第1传输端子部pt1具有：第1传输端子用下部连接部7p1a(有时也简称为“下部连接部7p1a”。)；开口部4p1a，其形成于栅极绝缘层4；开口部11p1a，其形成于层间绝缘层11；以及第1传输端子用上部连接部19p1a(有时也简称为“上部连接部19p1a”。)。

下部连接部7p1a包含于源极金属层7。下部连接部7p1a是与源极总线sl电分离的。下部连接部7p1a电连接到cs总线cl。在该例子中，下部连接部7p1a与形成于cs-源极连接部sc的cs下部连接配线7sc一体地形成。

形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a到达下部连接部7p1a。

形成于层间绝缘层11的开口部11p1a在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a和形成于层间绝缘层11的开口部11p1a构成接触孔ch_p1a。

上部连接部19p1a包含于导电层19。上部连接部19p1a形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_p1a内，在接触孔ch_p1a内与下部连接部7p1a连接。即，上部连接部19p1a在形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a内与下部连接部7p1a接触。上部连接部19p1a例如通过包含导电性粒子的密封材料与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接(参照图7)。

第1传输端子部pt1在该例子中不具有包含于栅极金属层3的导电部。

第1传输端子部pt1具有包含于源极金属层7的下部连接部7p1a，因此与栅极端子部gt同样具有优异的可靠性。

在该例子中，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a是以仅使下部连接部7p1a的一部分露出的方式形成的。在从电介质基板1的法线方向观看时，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a位于下部连接部7p1a的内侧。因此，开口部4p1a内的所有区域具有：在电介质基板1上具有下部连接部7p1a和上部连接部19p1a的层叠结构。在第1传输端子部pt1中，不具有下部连接部7p1a的所有区域具有：具有栅极绝缘层4和层间绝缘层11的层叠结构。由此，tft基板105的第1传输端子部pt1具有优异的可靠性。从得到具有优异的可靠性的效果的观点来说，优选栅极绝缘层4和/或层间绝缘层11的厚度大。

下部连接部7p1a中的位于开口部4p1a内的部分被上部连接部19p1a覆盖。

也可以是，在从电介质基板1的法线方向观看时，上部连接部19p1a的整个范围与下部连接部7p1a重叠。

在该例子中，下部连接部7p1a配置在相互相邻的2个栅极总线gl之间。夹着栅极总线gl配置的2个下部连接部7p1a也可以经由导电连接部(未图示)电连接。导电连接部也可以由栅极金属层3形成。

此外，在此，下部连接部7p1a通过1个接触孔ch_p1a与上部连接部19p1a连接，但是也可以对于1个下部连接部7p1a设置有多个接触孔。

第2传输端子部pt2设置在密封区域rs的外侧(与发送接收区域r1相反的一侧)。如图22的(e)所示，第2传输端子部pt2具有与图23的(a)所示的第1传输端子部pt1同样的截面结构。即，如图22的(e)所示，第2传输端子部pt2具有：第2传输端子用下部连接部7p2(有时也简称为“下部连接部7p2”。)；开口部4p2，其形成于栅极绝缘层4；开口部11p2，其形成于层间绝缘层11；以及第2传输端子用上部连接部19p2(有时也简称为“上部连接部19p2”。)。

下部连接部7p2包含于源极金属层7。下部连接部7p2是与源极总线sl电分离的。下部连接部7p2电连接到cs总线cl。在该例子中，下部连接部7p2从第1传输端子用下部连接部7p1a延伸设置，与下部连接部7p1a一体地形成，第1传输端子用下部连接部7p1a是从形成于cs-源极连接部sc的cs下部连接配线7sc延伸设置的。

形成于栅极绝缘层4的开口部4p2到达下部连接部7p2。

形成于层间绝缘层11的开口部11p2在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4p2重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4p2和形成于层间绝缘层11的开口部11p2构成接触孔ch_p2。

上部连接部19p2包含于导电层19。上部连接部19p2形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_p2内，在接触孔ch_p2内与下部连接部7p2连接。即，上部连接部19p2在形成于栅极绝缘层4的开口部4p2内与下部连接部7p2接触。

在该例子中，第2传输端子部pt2不具有包含于栅极金属层3的导电部。

第2传输端子部pt2具有包含于源极金属层7的下部连接部7p2，因此与栅极端子部gt同样具有优异的可靠性。

在第2传输端子部pt2中，上部连接部19p2例如也可以通过包含导电性粒子的密封材料与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接。

·tft基板105的制造方法

参照图24的(a)～(e)、图25的(a)～(c)以及图26的(a)～(c)说明tft基板105的制造方法。

图24的(a)～(e)、图25的(a)～(c)以及图26的(a)～(c)是示出tft基板105的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图22的(a)～(c)和图23的(a)对应的截面。此外，对于与图22的(d)、图22的(e)以及图23的(b)对应的截面，虽然省略图示，但是由与图22的(c)对应的截面同样的方法形成。若各层的材料、厚度、形成方法等与参照图5前述的方法是同样的，则有时也适当省略说明。

如上所述，在本实施方式中，tft基板105在电介质基板1上按顺序具有源极金属层7、栅极绝缘层4、栅极金属层3、层间绝缘层11以及导电层19。

源极金属层7包含tft10的源极电极7s和漏极电极7d、贴片电极7pe、源极总线sl、下部辅助电容电极7c、各端子部的下部连接部7ga、7sa、7c、7p1a及7p2、栅极-源极连接部sg的栅极下部连接配线7sg、以及cs-源极连接部sc的cs下部连接配线7sc。

栅极金属层3包含tft10的栅极电极3g、栅极总线gl、cs总线cl、上部辅助电容电极3c、栅极-源极连接部sg的栅极总线连接部3sg、以及cs-源极连接部sc的cs总线连接部3sc。

导电层19包含天线单位区域的贴片导电部19a、各端子部的上部连接部19ga、19sa、19c、19p1a及19p2、栅极-源极连接部sg的栅极上部连接部19sg、以及cs-源极连接部sc的cs上部连接部19sc。

首先，如图24的(a)所示，在电介质基板1上按顺序形成基底绝缘层20、本征非晶硅膜5’以及n⁺型非晶硅膜6’。在此，形成例如厚度为200nm的氮化硅(sixny)膜作为基底绝缘层20。而且，形成例如厚度为120nm的本征非晶硅膜5’和例如厚度为30nm的n⁺型非晶硅膜6’。

接着，将本征非晶硅膜5’和n⁺型非晶硅膜6’图案化，从而如图24的(b)所示，得到岛状的半导体层5和接触层6。此外，半导体层5所使用的半导体膜不限于非晶硅膜。

接着，如图24的(c)所示，在基底绝缘层20上和接触层6上形成源极用导电膜7’。在此，形成将ti(厚度：例如20nm)和cu(厚度：例如500nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(cu/ti)作为源极用导电膜7’。

接着，将源极用导电膜7’图案化，从而如图24的(d)所示，得到源极金属层7。具体地说，形成源极电极7s和漏极电极7d、连接到漏极电极7d的贴片电极7pe、连接到源极电极7s的源极总线sl、连接到漏极电极7d的下部辅助电容电极7c、各端子部形成区域的下部连接部7ga、7sa、7c、7p1a及7p2、栅极-源极连接部形成区域的栅极下部连接配线7sg、以及cs-源极连接部形成区域的cs下部连接配线7sc。此时，接触层6也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6s和漏极接触层6d。在此，通过湿式蚀刻和干式蚀刻进行源极用导电膜7’的图案化。例如也可以使用混合酸水溶液，通过湿式蚀刻将cu膜图案化后，通过干式蚀刻将ti膜和接触层(n⁺型非晶硅层)6同时图案化。

接下来，如图24的(e)所示，以覆盖源极金属层7和基底绝缘层20的方式形成第1绝缘膜4。为了简单，用相同附图标记示出栅极绝缘层4和第1绝缘膜4。在该例子中，第1绝缘膜4以与半导体层5的沟道区域接触的方式配置。在此，形成例如厚度为350nm的氮化硅(sixny)膜作为第1绝缘膜4。

接着，如图25的(a)所示，在第1绝缘膜4上形成栅极用导电膜3’。在此，形成将al膜(厚度：例如150nm)和mon膜(厚度：例如100nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(mon/al)作为栅极用导电膜3’。

接着，将栅极用导电膜3’图案化，从而如图25的(b)所示，得到栅极金属层3。具体地说，形成包含隔着第1绝缘膜4与半导体层5相对的部分的栅极电极3g、连接到栅极电极3g的栅极总线gl、包含隔着第1绝缘膜4与下部辅助电容电极7c相对的部分的上部辅助电容电极3c、连接到上部辅助电容电极3c的cs总线cl、栅极-源极连接部形成区域的栅极总线连接部3sg、以及cs-源极连接部形成区域的cs总线连接部3sc。在此，通过湿式蚀刻进行栅极用导电膜3’的图案化。这样，得到tft10。

在此，在栅极-源极连接部形成区域中，栅极下部连接配线7sg的至少一部分以与栅极总线连接部3sg不重叠的方式形成。在cs-源极连接部形成区域中，cs下部连接配线7sc的至少一部分以与cs总线连接部3sc不重叠的方式形成。在天线单位形成区域中，栅极金属层3以与贴片电极7pe不重叠的方式形成。另外，各端子部形成区域不具有包含于栅极金属层3的导电部。

接下来，如图25的(c)所示，以覆盖tft10和栅极金属层3的方式形成第2绝缘膜11。为了简单，用相同附图标记示出层间绝缘层11和第2绝缘膜11。在此，形成例如厚度为300nm的氮化硅(sixny)膜作为第2绝缘膜11。

接着，通过公知的光刻工艺，进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图26的(a)所示，得到层间绝缘层11和栅极绝缘层4。具体地说，在天线单位形成区域中形成到达贴片电极7pe的接触孔ch_a，在栅极端子部形成区域中形成到达下部连接部7ga的接触孔ch_g，在源极端子部形成区域中形成到达下部连接部7sa的接触孔ch_s，在cs端子部形成区域中形成到达下部连接部7c的接触孔ch_c，在第1传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p1a的接触孔ch_p1a，在第2传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p2的接触孔ch_p2，在栅极-源极连接部形成区域中形成到达栅极下部连接配线7sg的接触孔ch_sg1和到达栅极总线连接部3sg的接触孔ch_sg2(开口部11sg2)，在cs-源极连接部形成区域中形成到达cs下部连接配线7sc的接触孔ch_sc1和到达cs总线连接部3sc的接触孔ch_sc2(开口部11sc2)。

在该蚀刻工序中，将栅极金属层3作为蚀刻阻挡物进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻。例如在栅极-源极连接部形成区域中，在接触孔ch_sg1形成区域中第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，并且在接触孔ch_sg2(开口部11sg2)形成区域中栅极总线连接部3sg作为蚀刻阻挡物发挥功能，从而仅第2绝缘膜11被蚀刻。由此，得到接触孔ch_sg1和接触孔ch_sg2(开口部11sg2)。接触孔ch_sg1具有：开口部4sg1，其形成于栅极绝缘层4，到达栅极下部连接配线7sg；以及开口部11sg1，其形成于层间绝缘层11，与开口部4sg1重叠。在此，栅极下部连接配线7sg的至少一部分以与栅极总线连接部3sg不重叠的方式形成，因此会形成具有开口部4sg1和开口部11sg1的接触孔ch_sg1。在接触孔ch_sg1的侧面，开口部4sg1的侧面与开口部11sg1的侧面也可以是对齐的。

第2绝缘膜11和第1绝缘膜4例如是使用同一蚀刻剂一并被蚀刻。在此，通过使用氟系气体的干式蚀刻对第2绝缘膜11和第1绝缘膜4进行蚀刻。第2绝缘膜11和第1绝缘膜4也可以使用不同的蚀刻剂来蚀刻。

这样，在形成的接触孔中的具有形成于层间绝缘层11的开口部和形成于栅极绝缘层4的开口部的接触孔中，形成于层间绝缘层11的开口部的侧面与形成于栅极绝缘层4的开口部的侧面可对齐。

在cs-源极连接部形成区域中，在接触孔ch_sc1形成区域中第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，并且在接触孔ch_sc2(开口部11sc2)形成区域中cs总线连接部3sc作为蚀刻阻挡物发挥功能，从而仅第2绝缘膜11被蚀刻。由此，得到接触孔ch_sc1和接触孔ch_sc2(开口部11sc2)。接触孔ch_sc1具有：开口部4sc1，其形成于栅极绝缘层4，到达cs下部连接配线7sc；以及开口部11sc1，其形成于层间绝缘层11，与开口部4sc1重叠。在此，cs下部连接配线7sc的至少一部分以与cs总线连接部3sc不重叠的方式形成，因此会形成具有开口部4sc1和开口部11sc1的接触孔ch_sc1。在接触孔ch_sc1的侧面，开口部4sc1的侧面与开口部11sc1的侧面也可以是对齐的。

在天线单位形成区域中，以在从电介质基板1的法线方向观看时与贴片电极7pe不重叠的方式形成有栅极金属层3，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_a。接触孔ch_a具有：开口部4a，其形成于栅极绝缘层4，到达贴片电极7pe；以及开口部11a，其形成于层间绝缘层11，与开口部4a重叠。在接触孔ch_a的侧面，开口部4a的侧面与开口部11a的侧面也可以是对齐的。

在各端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻。

在栅极端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_g。接触孔ch_g具有：开口部4g，其形成于栅极绝缘层4，到达下部连接部7ga；以及开口部11g，其形成于层间绝缘层11，与开口部4g重叠。在接触孔ch_g的侧面，开口部4g的侧面与开口部11g的侧面也可以是对齐的。

在源极端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_s。接触孔ch_s具有：开口部4s，其形成于栅极绝缘层4，到达下部连接部7sa；以及开口部11s，其形成于层间绝缘层11，与开口部4s重叠。在接触孔ch_s的侧面，开口部4s的侧面与开口部11s的侧面也可以是对齐的。

在cs端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_c。接触孔ch_c具有：开口部4c，其形成于栅极绝缘层4，到达下部连接部7c；以及开口部11c，其形成于层间绝缘层11，与开口部4c重叠。在接触孔ch_c的侧面，开口部4c的侧面与开口部11c的侧面也可以是对齐的。

在第1传输端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_p1a。接触孔ch_p1a具有：开口部4p1a，其形成于栅极绝缘层4，到达下部连接部7p1a；以及开口部11p1a，其形成于层间绝缘层11，与开口部4p1a重叠。在接触孔ch_p1a的侧面，开口部4p1a的侧面与开口部11p1a的侧面也可以是对齐的。

在第2传输端子部形成区域中，未形成包含于栅极金属层3的导电部，因此第2绝缘膜11和第1绝缘膜4一并被蚀刻，从而形成接触孔ch_p2。接触孔ch_p2具有：开口部4p2，其形成于栅极绝缘层4，到达下部连接部7p2；以及开口部11p2，其形成于层间绝缘层11，与开口部4p2重叠。在接触孔ch_p2的侧面，开口部4p2的侧面与开口部11p2的侧面也可以是对齐的。

接着，如图26的(b)所示，在层间绝缘层11上、接触孔ch_a内、接触孔ch_g内、接触孔ch_s内、接触孔ch_c内、接触孔ch_p1a内、接触孔ch_p2内、接触孔ch_sg1内、接触孔ch_sg2内、接触孔ch_sc1内以及接触孔ch_sc2内，例如通过溅射法形成导电膜19’。导电膜19’例如包含透明导电膜。在此，例如使用例如厚度为70nm的ito膜作为导电膜19’。或者，也可以使用将ti(厚度：例如50nm)和ito(厚度：例如70nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(ito/ti)作为导电膜19’。也可以使用从包括monbni膜、monb膜、mow膜、w膜以及ta膜的组中选择的1个膜或2以上的膜的层叠膜来代替ti膜。即，作为导电膜19’，也可以使用将从包括ti膜、monbni膜、monb膜、mow膜、w膜以及ta膜的组中选择的1个膜或2个以上的膜的层叠膜、以及ito膜按该顺序层叠而成的层叠膜。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图26的(c)所示，得到导电层19。由此，得到天线单位区域u、栅极端子部gt、源极端子部st、cs端子部ct、第1传输端子部pt1、第2传输端子部pt2、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc。

具体地说，在天线单位区域u中形成在接触孔ch_a内与贴片电极7pe接触的贴片导电部19a，在栅极端子部gt中形成在接触孔ch_g内与下部连接部7ga接触的上部连接部19ga，在源极端子部st中形成在接触孔ch_s内与下部连接部7sa接触的上部连接部19sa，在cs端子部ct中形成在接触孔ch_c内与下部连接部7c接触的上部连接部19c，在第1传输端子部pt1中形成在接触孔ch_p1a内与下部连接部7p1a接触的上部连接部19p1a，在第2传输端子部pt2中形成在接触孔ch_p2内与下部连接部7p2接触的上部连接部19p2，在栅极-源极连接部sg中形成在接触孔ch_sg1内与栅极下部连接配线7sg接触且在接触孔ch_sg2(开口部11sg2)内与栅极总线连接部3sg接触的栅极上部连接部19sg，在cs-源极连接部sc中形成在接触孔ch_sc1内与cs下部连接配线7sc接触且在接触孔ch_sc2(开口部11sc2)内与cs总线连接部3sc接触的cs上部连接部19sc。优选地，在天线单位区域u中，贴片导电部19a以覆盖贴片电极7pe中的通过接触孔ch_a露出的部分的方式形成。优选地，在各端子部中，上部连接部以覆盖下部连接部中的通过接触孔露出的部分的方式形成。优选地，在栅极-源极连接部sg中，栅极上部连接部19sg以覆盖栅极下部连接配线7sg中的通过接触孔ch_sg1露出的部分且覆盖栅极总线连接部3sg中的通过接触孔ch_sg2露出的部分的方式形成。优选地，在cs-源极连接部sc中，cs上部连接部19sc以覆盖cs下部连接配线7sc中的通过接触孔ch_sc1露出的部分且覆盖cs总线连接部3sc中的通过接触孔ch_sc2露出的部分的方式形成。

这样，制造tft基板105。

如上所述，在上述的tft基板105的制造方法中，将栅极金属层3作为蚀刻阻挡物进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻。由此，能使用5个光掩模制造tft基板105。

·变形例1

以下，参照图27～图29说明本实施方式的变形例1的tft基板。

图27的(a)～(c)是例示本实施方式的变形例1的tft基板106的示意性俯视图。

图27的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图27的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图27的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图28的(a)～(e)和图29的(a)～(c)分别是tft基板106的示意性截面图。图28的(a)示出沿着图27的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图28的(b)示出沿着图27的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图28的(c)示出沿着图27的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图28的(d)示出沿着图27的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图28的(e)示出沿着图27的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图29的(a)示出沿着图27的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图29的(b)示出图27的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图29的(c)示出沿着图27的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板106在第1传输端子部pt1中具有与tft基板105不同的结构。以下，主要说明与tft基板105的不同点。

如参照图21的(b)和图23的(a)说明的那样，在tft基板105的第1传输端子部pt1中，在从电介质基板1的法线方向观看时，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a位于下部连接部7p1a的内侧。

相对于此，在tft基板106的第1传输端子部pt1中，如图27的(b)和图29的(a)所示，上部连接部19p1b在从电介质基板1的法线方向观看时在形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b内包含与下部连接部7p1b不重叠的部分。

如图27的(b)和图29的(a)所示，tft基板106的第1传输端子部pt1具有：第1传输端子用下部连接部7p1b(有时也简称为“下部连接部7p1b”。)；开口部4p1b，其形成于栅极绝缘层4；开口部11p1b，其形成于层间绝缘层11；以及第1传输端子用上部连接部19p1b(有时也简称为“上部连接部19p1b”。)。

下部连接部7p1b包含于源极金属层7。下部连接部7p1b是与源极总线sl电分离的。下部连接部7p1b电连接到cs总线cl。在该例子中，下部连接部7p1b与形成于cs-源极连接部sc的cs下部连接配线7sc一体地形成。

形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b到达下部连接部7p1b。

形成于层间绝缘层11的开口部11p1b在从电介质基板1的法线方向观看时与形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b重叠。形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b和形成于层间绝缘层11的开口部11p1b构成接触孔ch_p1b。

上部连接部19p1b包含于导电层19。上部连接部19p1b形成在层间绝缘层11上和接触孔ch_p1b内，在接触孔ch_p1b内与下部连接部7p1b连接。即，上部连接部19p1b在形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b内与下部连接部7p1b接触。

在该例子中，第1传输端子部pt1不具有包含于栅极金属层3的导电部。

在该例子中，下部连接部7p1b中的位于开口部4p1b内的部分被上部连接部19p1b覆盖。

在具有这种构成的tft基板106中，也能得到与tft基板105同样的效果。

在tft基板106中，与tft基板105相比，下部连接部7p1b中的在开口部4p1b内与上部连接部19p1b重叠的部分的面积较大。如已述的那样，上部连接部19p1b例如通过包含导电性粒子的密封材料而与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接(例如参照图7)。在tft基板106中，与tft基板105相比，导电性粒子与上部连接部19p1b的接触易于稳定。tft基板106相比于tft基板105具有易于控制液晶层的厚度(单元间隙)的优点。

此外，从第1传输端子部pt1的可靠性的观点来说，有时tft基板106逊于tft基板105。在tft基板105中，开口部4p1a内的所有区域具有：在电介质基板1上具有下部连接部7p1a和上部连接部19p1a的层叠结构。在第1传输端子部pt1中，不具有下部连接部7p1a的所有区域具有：具有栅极绝缘层4和层间绝缘层11的层叠结构。相对于此，在tft基板106中，在开口部4p1b内包含具有如下层叠结构的区域：在电介质基板1上仅具有上部连接部19p1b而不包含下部连接部7p1b。tft基板106的第1传输端子部pt1包含具有不包含下部连接部7p1b、栅极绝缘层4以及层间绝缘层11中的任何一者的层叠结构的区域。由此，有时可靠性会逊色。

参照图30的(a)～(c)说明tft基板106的制造方法。图30的(a)～(c)是示出tft基板106的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图28的(a)～(c)和图29的(a)对应的截面。以下，主要说明与tft基板105的制造方法的不同点。

tft基板106的制造方法除了第1传输端子部pt1以外与参照图24～图26说明的tft基板105的制造方法是同样的。

首先，与参照图24的(a)～(e)和图25的(a)～(c)所说明的同样，形成基底绝缘层20、岛状的半导体层5、接触层6s、6d、源极金属层7、第1绝缘膜4、栅极金属层3以及第2绝缘膜11。但是，在此，源极金属层7在第1传输端子部形成区域中包含下部连接部7p1b。

接下来，通过公知的光刻工艺，进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图30的(a)所示，得到层间绝缘层11和栅极绝缘层4。该工序与参照图26的(a)所说明的工序同样地进行。在此，在第1传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p1b的接触孔ch_p1b。此时，在从电介质基板1的法线方向观看时，接触孔ch_p1b内的区域的一部分以与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。即，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b以在从电介质基板1的法线方向观看时开口部4p1b内的区域的一部分与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。

接着，如图30的(b)所示，在层间绝缘层11上、接触孔ch_g内、接触孔ch_s内、接触孔ch_c内、接触孔ch_p1b内、接触孔ch_p2内、接触孔ch_sg1内、接触孔ch_sg2内、接触孔ch_sc1内以及接触孔ch_sc2内形成导电膜19’。该工序与参照图26的(b)所说明的工序同样地进行。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图30的(c)所示，得到导电层19。该工序与参照图26的(c)所说明的工序同样地进行。在此，导电层19在第1传输端子部形成区域中包含上部连接部19p1b。上部连接部19p1b在第1传输端子部pt1中在接触孔ch_p1b内与下部连接部7p1b接触。

这样，制造tft基板106。

·变形例2

以下，参照图31～图33说明本实施方式的变形例2的tft基板。

图31的(a)～(c)是例示本实施方式的变形例2的tft基板107的示意性俯视图。

图31的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图31的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图31的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图32的(a)～(e)和图33的(a)～(c)分别是tft基板107的示意性截面图。图32的(a)示出沿着图31的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图32的(b)示出沿着图31的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图32的(c)示出沿着图31的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图32的(d)示出沿着图31的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图32的(e)示出沿着图31的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图33的(a)示出沿着图31的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图33的(b)示出沿着图31的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图33的(c)示出沿着图31的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板107在使用氧化物半导体层作为tft10的半导体层5这一点上与tft基板105不同。以下，主要说明与tft基板105的不同点。

在tft基板105中，使用非晶硅层作为tft10的半导体层5。相对于此，tft基板107使用氧化物半导体层作为tft10的半导体层5。在tft基板107中，在半导体层5与源极电极7s/漏极电极7d之间也可以不设置接触层。

在具有这种构成的tft基板107中，也能得到与tft基板105同样的效果。

参照图34的(a)～(e)、图35的(a)～(c)以及图36的(a)～(c)说明tft基板107的制造方法。图34的(a)～(e)、图35的(a)～(c)以及图36的(a)～(c)是示出tft基板107的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图32的(a)～(c)和图33的(a)对应的截面。以下，主要说明与tft基板105的制造方法的不同点。

tft基板107的制造方法除了tft10的氧化物半导体层5以外与参照图24～图26所说明的tft基板105的制造方法是同样的。图34的(a)～(e)、图35的(a)～(c)以及图36的(a)～(c)的工序各自除了tft10的氧化物半导体层5以外与参照图24的(a)～(e)、图25的(a)～(c)以及图26的(a)～(c)所说明的工序同样地进行。对于与tft基板105的制造方法的相同点，有时适当省略说明。

首先，如图34的(a)所示，在电介质基板1上按顺序形成基底绝缘层20和氧化物半导体膜5’。在此，形成将氮化硅(sixny)膜(厚度：例如200nm)和氧化硅(siox)膜(厚度：例如50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(siox/sixny)作为基底绝缘层20。另外，形成例如厚度为70nm的in-ga-zn-o系半导体膜作为氧化物半导体膜5’。

接着，将氧化物半导体膜5’图案化，从而如图34的(b)所示，得到岛状的半导体层5。

接着，如图34的(c)所示，在基底绝缘层20上和半导体层5上形成源极用导电膜7’。

接着，将源极用导电膜7’图案化，从而如图34的(d)所示，得到源极金属层7。

接下来，如图34的(e)所示，以覆盖源极金属层7和基底绝缘层20的方式形成第1绝缘膜4。在此，形成将氮化硅(sixny)膜(厚度：例如350nm)和氧化硅(siox)膜(厚度：例如50nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(siox/sixny)作为第1绝缘膜4。

接着，如图35的(a)所示，在第1绝缘膜4上形成栅极用导电膜3’。

接着，将栅极用导电膜3’图案化，从而如图35的(b)所示，得到栅极金属层3。这样，得到tft10。

接下来，如图35的(c)所示，以覆盖tft10和栅极金属层3的方式形成第2绝缘膜11。

接着，通过公知的光刻工艺，进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图36的(a)所示，得到层间绝缘层11和栅极绝缘层4。

接着，如图36的(b)所示，在层间绝缘层11上、接触孔ch_a内、接触孔ch_g内、接触孔ch_s内、接触孔ch_c内、接触孔ch_p1a内、接触孔ch_p2内、接触孔ch_sg1内、接触孔ch_sg2内、接触孔ch_sc1内以及接触孔ch_sc2内，例如通过溅射法形成导电膜19’。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图36的(c)所示，得到导电层19。由此，得到天线单位区域u、栅极端子部gt、源极端子部st、cs端子部ct、第1传输端子部pt1、第2传输端子部pt2、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc。

这样，制造tft基板107。

·变形例3

以下，参照图37～图39说明本实施方式的变形例3的tft基板。

图37的(a)～(c)是例示本实施方式的变形例3的tft基板108的示意性俯视图。

图37的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图37的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图37的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图38的(a)～(e)和图39的(a)～(c)分别是tft基板108的示意性截面图。图38的(a)示出沿着图37的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图38的(b)示出沿着图37的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图38的(c)示出沿着图37的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图38的(d)示出沿着图37的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图38的(e)示出沿着图37的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图39的(a)示出沿着图37的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图39的(b)示出沿着图37的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图39的(c)示出沿着图37的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板108在第1传输端子部pt1中具有与tft基板107不同的结构。另外，tft基板108在使用氧化物半导体层作为tft10的半导体层5这一点上与tft基板106不同。以下，主要说明与tft基板107的不同点。

如图31的(b)和图33的(a)所示，在tft基板107的第1传输端子部pt1中，在从电介质基板1的法线方向观看时，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a位于下部连接部7p1a的内侧。

相对于此，在tft基板108的第1传输端子部pt1中，与tft基板106的第1传输端子部pt1同样，如图37的(b)和图39的(a)所示，上部连接部19p1b在从电介质基板1的法线方向观看时，在形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b的内侧包含与下部连接部7p1b不重叠的部分。

在具有这种构成的tft基板108中，也能得到与tft基板105同样的效果。另外，tft基板108也能得到与tft基板106同样的效果。

参照图40的(a)～(c)说明tft基板108的制造方法。图40的(a)～(c)是示出tft基板108的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图38的(a)～(c)和图39的(a)对应的截面。以下，主要说明与tft基板107的制造方法的不同点。

tft基板108的制造方法除了第1传输端子部pt1以外与参照图34～图36说明的tft基板107的制造方法是同样的。

首先，与参照图34的(a)～(e)和图35的(a)～(c)所说明的同样，形成基底绝缘层20、岛状的半导体层5、源极金属层7、第1绝缘膜4、栅极金属层3以及第2绝缘膜11。但是，在此，源极金属层7在第1传输端子部形成区域中包含下部连接部7p1b。

接下来，通过公知的光刻工艺，进行第2绝缘膜11和第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图40的(a)所示，得到层间绝缘层11和栅极绝缘层4。该工序与参照图36的(a)所说明的工序同样地进行。在此，在第1传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p1b的接触孔ch_p1b。此时，在从电介质基板1的法线方向观看时，接触孔ch_p1b内的区域的一部分以与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。即，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b以在从电介质基板1的法线方向观看时开口部4p1b内的区域的一部分与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。

接着，如图40的(b)所示，在层间绝缘层11上、接触孔ch_g内、接触孔ch_s内、接触孔ch_c内、接触孔ch_p1b内、接触孔ch_p2内、接触孔ch_sg1内、接触孔ch_sg2内、接触孔ch_sc1内以及接触孔ch_sc2内形成导电膜19’。该工序与参照图36的(b)说明的工序同样地进行。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图40的(c)所示，得到导电层19。该工序与参照图36的(c)说明的工序同样地进行。在此，导电层19在第1传输端子部形成区域中包含上部连接部19p1b。上部连接部19p1b在第1传输端子部pt1中在接触孔ch_p1b内与下部连接部7p1b接触。

这样，制造tft基板108。

(第5实施方式)

以下，说明第5实施方式的扫描天线。

本实施方式的扫描天线所使用的tft基板在不具有层间绝缘层11这一点上与第4实施方式不同。本实施方式的扫描天线所使用的tft基板与第4实施方式相比能削减制造所花费的成本。

参照图41～图44说明本实施方式的tft基板105a。对与图21～图23所示的第4实施方式的tft基板105共同的构成标注共同的附图标记，有时省略说明。

图41的(a)～(c)是tft基板105a的示意性俯视图。图41的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图41的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图41的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图42的(a)～(e)和图43的(a)～(c)分别是tft基板105a的示意性截面图。图42的(a)示出沿着图41(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图42的(b)示出沿着图41的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图42的(c)示出沿着图41的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图42的(d)示出沿着图41的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图42的(e)示出沿着图41的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图43的(a)示出沿着图41的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图43的(b)示出沿着图41的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图43的(c)示出沿着图41的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板105a在不具有层间绝缘层11这一点上与图21～图23所示的第4实施方式的tft基板105不同。在tft基板105a中，导电层19形成在栅极金属层3上。在导电层19与栅极金属层3之间未形成有绝缘层。即，tft基板105a在导电层19与栅极金属层3之间不具有绝缘层。

本实施方式的tft基板105a例如能使用5个光掩模来制造。tft基板105a与tft基板105相比能不增加光掩模数而削减制造成本。后面详细描述tft基板105a的制造工艺。

说明tft基板105a的具体结构。以下，主要说明与tft基板105的不同点。

·天线单位区域u

如图41～图43所示，tft基板105a具有：源极金属层7，其支撑于电介质基板1；栅极金属层3，其形成在源极金属层7上；以及栅极绝缘层4，其形成在源极金属层7与栅极金属层3之间。tft基板105a还具有形成在栅极金属层3上的导电层19。

导电层19包含在开口部4a内与贴片电极7pe接触的贴片导电部19a。优选贴片导电部19a以覆盖贴片电极7pe中的通过开口部4a露出的部分的方式形成。

tft基板105a的栅极金属层3的至少一部分未被导电层19覆盖。即，tft基板105a的栅极金属层3的至少一部分从导电层19露出。例如，栅极电极3g、上部辅助电容电极3c、栅极总线gl以及cs总线cl的至少一部分从导电层19露出。因此，优选tft基板105a的栅极金属层3不包含易于熔出到液晶层lc的金属(例如cu、al、ag或au)。特别是优选tft基板105a的栅极金属层3不包含cu。

图44是示出具备tft基板105a的扫描天线中的液晶面板100a的结构的截面图。液晶面板100a具有tft基板105a、缝隙基板201a以及设置在它们之间的液晶层lc。

如图44所示，具备tft基板105a的扫描天线具有将tft基板105a的液晶层lc侧的表面覆盖的第1取向膜32a。即，在具备tft基板105a的扫描天线中，tft基板105a还具有覆盖导电层19的第1取向膜32a。以与tft基板105a相对的方式配置的缝隙基板201a具有覆盖缝隙电极55的第2取向膜42a。在tft基板105a中，栅极金属层3的至少一部分未被导电层19覆盖，因此第1取向膜32a与栅极金属层3接触。当栅极金属层3例如包含cu层时，金属(cu)有可能从栅极金属层3熔出到液晶层lc。在此，虽然栅极金属层3被第1取向膜32a覆盖，但是根据本发明的发明人的研究，仅由取向膜覆盖栅极金属层3，有时不能充分防止金属熔出到液晶层lc。

如在图44中示出并说明的那样，tft基板的导电层或导电部“从导电层19露出”包含在具备该tft基板的扫描天线中该导电层或导电部经由取向膜与液晶层接触的情况。取向膜以与液晶层接触的方式形成。

tft基板105a的栅极金属层3例如由含高熔点金属的层形成。“含高熔点金属的层”是包含从包括钛(ti)、钨(w)、钼(mo)、钽(ta)以及铌(nb)的组中选择的至少1种元素的层。含高熔点金属的层也可以是层叠结构。例如，含高熔点金属的层是指由ti、w、mo、ta、nb、包含它们的合金及它们的氮化物、以及上述金属或者合金与上述氮化物的固溶体中的任意一者形成的层。栅极金属层3例如也可以由从包括monbni层、ti层、monb层、mow层、w层以及ta层的组中选择的1个层或2个以上的层的叠层形成。

但是，根据液晶材料、包含于栅极金属层的金属的种类、栅极金属层的层叠结构等的不同，有时也能确保所要求的天线性能。因此，不排除tft基板105a的栅极金属层3包含低电阻金属层的情况。在tft基板105a的栅极金属层3包含低电阻金属层的情况下，优选栅极金属层3包含在低电阻金属层之上还具有含高熔点金属的层的层叠结构。这是因为，低电阻金属层的上表面由含高熔点金属的层覆盖，因此与不具有含高熔点金属的层的情况相比，能抑制金属熔出到液晶层。然而，低电阻金属层的侧面未由含高熔点金属的层覆盖，因此金属可能从低电阻金属层的侧面熔出到液晶层。因此，进一步优选tft基板105a的栅极金属层3不包含低电阻金属层。在此，“低电阻金属层”是包含从包括铜(cu)、铝(al)、银(ag)以及金(au)的组中选择的至少1种元素的层。

另一方面，从天线性能的观点来说，包含贴片电极7pe的源极金属层7优选包含低电阻金属层。因此，优选贴片电极7pe被贴片导电部19a和栅极绝缘层4中的至少任意一方覆盖。当贴片电极7pe被贴片导电部19a和栅极绝缘层4中的至少任意一方覆盖时，能抑制在贴片电极7pe发生腐蚀。另外，当贴片电极7pe被贴片导电部19a和栅极绝缘层4中的至少任意一方覆盖时，能抑制金属(特别是cu)从贴片电极7pe熔出到液晶层lc。

在图示的例子中，贴片电极7pe被贴片导电部19a覆盖，并且未被绝缘层覆盖。在该情况下，能实现高的天线性能。

此外，能省略开口部4a和贴片导电部19a。在该情况下，贴片电极7pe由栅极绝缘层4覆盖，因此能有效地抑制在贴片电极7pe发生腐蚀和金属从贴片电极7pe熔出到液晶层lc。此外，在该情况下，为了得到高的天线性能，优选栅极绝缘层4的厚度小。

可以说在贴片电极7pe未被贴片导电部19a或栅极绝缘层4中的任何一者覆盖的情况下，关于形成源极金属层7的材料而言，是与栅极金属层3同样的。例如，从防止金属从贴片电极7pe熔出到液晶层lc的观点来说，优选源极金属层7不包含低电阻金属层。在源极金属层7包含低电阻金属层的情况下，优选具有在低电阻金属层之上还具有含高熔点金属的层的层叠结构。但是，在源极金属层7不包含低电阻金属层的情况下，有时天线性能是不充分的。

·栅极-源极连接部sg

图41的(b)、图42的(b)、图43的(b)以及图43的(c)所示的tft基板105a的栅极-源极连接部sg相当于图21的(b)、图22的(b)图23的(b)以及图23的(c)所示的tft基板105的栅极-源极连接部sg的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)、图42的(b)、图43的(b)以及图43的(c)所示，tft基板105a的栅极-源极连接部sg具有：栅极下部连接配线7sg；开口部4sg1，其形成于栅极绝缘层4；栅极总线连接部3sg，其连接到栅极总线gl；以及栅极上部连接部19sg。

包含于导电层19的栅极上部连接部19sg形成在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上(栅极总线连接部3sg上)以及开口部4sg1内，在开口部4sg1内与栅极下部连接配线7sg连接，并且与栅极总线连接部3sg连接。在此，栅极上部连接部19sg与栅极总线连接部3sg接触。在该例子中，栅极总线连接部3sg的一部分未被栅极上部连接部19sg覆盖，从导电层19露出。

·栅极端子部gt

图41的(b)和图42的(c)所示的tft基板105a的栅极端子部gt相当于图21的(b)和图22的(c)所示的tft基板105的栅极端子部gt的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)和图42的(c)所示，tft基板105a的栅极端子部gt具有：栅极端子用下部连接部7ga；开口部4g，其形成于栅极绝缘层4；以及栅极端子用上部连接部19ga。

包含于导电层19的上部连接部19ga形成在栅极绝缘层4上和开口部4g内，在开口部4g内与下部连接部7ga连接。在此，上部连接部19ga在开口部4g内与下部连接部7ga接触。

·源极端子部st

图41的(c)和图42的(d)所示的tft基板105a的源极端子部st相当于图21的(c)和图22的(d)所示的tft基板105的源极端子部st的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(c)和图42的(d)所示，tft基板105a的源极端子部st具有：源极端子用下部连接部7sa；开口部4s，其形成于栅极绝缘层4；以及源极端子用上部连接部19sa。

包含于导电层19的上部连接部19sa形成在栅极绝缘层4上和开口部4s内，在开口部4s内与下部连接部7sa连接。在此，上部连接部19sa在开口部4s内与下部连接部7sa接触。

·cs端子部ct、cs-源极连接部sc

图41的(b)所示的tft基板105a的cs端子部ct和cs-源极连接部sc相当于图21的(b)所示的tft基板105的cs端子部ct和cs-源极连接部sc的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)所示，tft基板105a的cs-源极连接部sc具有：cs下部连接配线7sc；开口部4sc1，其形成于栅极绝缘层4；cs总线连接部3sc，其连接到cs总线cl；以及cs上部连接部19sc。

包含于导电层19的cs上部连接部19sc形成在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上(cs总线连接部3sc上)以及开口部4sc1内，在开口部4sc1内与cs下部连接配线7sc连接，并且与cs总线连接部3sc连接。在此，cs上部连接部19sc与cs总线连接部3sc接触。在该例子中，cs总线连接部3sc的一部分未被cs上部连接部19sc覆盖，从导电层19露出。

如图41的(b)所示，tft基板105a的cs端子部ct具有：cs端子用下部连接部7c；开口部4c，其形成于栅极绝缘层4；以及cs端子用上部连接部19c。

包含于导电层19的上部连接部19c形成在栅极绝缘层4上和开口部4c内，在开口部4c内与下部连接部7c连接。即，上部连接部19c在开口部4c内与下部连接部7c接触。

·传输端子部pt

图41的(b)和图43的(a)所示的tft基板105a的第1传输端子部pt1相当于图21的(b)和图23的(a)所示的tft基板105的第1传输端子部pt1的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)和图43的(a)所示，tft基板105a的第1传输端子部pt1具有：第1传输端子用下部连接部7p1a；开口部4p1a，其形成于栅极绝缘层4；以及第1传输端子用上部连接部19p1a。

包含于导电层19的上部连接部19p1a形成在栅极绝缘层4上和开口部4p1a内，在开口部4p1a内与下部连接部7p1a连接。在此，上部连接部19p1a在开口部4p1a内与下部连接部7p1a接触。

在该例子中，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a是以仅使下部连接部7p1a的一部分露出的方式形成的。在从电介质基板1的法线方向观看时，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1a位于下部连接部7p1a的内侧。

此外，tft基板105a的第1传输端子部pt1也可以具有与后述的tft基板106a的第1传输端子部pt1同样的构成。

图41的(b)和图42的(e)所示的tft基板105a的第2传输端子部pt2相当于图21的(b)和图22的(e)所示的tft基板105的第2传输端子部pt2的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)和图42的(e)所示，tft基板105a的第2传输端子部pt2具有：第2传输端子用下部连接部7p2；开口部4p2，其形成于栅极绝缘层4；以及第2传输端子用上部连接部19p2。

包含于导电层19的上部连接部19p2形成在栅极绝缘层4上和开口部4p2内，在开口部4p2内与下部连接部7p2连接。在此，上部连接部19p2在开口部4p2内与下部连接部7p2接触。

·tft基板105a的制造方法

参照图45的(a)～(c)说明tft基板105a的制造方法。图45的(a)～(c)是示出tft基板105a的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图42的(a)～(c)和图43的(a)对应的截面。此外，对于与图42的(d)、图42的(e)以及图43的(b)对应的截面，虽然省略图示，但是由与对应于图42的(c)的截面同样的方法形成。以下，主要说明与参照图24～图26说明的tft基板105的制造方法的不同点。

首先，与参照图24的(a)～(e)和图25的(a)～(b)所说明的同样，在电介质基板1上形成基底绝缘层20、岛状的半导体层5、接触层6s、6d、源极金属层7、第1绝缘膜4以及栅极金属层3。但是，在此，在形成monbni膜(厚度：例如300nm)作为栅极用导电膜3’这一点上与tft基板105的制造方法不同。在此，例如通过湿式蚀刻进行栅极用导电膜3’的图案化。

接着，通过公知的光刻工艺进行第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图45的(a)所示，得到栅极绝缘层4。具体地说，在天线单位形成区域中形成到达贴片电极7pe的开口部4a，在栅极端子部形成区域中形成到达下部连接部7ga的开口部4g，在源极端子部形成区域中形成到达下部连接部7sa的开口部4s，在cs端子部形成区域中形成到达下部连接部7c的开口部4c，在第1传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p1a的开口部4p1a，在第2传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p2的开口部4p2，在栅极-源极连接部形成区域中形成到达栅极下部连接配线7sg的开口部4sg1，在cs-源极连接部形成区域中形成到达cs下部连接配线7sc的开口部4sc1。

第1绝缘膜4例如通过使用氟系气体的干式蚀刻来蚀刻。

此外，第1绝缘膜4的蚀刻也可以在形成第1绝缘膜4后且形成栅极用导电膜3’前进行。即，也可以在进行第1绝缘膜4的蚀刻从而形成栅极绝缘层4后，在栅极绝缘层4上形成栅极用导电膜3’。在该情况下，调整蚀刻条件，使得对源极用导电膜7’的蚀刻速率比对栅极用导电膜3’的蚀刻速率小。例如，只要适当选择栅极用导电膜3’和源极用导电膜7’的材料、蚀刻剂等即可。

接着，如图45的(b)所示，在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上、开口部4a内、开口部4g内、开口部4s内、开口部4c内、开口部4p1a内、开口部4p2内、开口部4sg1内以及开口部4sc1内，例如通过溅射法形成导电膜19’。导电膜19’例如包含透明导电膜。在此，使用例如厚度为70nm的ito膜作为导电膜19’。或者，也可以使用将ti(厚度：例如50nm)和ito(厚度：例如70nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(ito/ti)作为导电膜19’。也可以使用从包括monbni膜、monb膜、mow膜、w膜以及ta膜的组中选择的1个膜或2个以上的膜的层叠膜来代替ti膜。即，作为导电膜19’，也可以使用将从包括ti膜、monbni膜、monb膜、mow膜、w膜以及ta膜的组中选择的1个膜或2个以上的膜的层叠膜、以及ito膜按该顺序层叠而成的层叠膜。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图45的(c)所示，得到导电层19。由此，得到天线单位区域u、栅极端子部gt、源极端子部st、cs端子部ct、第1传输端子部pt1、第2传输端子部pt2、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc。

具体地说，在天线单位区域u中形成在开口部4a内与贴片电极7pe接触的贴片导电部19a，在栅极端子部gt中形成在开口部4g内与下部连接部7ga接触的上部连接部19ga，在源极端子部st中形成在开口部4s内与下部连接部7sa接触的上部连接部19sa，在cs端子部ct中形成在开口部4c内与下部连接部7c接触的上部连接部19c，在第1传输端子部pt1中形成在开口部4p1a内与下部连接部7p1a接触的上部连接部19p1a，在第2传输端子部pt2中形成在开口部4p2内与下部连接部7p2接触的上部连接部19p2，在栅极-源极连接部sg中形成在开口部4sg1内与栅极下部连接配线7sg接触的栅极上部连接部19sg，在cs-源极连接部sc中形成在开口部4sc1内与cs下部连接配线7sc接触的cs上部连接部19sc。

优选地，在天线单位区域u中，贴片导电部19a以覆盖贴片电极7pe中的通过开口部4a露出的部分的方式形成。优选地，在各端子部中，上部连接部以覆盖下部连接部中的通过开口部露出的部分的方式形成。优选地，在栅极-源极连接部sg中，栅极上部连接部19sg以覆盖栅极下部连接配线7sg中的通过开口部4sg1露出的部分的方式形成。优选地，在cs-源极连接部sc中，cs上部连接部19sc以覆盖cs下部连接配线7sc中的通过开口部4sc1露出的部分的方式形成。

这样，制造tft基板105a。

如此，能使用5个光掩模制造tft基板105a。

·变形例1

参照图46～图48说明本实施方式的变形例1的tft基板106a。对与图41～图43所示的tft基板105a共同的构成标注共同的附图标记，而省略说明。对与图26～图28所示的第4实施方式的tft基板106共同的构成也标注共同的附图标记，有时省略说明。

图46的(a)～(c)是tft基板106a的示意性俯视图。图46的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图46的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图46的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图47的(a)～(e)和图48的(a)～(c)分别是tft基板106a的示意性截面图。图47的(a)示出沿着图46的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图47的(b)示出沿着图46的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图47的(c)示出沿着图46的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图47的(d)示出沿着图46的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图47的(e)示出沿着图46的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图48的(a)示出沿着图46的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图48的(b)示出沿着图46的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图48的(c)示出沿着图46的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板106a在栅极金属层3被导电层19覆盖这一点上与tft基板105a不同。在tft基板106a中，栅极金属层3的上表面和侧面全部由导电层19覆盖。以下，主要说明与tft基板105a的不同点。

·天线单位区域u

在tft基板106a中，导电层19还包含：覆盖部19gl，其覆盖栅极总线gl和栅极电极3g；以及覆盖部19cl，其覆盖cs总线cl和上部辅助电容电极3c。栅极金属层3的上表面和侧面由导电层19覆盖。在具备tft基板106a的扫描天线中，第1取向膜与导电层19接触，与栅极金属层3不接触。

在具有这种构成的tft基板106a中，也能得到与tft基板105a同样的效果。即，tft基板106a与第4实施方式相比能不增加光掩模数而削减制造成本。

而且，在tft基板106a中，由于栅极金属层3的上表面和侧面由导电层19覆盖，因此即使栅极金属层3包含低电阻金属层，也能抑制金属从栅极金属层3熔出到液晶层lc。因此，具备tft基板106a的扫描天线与具备tft基板105a的扫描天线相比能实现高的天线性能。

优选栅极金属层3包含低电阻金属层。栅极金属层3也可以具有在低电阻金属层之上和/或之下还包含含高熔点金属的层的层叠结构。

此外，导电层19的形状不限于图示的例子，只要将栅极金属层3的上表面和侧面全部覆盖即可。

·栅极-源极连接部sg

如图46的(b)、图47的(b)、图48的(b)以及图48的(c)所示，tft基板106a的栅极-源极连接部sg在具有栅极金属层3被导电层19覆盖的结构这一点上与图41的(b)、图42的(b)、图43的(b)以及图43的(c)所示的tft基板105a的栅极-源极连接部sg不同。

如图46的(b)、图47的(b)、图48的(b)以及图48的(c)所示，tft基板106a的栅极-源极连接部sg具有：栅极下部连接配线7sg；开口部4sg1，其形成于栅极绝缘层4；栅极总线连接部3sg，其连接到栅极总线gl；以及栅极上部连接部19sga。

包含于导电层19的栅极上部连接部19sga形成在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上(栅极总线连接部3sg上)以及开口部4sg1内，在开口部4sg1内与栅极下部连接配线7sg连接，并且与栅极总线连接部3sg连接。在此，栅极上部连接部19sga与栅极总线连接部3sg接触。而且，栅极上部连接部19sga覆盖栅极总线连接部3sg的整个范围。在此，栅极上部连接部19sga从覆盖部19gl延伸设置，与覆盖部19gl一体地形成。

·cs-源极连接部sc

如图46的(b)所示，tft基板106a的cs-源极连接部sc在具有栅极金属层3被导电层19覆盖的结构这一点上与图41的(b)所示的tft基板105a的cs-源极连接部sc不同。

如图46的(b)所示，tft基板106a的cs-源极连接部sc具有：cs下部连接配线7sc；开口部4sc1，其形成于栅极绝缘层4；cs总线连接部3sc，其连接到cs总线cl；以及cs上部连接部19sca。

包含于导电层19的cs上部连接部19sca形成在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上(cs总线连接部3sc上)以及开口部4sc1内，在开口部4sc1内与cs下部连接配线7sc连接，并且与cs总线连接部3sc连接。在此，cs上部连接部19sca与cs总线连接部3sc接触。而且，cs上部连接部19sca覆盖cs总线连接部3sc的整个范围。在此，cs上部连接部19sca从覆盖部19cl延伸设置，与覆盖部19cl一体地形成。

·第1传输端子部pt1

tft基板106a在第1传输端子部pt1中具有与tft基板105a不同的结构。图46的(b)和图48的(a)所示的tft基板106a的第1传输端子部pt1相当于图27的(b)和图29的(a)所示的tft基板106的第1传输端子部pt1的省略了层间绝缘层11的构成。

如图41的(b)和图43的(a)所示，在tft基板105a的第1传输端子部pt1中，在从电介质基板1的法线方向观看时，开口部4p1a位于下部连接部7p1a的内侧。即，开口部4p1a以仅使下部连接部7p1a的一部分露出的方式形成。

相对于此，在tft基板106a的第1传输端子部pt1中，如图46的(b)和图48的(a)所示，上部连接部19p1b在从电介质基板1的法线方向观看时，在形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b内包含与下部连接部7p1b不重叠的部分。

如图46的(b)和图48的(a)所示，tft基板106a的第1传输端子部pt1具有：第1传输端子用下部连接部7p1b；开口部4p1b，其形成于栅极绝缘层4；以及第1传输端子用上部连接部19p1b。

包含于导电层19的上部连接部19p1b形成在栅极绝缘层4上和开口部4p1b内，在开口部4p1b内与下部连接部7p1b连接。在此，上部连接部19p1b在开口部4p1b内与下部连接部7p1b接触。

在该例子中，下部连接部7p1b中的位于开口部4p1b内的部分被上部连接部19p1b覆盖。

在tft基板106a中，与tft基板105a相比，下部连接部7p1b中的在开口部4p1b内与上部连接部19p1b重叠的部分的面积较大。如已述的那样，上部连接部19p1b通过例如包含导电性粒子的密封材料与缝隙基板侧的传输端子用连接部连接(例如参照图7)。在tft基板106a中，与tft基板105a相比，导电性粒子与上部连接部19p1b的接触易于稳定。tft基板106a与tft基板105a相比具有易于控制液晶层的厚度(单元间隙)的优点。

此外，从第1传输端子部pt1的可靠性的观点来说，有时tft基板106a逊于tft基板105a。在tft基板105a中，开口部4p1a内的所有区域具有：在电介质基板1上具有下部连接部7p1a和上部连接部19p1a的层叠结构。在第1传输端子部pt1中，不具有下部连接部7p1a的所有区域具有：具有栅极绝缘层4的层叠结构。相对于此，在tft基板106a中，在开口部4p1b内包含具有如下层叠结构的区域：在电介质基板1上仅具有上部连接部19p1b而不包含下部连接部7p1b。tft基板106a的第1传输端子部pt1包含具有不包含下部连接部7p1b和栅极绝缘层4中的任何一者的层叠结构的区域。由此，有时可靠性会逊色。

此外，tft基板106a的第1传输端子部pt1也可以具有与tft基板105a的第1传输端子部pt1同样的构成。

·tft基板106a的制造方法

参照图49的(a)～(c)说明tft基板106a的制造方法。图49的(a)～(c)是示出tft基板106a的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图47的(a)～(c)和图48的(a)对应的截面。以下，主要说明与tft基板105a的制造方法的不同点。

首先，与参照图24的(a)～(e)和图25的(a)～(b)所说明的同样，在电介质基板1上形成基底绝缘层20、岛状的半导体层5、接触层6s、6d、源极金属层7、第1绝缘膜4以及栅极金属层3。在此，在形成将al膜(厚度：例如150nm)和mon膜(厚度：例如100nm)按该顺序层叠而成的层叠膜(mon/al)作为栅极用导电膜3’这一点上与tft基板105a的制造方法不同。另外，在此，源极金属层7在第1传输端子部形成区域中包含下部连接部7p1b。

接着，通过公知的光刻工艺进行第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图49的(a)所示，得到栅极绝缘层4。该工序与参照图45的(a)所说明的工序同样地进行。在此，在第1传输端子部形成区域中形成到达下部连接部7p1b的开口部4p1b。此时，在从电介质基板1的法线方向观看时，开口部4p1b内的区域的一部分以与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。即，形成于栅极绝缘层4的开口部4p1b以在从电介质基板1的法线方向观看时开口部4p1b内的区域的一部分与下部连接部7p1b不重叠的方式形成。

接着，如图49的(b)所示，在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上、开口部4a内、开口部4g内、开口部4s内、开口部4c内、开口部4p1b内、开口部4p2内、开口部4sg1内以及开口部4sc1内形成导电膜19’。该工序与参照图45的(b)所说明的工序同样地进行。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图49的(c)所示，得到导电层19。该工序与参照图45的(c)所说明的工序同样地进行。在此，导电层19在天线单位区域u中还包含：覆盖部19gl，其覆盖栅极总线gl和栅极电极3g；以及覆盖部19cl，其覆盖cs总线cl和上部辅助电容电极3c。另外，导电层19在第1传输端子部形成区域中包含上部连接部19p1b。上部连接部19p1b在第1传输端子部pt1中在开口部4p1b内与下部连接部7p1b接触。

这样，制造tft基板106a。

如此，能使用5个光掩模制造tft基板106a。

·变形例2

参照图50～图52说明本实施方式的变形例2的tft基板107a。对与图41～图43所示的tft基板105a共同的构成标注共同的附图标记，而省略说明。对与图46～图48所示的tft基板106a共同的构成标注共同的附图标记，有时省略说明。

图50的(a)～(c)是tft基板107a的示意性俯视图。图50的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图50的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图50的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图51的(a)～(e)和图52的(a)～(c)分别是tft基板107a的示意性截面图。图51的(a)示出沿着图50的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图51的(b)示出沿着图50的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图51的(c)示出沿着图50的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图51的(d)示出沿着图50的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图51的(e)示出沿着图50的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图52的(a)示出沿着图50的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图52的(b)示出沿着图50的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图52的(c)示出沿着图50的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板107a在使用氧化物半导体层作为tft10的半导体层5这一点上与tft基板105a不同。以下，主要说明与tft基板105a的不同点。

在tft基板105a中，使用非晶硅层作为tft10的半导体层5。相对于此，tft基板107a使用氧化物半导体层作为tft10的半导体层5。在tft基板107a中，在半导体层5与源极电极7s/漏极电极7d之间也可以不设置接触层。

在具有这种构成的tft基板107a中，也能得到与tft基板105a同样的效果。

另外，tft基板107a与tft基板106a同样，在栅极金属层3被导电层19覆盖这一点上也与tft基板105a不同。

tft基板107a除了导电层19的形状以外相当于图31～图33所示的第4实施方式的tft基板107的省略了层间绝缘层11的构成。

·tft基板107a的制造方法

参照图53的(a)～(c)说明tft基板107a的制造方法。图53的(a)～(c)是示出tft基板107a的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图51的(a)～(c)和图52的(a)对应的截面。以下，主要说明与参照图34～图36所说明的tft基板107的制造方法的不同点、以及与参照图45所说明的tft基板105a的制造方法的不同点。

首先，与参照图34的(a)～(e)和图35的(a)～(b)所说明的同样，在电介质基板1上形成基底绝缘层20、岛状的氧化物半导体层5、源极金属层7、第1绝缘膜4以及栅极金属层3。

接着，通过公知的光刻工艺进行第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图53的(a)所示，得到栅极绝缘层4。该工序与tft基板105a的制造方法中的参照图45的(a)所说明的工序同样地进行。

接着，如图53的(b)所示，在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上、开口部4a内、开口部4g内、开口部4s内、开口部4c内、开口部4p1a内、开口部4p2内、开口部4sg1内以及开口部4sc1内形成导电膜19’。该工序与参照图45的(b)所说明的工序同样地进行。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图53的(c)所示，得到导电层19。由此，得到天线单位区域u、栅极端子部gt、源极端子部st、cs端子部ct、第1传输端子部pt1、第2传输端子部pt2、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc。该工序与参照图45的(c)所说明的工序同样地进行。但是，在此，导电层19在天线单位区域u中还包含：覆盖部19gl，其覆盖栅极总线gl和栅极电极3g；以及覆盖部19cl，其覆盖cs总线cl和上部辅助电容电极3c。

这样，制造tft基板107a。

如此，能使用5个光掩模来制造tft基板107a。

·变形例3

参照图54～图56说明本实施方式的变形例3的tft基板108a。对与图50～图52所示的tft基板107a共同的构成标注共同的附图标记，而省略说明。对与图41～图43所示的tft基板105a共同的构成或与图46～图48所示的tft基板106a共同的构成也标注共同的附图标记，有时省略说明。

图54的(a)～(c)是tft基板108a的示意性俯视图。图54的(a)示出发送接收区域r1的天线单位区域u，图54的(b)示出设置于非发送接收区域r2的栅极端子部gt、cs端子部ct、传输端子部pt、栅极-源极连接部sg以及cs-源极连接部sc，图54的(c)示出设置于非发送接收区域r2的源极端子部st。

图55的(a)～(e)和图56的(a)～(c)分别是tft基板108a的示意性截面图。图55的(a)示出沿着图54的(a)中的a-a’线的天线单位区域u的截面，图55的(b)示出沿着图54的(b)中的b-b’线的栅极-源极连接部sg的截面，图55的(c)示出沿着图54的(b)中的c-c’线的栅极端子部gt的截面，图55的(d)示出沿着图54的(c)中的d-d’线的源极端子部st的截面，图55的(e)示出沿着图54的(b)中的e-e’线的第2传输端子部pt2的截面，图56的(a)示出沿着图54的(b)中的f-f’线的第1传输端子部pt1的截面，图56的(b)示出沿着图54的(b)中的g-g’线的栅极-源极连接部sg的截面，图56的(c)示出沿着图54的(b)中的h-h’线的栅极-源极连接部sg的截面。

tft基板108a在第1传输端子部pt1中具有与tft基板107a不同的结构。tft基板108a的第1传输端子部pt1具有与tft基板106a的第1传输端子部pt1同样的结构。

在具有这种构成的tft基板108a中，也能得到与tft基板105a同样的效果。

另外，tft基板108a在导电层19的形状上具有与tft基板107a不同的结构。在tft基板108a中，与tft基板105a同样地，栅极金属层3的至少一部分未被导电层19覆盖。

此外，在tft基板108a中，栅极金属层3的上表面和侧面也可以全部被导电层19覆盖。

·tft基板108a的制造方法

参照图57的(a)～(c)说明tft基板108a的制造方法。图57的(a)～(c)是示出tft基板108a的制造方法的一例的工序截面图。这些图分别示出与图55的(a)～(c)和图56的(a)对应的截面。以下，主要说明与tft基板107a的制造方法的不同点。

首先，与参照图34的(a)～(e)和图35的(a)～(b)所说明的同样，在电介质基板1上形成基底绝缘层20、岛状的氧化物半导体层5、源极金属层7、第1绝缘膜4以及栅极金属层3。但是，在此，在形成monbni膜(厚度：例如300nm)作为栅极用导电膜3’这一点上与tft基板107a的制造方法不同。在此，例如通过湿式蚀刻进行栅极用导电膜3’的图案化。另外，在此，源极金属层7在第1传输端子部形成区域中包含下部连接部7p1b。

接着，通过公知的光刻工艺进行第1绝缘膜4的蚀刻，从而如图57的(a)所示，得到栅极绝缘层4。该工序与参照图49的(a)所说明的工序同样地进行。

接着，如图57的(b)所示，在栅极绝缘层4上、栅极金属层3上、开口部4a内、开口部4g内、开口部4s内、开口部4c内、开口部4p1b内、开口部4p2内、开口部4sg1内以及开口部4sc1内形成导电膜19’。该工序与tft基板106a的制造方法中的参照图49的(b)所说明的工序同样地进行。

接着，将导电膜19’图案化，从而如图57的(c)所示，得到导电层19。该工序与参照图49的(c)所说明的工序同样地进行。但是，在此，导电层19在天线单位区域u中不具有：覆盖部19gl，其覆盖栅极总线gl和栅极电极3g；以及覆盖部19cl，其覆盖cs总线cl和上部辅助电容电极3c。

这样，制造tft基板108a。

如此，能使用5个光掩模来制造tft基板108a。

本发明的实施方式的扫描天线根据需要例如收纳于塑料制的箱体。优选箱体使用不会对微波的发送接收带来影响的介电常数εm小的材料。另外，也可以在箱体的与发送接收区域r1对应的部分设置贯通孔。而且，为了不使液晶材料暴露于光中，也可以设置遮光结构。遮光结构设置成对例如从tft基板101的电介质基板1和/或缝隙基板201的电介质基板51的侧面在电介质基板1和/或51内传播并入射到液晶层的光进行遮光。介电各向异性δεm大的液晶材料有的易于发生光劣化，优选不仅对紫外线而且对可见光中短波长的蓝色光进行遮光。例如通过使用黑色的粘合胶带等遮光性胶带，能在需要的部位容易地形成遮光结构。

工业上的可利用性

本发明的实施方式例如在移动体(例如船舶、飞机、汽车)所搭载的卫星通信或卫星广播用扫描天线及其检查中使用。

附图标记说明

1：电介质基板

2：基底绝缘膜

3：栅极金属层

3c：上部辅助电容电极

3g：栅极电极

3sc：cs总线连接部

3sg：栅极总线连接部

4：栅极绝缘层

4a、4c、4g、4p1a、4p1b、4p2、4s、4sc1、4sg1：开口部

5：半导体层

6d：漏极接触层

6s：源极接触层

7：源极金属层

7c：下部辅助电容电极

7d：漏极电极

7s：源极电极

7pe：贴片电极

7p：源极连接配线

7c、7ga、7p1a、7p1b、7p2、7sa：下部连接部

7sc：cs下部连接配线

7sg：栅极下部连接配线

11：第1绝缘层(层间绝缘层)

11a、11c、11g、11p1a、11p1b、11p2：开口部

11s、11sc1、11sc2、11sg1、11sg2：开口部

15：贴片电极

15p：贴片连接部

17：第2绝缘层

18g、18s、18p：开口部

19：导电层

19a：贴片导电部

19cl、19gl：覆盖部

19g：栅极端子用上部连接部

19p：传输端子用上部连接部

19s：源极端子用上部连接部

19c、19ga、19p1a、19p1b、19p2、19sa：上部连接部

19sc、19sca：cs上部连接部

19sg、19sga：源极上部连接部

21：对准标记

23：保护导电层

32a：第1取向膜

42a：第2取向膜

51：电介质基板

52：第3绝缘层

54：电介质层(空气层)

55：缝隙电极

55l：下层

55m：主层

55u：上层

55c：接触面

57：缝隙

58：第4绝缘层

60：上部连接部

65：反射导电板

67：粘接层

68：加热器用电阻膜

70：供电装置

71：导电性珠

72：供电销

73：密封部

100a：液晶面板

101、102、103、104：tft基板

105、106、107、108：tft基板

105a、106a、107a、108a：tft基板

201、203、201a：缝隙基板

1000：扫描天线

ch1、ch2、ch3、ch4、ch5、ch6：接触孔

ch_a、ch_c、ch_g：接触孔

ch_p1a、ch_p1b、ch_p2、ch_s：接触孔

ch_sc1、ch_sc2、ch_sg1、ch_sg2：接触孔

cl：cs总线

ct：cs端子部

gd：栅极驱动器

gl：栅极总线

gt：栅极端子部

sc：cs-源极连接部

sd：源极驱动器

sg：栅极-源极连接部

sl：源极总线

st：源极端子部

pt：传输端子部

it：端子部

lc：液晶层

r1：发送接收区域

r2：非发送接收区域

rs：密封区域

u、u1、u2：天线单位、天线单位区域。