1.电容器，其包括：
电容器元件，所述电容器元件包含烧结多孔阳极体、覆盖在所述阳极体上面的电介质、和覆盖在所述电介质上面的固体电解质；
封装所述电容器元件的壳体材料；
与所述阳极体电连接并且包含位于所述壳体材料外部的部分的阳极端子；
与所述固体电解质电连接并且包含位于所述壳体材料外部的部分的阴极端子；和
设置在所述电容器元件、壳体材料、阳极端子、阴极端子、或其组合的至少一部分上的纳米涂层，其中所述纳米涂层具有约2,000纳米或更小的平均厚度并且包含气相沉积的聚合物。
2.如权利要求1所述的电容器，其中所述气相沉积的聚合物是通过前体化合物的原位聚合而形成的。
3.如权利要求2所述的电容器，其中所述前体化合物为多芳烃。
4.如权利要求3所述的电容器，其中所述多芳烃具有以下总体结构：
其中，
r1为烷基、烯基、卤素、或卤代烷基；和
r2、r3、r4、r5、和r6独立地选自氢、烷基、烯基、卤素、或卤代烷基，其中r1、r2、r3、r4、r5、或r6的一个或多个任选地与第二多芳烃环结构键合以形成二聚体。
5.如权利要求3所述的电容器，其中所述多芳烃为1,4-二甲基苯、1,3-二甲基苯、1,2-二甲基苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯、1,2-二乙烯基苯、氯代多芳烃、[2,2]对位环芳、或其组合。
6.如权利要求1所述的电容器，其中所述前体化合物为氟代烃。
7.如权利要求6所述的电容器，其中所述氟代烃为cf4、c2f4、c2f6、c3f6、c3f8、或其组合。
8.如权利要求1所述的电容器，其中所述纳米涂层包含由多芳烃前体化合物和氟代烃前体化合物形成的聚合物。
9.如权利要求1所述的电容器，其中所述纳米涂层设置在所述电容器元件上。
10.如权利要求1所述的电容器，其中所述电容器元件包含前表面、后表面、顶表面、底表面、第一侧表面、和第二侧表面，并且进一步地其中所述电容器元件包含从所述电容器元件的所述前表面延伸的阳极引线丝。
11.如权利要求10所述的电容器，其中所述纳米涂层设置在前表面、后表面、顶表面、底表面、第一侧表面、第二侧表面、或其组合上。
12.如权利要求11所述的电容器，其中所述纳米涂层在所述前表面的至少一部分上的厚度大于所述纳米涂层在后表面、顶表面、底表面、第一侧表面、或第二侧表面的至少一部分上的厚度。
13.如权利要求1所述的电容器，其中所述纳米涂层设置在所述壳体材料上。
14.如权利要求1所述的电容器，其中所述纳米涂层在所述电容器的一个区域处的厚度对所述纳米涂层在所述电容器的另一区域处的厚度的比率为约2或更大。
15.如权利要求1所述的电容器，其中所述气相沉积的聚合物是通过如下形成的：溅射、等离子体增强物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积、或其组合。
16.如权利要求1所述的电容器，其中所述气相沉积的聚合物是在等离子体存在下聚合的。
17.如权利要求1所述的电容器，其中所述电容器元件进一步包括阴极涂层，所述阴极涂层包含覆盖在所述固体电解质上面的金属粒子层，其中所述金属粒子层包括分散在树脂质聚合物基质内的多个导电金属粒子。
18.如权利要求1所述的电容器，其中所述阳极体包括钽并且所述电介质包括五氧化二钽。
19.如权利要求1所述的电容器，其中所述固体电解质包括多个导电聚合物粒子。
20.如权利要求19所述的电容器，其中所述导电聚合物粒子包含非本征导电聚合物。
21.如权利要求20所述的电容器，其中所述非本征导电聚合物为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
22.如权利要求20所述的电容器，其中所述粒子还包含聚合物型抗衡离子。
23.如权利要求19所述的电容器，其中所述导电聚合物粒子包含本征导电聚合物。
24.如权利要求1所述的电容器，其进一步包括覆盖在所述固体电解质上面并且包含预聚的导电聚合物粒子和交联剂的外部聚合物涂层。
25.密封电容器的方法，所述电容器包含：电容器元件，所述电容器元件包含烧结多孔阳极体、覆盖在所述阳极体上面的电介质、和覆盖在所述电介质上面的固体电解质；封装所述电容器元件的壳体材料；与所述阳极体电连接并且包含位于所述壳体材料外部的部分的阳极端子；以及与所述固体电解质电连接并且包含位于所述壳体材料外部的部分的阴极端子，所述方法包括使前体化合物气相聚合以在所述电容器元件、壳体材料、阳极端子、阴极端子、或其组合的至少一部分上形成纳米涂层的至少一个层。
26.如权利要求25所述的方法，其中所述纳米涂层具有约2,000纳米或更小的平均厚度。
27.如权利要求25所述的方法，其中所述前体化合物为多芳烃、氟代烃、或其组合。
28.如权利要求25所述的方法，其中使所述前体化合物在所述电容器元件上气相聚合。
29.如权利要求25所述的方法，其中使所述前体化合物在所述壳体材料上气相聚合。
30.如权利要求25所述的方法，其中所述气相聚合包括溅射、等离子体增强物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层化学气相沉积、或其组合。
31.如权利要求25所述的方法，其中所述气相聚合在等离子体的存在下发生。
32.如权利要求25所述的方法，其中所述气相聚合在不存在溶剂的情况下发生。
33.如权利要求25所述的方法，其中所述气相聚合在约15℃-约35℃的温度下发生。