一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置与流程

文档序号:17945230发布日期:2019-06-18 23:32阅读:157来源:国知局
一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种器件及制作方法、柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板和显示装置。



背景技术:

随着显示技术的发展,用户对显示装置无边框设计的呼声越来越高。为实现显示装置的无边框设计,目前现有技术是在柔性显示装置的制作过程中,将控制电路设置在柔性衬底远离所述显示面板的其他膜层的一侧,通过在柔性衬底上形成通孔并在所述通孔中制作金属导线已将所述显示面板的阵列基板的信号引至控制电路。然而在制作过程中,在柔性衬底上形成通孔后并完成所述显示面板的其他膜层的制备后,当剥离硬性衬底与柔性衬底时,所述柔性衬底在干法刻蚀时易发生过刻蚀,或者所述柔性衬底因激光烧蚀产生产生大量难以清除的碳化粉末,容易导致所述金属导线与控制电路接触不良,从而在一定程度上影响显示装置的显示效果。



技术实现要素:

为了解决上述问题至少之一,本发明第一方面提供一种器件,包括

硬性衬底;

形成在所述硬性衬底上的第一柔性衬底层;

形成在所述第一柔性衬底层上的介质层;

形成在所述介质层上的第二柔性衬底层;

通孔,贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层;

至少形成在所述通孔侧壁及底部的金属导线;以及

覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层。

进一步的,还包括

金属层,形成在所述第一柔性衬底层和所述介质层之间。

进一步的,所述金属层的材料为mo,所述介质层的材料为二氧化硅。

本发明第二方面提供一种器件的制作方法,包括

在硬性衬底上形成第一柔性衬底层;

在所述第一柔性衬底层上形成介质层;

在所述介质层上形成第二柔性衬底层;

形成贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层的通孔;

至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;

形成覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层;

在所述平坦化层上形成显示阵列面板;

剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层。

进一步的,所述方法还包括

在所述第一柔性衬底层上形成金属层;

在所述金属层上形成所述介质层,

其中所述通孔被形成为露出所述金属层表面。

进一步的,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括

通过激光剥离所述硬性衬底;

通过第一干法刻蚀去除所述第一柔性衬底层;

通过第二干法刻蚀去除所述金属层;

或者

通过激光剥离所述硬性衬底层、烧蚀所述第一柔性衬底层并产生碳化粉末;

通过干法刻蚀轰击所述金属层以去除所述碳化粉末和金属层。

本发明第三方面提供一种柔性显示面板的制作方法,包括

在硬性衬底上形成第一柔性衬底层;

在所述第一柔性衬底层上形成介质层;

在所述介质层上形成第二柔性衬底层;

形成贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层的通孔;

至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;

形成覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层;

在所述平坦化层上形成显示阵列面板;

剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层;

在露出的金属导线上形成焊盘;

以及通过所述焊盘电连接控制电路。

进一步的,所述方法还包括

在所述第一柔性衬底层上形成金属层;

在所述金属层上形成所述介质层,其中所述通孔被形成为露出所述金属层表面。

进一步的,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括:

通过激光剥离所述硬性衬底;

通过第一干法刻蚀去除所述第一柔性衬底层;

通过第二干法刻蚀去除所述金属层;

或者

通过激光剥离所述硬性衬底层、烧蚀所述第一柔性衬底层并产生碳化粉末;

通过干法刻蚀轰击所述金属层以去除所述碳化粉末和金属层。

本发明第四方面提供一种柔性显示面板,包括

柔性衬底层;

形成在柔性衬底层第一表面上的介质层;

贯通所述柔性衬底层及所述介质层的通孔;

至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;

在所述柔性衬底层与所述第一表面相对的第二表面上形成的覆盖所述第二表面及金属导线的平坦化层;

在所述平坦化层上形成的显示阵列面板;

在所述底部的金属导线上形成的焊盘;

与所述焊盘电连接的控制电路。

本发明第五方面提供一种显示装置,包括第四方面所述的柔性显示面板。

本发明的有益效果如下:

本发明针对目前现有的问题,制定一种器件及制作方法、柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板和显示装置,通过形成在硬性衬底上的第一柔性衬底层和介质层,使得在剥离所述硬性衬底并去除第一柔性衬底层的过程中避免过刻蚀,进一步通过中间层实现对介质层的均匀刻蚀,从而弥补了现有技术中的问题,有效提高第二柔性衬底上的通孔中金属导线的导电性能,使得金属导线能够与控制电路正常接触,进而提高显示装置的显示效果。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出现有技术中的一个实施方案的示意图;

图2示出现有技术中的另一个实施方案的示意图;

图3示出本发明的一个实施例所述器件的结构示意图;

图4示出本发明的另一个实施例所述器件的结构示意图;

图5示出本发明的一个实施例所述器件制作方法的流程图;

图6示出本发明的一个实施例所述柔性显示面板制作方法的流程图;

图7示出本发明的一个实施例所述柔性显示面板剥离前的结构示意图;

图8示出本发明的一个实施例所述柔性显示面板的结构示意图。

1—硬性衬底2—第一层3—第二层4—中间层5—柔性衬底

6—金属导体7—平坦化层8—阵列基板9—发光器件

10—盖板11—胶层12—焊盘13—控制电路

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明,下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。

在现有技术中,通过在柔性衬底聚酰亚胺上形成通孔,并在通孔中制作铜导线用于垂直连接设置在柔性衬底远离所述显示面板的其他膜层一侧的控制电路与所述显示面板的阵列基板,以实现显示面板的无边框化。

如图1所示为现有技术中的一个实施方案:采用小功率(22mj/cm2)激光剥离玻璃后,剩余的1μm聚酰亚胺通过干法刻蚀的方法清除,即向干法刻蚀腔体中通入o2气体,使剩余的聚酰亚胺基体灰化,但干法刻蚀工艺在大面积灰化聚酰亚胺时容易产生刻蚀不均匀,导致铜导线与控制电路结合时部分电路不能完全接触或因过刻蚀导致在柔性衬底聚酰亚胺上的阵列基板或铜导线脱落等不良现象。

如图2所示为现有技术中的另一个实施方案:采用大功率激光能量(300mj/cm2)剥离未穿孔部分的聚酰亚胺,未穿孔部分聚酰亚胺厚度为1μm,在此激光功率参数下,1μm厚的激光完全被烧蚀,露出孔内沉积的铜导线。但是在此过程中,烧蚀聚酰亚胺会产生大量碳化粉末,采用去离子风吹除法、环氧树脂胶粘除法等方法清除碳化颗粒,但只能去除颗粒尺寸较大的碳化粉末,仍残留大量微米级的粉末,会导致后续铜导线与控制电路结合不良,接触电阻过大等不良现象。

为解决上述问题之一,如图3所示,本发明的一个实施例提供了一种器件,包括硬性衬底1;形成在所述硬性衬底1上的第一柔性衬底层2;形成在所述第一柔性衬底层2上的介质层3;形成在所述介质层3上的第二柔性衬底层5;通孔,贯通所述第二柔性衬底层5及所述介质层3;至少形成在所述通孔侧壁及底部的金属导线6;以及覆盖所述第二柔性衬底层5以及所述金属导线6的平坦化层7。

在一个具体的示例中,所述器件的第一层为硬性衬底1,例如玻璃;所述第一柔性衬底层2为柔性材料,例如选择作为柔性衬底的聚酰亚胺;所述介质层3的材料为与第一柔性衬底层2具有良好的粘接性、并且满足与所述第一柔性衬底层2不同的干法刻蚀条件,在本示例中采用二氧化硅;所述第二柔性衬底层5可以与第一柔性衬底层2相同或不同,在本示例中采用与所述第一柔性衬底层2相同的聚酰亚胺;所述金属导线6选择不同于第一柔性衬底层2的干法刻蚀条件的材料,在本示例中采用金属铜作为金属导线;所述平坦化层7的材料使用常规材料。具体的,所述第一柔性衬底层2设置为厚度1μm的聚酰亚胺以确保与硬性衬底1和介质层3二氧化硅具有良好的结合力,并满足后续所述显示面板的其他膜层的制作条件;所述介质层3设置为厚度500nm的二氧化硅以满足与第二柔性衬底层5的粘附力并能够阻挡对第一柔性衬底层的刻蚀。

经小功率激光剥离后,采用干法刻蚀清除所述第一柔性衬底层2,由于二氧化硅具有与聚酰亚胺不同的干法刻蚀条件,选择适用于聚酰亚胺干法刻蚀的气体,同时所述气体不能刻蚀二氧化硅,例如氧气。在干法刻蚀的过程中,向干法刻蚀腔体中通入o2气体,所述氧气以化学活性较强的等离子体形式对第一柔性衬底层2的聚酰亚胺进行灰化;由于所述二氧化硅与聚酰亚胺的刻蚀条件不同,在干法刻蚀时,所述介质层3的二氧化硅作为刻蚀的阻挡层,当刻蚀聚酰亚胺后,所述干法刻蚀的刻蚀速率在二氧化硅的第二层停止,从而实现对所述介质层3的均匀刻蚀。值得说明的是,本领域技术人员应当根据实际应用材料选择干法刻蚀的气体,以清除所述第一柔性衬底层,在此不再赘述。

考虑到使用大功率激光能量剥离硬性衬底时存在的问题,在一个优选的实施例中,如图4所示,所述器件还包括金属层4,形成在所述第一柔性衬底层2和所述介质层3之间,所述金属层4的刻蚀条件不同于所述第一柔性衬底层2、介质层3和显示面板的各膜层的刻蚀条件。在本实施例中,在第一柔性衬底层2和所述介质层3之间加入金属层mo,一方面,所述金属层mo在制作过程中作为刻蚀所述通孔的刻蚀阻挡层,当刻蚀所述第二柔性衬底层和介质层后,刻蚀速率在金属层mo停止从而确保所述通孔的刻蚀均匀性;另一方面在激光剥离过程中,金属层mo能够将入射的激光反射至第一柔性衬底层2以防止激光影响所述显示面板的其他膜层的性能;同时对于在激光剥离过程中因激光烧蚀第一柔性衬底层2产生大量碳化颗粒,在使用干法刻蚀的过程中,干法刻蚀产生的等离子体轰击金属层mo和碳化颗粒,使所述金属mo层和碳化颗粒气化,并通过干法刻蚀腔体的气氛循环系统带走,从而实现彻底清除碳化粉末。值得说明的是,为满足器件制作、激光剥离和干法刻蚀的要求,所述金属层4需要与第一柔性衬底层2和介质层3紧密结合,并且所述金属层4的干法刻蚀的刻蚀条件与第一柔性衬底层2、介质层3以及显示面板的其他膜层的刻蚀条件不同,同时还应满足后续在所述器件结构上制作显示面板的其他膜层的工艺要求、以及在转移所述显示面板的过程中对力学的要求,因此本领域技术人员应当根据实际应用选择所述第一柔性衬底层、金属层和介质层的材料以满足生产需求。

如图5所示,本申请的一个实施例还提供上述器件的制作方法,包括:在硬性衬底上形成第一柔性衬底层;在所述第一柔性衬底层上形成介质层;在所述介质层上形成第二柔性衬底层;形成贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层的通孔;至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;形成覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层;在所述平坦化层上形成显示阵列面板;剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层。

首先,如图3所示,在硬性衬底1玻璃基板上涂覆并固化一层聚酰亚胺形成第一柔性衬底层2,为保证所述第一柔性衬底层2与玻璃基板1、介质层3具有足够的结合力,所述第一柔性衬底层2的聚酰亚胺的厚度设置为1μm。

第二,在第一柔性衬底层2上沉积介质层3,所述介质层3采用二氧化硅,为增加二氧化硅对干法刻蚀的阻挡,所述介质层3的二氧化硅的厚度设置为500nm。

第三,在介质层3二氧化硅上涂覆并固化一层聚酰亚胺形成第二柔性衬底层5,所述第二柔性衬底层5为柔性显示面板的柔性衬底。

第四,形成贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层的通孔。通过图案化形成贯通所述第二柔性衬底层5和所述介质层3的通孔,在本实施例中,在第二柔性衬底层5上制作pr胶掩膜并依次通入o2和cf4以刻蚀通孔。

第五,至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线。在所述通孔中沉积金属铜作为金属导线6,在本实施例中,所述金属导线6覆盖通孔底部、侧壁并延伸至第二柔性衬底层5的部分表面,进一步的,当形成覆盖所述第二柔性衬底层5的平坦化层后,所述金属导线6进一步延伸至所述平坦化层的表面并露出,用于与显示面板的栅极进行接触。同时,金属导线6的另一端用于在剥离硬性衬底并去除第一柔性衬底层后与控制电路电连接。

第六,形成覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层7。

第七,在所述平坦化层上形成显示阵列面板(图中未示出),即完成后续显示面板的制作,在此不做限制。

第八,剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层。在本实施例中,采用小功率(22mj/cm2)激光剥离硬性衬底1玻璃,在剥离过程中,所述激光烧蚀所述第一柔性衬底层2的聚酰亚胺的一部分。通过干法刻蚀清除所述第一柔性衬底层2以露出所述金属导线6和所述介质层。在本示例中,在干法刻蚀腔体中通入氧气气体刻蚀所述第一柔性衬底层2,使得所述聚酰亚胺气化并由气体循环系统带走,能够实现对所述第一柔性衬底层2的清洁效果;同时由于所述介质层3的二氧化硅具有与所述第一柔性衬底层2的聚酰亚胺不同的干法刻蚀条件,当所述第一柔性衬底层2的聚酰亚胺完成刻蚀后,刻蚀速率在所述介质层3停止,从而避免现有技术中对柔性衬底层的过刻蚀,同时还能够实现的介质层3的均匀刻蚀,即对于所述露出的金属导线6和介质层3进行平坦化,达到接触面平整的目的。

在制作所述器件的过程中,当通过图案化刻蚀通孔时,为了确保所需通孔的完整性,通常进行一定量的过刻蚀,则在刻蚀第二柔性衬底层5和介质层3之后,也刻蚀了一部分第一柔性衬底层2,则后续沉积的金属导线6表现为参差不齐,容易导致后续与控制电路的接触不良的问题,虽然通过控制刻蚀时间能够控制刻蚀程度,但仍存在接触不良的可能。在一个优选的实施例中,如图4所示,所述方法还包括在所述第一柔性衬底层上形成金属层;在所述金属层上形成所述介质层,其中所述通孔被形成为露出所述金属层表面。

在本实施例中,在所述第一柔性衬底层上形成金属层mo,在所述金属层mo上形成所述介质层,则在介质层上形成第二柔性衬底层后刻蚀所述通孔时,由于刻蚀条件不同,当刻蚀所述第二柔性衬底层和介质层后,刻蚀速率在所述金属层停止,露出金属层mo,所述金属层mo作为刻蚀阻挡层以避免现有技术中对柔性衬底层的过刻蚀,从而使得形成的所述通孔的深度一致,则所述金属导线的形态一致。

在一个优选的实施例中,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括:通过激光剥离所述硬性衬底;通过第一干法刻蚀去除所述第一柔性衬底层;通过第二干法刻蚀去除所述金属层。在本实施例中,采用小功率(22mj/cm2)激光剥离硬性衬底,在剥离过程中,所述激光烧蚀分离所述第一柔性衬底层和硬性衬底,所述激光烧蚀所述第一柔性衬底层的聚酰亚胺的一部分。通过第一次干法法刻蚀清除所述第一柔性衬底层的聚酰亚胺,即在干法刻蚀腔体中通入氧气气体灰化所述聚酰亚胺;然后通过第二次干法刻蚀清除所述金属层mo,即在干法刻蚀腔体中通入氯气气体,所述氯气气体以等离子体形式轰击所述金属mo并由气体循环系统带走。由于金属层的存在,在小功率激光剥离过程中,通过两次干法刻蚀能够实现对所述第一柔性衬底层和金属层的清除,由于金属层存在不同的干法刻蚀条件,当所述金属层刻蚀完成后,刻蚀速率在所述介质层停止,从而避免对第二柔性衬底层进行过刻蚀,实现均匀刻蚀,即对于所述露出的金属导体和介质层进行平坦化,达到接触面平整的目的。

在另一个优选的实施例中,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括:通过激光剥离所述硬性衬底层、烧蚀所述第一柔性衬底层并产生碳化粉末;通过干法刻蚀轰击所述金属层以去除所述碳化粉末和金属层。在本实施例中,采用大功率激光能量(300mj/cm2)剥离硬性衬底时,所述金属层能够将入射的激光反射回第一柔性衬底层从而增加了第一柔性衬底层所吸收的激光的能量,从而降低剥离过程中对激光能量的需求;并且将照射的激光反射回第一柔性衬底层的同时,也避免了照射的激光对显示面板的各膜层的影响。大功率激光能量(300mj/cm2)剥离硬性衬底时烧蚀所述第一柔性衬底层并残留大量碳化粉末,利用干法刻蚀所述金属层mo以清除所述碳化粉末。即在干法刻蚀腔体中通入氯气气体,所述氯气气体以等离子体形式轰击所述金属mo和碳化粉末,并由气体循环系统带走,从而实现对所述第一柔性衬底层烧蚀残留的碳化粉末和金属层的清除。由于金属层的干法刻蚀条件与介质层和金属导线的干法刻蚀条件不同,当所述金属层刻蚀完成后,由于氯气与介质层的二氧化硅和金属导线的金属铜均不反应,刻蚀速率在所述介质层和通孔处的金属导线处停止,从而避免对第二柔性衬底层进行过刻蚀,同时对于经干法刻蚀后露出的金属导体和介质层进行平坦化,达到接触面平整的目的。

需要说明的是,本领域技术人员应当根据实际应用的待刻蚀物体选择适合的刻蚀方法和刻蚀材料,以能够在不同剥离条件下实现对通孔的均匀刻蚀为设计准则,在此不再赘述。

在上述器件的基础上,如图6所示,本申请的一个实施例还提供一种柔性显示面板的制作方法,包括在硬性衬底上形成第一柔性衬底层;在所述第一柔性衬底层上形成介质层;在所述介质层上形成第二柔性衬底层;形成贯通所述第二柔性衬底层及所述介质层的通孔;至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;形成覆盖所述第二柔性衬底层以及所述金属导线的平坦化层;在所述平坦化层上形成显示阵列面板;剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层;在露出的金属导线上形成焊盘;以及通过所述焊盘电连接控制电路。

在一个具体的示例中,如图7和图8所示,具体步骤包括:

首先,形成上述器件,如图7所示的1-7部分,具体过程同上,在此不再赘述。

其次,在上述器件上形成阵列基板8、发光器件9和盖板10,均采用现有步骤和工艺制作,在此不再赘述。值得说明的是,为实现显示装置的无边框设置,所述发光器件9为电致发光器件,例如micro-led或oled,本领域技术人员应当根据实际应用场景进行设计以满足实际需求。

再次,剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层,具体过程同上,在此不再赘述。

最后,如图8所示,在露出的金属导线6上形成焊盘12,以及通过所述焊盘12电连接控制电路13,所述控制电路13通过胶层11与介质层粘接以形成柔性显示面板。

考虑到柔性显示面板制作过程中所述通孔的形成以及剥离硬性衬底时入射激光对显示面板各膜层的影响,在一个优选的实施例中,所述方法还包括在所述第一柔性衬底层上形成金属层;在所述金属层上形成所述介质层,其中所述通孔被形成为露出所述金属层表面。则所述金属层在制作显示面板的过程中作为刻蚀所述通孔的刻蚀阻挡层以确保所述通孔的刻蚀均匀性,在剥离硬性衬底时将入射的激光反射至第一柔性衬底层2以防止激光影响所述显示面板的其他膜层的性能。

在另一个优选的实施例中,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括:通过激光剥离所述硬性衬底;通过第一干法刻蚀去除所述第一柔性衬底层;通过第二干法刻蚀去除所述金属层。具体的,当采用小功率(22mj/cm2)激光剥离硬性衬底时,所述激光烧蚀分离所述第一柔性衬底层和硬性衬底,所述激光烧蚀所述第一柔性衬底层的聚酰亚胺的一部分。通过第一次干法法刻蚀清除所述第一柔性衬底层的聚酰亚胺,即在干法刻蚀腔体中通入氧气气体灰化所述聚酰亚胺;然后通过第二次干法刻蚀清除所述金属层mo,即在干法刻蚀腔体中通入氯气气体,所述氯气气体以等离子体形式轰击所述金属mo并由气体循环系统带走。由于金属层的存在,在小功率激光剥离过程中,通过两次干法刻蚀能够实现对所述第一柔性衬底层和金属层的清除,由于金属层存在不同的干法刻蚀条件,当所述金属层刻蚀完成后,刻蚀速率在所述介质层停止,从而避免对第二柔性衬底层进行过刻蚀,实现均匀刻蚀,即对于所述露出的金属导体和介质层进行平坦化,达到接触面平整的目的。

在另一个优选的实施例中,所述剥离所述硬性衬底并去除所述第一柔性衬底层进一步包括:通过激光剥离所述硬性衬底层、烧蚀所述第一柔性衬底层并产生碳化粉末;通过干法刻蚀轰击所述金属层以去除所述碳化粉末和金属层。具体的,当采用大功率激光能量(300mj/cm2)剥离硬性衬底时,所述金属层能够将入射的激光反射回第一柔性衬底层从而增加了第一柔性衬底层所吸收的激光的能量,从而降低剥离过程中对激光能量的需求;并且将照射的激光反射回第一柔性衬底层的同时,也避免了照射的激光对显示面板的各膜层的影响。大功率激光能量(300mj/cm2)剥离硬性衬底时烧蚀所述第一柔性衬底层并残留大量碳化粉末,利用干法刻蚀所述金属层mo以清除所述碳化粉末。即在干法刻蚀腔体中通入氯气气体,所述氯气气体以等离子体形式轰击所述金属mo和碳化粉末,并由气体循环系统带走,从而实现对所述第一柔性衬底层烧蚀残留的碳化粉末和金属层的清除。由于金属层的干法刻蚀条件与介质层和金属导线的干法刻蚀条件不同,当所述金属层刻蚀完成后,由于氯气与介质层的二氧化硅和金属导线的金属铜均不反应,刻蚀速率在所述介质层和通孔处的金属导线处停止,从而避免对第二柔性衬底层进行过刻蚀,同时对于经干法刻蚀后露出的金属导体和介质层进行平坦化,达到接触面平整的目的。

本申请的一个实施例还提供一种柔性显示面板,包括柔性衬底层;形成在柔性衬底层第一表面上的介质层;贯通所述柔性衬底层及所述介质层的通孔;至少在所述通孔侧壁及底部形成金属导线;在所述柔性衬底层与所述第一表面相对的第二表面上形成的覆盖所述第二表面及金属导线的平坦化层;在所述平坦化层上形成的显示阵列面板;在所述底部的金属导线上形成的焊盘;与所述焊盘电连接的控制电路。所述柔性显示面板能够实现无边框设置,为电致发光显示面板,例如micro-led或oled显示面板。

本申请的一个实施例还提供一种显示装置,包括上述柔性显示面板。

本发明针对目前现有的问题,制定一种器件及制作方法、柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板和显示装置,通过形成在硬性衬底上的第一柔性衬底层和介质层,使得在剥离所述硬性衬底并去除第一柔性衬底层的过程中避免过刻蚀,进一步通过中间层实现对介质层的均匀刻蚀,从而弥补了现有技术中的问题,有效提高第二柔性衬底上的通孔中金属导线的导电性能,使得金属导线能够与控制电路正常接触,进而提高显示装置的显示效果。

显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

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