装载锁模块和包括其的半导体制造设备的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年7月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.10-2018-0082204的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

本发明构思涉及一种装载锁模块和包括其的半导体制造设备。

背景技术：

随着半导体装置近来被高度集成并且电路近来被小型化，为了防止在半导体制造处理中由于暴露于外部环境而导致晶圆受到污染使得半导体产品的产率降低，要求半导体制造设备保持高清洁度。为了满足该要求，一般来说，半导体制造设备包括：装载口，其上放置一个称为前开式统集盒(frontopeningunifiedpod，foup)的晶圆载体；设备前端模块(equipmentfrontendmodule，efem)，其保持高清洁度；装载锁(loadlock)模块，其被构造为临时容纳晶圆并且具有在大气压强与真空之间调整的内部压强；转移模块，其被构造为转移晶圆；以及处理模块，其被构造为对晶圆执行半导体制造处理。

技术实现要素：

本发明构思提供了一种装载锁模块和包括其的半导体制造设备。

根据本发明构思的一方面，提供了一种半导体制造设备，该半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；以及转移模块，其被构造为在被容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底，其中装载锁模块包括：净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种半导体制造设备，该半导体制造设备包括：装载锁模块，其包括其中容纳衬底容器的装载锁室，其中，装载锁模块被构造为在大气压强与真空之间切换装载锁室的内部压强；转移模块，其被构造为在容纳于装载锁室中的衬底容器与用于对衬底执行半导体制造处理的处理模块之间转移衬底；以及缓冲器模块，其连接至转移模块，其中，缓冲器模块被构造为暂时容纳完成了通过处理模块执行的半导体制造处理的衬底并且在真空中净化衬底。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种装载锁模块，该装载锁模块包括：室，其中容纳被构造为容纳多个衬底的衬底容器；台板，其设置在室中，其中，台板被构造为支承衬底容器；第一净化气体供应单元，其被构造为将净化气体供应至室中；第一排放单元，其被构造为排放室中的气体；第二净化气体供应单元，其被构造为通过连接至衬底容器的气体供应线路将净化气体供应至衬底容器中；以及第二排放单元，其被构造为通过连接至衬底容器的排气线路排放衬底容器中的气体。

附图说明

将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解本发明构思的实施例，其中：

图1是示出根据实施例的半导体制造设备的构造的示图；

图2a和图2b是根据实施例的半导体制造设备的剖视图；

图3是根据实施例的装载锁模块的剖视图；

图4至图7是用于描述根据实施例的盖子保持器的示图；

图8是用于描述根据实施例的衬底对准器的示图；

图9和图10是用于描述根据实施例的台板的示图；

图11是利用根据实施例的半导体制造设备处理衬底的方法的流程图；以及

图12a至图12e是按次序示出利用根据实施例的半导体制造设备处理衬底的方法的示图。

具体实施方式

现在，将参照其中示出了本发明构思的实施例的附图更完全地描述本发明构思。在附图中，由相同标号指代相同元件，因此将不提供对其的重复解释。

图1是示出根据实施例的半导体制造设备1的构造的示图。

参照图1，半导体制造设备1可包括装载锁模块10、转移模块20、处理模块30和缓冲器模块40。例如，半导体制造设备1可为多室衬底处理系统，其包括转移模块20(包括衬底转移机器人220)、装载锁模块10、处理模块30和缓冲器模块40。装载锁模块10、处理模块30和缓冲器模块40可设在转移模块20周围。

装载锁模块10可包括装载锁室110，装载锁室110具有其中容纳衬底容器60的内部空间。衬底容器60可直接装载在装载锁室110中，可在对衬底执行半导体制造处理的同时保持在装载锁模块10中，并且可在将完成了半导体制造处理的衬底容纳于衬底容器60中之后从装载锁模块10卸载。

衬底容器60是其中容纳诸如晶圆的半导体衬底的容器，并且可将密封的前开式统集盒(foup)用作衬底容器60，以在转移衬底时防止衬底被空气中的杂质或化学污物污染。衬底容器60可包括盖子620(见图3)，其以可拆卸的方式安装在衬底容器60的主体610(见图3)上以打开/关闭用来转移衬底的开口。

装载锁模块10可调整装载锁室110中的压强(即，内部压强)。例如，装载锁模块10可在大气压强与真空之间调整装载锁室110的内部压强。应该理解，“真空”可描述小于大气压强(约760托)(在一些实施例中，比大气压强小得多)的压强。根据示例实施例，真空可描述例如10托或更小、10^-1托或更小或者10^-3托或更小的压强。

例如，在将衬底容器60装载至装载锁室110中或从装载锁室110中卸载的同时，装载锁模块10可将装载锁室110的内部压强调整为大气压强，以使得装载锁室110的内部压强与外部压强平衡。装载锁室110可在用于打开/关闭装载锁室110的开口113(见图2a)的门115(见图2a)打开之前将装载锁室110的内部压强调整为大气压强，从而防止当门115打开时外部空气突然流入装载锁室110的内部空间111(见图2a)中。

另外，当在转移模块20与容纳在装载锁室110中的衬底容器60之间转移衬底时，装载锁模块10可将装载锁室110的内部压强调整为真空。

可将用于打开/关闭用于使保持衬底的转移臂221通过的通道的进入门81设置在装载锁模块10与转移模块20之间。进入门81可将装载锁室110的内部和转移模块20的转移室210的内部连接或分离。在进入门81打开之前，装载锁模块10可将装载锁室110的内部压强调整为真空。在该情况下，装载锁室110中的内部压强(即，真空)可调整为接近转移模块20的转移室210的内部压强。由于装载锁室110的内部压强调整为接近转移室210的内部压强，因此当进入门81打开时可防止转移室210的压强状态改变。

转移模块20可在缓冲器模块40、处理模块30、以及容纳在装载锁模块10中的衬底容器60之间转移衬底。转移模块20可为用于在真空中转移衬底的真空转移模块。

转移模块20可包括其中具有真空的转移室210以及设置在转移室210中的衬底转移机器人220，其中，转移模块20被构造为转移衬底。衬底转移机器人220可包括用于保持衬底的转移臂221。例如，当设置在转移模块20与装载锁模块10之间的进入门81打开时，衬底转移机器人220的转移臂221可进入衬底容器60并且可将衬底从衬底容器60中取出，或者可将衬底装入衬底容器60中。

处理模块30可对衬底执行半导体制造处理。可将用于打开/关闭可用于使保持衬底的转移臂221通过的通道的进入门83设置在处理模块30与转移模块20之间。处理模块30可包括排列在转移模块20的侧壁上的多个处理室310。处理模块30可为(但不限于)干蚀刻设备、化学气相沉积(cvd)设备、热炉、显影设备、或清洁设备。

缓冲器模块40可暂时容纳完成了通过处理模块30执行的半导体制造处理的衬底并且可净化衬底。缓冲器模块40可包括缓冲室410以及放置完成了半导体制造处理的衬底的缓冲台420。可将用于打开/关闭可用于使保持衬底的转移臂221通过的通道的进入门85设置在转移模块20与缓冲器模块40之间。然而，在一些实施例中，可省略进入门85。

另外，缓冲器模块40可包括用于排放缓冲室410的内部空间中的气体以在缓冲室410中形成真空的排气装置。由于排气装置，可在缓冲室410中形成真空。缓冲器模块40可通过在缓冲室410中形成真空来去除通过从完成了半导体制造处理的衬底中放气而排出的气体。此外，由于在缓冲室410中形成真空，因此可防止衬底被当留在衬底上的气体与水汽混合或杂质吸附在衬底上时产生的污物污染。

在实施例中，缓冲台420可包括其中可同时装载多个衬底的储存部。

在实施例中，缓冲器模块40可被构造为将净化气体(purgegas)注入布置于缓冲台420上的衬底。

在实施例中，缓冲器模块40可调整缓冲室410的内部压强，以使得缓冲室410的内部压强低于转移室210的内部压强。由于缓冲室410的内部压强低于转移室210的内部压强，因此可形成从转移室210朝向缓冲室410的气流。由于形成从转移室210朝向缓冲室410的气流，诸如通过从容纳在缓冲室410中的衬底放气而产生的气体的污物可被排放至外部，而不流至转移室210。

另外，半导体制造设备1可包括控制器50(见图3)，其用于控制装载锁模块10、转移模块20、处理模块30和缓冲器模块40的操作。控制器50的示例可包括通用个人计算机(pc)、工作站和超级计算机。

在本发明构思的半导体制造设备1中，由于衬底容器60可直接装载在装载锁模块10中，因此可极大减小半导体制造设备1的占用空间(footprint)并且可提高生产率。

图2a和图2b是根据实施例的半导体制造设备1的剖视图。图2a示出了其中装载锁室110的开口113被门115关闭的状态。图2b示出了其中装载锁室110的开口113打开的状态。

参照图2a和图2b，装载锁室110可包括门115，其被构造为打开/关闭用于转移衬底容器60的开口113。门115可打开装载锁室110的开口113，从而当装载或卸载衬底容器60时衬底容器60可经过开口113。另外，门115可关闭装载锁室110的开口113以将装载锁室110的内部空间111与外部隔离。

如图2b所示，衬底容器60可通过诸如吊运运输系统(overheadhoisttransportsystem)的转移机构70装载在装载锁室110上或从其卸载。也就是说，转移机构70可保持衬底容器60，并且可将衬底容器60装入装载锁室110中，或者可将衬底容器60从装载锁室110中取出。

详细地说，为了装载衬底容器60，门115可打开装载锁室110的开口113，并且转移机构70可下放衬底容器60并且可释放衬底容器60，以使得衬底容器60置于装载锁室110中的台板120上。另外，为了卸载衬底容器60，门115可打开装载锁室110的开口113，并且转移机构70可保持位于装载锁室110中的台板120上的衬底容器60，并且可将衬底容器60升高，以从装载锁室110中取出衬底容器60。

图3是根据实施例的装载锁模块10的剖视图。

参照图3，装载锁模块10可包括装载锁室110、台板120、衬底对准器150、盖子保持器160、第一净化气体供应单元131、第一排放单元133、第二净化气体供应单元141和第二排放单元143。

装载锁室110可具有其中可容纳用于容纳多个衬底的衬底容器60的内部空间111。在实施例中，可在装载锁室110的内表面上设置保护层，其用于防止诸如颗粒的杂质附着于装载锁室110的内表面。另外，装载锁室110可包括加热单元，其被构造为加热室壁以从室壁去除附于室壁的杂质。

台板120可设置在装载锁室110中，并且可支承容纳在装载锁室110中的衬底容器60。台板120可被构造为固定衬底容器60和在装载锁室110中移动衬底容器60。

台板120可连接至台板驱动器121，并且可通过台板驱动器121移动，以在装载锁室110中移动衬底容器60。台板120可被构造为通过台板驱动器121在装载锁室110中(例如，在x方向或y方向上)水平移动、(例如，在z方向上)竖直移动和/或(例如，绕z轴)旋转。

衬底对准器150可设置在装载锁室110中，并且可对齐衬底。衬底对准器150可对齐衬底以使得在衬底被转移至处理模块之前衬底位于预设方向。也就是说，衬底对准器150可检测衬底的晶向，并且可对齐衬底以使得检测到的晶向是预设方向。另外，衬底对准器150可检查衬底的缺陷。

通常，假设在转移模块20中设置用于对齐衬底的对准器，当对准器损坏或异常操作时，需要使作为设备的共同部分的转移模块20停止，以维护对准器，因此，需要使整个设备停止。然而，在实施例中，由于衬底对准器150设置在装载锁室110中，可通过仅使其中设置待维修的衬底对准器150的装载锁室110停止而不用使整个设备停止来执行衬底对准器150的维护。

在实施例中，衬底对准器150可设置在支承衬底容器60的台板120与装载锁室110的接触转移模块20的侧表面之间。例如，衬底对准器150可位于进入门81与台板120之间。当在设置在转移模块20一侧的额外室中设置用于对准衬底的对准器时，从装载锁模块10至处理模块30的衬底的转移路径可增加。然而，在实施例中，由于衬底对准器150位于进入门81与台板120之间，从装载锁模块10至处理模块30的衬底的转移路径可进一步减小。

盖子保持器160可将衬底容器60的盖子620与衬底容器60的主体610分离，或者可将衬底容器60的盖子620安装在主体610上。另外，盖子保持器160可支承与衬底容器60的主体610分离的盖子620。在实施例中，盖子保持器160可机械地固定衬底容器60的盖子620。

例如，现在将描述盖子保持器160将盖子620与衬底容器60的主体610分离的处理。

首先，当通过使台板120运动而将衬底容器60的盖子620紧密地附着于盖子保持器160时，盖子保持器160利用闩锁键(latchkey)161(见图4)驱动衬底容器60的盖子锁定装置，以使得盖子620处于其中盖子620可与主体610分离的解锁状态。盖子保持器160可固定解锁的盖子620。由于解锁的盖子620固定于盖子保持器160，因此随着衬底容器60的主体610被台板120移动而远离盖子保持器160，盖子620可与衬底容器60的主体610分离。

另外，例如，现在将描述盖子保持器160将盖子620安装于主体610上的处理。

首先，台板120使主体610移动，以使得衬底容器60的主体610接触固定于盖子保持器160的盖子620。当主体610接触固定于盖子保持器160的盖子620时，盖子保持器160释放盖子620，以使得盖子620可与盖子保持器160分离。当盖子620可与盖子保持器160分离时，盖子保持器160可通过闩锁键161驱动衬底容器60的盖子锁定装置，以使得盖子620处于盖子620安装在主体610上的锁定状态。

第一净化气体供应单元131可将净化气体供应至装载锁室110中。第一净化气体供应单元131可通过将净化气体供应至装载锁室110中来调整装载锁室110的内部压强。例如，第一净化气体供应单元131可调整装载锁室110的内部压强，以使得装载锁室110的内部压强与装载锁室110外的压强(例如，大气压强)达到平衡。

例如，第一净化气体供应单元131可将氮气、惰性气体和/或清洁干燥的空气供应至装载锁室110中。

第一净化气体供应单元131可包括第一净化气体供应源1311和第一气体供应线路1313。第一气体供应线路1313可在第一净化气体供应源1311与装载锁室110之间延伸，并且可将第一净化气体供应源1311的净化气体供应至装载锁室110。可在装载锁室110中设置连接至第一气体供应线路1313的一端的扩散器1315，并且扩散器1315可将净化气体扩散至装载锁室110中。

第一排放单元133可排放装载锁室110中的气体。第一排放单元133可通过排放装载锁室110中的气体来调整装载锁室110的内部压强。例如，第一排放单元133可清空装载锁室110的气体，以使得装载锁室110的内部压强变为真空。第一排放单元133可调整装载锁室110的内部压强，以使得装载锁室110的内部压强与转移室210的内部压强达到平衡。

例如，第一排放单元133可将装载锁室110的内部压强减小至10托或更小、10^-1托或更小或者10^-3托或更小。

第一排放单元133可通过排放装载锁室110中的气体将装载锁室110中的颗粒排放至外部。例如，第一排放单元133可通过形成在装载锁室110底部的排气口117来排放装载锁室110中的气体。在这种情况下，通过扩散器1315扩散的净化气体可朝着排气口117向下流动，并且装载锁室110中的诸如颗粒的杂质可与净化气体一起运动，并且可通过排气口117排放至外部。

例如，第一排放单元133可包括第一真空泵1331和第一排气线路1333。第一排气线路1333可在第一真空泵1331与装载锁室110的排气口117之间延伸。

第二净化气体供应单元141可将净化气体供应至置于台板120上的衬底容器60中。第二净化气体供应单元141可通过将净化气体供应至衬底容器60中来调整衬底容器60的内部压强。例如，当装载锁室110的内部压强从真空切换为大气压强时，第二净化气体供应单元141可调整衬底容器60的内部压强以使得衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强达到平衡。

例如，第二净化气体供应单元141可将氮气、惰性气体和/或清洁干燥的空气供应至衬底容器60中。

例如，第二净化气体供应单元141可包括第二净化气体供应源1411和第二气体供应线路1413。第二气体供应线路1413可在第二净化气体供应源1411与衬底容器60之间延伸，并且可连接至衬底容器60的气体进入孔。在实施例中，第二气体供应线路1413可置于台板120上，以穿过台板120并且与置于台板120上的衬底容器60的气体进入孔连通。

第二排放单元143可排放衬底容器60中的气体。第二排放单元143可通过排放衬底容器60中的气体来调整衬底容器60的内部压强。例如，第二排放单元143可清空衬底容器60的气体，以使得衬底容器60的内部压强变为真空。例如，第二排放单元143可调整衬底容器60的内部压强，以使得衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强达到平衡。

例如，第二排放单元143可将衬底容器60的内部压强减小为10托或更小、10^-1托或更小或10^-3托或更小。

另外，第二排放单元143可通过排放衬底容器60中的气体将衬底容器60中的颗粒排放至外部。例如，可通过第二排放单元143将通过从完成了半导体制造处理的衬底中放气而排出的气体排放至外部。

例如，第二排放单元143可包括第二真空泵1431和第二排气线路1433。第二排气线路1433可在第二真空泵1431与衬底容器60之间延伸，并且可连接至衬底容器60的气体排出孔。在实施例中，第二排气线路1433可安装在台板120中，以穿过台板120并且与置于台板120上的衬底容器60的气体排出孔连通。

在实施例中，可在衬底容器60的盖子620安装在主体610上的状态下执行通过第二净化气体供应单元141调整衬底容器60的内部压强的步骤和通过第二排放单元143调整衬底容器60的内部压强的步骤。也就是说，可在其中衬底容器60的内部空间与装载锁室110的内部空间111分离的状态下调整衬底容器60的内部压强。

由于在衬底容器60的内部空间与装载锁室110的内部空间111分离的状态下调整衬底容器60的内部压强，因此可通过第二净化气体供应单元141和第二排放单元143独立地调整衬底容器60的内部压强。也就是说，第一净化气体供应单元131和第一排放单元133可调整装载锁室110的内部压强，并且第二净化气体供应单元141和第二排放单元143可调整衬底容器60的内部压强。

控制器50可检测装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强。控制器50可控制第一净化气体供应单元131和/或第一排放单元133，以调整装载锁室110的内部压强，并且可控制第二净化气体供应单元141和/或第二排放单元143，以调整衬底容器60的内部压强。

在实施例中，在装载锁室110的内部压强从真空切换为大气压强的同时，控制器50可控制第二净化气体供应单元141以使得衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强达到平衡。另外，在装载锁室110的内部压强从大气压强切换为真空的同时，控制器50可控制第二排放单元143以使得衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强达到平衡。

由于衬底容器60的内部压强改变为与装载锁室110的内部压强达到平衡，因此衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强之间的压强差可很小。因此，可防止衬底容器60由于衬底容器60的内部压强与装载锁室110的内部压强之间的压强差而变形。

图4至图7是用于描述根据实施例的盖子保持器160的示图。图4是示出其中衬底容器60的盖子620可与盖子保持器160分离的状态的示图。图5是示出图4的一部分的放大图。图6是示出其中衬底容器60的盖子620固定于盖子保持器160的状态的示图。图7是示出图6的一部分的放大图。

参照图4至图7，盖子保持器160可包括用于驱动衬底容器60的盖子锁定装置的闩锁键161和用于支承衬底容器60的支承件163。

闩锁键161可插入形成在衬底容器60的盖子620中的键孔623中。由于闩锁键161在其中闩锁键161插入键孔623中的状态下旋转，因此闩锁键161可在盖子620安装在主体610上的锁定状态与盖子620可与主体610分离的解锁状态之间驱动衬底容器60的盖子锁定装置。

支承件163可包括插入形成在衬底容器60的盖子620中的凹槽621中的柱1631和安装在柱1631上的固定片(fixedpad)1633。固定片1633可被构造为膨胀或收缩。例如，固定片1633可具有其中可注入空气的空间，并且固定片1633的体积可通过注入空气而增大并且可通过排放空气而减小。

如图4和图5所示，盖子保持器160可使得固定片1633收缩，以使得衬底容器60的盖子620可与盖子保持器160分离。随着固定片1633收缩，固定片1633可与盖子620的凹槽621分离，并且安装在衬底容器60的主体610上的盖子620可自由运动而不固定于支承件163。

如图6和图7所示，盖子保持器160可使得固定片1633膨胀，以使得衬底容器60的盖子620固定于盖子保持器160。随着固定片1633膨胀，固定片1633可紧密地附着于盖子620的凹槽621，并且衬底容器60的盖子620可固定于支承件163。随着台板120使衬底容器60的主体610移动远离盖子保持器160，衬底容器60的盖子620可与主体610分离，并且盖子620可固定于盖子保持器160。

图8是用于描述根据实施例的衬底对准器150的示图。

参照图8，衬底对准器150可包括用于固定衬底s的衬底卡盘151和用于旋转衬底卡盘151的卡盘驱动器153。

衬底卡盘151可机械地固定衬底s。在实施例中，衬底卡盘151可包括其上放置衬底s的底部1511和用于支承位于底部1511上的衬底s的衬底夹钳1513。

例如，现在将描述衬底对准器150将衬底s对齐的处理。首先，转移模块20的衬底转移机器人220将衬底容器60的衬底s转移至底部1511。当衬底s通过衬底转移机器人220置于底部1511上时，衬底夹钳1513可接触并支承衬底s。当衬底s通过衬底夹钳1513固定时，衬底对准器150可检测衬底s的晶向，并且可旋转衬底卡盘151，以使得检测到的晶向为预设方向。当对齐衬底s的步骤完成时，衬底夹钳1513可释放衬底s，并且衬底转移机器人220可将对齐的衬底s转移至处理模块30。

在实施例中，可通过其中包含真空的装载锁室110中的衬底对准器150对齐衬底s。在这种情况下，通过在真空中利用真空吸附方法可难以固定衬底s。然而，在实施例中，由于衬底对准器150可机械地固定衬底s，衬底对准器150即使在真空中也可稳定地固定衬底s。

图9和图10是用于描述根据实施例的台板120的示图。

参照图9和图10，台板120可包括放置有衬底容器60的板122和安装在板122上的锁定杆123。用于固定衬底容器60的锁定杆123可被构造为在固定衬底容器60的固定位置与释放衬底容器60的释放位置之间切换。例如，锁定杆123可被构造为通过与衬底容器60的突起613接合来固定衬底容器60。

在实施例中，板122可包括布置有衬底容器60的上板1223和位于上板1223下方的下板1221，并且锁定杆123可包括以枢转方式安装在下板1221上的第一连杆1231和以枢转方式安装在上板1223上的第二连杆1233。第二连杆1233可连接至第一连杆1231，并且可被构造为当第一连杆1231枢转时枢转。

上板1223与下板1221之间的距离可为可调整的。例如，上板1223可被构造为相对于下板1221升高和/或降低，或者下板1221可被构造为相对于上板1223升高和/或降低。可替换地，上板1223的升高和/或降低和下板1221的升高和/或降低可一起执行。在这种情况下，如图9和图10所示，随着上板1223与下板1221之间的距离被调整，锁定杆123可被构造为在固定位置与释放位置之间切换。

现在将参照图9和图10描述将衬底容器60固定于台板120的处理。首先，随着下板1221与上板1223之间的距离减小，第一连杆1231可在第一枢转方向(例如，逆时针)上枢转。当第一连杆1231枢转时，第二连杆1233可绕耦接至上板1223的枢轴1235在与第一枢转方向相反的第二枢转方向(例如，顺时针)上枢转。第二连杆1233可枢转至用于固定衬底容器60的固定位置，并且第二连杆1233的上部可与突起613接合以固定衬底容器60。第二连杆1233的与衬底容器60的突起613接合的上部可具有适于与突起613接合的形状。例如，第二连杆1233的上部可包括与突起613接合的钩结构1237。

另外，现在将描述释放衬底容器600的处理。首先，随着下板1221与上板1223之间的距离增大，第一连杆1231可在第二枢转方向上枢转。当第一连杆1231枢转时，第二连杆1233可绕耦接至上板1223的枢轴1235在第一枢转方向上枢转。第二连杆1233可从固定位置枢转至释放位置，并且第二连杆1233的上部可与突起613分离，以释放衬底容器60。

图11是利用根据实施例的半导体制造设备1处理衬底的方法的流程图。图12a至图12e是按次序示出利用根据实施例的半导体制造设备1处理衬底的方法的示图。现在将参照图11和图12a至图12e描述利用半导体制造设备1处理衬底的方法。

参照图11，在操作s110中，将其中容纳多个衬底的衬底容器60装载在装载锁模块10上。

如图2b所示，门115可打开装载锁室110的开口113，并且衬底容器60可通过诸如吊运运输系统的转移机构70置于装载锁室110中的台板120上。衬底容器60可与台板120上的预设位置对齐并且可固定至台板120。当将衬底容器60装载在装载锁模块10上时，门115可关闭开口113以将装载锁室110的内部空间111与装载锁室110的外部分离。

参照图11和图12a，在操作s120中，排放衬底容器60中的气体和装载锁室110中的气体以使得衬底容器60的内部压强和装载锁室110的内部压强中的每一个变为真空。

详细地说，第一排放单元133排放装载锁室110中的气体以使得装载锁室110的内部压强从大气压强切换为真空，并且第二排放单元143排放衬底容器60中的气体，以使得衬底容器60的内部压强从大气压强切换为真空。在这种情况下，控制器50可检测装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强，以使得装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强彼此平衡，并且基于检测到的信息，可通过第一排放单元133调整排放速度和/或排放量以及可通过第二排放单元143控制排放速度和/或排放量。

参照图11、图12b和图12c，在操作s130中，当装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强与真空的预设压强达到平衡时，将衬底容器60的盖子620与主体610分离。

详细地说，如图12b所示，台板120可移动衬底容器60，以使得衬底容器60的盖子620接触盖子保持器160。在这种情况下，台板120可旋转以使得衬底容器60的盖子620面对其中设置有盖子保持器160的装载锁室110的内表面，并且可竖直和水平运动，以使得盖子620接触盖子保持器160。如图7所示，当衬底容器60的盖子620由于台板120的运动而接触盖子保持器160时，闩锁键161可驱动衬底容器60的盖子锁定装置，以使得盖子620处于解锁状态，并且固定片1633可膨胀，以固定于盖子620的凹槽621。如图12c所示，当主体610通过台板120运动远离盖子保持器160时，盖子620可与主体610分离，并且可固定于盖子保持器160，并且衬底容器60的开口611可打开。

参照图11和图12d，在操作s140中，衬底容器60的盖子620与主体610分离，随后对衬底执行半导体制造处理。

详细地说，转移模块20可执行将衬底从置于台板120上的衬底容器60运输至衬底对准器150的第一转移操作t1，并且衬底对准器150可在预设方向上对齐衬底。

当完成衬底的对齐步骤时，转移模块20执行将衬底从衬底对准器150转移至处理模块30的第二转移操作t2。处理模块30可对衬底执行半导体制造处理，例如，蚀刻处理、沉积处理或清洁处理。

当完成通过处理模块30执行的半导体制造处理时，转移模块20执行将衬底从处理模块30转移至缓冲器模块40的第三转移操作t3。缓冲器模块40可通过在缓冲室410中形成真空来去除通过从衬底放气而放出的气体。

接着，处理模块30可执行将衬底从缓冲器模块40转移至装载锁室110中的衬底容器60的第四转移操作t4。

在操作s150中，当对衬底完成半导体制造处理并且所有衬底被容纳在衬底容器60中时，将衬底容器60的盖子620安装在主体610上，以关闭衬底容器60的开口。

详细地说，台板120可移动衬底容器60，以使得衬底容器60的主体610接触支承在盖子保持器160上的盖子620。如图5所示，闩锁键161可驱动衬底容器60的盖子锁定装置以使得盖子620处于其中盖子620安装于主体610上的锁定状态，并且固定片1633可收缩，以使得盖子620可与盖子保持器160分离。接着，随着台板120运动远离盖子保持器160，安装在主体610上的盖子620可与台板120一起运动并且可与盖子保持器160分离。

参照图11和图12e，在操作s160中，在衬底容器60的盖子620安装在主体610上之后，在衬底容器60和装载锁室110中填充净化气体。

详细地说，第一净化气体供应单元131将净化气体供应至装载锁室110中，以使得装载锁室110的内部压强从真空切换为大气压强，并且第二净化气体供应单元141将净化气体供应至衬底容器60中，以使得衬底容器60的内部压强从真空切换为大气压强。在这种情况下，控制器50可检测装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强，从而装载锁室110的内部压强和衬底容器60的内部压强彼此平衡，并且基于检测到的信息，可通过第一净化气体供应单元131调整供应量和/或供应速度以及可通过第二净化气体供应单元141控制供应量和/或供应速度。

在操作s170中，当衬底容器60的内部压强和装载锁室110的内部压强中的每一个切换为大气压强时，从装载锁模块10卸载衬底容器60。如图2b所示，门115可打开装载锁室110的开口113，并且转移机构70可保持台板120上的衬底容器60并且可将衬底容器60从装载锁室110取出。

虽然利用特定术语参照本发明构思的实施例具体示出和描述了本发明构思，但是实施例和术语仅用于解释本发明构思并且不应理解为限制权利要求限定的本发明构思的范围。本领域普通技术人员之一应该理解，从本发明构思中可作出各种修改和得到等同的其它实施例。因此，由权利要求的技术精神限定本发明构思的真实技术范围。