技术特征：
技术总结
本发明属于天线技术领域，公开了一种基于方环形AMC表面的宽带低剖面双极化交叉偶极天线。包括：方环形AMC地板及垂直于AMC表面正交放置的双极化交叉偶极天线；双极化交叉偶极天线包括两块正交镶嵌放置的两对偶极天线，每一对偶极天线包括FR4介质板正面的偶极子辐射单元、FR4介质板、介质板背面的微带耦合馈电线；AMC地板采用方环形AMC单元组成8×8阵列分布；双极化天线垂直插入AMC地板并且位于AMC表面的正中心。本发明天线在端口1处阻抗带宽为2.67至3.44GHz，以及端口2处阻抗带宽从2.83至3.47GHz；同时天线高度降至0.1λ，并且实现了稳定的辐射方向图。
技术研发人员：何锐;鄢泽洪;孟彦伯;朱帮才;宋环宇;刘志强
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2019.03.29
技术公布日：2019.08.20