技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜晶体管，包括多个半导体图案、栅极、源极及漏极。多个半导体图案彼此分离且在第一方向上排列。栅极与多个半导体图案重叠。源极与漏极电性连接于多个半导体图案。多个半导体图案包括在第一方向上依序排列的第一半导体图案、第二半导体图案及第三半导体图案。第一半导体图案在第一方向上具有第一宽度W1。第二半导体图案在第一方向上具有第二宽度W2，且W2
技术研发人员：甘政祐
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2019.06.13
技术公布日：2019.09.06