显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法与流程

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法。

背景技术：

近年来，显示装置，尤其是基于有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)的显示装置成为国内外热门的新兴平面显示产品。oled显示面板具有自发光、视角广、反应时间短、发光效率高、色域广、工作电压低、面板薄、可制作大尺寸、以及制程简单、低成本等特性；更重要地，oled显示面板还可制作柔性面板。

技术实现要素：

本发明的发明目的是提供一种性能更佳的显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法。

为实现上述目的，本发明的第一方面提供一种显示面板，包括：

显示区，所述显示区具有晶体管和/或电容；

以及围绕所述显示区的弯折区，所述弯折区自下而上包括刻蚀终止层以及柔性材料层；

其中，所述晶体管为双栅晶体管和/或所述电容为并联电容；所述刻蚀终止层与双栅晶体管的下栅极的材质相同且位于同一层，和/或所述刻蚀终止层与并联电容的一极板的材质相同且位于同一层。

可选地，所述刻蚀终止层的材质为金属或掺杂多晶硅。

可选地，所述金属为钼。

可选地，所述柔性材料层中包埋有将所述晶体管和/或电容的电信号引出或引入的电信号引线；

优选地，所述显示区为am驱动方式；

优选地，所述显示区具有阵列式像素驱动电路，每一所述像素驱动电路至少包括晶体管以及存储电容，至少一个所述晶体管为双栅晶体管和/或所述存储电容为并联电容；

优选地，所述电信号引线将所述阵列式像素驱动电路的电信号引出或引入；

优选地，所述阵列式像素驱动电路包括若干列数据信号线与若干行扫描信号线；所述电信号引线包括若干条数据信号引线与若干条扫描信号引线，每一条数据信号引线电连接一列数据信号线，每一条扫描信号引线电连接一行扫描信号线；

优选地，所述阵列式像素驱动电路还包括一条电源信号线，所述电信号引线包括一条电源信号引线，所述电源信号引线与所述电源信号线电连接。

优选地，所述弯折区中的刻蚀终止层由若干个并列排布的条带构成，每一电信号引线与下方对应的所述一条带电连接。

可选地，所述显示区包括透明显示区与非透明显示区；

优选地，所述透明显示区为am驱动方式；所述非透明显示区为am驱动方式；

优选地，所述透明显示区的阵列式像素驱动电路包括若干列第一数据信号线与若干行第一扫描信号线；所述非透明显示区的阵列式像素驱动电路包括若干列第二数据信号线与若干行第二扫描信号线；所述电信号引线包括若干条第一数据信号引线与若干条第一扫描信号引线，以及若干条第二数据信号引线与若干条第二扫描信号引线，每一条第一数据信号引线电连接一列第一数据信号线，每一条第一扫描信号引线电连接一行第一扫描信号线，每一条第二数据信号引线电连接一列第二数据信号线，每一条第二扫描信号引线电连接一行第二扫描信号线；

优选地，所述透明显示区的阵列式像素驱动电路还包括一条第一电源信号线，所述电信号引线包括一条第一电源信号引线，所述第一电源信号引线与所述第一电源信号线电连接；所述非透明显示区的阵列式像素驱动电路还包括一条第二电源信号线，所述电信号引线包括一条第二电源信号引线，所述第二电源信号引线与所述第二电源信号线电连接。

可选地，所述双栅晶体管为驱动晶体管。

可选地，所述像素驱动电路为2t1c、3t1c、6t1c或7t1c结构。

本发明的第二方面还提供一种显示装置，包括上述任一项所述的显示面板。

可选地，所述显示装置还包括：设备本体，具有器件区；所述显示面板覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件；

优选地，所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。

本发明的第三方面提供一种显示面板的制作方法，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域包括阵列式分布的若干单元，每一单元包括第一子区域与第二子区域；

在所述第二区域形成刻蚀终止层；同时在每一第一子区域形成双栅晶体管的下栅极，和/或同时在每一第二子区域形成并联电容的一极板。

可选地，所述制作方法还包括：

在所述刻蚀终止层上形成有机平坦化层以及在所述有机平坦化层上形成电信号引线；

其中，所述刻蚀终止层由若干个并列排布的条带构成，所述电信号引线为若干条，在所述有机平坦化层上形成电信号引线步骤前，还刻蚀所述有机平坦化层形成若干通孔，每一通孔暴露一条带；所述形成电信号引线步骤中，填充所述通孔，以使每条电信号引线与下方的所述一条带连接。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

1)在弯折区设置刻蚀终止层，提高弯折区的刻蚀均一性；在形成刻蚀终止层同时，还在显示区形成同材料层，充当晶体管的下栅极和/或电容的一极板，对应形成双栅晶体管和/或并联电容。

双栅晶体管相对于常规的仅具有一个栅极的晶体管，对沟道的控制能力强，因而，一方面可增大晶体管的开态电流，能迅速将存储电容充满；二方面能降低亚阈值摆幅s因子，提高晶体管在开启与关断状态之间相互转换速率，操作快速；三方面能降低迟滞现象，晶体管能获得稳定的阈值电压，稳定性更佳。

三个极板形成的并联电容，相对于两个极板构成的电容，可以增大电容的电容值。换言之，对于相同大小的电容值，并联电容可以节省电容面积。

2)可选方案中，所述刻蚀终止层的材质为金属或掺杂多晶硅。刻蚀选择比远大于二氧化硅、氮化硅的材料能方便刻蚀终点检测，都可作为刻蚀终止层。优选地，所述金属为钼。

3)可选方案中，所述柔性材料层中包埋有将所述晶体管和/或电容的电信号引出或引入的电信号引线。柔性材料层能降低电信号引线在弯折过程中的折断几率。

4)可选方案中，所述显示区为am驱动方式，所述显示区具有阵列式像素驱动电路，每一所述像素驱动电路至少包括晶体管以及存储电容，至少一个所述晶体管为双栅晶体管和/或所述存储电容为并联电容；所述阵列式像素驱动电路包括若干列数据信号线与若干行扫描信号线；所述电信号引线包括若干条数据信号引线与若干条扫描信号引线，每一条数据信号引线电连接一列数据信号线，每一条扫描信号引线电连接一行扫描信号线。刻蚀材料越厚，刻蚀均一性越难控制。由于刻蚀终止层解决了刻蚀均一性问题，因而刻蚀材料可以较厚，填充的柔性材料层厚度也可以较厚，将数据信号引线、扫描信号引线包埋在该较厚的柔性材料层中，弯折区发生弯折时，数据信号引线、扫描信号引线不容易折断，性能可靠。

进一步地，所述阵列式像素驱动电路还包括一条电源信号线，所述电信号引线包括一条电源信号引线，所述电源信号引线与所述电源信号线电连接。将电源信号引线也包埋在该较厚的柔性材料层中，电源信号引线不容易折断，性能可靠。

5)可选方案中，所述显示区包括透明显示区与非透明显示区；所述透明显示区为am驱动方式，所述透明显示区的阵列式像素驱动电路包括若干列第一数据信号线与若干行第一扫描信号线；所述非透明显示区为am驱动方式；所述非透明显示区的阵列式像素驱动电路包括若干列第二数据信号线与若干行第二扫描信号线；所述电信号引线包括若干条第一数据信号引线与若干条第一扫描信号引线，以及若干条第二数据信号引线与若干条第二扫描信号引线，每一条第一数据信号引线电连接一列第一数据信号线，每一条第一扫描信号引线电连接一行第一扫描信号线，每一条第二数据信号引线电连接一列第二数据信号线，每一条第二扫描信号引线电连接一行第二扫描信号线。本方案提供了一种用于全面屏的显示面板，透明显示区可以在透光模式与显示模式下切换。将透明显示区的阵列式像素驱动电路电连接的第一数据信号引线、第一扫描信号引线、非透明显示区的阵列式像素驱动电路电连接的第二数据信号引线、第二扫描信号引线都包埋在该较厚的柔性材料层中，可提高各信号引线的可靠性。

进一步地，所述透明显示区的阵列式像素驱动电路还包括一条第一电源信号线，所述电信号引线包括一条第一电源信号引线，所述第一电源信号引线与所述第一电源信号线电连接；所述非透明显示区的阵列式像素驱动电路还包括一条第二电源信号线，所述电信号引线包括一条第二电源信号引线，所述第二电源信号引线与所述第二电源信号线电连接。将透明显示区的阵列式像素驱动电路电连接的第一电源信号线、非透明显示区的阵列式像素驱动电路电连接的第二电源信号线都包埋在该较厚的柔性材料层中，可提高各信号引线的可靠性。

6)可选方案中，弯折区中的刻蚀终止层由若干个并列排布的条带构成，每一电信号引线与下方对应的所述条带电连接。将刻蚀终止层设置为若干条带，一方面不影响刻蚀终点的检测，另一方面，每一电信号引线与下方对应的一条带电连接可形成传输相同信号的多路径，其中的一个发生裂纹断开，也可经由另一个来传输信号，实现弯曲结构的可靠布线。

7)可选方案中，双栅晶体管为驱动晶体管，能提高驱动电流、提高显示面板的发光亮度。

8)可选方案中，所述像素驱动电路为2t1c、3t1c、6t1c或7t1c结构。本发明的方案与现有像素驱动电路兼容性强。

附图说明

图1是本发明第一实施例中的显示面板的俯视图；

图2是沿着图1中的aa直线、bb直线的剖视图；

图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图；

图4是本发明第二实施例中的显示面板的截面结构示意图；

图5是本发明第三实施例中的显示面板的俯视图；

图6是本发明一实施例中的显示面板的制作方法的流程图；

图7至图9是图6中的流程形成的中间结构图；

图10是本发明第四实施例中的显示面板的截面结构图；

图11是本发明另一实施例中的显示面板的制作方法的流程图；

图12至图13是图11中的流程形成的中间结构图；

图14是本发明第五实施例中的显示面板的截面结构图；

图15是本发明再一实施例中的显示面板的制作方法的流程图。

为方便理解本发明，以下列出本发明中出现的所有附图标记：

显示面板1、2、3、4、5显示区1a

存储电容c弯折区1b

基底10刻蚀终止层11

柔性材料层12双栅晶体管t'

开关晶体管x1驱动晶体管x2

数据信号线131'扫描信号线132'

电源信号线133'电信号引线13

数据信号引线131扫描信号引线132

电源信号引线133下栅极111

下栅极绝缘层112源区s

漏区d沟道区w

上栅极绝缘层113上栅极114

条带11p导电插塞11q

透明显示区3a非透明显示区3b

第一oled子像素31第二oled子像素32

第一区域101第二区域102

第一子区域101a第二子区域101b

第一通孔11h第一极板21

电容介电层22第二极板23

第一层间介电层14第一凹槽1c

第一有机平坦化层pln1第二通孔12h

第三通孔13h源极15a

漏极15b第五通孔15h

第二平坦化层pln2第四通孔14h

阳极16oled发光材料层17

阴极18第六通孔16h

并联电容c'晶体管t

第零极板20第零层间介电层141

栅极绝缘层113'栅极114'

零一通孔101h零二通孔102h

第一凹槽1c

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图1是本发明第一实施例中的显示面板的俯视图；图2是沿着图1中的aa直线、bb直线的剖视图。

参照图1与图2所示，该显示面板1，包括：

显示区1a，显示区1a至少具有晶体管和/或电容；

以及围绕显示区1a的弯折区1b，弯折区1b自下而上包括基底10、刻蚀终止层11以及柔性材料层12；

其中，晶体管为双栅晶体管t'；刻蚀终止层11与双栅晶体管t'的下栅极的材质相同且位于同一层，和/或刻蚀终止层11与并联电容的一极板的材质相同且位于同一层。

图1中，显示区1a包括若干阵列式分布的像素，各像素为am驱动方式。换言之，每一像素具有一像素驱动电路。每一像素驱动电路至少包括晶体管以及存储电容c。

图3是一种2t1c结构的像素驱动电路的电路图。

参照图3所示，像素驱动电路包括一开关晶体管x1、一驱动晶体管x2以及一存储电容c。

开关晶体管x1的栅极与一行扫描信号线电连接，该行扫描信号为开启电压时，开关晶体管x1将一列数据信号线上的数据信号保持在存储电容c的一个极板；扫描信号为关断电压时，存储电容c上保持的数据信号保持驱动晶体管x2打开，使得一列电源信号对像素持续供电。

图1中可以看出，一个像素连接一行扫描信号线132'、一列数据信号线131'与一列电源信号线133'。各像素的电源信号线133'上的电信号可以相同。因而，阵列式像素驱动电路包括若干列数据信号线131'、若干行扫描信号线132'，以及一条电源信号线133'。

图2中，柔性材料层12中包埋有将阵列式像素驱动电路的电信号引出或引入的电信号引线13。此时，电信号引线13包括若干条数据信号引线131、若干条扫描信号引线132，以及一条电源信号引线133，每一条数据信号引线131电连接一列数据信号线131'，每一条扫描信号引线132电连接一行扫描信号线132'，电源信号引线133与电源信号线133'电连接。

实际制作工艺中，刻蚀材料越厚，刻蚀均一性越难控制。由于刻蚀终止层11解决了刻蚀均一性问题，因而刻蚀材料可以较厚，填充的柔性材料层12厚度也可以较厚，将数据信号引线131、扫描信号引线132、电源信号引线133包埋在该较厚的柔性材料层12中，弯折区1b发生弯折时，数据信号引线131、扫描信号引线132、电源信号引线133不容易折断，性能可靠。

刻蚀终止层11的材质可以为金属或掺杂多晶硅(掺杂多晶硅与二氧化硅/氮化硅的刻蚀选择比大约为1:44)。刻蚀选择比远大于二氧化硅、氮化硅的材料能方便刻蚀终点检测，都可作为刻蚀终止层11。优选地，金属为钼(钼与二氧化硅/氮化硅的刻蚀选择比大约为1:55)。

刻蚀终止层11可以在弯折区1b整面覆盖，也可以呈分立布置的多个图案块。

可以理解的是，其它结构的像素驱动电路，例如3t1c(在2t1c的基础上，在驱动晶体管与像素之间增加控制驱动电流关断的晶体管)、或具有阈值电压补偿的7t1c、或6t1c(在7t1c的基础上，省略驱动晶体管与像素之间控制驱动电流关断的晶体管)对应的信号引线包埋在较厚的柔性材料层12中，都可以降低该信号引线折断的几率。本发明不限定像素驱动电路的具体结构。

参照图2所示，双栅晶体管t'自下而上包括：下栅极111、下栅极绝缘层112、源区s、漏区d、源区s与漏区d之间沟道区w、上栅极绝缘层113，以及上栅极114。

双栅晶体管t'相对于常规的仅具有一个栅极的晶体管，对沟道区w的控制能力强，因而，一方面可增大晶体管t'的开态电流ion，能迅速将存储电容c充满；二方面能降低亚阈值摆幅s因子，提高晶体管t'在开启与关断状态之间相互转换速率，操作快速；三方面能降低迟滞现象，晶体管t'能获得稳定的阈值电压vth，稳定性更佳。

下栅极111与上栅极114可以电连接。

像素驱动电路中的所有晶体管可以都为双栅晶体管t'，也可以部分为双栅晶体管t'。当驱动晶体管为双栅晶体管t'时，可以增大驱动电流。

其它可选方案中，各像素也可以为pm驱动方式。当pm驱动方式时，显示区1a也可以具有晶体管。若有多个晶体管时，至少一个晶体管为双栅晶体管t'。此时，弯折区1b中的刻蚀终止层11与双栅晶体管t'的下栅极111的材质相同且位于同一层。

相应地，柔性材料层12中包埋的电信号引线13将晶体管的电信号引出或引入。

图4是本发明第二实施例中的显示面板的截面结构示意图。

参照图4所示，本实施例中的显示面板2与图1至3中的显示面板1大致相同，区别仅在于：弯折区1b中的刻蚀终止层由若干个并列排布的条带11p构成，每一电信号引线13与下方对应的该条带11p电连接。

上述电连接可以通过导电插塞11q实现。导电插塞11q可以设置多个，例如一个靠近显示区1a，一个远离显示区1a。

将刻蚀终止层设置为若干条带11p，一方面不影响刻蚀终点的检测，另一方面，每一电信号引线13与下方对应的该条带11p电连接可形成传输相同信号的多路径，其中的一个发生裂纹断开，也可经由另一个来传输信号，实现弯曲结构的可靠布线。

图5是本发明第三实施例中的显示面板的俯视图。

本实施例提供了一种用于全面屏的显示面板3。参照图5，该显示面板3与图1至4中的显示面板1、2大致相同，区别仅在于：显示区1a包括透明显示区3a与非透明显示区3b。

透明显示区3a包括若干第一oled子像素31，每一第一oled子像素31自下而上至少依次包括：形成于透光基底上的透光阳极、具有开口的像素定义层、位于开口内的oled发光材料层、以及位于oled发光材料层上的透光阴极。

每一第一oled子像素31的透光阳极与透光阴极之间施加驱动电压时，透明显示区3a执行显示功能；每一第一oled子像素31的透光阳极与透光阴极之间未施加驱动电压时，透明显示区3a执行透光功能。换言之，透明显示区3a可以在透光模式与显示模式下切换。

第一oled子像素31可以呈阵列式，为降低透光功能下的透明显示区3a的衍射现象，优选简化第一oled子像素31的分布，例如呈一行若干列、或呈一列若干行。

每一第一oled子像素31具有一像素驱动电路。各第一oled子像素31为am驱动方式。

非透明显示区3b包括阵列式排布的若干第二oled子像素32，每一第二oled子像素32自下而上至少依次包括：形成于透光基底上的反射阳极、具有开口的像素定义层、位于开口内的oled发光材料层、以及位于oled发光材料层上的透光阴极。

每一第二oled子像素32的反射阳极与透光阴极之间施加驱动电压时，非透明显示区12a执行显示功能。

每一第二oled子像素32具有一像素驱动电路。各第二oled子像素32为am驱动方式。

透明显示区3a的阵列式像素驱动电路包括若干列第一数据信号线、若干行第一扫描信号线，以及一条第一电源信号线。非透明显示区3b的阵列式像素驱动电路包括若干列第二数据信号线、若干行第二扫描信号线，以及一条第二电源信号线。电信号引线13包括若干条第一数据信号引线、若干条第一扫描信号引线、一条第一电源信号引线，以及若干条第二数据信号引线、若干条第二扫描信号引线、一条第二电源信号引线，每一条第一数据信号引线电连接一列第一数据信号线，每一条第一扫描信号引线电连接一行第一扫描信号线，每一条第二数据信号引线电连接一列第二数据信号线，每一条第二扫描信号引线电连接一行第二扫描信号线，第一电源信号引线与第一电源信号线电连接，第二电源信号引线与第二电源信号线电连接。

将透明显示区3a的阵列式像素驱动电路电连接的第一数据信号引线、第一扫描信号引线、第一电源信号引线、非透明显示区3b的阵列式像素驱动电路电连接的第二数据信号引线、第二扫描信号引线、第二电源信号引线都包埋在该较厚的柔性材料层12中，可提高各信号引线的可靠性。

针对上述显示面板1，本发明一实施例还提供一种制作方法。图6是制作方法对应的流程图。图7至图9是图6中的流程形成的中间结构图。

首先，参照图6中的步骤s11与图7所示，提供基底10，基底10包括第一区域101以及围绕第一区域101的第二区域102，第一区域101包括阵列式分布的若干单元，每一单元包括第一子区域101a与第二子区域101b。

基底10可以为透光基底，也可以为不透光基底；可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。

具体地，基底10还可以包括设置在聚酰亚胺/玻璃上的缓冲层和/或水氧阻隔层。缓冲层的材质可以为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅、氮化硅的交叠结构，用于提高聚酰亚胺/玻璃与上方膜层的黏附性能，防止上方膜层脱落。水氧阻隔层的材质可以为氮化硅，用于防止下方的水汽、氧气向上扩散。

第一区域101对应图1与图2中的显示区1a，第二区域102对应弯折区1b。各像素当为am驱动方式时，每一单元对应每一像素的像素驱动电路。第一子区域101a用于形成像素驱动电路中的晶体管，第二子区域101b用于形成存储电容c。其它可选方案中，各像素也可以为pm驱动方式，第一子区域101a用于形成晶体管，和/或第二子区域101b用于形成电容。在第二区域102形成刻蚀终止层。

具体地，在其中一种制作方法中，参照图6中的步骤s12与图7所示，同一工序中，在基底10的每一第一子区域101a形成下栅极111以及在第二区域102形成刻蚀终止层11。

本步骤s12可以通过在基底10的上表面形成一层刻蚀终止材料层，之后对蚀终止材料层图案化，形成下栅极111与刻蚀终止层11。图案化可以通过光刻后干法刻蚀实现。

刻蚀终止材料层的材质可以为金属或掺杂多晶硅。金属优选为钼。

刻蚀终止层11可以在第二区域102整面覆盖，也可以呈分立布置的多个图案块。

接着，参照图6中的步骤s13与图7所示，在下栅极111、刻蚀终止层11以及未被下栅极111、刻蚀终止层11覆盖的基底10表面形成下栅极绝缘层112；在每一第一子区域101a的下栅极绝缘层112上形成半导体层，半导体层包括源区s、漏区d以及沟道区w；在半导体层以及未被半导体层覆盖的下栅极绝缘层112上形成上栅极绝缘层113。

示例性地，下栅极绝缘层112的材料可以为二氧化硅，采用物理气相沉积或化学气相沉积法形成。

示例性地，半导体层的材料可以为铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)或单晶硅。

上栅极绝缘层113与下栅极绝缘层112的材料可以相同或不同，采用相同或不同工艺制成。

接着，参照图6中的步骤s14与图8所示，刻蚀每一第一子区域101a的上栅极绝缘层113以及下栅极绝缘层112形成第一通孔11h，第一通孔11h暴露下栅极111；填充第一通孔11h并在每一第一子区域101a的上栅极绝缘层113上形成上栅极114、以及在每一第二子区域101b的上栅极绝缘层113上形成第一极板21。

形成第一通孔11h作用是将上栅极114与下栅极111电连接。第一通孔11h可以采用光刻后干法刻蚀实现。

形成第一通孔11h后，可以在第一通孔11h内以及上栅极绝缘层113的上表面形成一层上栅极材料层，之后对上栅极材料层图案化，形成上栅极114与第一极板21。图案化可以通过光刻后干法刻蚀实现。上栅极114与第一极板21在同一工序中形成可以节省制作流程，有利于降低成本。

本步骤s14形成上栅极114步骤中，具体地，可以在基底10的每行单元形成一行扫描信号线132'(参照图1所示)，每一第一子区域101a中的扫描信号线132'充当上栅极114。

步骤s12至s14形成了双栅晶体管t'。双栅晶体管t'包括：下栅极111、下栅极111上的下栅极绝缘层112、下栅极绝缘层112上的半导体层，半导体层包括源区s、漏区d、源区s与漏区d之间的沟道区w，半导体层上的上栅极绝缘层113，以及上栅极绝缘层113上的上栅极114。下栅极111与上栅极114电连接。

步骤s13至s14也可以形成仅具有上栅极114的晶体管。对于仅具有上栅极114的晶体管，步骤s15形成第一通孔11h时，不在该晶体管的下栅极111上形成通孔11h。

再接着，参照图6中的步骤s15与图7所示，在上栅极114、第一极板21以及未被上栅极114、第一极板21覆盖的上栅极绝缘层113上形成电容介电层22；在每一第二子区域101b的电容介电层22上形成第二极板23；在第二极板23以及未被第二极板23覆盖的电容介电层22上形成第一层间介电层14。

电容介电层22的材料可以为二氧化硅，采用物理气相沉积法或化学气相沉积法形成。第二极板23的材料可以与第一极板21的材料相同。第二极板23采用图案化工艺形成。图案化工艺可以包括光刻后干法刻蚀。

第一层间介电层14的材料可以为二氧化硅，采用物理气相沉积法或化学气相沉积法形成。

步骤s14至s15形成了存储电容c。

之后，参照图6中的步骤s16与图9所示，以刻蚀终止层11为终点，刻蚀去除第二区域102的第一层间介电层14、电容介电层22、上栅极绝缘层113以及下栅极绝缘层112形成第一凹槽1c；在第一凹槽1c内填充第一有机平坦化层pln1。

形成第一凹槽1c可以通过光刻后干法刻蚀实现。本步骤由于刻蚀终止层11的存在，方便刻蚀终点检测，刻蚀均一性较佳。

第一有机平坦化层pln1的材质可以为聚酰亚胺，可以采用涂布后烘烤形成。

接着，参照图6中的步骤s17与图9所示，刻蚀每一第一子区域101a的第一层间介电层14、电容介电层22以及上栅极绝缘层114形成暴露源区s的第二通孔12h、漏区d的第三通孔13h；填充第二通孔12h形成源极15a、第三通孔13h形成漏极15b，并在第一区域101上形成电连接各个源极15a或漏极15b的电信号线，在第二区域102的第一有机平坦化层pln1上形成若干条电信号引线13，每条电信号引线13与对应电信号线连接。

形成第二通孔12h、第三通孔13h、电信号线、电信号引线13的图案化可以通过光刻后干法刻蚀实现。第二通孔12h、第三通孔13h内的填充物可以为导电金属，例如铝。源极15a、漏极15b、电信号线以及电信号引线13在同一工序中制作，可以节省工序，降低成本。

本步骤s17形成电连接各个源极15a或漏极15b的电信号线步骤中，具体地，可以在基底10的一列单元形成一列数据信号线131'与一列电源信号线133'(参照图1所示)；此时，形成的若干条电信号引线13包括数据信号引线131与电源信号引线133，一条数据信号引线131与一列数据信号线131'连接，一条电源信号引线133与一列电源信号线133'连接。

本步骤s17形成第二通孔12h、第三通孔13h步骤中，还刻蚀第一区域101的第一层间介电层15以及电容介电层22形成若干第五通孔15h，每一第五通孔15h暴露一条扫描信号线132'(参照图1所示)；此时，形成的若干条电信号引线13包括扫描信号引线132，一条扫描信号引线132与一行单元的扫描信号线132'连接。

再接着，参照图6中的步骤s18与图2所示，在第一区域101的电信号引线13、第一层间介电层14以及第二区域102的电信号引线13、第一平坦化层pln1上形成第二平坦化层pln2，第一平坦化层pln1与第二平坦化层pln2形成柔性材料层12。

第二平坦化层pln2与第一平坦化层pln1的材质及形成方法可以相同。

本步骤s18将电信号引线13包埋在柔性材料层12中。

之后，参照图6中的步骤s19与图2所示，刻蚀每一第一子区域101a的第二平坦化层pln2形成第四通孔14h，第四通孔14h暴露源极15a或漏极15b；填充第四通孔14h并在每一单元的第二平坦化层pln2上依次形成阳极16、oled发光材料层17以及阴极18。

oled发光材料层17可以限定在像素定义层19的开口内。

阳极材料层形成阳极16同时可以填充第四通孔14h。

本步骤s19形成了若干oled发光单元。

针对图4中的显示面板2，步骤s12在第二区域102形成的刻蚀终止层11由若干个并列排布的条带11p构成；步骤s17形成第二通孔12h、第三通孔13h步骤中，还刻蚀第一平坦化层pln1在第二区域102形成若干第六通孔16h，每一第六通孔16h暴露一条带11p；步骤s17形成电信号引线13步骤中，每条电信号引线13与下方的该条带11p连接。

具体地，每条带11p包括靠近第一区域101的近端与远离第一区域101的远端，一条带11p的近端与远端分别具有一个第六通孔16h。

图10是本发明第四实施例中的显示面板的截面结构图。

参照图10，该显示面板4与图1至5中的显示面板1、2、3大致相同，区别仅在于：显示区1a具有电容，且电容为并联电容c'；刻蚀终止层11与并联电容c'的一极板的材质相同且位于同一层；每一晶体管为仅具有上栅极的晶体管t。

具体地，刻蚀终止层11与并联电容c'的第零极板20的材质相同且位于同一层。第零极板20与第一极板21、第二极板23中的一个电连接。

针对显示面板4，本发明一实施例还提供一种制作方法。图11是制作方法对应的流程图。图12至图13是图11中的流程形成的中间结构图。

与图6中流程相同的步骤，以下内容不再赘述，重点介绍与图6中流程不同的步骤。

首先，参照图11的步骤s22以及图10所示，同一工序中，在基底10的每一第二子区域101b形成第零极板20以及在第二区域102形成刻蚀终止层11。

与步骤s12不同的是，本步骤s22在每一第二子区域101b形成第零极板20。

本步骤s22可以通过在基底10的上表面形成一层刻蚀终止材料层，之后对刻蚀终止材料层图案化，形成第零极板20与刻蚀终止层11。图案化可以通过光刻后干法刻蚀实现。

接着，参照图11的步骤s23以及图10所示，在第零极板20、刻蚀终止层11以及未被第零极板20、刻蚀终止层11覆盖的基底10表面形成第零层间介电层141；在每一第一子区域101a的第零层间介电层141上形成半导体层，半导体层包括源区s、漏区d以及沟道区w；在半导体层以及未被半导体层覆盖的第零层间介电层141上形成栅极绝缘层113'。

第零层间介电层141与前述实施例中的第一层间介电层14的材质及形成工艺可以相同。

栅极绝缘层113'与前述实施例中的上栅极绝缘层113的材质及形成工艺可以相同。

再接着，参照图11的步骤s24以及图12所示，刻蚀每一第二子区域101b的栅极绝缘层113'、第零层间介电层141形成暴露第零极板20的第零一通孔101h；在每一第一子区域101a的栅极绝缘层113'上形成栅极114'、以及填充第零一通孔101h并在每一第二子区域101b的栅极绝缘层113'上形成第一极板21。

形成第零一通孔101h作用是将第一极板21与第零极板20电连接。第零一通孔101h可以采用光刻后干法刻蚀实现。第零一通孔101h在形成第一极板21时一并填充，可以节省工序。

栅极114'与前述实施例中的上栅极114的材质及形成工艺可以相同。

之后，参照图11的步骤s25以及图13所示，在栅极114'、第一极板21以及未被栅极114'、第一极板21(参见图10所示)覆盖的栅极绝缘层113'上形成电容介电层22；刻蚀每一第二子区域101b的电容介电层22、栅极绝缘层113'、第零层间介电层141形成暴露第零极板20的第零二通孔102h，第零二通孔102h与第零一通孔101h择一刻蚀；填充第零二通孔102h并在每一第二子区域101b的电容介电层22上形成第二极板23；在第二极板23以及未被第二极板23覆盖的电容介电层22上形成第一层间介电层14。

形成第零二通孔102h作用是将第二极板23与第零极板20电连接。第零二通孔102h可以采用光刻后干法刻蚀实现。第零二通孔102h与第零一通孔101h择一刻蚀，是保证第零极板20仅与第一极板21、第二极板23中的一个电连接。

第零二通孔102h在形成第二极板23时一并填充，可以节省工序。

接着，参照图11的步骤s26以及图10所示，以刻蚀终止层11为终点，刻蚀去除第二区域102的第一层间介电层14、电容介电层22以及栅极绝缘层113'形成第一凹槽1c(参照图9所示)；在第一凹槽1c内填充第一有机平坦化层pln1。

再接着，参照图11的步骤s27以及图10所示，刻蚀每一第一子区域101a的第一层间介电层14、电容介电层22以及栅极绝缘层113'形成暴露源区s的第二通孔12h、漏区d的第三通孔13h；填充第二通孔12h形成源极15a、第三通孔13h形成漏极15b，并在第一区域101上形成电连接各个源极15a或漏极15b的电信号线，在第二区域102的第一有机平坦化层pln1上形成若干条电信号引线13，每条电信号引线13与对应电信号线连接。

除了栅极绝缘层113'与上栅极绝缘层113的区别，步骤s26可以参照步骤s16，步骤s27可以参照步骤s17。

图14是本发明第五实施例中的显示面板的截面结构图。

参照图14，该显示面板5与图1至5中的显示面板1、2、3大致相同，区别仅在于：显示区1a具有电容，且电容为并联电容c'，刻蚀终止层11与并联电容c'的一极板的材质相同且位于同一层。换言之，显示面板5结合了显示面板1、2、3与显示面板4，至少一个晶体管为双栅晶体管t'、电容为并联电容c'；刻蚀终止层11与双栅晶体管t'的下栅极111、并联电容c'的一极板的材质都相同且都位于同一层。

针对显示面板5，本发明一实施例还提供一种制作方法。图15是制作方法对应的流程图。

与图6、图11中流程相同的步骤，以下内容不再赘述，重点介绍与图6、图11中流程不同的步骤。

首先，参照图15的步骤s32以及图14所示，同一工序中，在基底10的每一第一子区域101a形成下栅极111、每一第二子区域101b形成第零极板20以及在第二区域102形成刻蚀终止层11。

本步骤s32具体可以参照步骤s12以及s22。

接着，参照图15的步骤s33以及图14所示，在下栅极111、第零极板20、刻蚀终止层11以及未被下栅极111、第零极板20、刻蚀终止层11覆盖的基底10表面形成下栅极绝缘层112；在每一第一子区域101a的下栅极绝缘层112上形成半导体层，半导体层包括源区s、漏区d以及沟道区w；在半导体层以及未被半导体层覆盖的下栅极绝缘层112上形成上栅极绝缘层113。

本步骤s33具体可以参照步骤s13以及s23。

之后，参照图15的步骤s34以及图8、图12所示，刻蚀每一第一子区域101a的上栅极绝缘层113以及下栅极绝缘层112形成第一通孔11h，第一通孔11h暴露下栅极111；刻蚀每一第二子区域102的上栅极绝缘层113、下栅极绝缘层112形成暴露第零极板20的第零一通孔101h；填充第一通孔11h、第零一通孔101h并在每一第一子区域101a的上栅极绝缘层113上形成上栅极114、以及在每一第二子区域101b的上栅极绝缘层113上形成第一极板21。

本步骤s34具体可以参照步骤s14以及s24。

接着，参照图15的步骤s35以及图13、图14所示，在上栅极114、第一极板21以及未被上栅极114、第一极板21覆盖的上栅极绝缘层113上形成电容介电层22；刻蚀每一第二子区域101b的电容介电层22、上栅极绝缘层113、下栅极绝缘层112形成暴露第零极板20的第零二通孔102h，第零二通孔102h与第零一通孔101h择一刻蚀；填充第零二通孔102h并在每一第二子区域101b的电容介电层22上形成第二极板23；在第二极板23以及未被第二极板23覆盖的电容介电层22上形成第一层间介电层14。

本步骤s35具体可以参照步骤s15以及s25。

再接着，参照图15的步骤s36以及图9所示，以刻蚀终止层11为终点，刻蚀去除第二区域102的第一层间介电层14、电容介电层22、上栅极绝缘层113以及下栅极绝缘层112形成第一凹槽1c；在第一凹槽1c内填充第一有机平坦化层pln1。

本步骤s36具体可以参照步骤s16以及s26。

之后，参照图15的步骤s37以及图14所示，刻蚀每一第一子区域101a的第一层间介电层14、电容介电层22以及上栅极绝缘层113形成暴露源区s的第二通孔12h、漏区d的第三通孔13h；填充第二通孔12h形成源极15a、第三通孔13h形成漏极15b，并在第一区域101上形成电连接各个源极15a或漏极15b的电信号线，在第二区域102的第一有机平坦化层pln1上形成若干条电信号引线13，每条电信号引线13与对应电信号线连接。

本步骤s37具体可以参照步骤s17以及s27。

本发明采用递进式写法，后一实施例中的相同结构及步骤请参照前一实施例中的结构及步骤。

综上，参照图1、图2、图4、图5、图10、图14所示，本发明提供了一种显示面板1、2、3、4、5，包括：

显示区1a，显示区1a具有晶体管t以及电容；

以及围绕显示区1a的弯折区1b，弯折区1b自下而上包括刻蚀终止层11以及柔性材料层12；

其中，晶体管t为双栅晶体管t'和/或电容为并联电容c'；刻蚀终止层11与双栅晶体管t'的下栅极111的材质相同且位于同一层，和/或刻蚀终止层11与并联电容c'的一极板20的材质相同且位于同一层。

对应地，参照6、图11、图15所示，提供了上述显示面板1、2、3、4、5的制作方法。综上，上述制作方法可以包括：

首先，提供基底10，基底10包括第一区域101以及围绕第一区域101的第二区域102，第一区域101包括阵列式分布的若干单元，每一单元包括第一子区域101a与第二子区域101b；

接着，在第二区域102形成刻蚀终止层11；同时在每一第一子区域101a形成双栅晶体管t'的下栅极111，和/或同时在每一第二子区域101b形成并联电容c'的一极板。

当在第二区域102形成刻蚀终止层11，同时在每一第一子区域101a形成双栅晶体管t'的下栅极111时，之后，可以在每一第一子区域101a继续制作双栅晶体管t'的其它结构，例如下栅极绝缘层112、半导体层、上栅极绝缘层113以及上栅极114。

当在第二区域102形成刻蚀终止层11，同时在每一第二子区域101b形成并联电容c'的一极板时，之后，在每一第二子区域101b继续制作并联电容c'的其它结构，例如第一极板21、电容介电层22与第二极板23。

不论制作双栅晶体管t'的其它结构、晶体管t的其它结构、并联电容c'的其它结构或电容的其它结构，都可以在第二区域102制作柔性材料层12，并在柔性材料层12中包埋电信号引线13。

基于上述显示面板1、2、3、4、5，本发明还提供一种包括上述任一种显示面板1、2、3、4、5的显示装置。

显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等终端设备。

显示装置中，显示面板3的透明显示区3a下方对应设置的光传感器可以包括：摄像头、虹膜识别传感器以及指纹识别传感器中的一种或组合。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。