1.一种突触晶体管，包括绝缘衬底以及位于衬底上的沟道材料、源电极、栅电极和漏电极，构成平面三端型突触晶体管，在沟道区域与部分栅电极区域覆盖有固态电解质，该固态电解质包含对电子绝缘的有机物载体和可移动的离子；其特征是：所述沟道材料为非晶碳膜。
2.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所述非晶碳膜包括类石墨非晶碳膜(glc)、含氢的类石墨非晶碳膜(glc:h)、四面体非晶碳(tac)、含氢的四面体非晶碳(tac:h)。
3.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所述非晶碳膜的厚度为5-30nm。
4.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所述固态电解质包含有机物载体与金属盐。
5.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所属有机物载体为有机高分子聚合物。
6.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所述有机高分子聚合物为聚乙烯醇、聚环氧乙烷。
7.如权利要求1所述的突触晶体管，其特征是：所述金属盐包括高氯酸锂、高氯酸钠和硫酸镁。
8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的突触晶体管的制备方法，其特征是：包括在衬底上直接制备非晶碳膜，形成沟道的过程。
9.如权利要求8所述的突触晶体管的制备方法，其特征是：在衬底上制备沟道包括如下步骤：
(1)在衬底上光刻定义沟道图形；
(2)沉积非晶碳膜，去除光刻胶，剥离得到沟道。
10.如权利要求9所述的突触晶体管的制备方法，其特征是：所述步骤(2)中，沉积方法包括通过过滤阴极真空电弧(fcva)沉积，或者通过磁控溅射沉积。