一种新型电镀法制作大锡球方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种新型电镀法制作大锡球方法。

背景技术：

晶圆级封装技术是先进封装领域用的最广的一种技术，尤其是对于消费类产品，晶圆级封装以其尺寸小，重量轻，厚度薄等优点，被广泛应用于移动电子设备，微型功能设备上。

晶圆级封装对外焊接互联一般用焊锡球或者金属凸点，焊锡球的制作工艺包括直接植球，用焊锡膏制作焊球以及电镀工艺制作焊球，凸点则包括种植金属柱和电镀凸点两种。但是在电镀制作焊锡球的工艺中，电镀锡的高度会受到光刻胶层的厚度影响，如果要制作较大的焊球，则需要电镀非常厚的焊锡，现在的光刻涂胶工艺一般很难做到。如果增加电镀面积，则可以增加电镀锡的量，却增加了焊球的底座，焊球仍然不能做的太大。

技术实现要素：

本发明克服了现有技术的不足，提供一种新型电镀法制作大锡球方法。

本发明的技术方案如下：

一种新型电镀法制作大锡球方法，具体包括如下步骤：

101)辅助层制作步骤：载板上表面通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层；在种子层上方制作第一光刻胶层，第一光刻胶层厚度范围在1um到100um，其制作方式采用旋涂工艺或喷涂工艺；在第一光刻胶层上面制作第二光刻胶层形成辅助层；其中，第二光刻胶层制作方式、厚度和第一光刻胶层相同；

102)曝光步骤：通过曝光工艺曝光辅助层，然后通过第二次曝光工艺只曝光第二光刻胶层；

103)电镀步骤：通过显影工艺去除曝光的辅助层的部分第一光刻胶层和第二光刻胶层，使得露出互联焊盘的电镀金属位置；电镀金属沉积，金属采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合，金属沉积采用一层或多层结构；

104)大锡球制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除辅助层，再通过湿法腐蚀工艺去除种子层；对载板上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球。

进一步的，种子层厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。

本发明相比现有技术优点在于：本发明通过双层胶曝光的方式，在较小的底座上制作大面积的电镀焊锡，然后通过回流得到较大的焊球。

附图说明

图1为本发明的载板设置种子层示意图；

图2为本发明的图1设置第一光刻胶层示意图；

图3为本发明的图2设置第二光刻胶层曝光后的示意图；

图4为本发明的图3镀金属示意图；

图5为本发明的图4去除第一光刻胶层、第二光刻胶层示意图；

图6为本发明的图5去除种子层示意图；

图7为本发明的示意图；

图8为本发明的载板设置种子层、第一光刻胶层示意图；

图9为本发明的图8需要曝光第一曝光区域的示意图；

图10为本发明的图9设置第二光刻胶层并显示需要曝光区域的示意图；

图11为本发明的图10设置光刻胶示意图。

图中标识：载板101、种子层102、第一光刻胶层103、第二光刻胶层104、焊盘105、电镀金属106、大锡球107、第一曝光区域108、第二曝光区域109。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明而不能作为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解的是，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样的定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。

各实施方式中提到的有关于步骤的标号，仅仅是为了描述的方便，而没有实质上先后顺序的联系。各具体实施方式中的不同步骤，可以进行不同先后顺序的组合，实现本发明的发明目的。

下面结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。

实施例1：

如图1至图7所示，一种新型电镀法制作大锡球107方法，具体包括如下步骤：

101)辅助层制作步骤：载板101上表面通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层102；在种子层102上方制作第一光刻胶层103，第一光刻胶层103厚度范围在1um到100um，其制作方式采用旋涂工艺或喷涂工艺。在第一光刻胶层103上面制作第二光刻胶层104形成辅助层。其中，第二光刻胶层104制作方式、厚度和第一光刻胶层103相同。其中，种子层102厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。光刻胶可以是正胶也可以是负胶。

载板101采用4、6、8、12寸大小中的一种尺寸晶圆，厚度范围为200um到2000um，也可以是其他材质，包括玻璃，石英，碳化硅，氧化铝等无机材料，也可以是环氧树脂，聚氨酯等有机材料，其主要功能是提供支撑作用。

102)曝光步骤：通过曝光工艺曝光辅助层即第一光刻胶层103和第二光刻胶层104，然后通过第二次曝光工艺只曝光第二光刻胶层104；此处曝光工艺包含两次mask使用。

103)电镀步骤：通过显影工艺去除曝光的部分第一光刻胶层103和第二光刻胶层104，使得露出互联焊盘105的电镀金属106位置。电镀金属106沉积bumping，金属可以是焊锡，也可以是其他低熔点合金，如镓合金等；其本身结构可以是一层也可以是多层；此外其金属材质还可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等中的一种或多种混合。

104)大锡球107制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除辅助层，再通过湿法腐蚀工艺去除种子层102；对载板101上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球107。

实施例2：

如图5至图11所示，一种新型电镀法制作大锡球107方法，具体包括如下步骤：

101)第一曝光步骤：载板101上表面通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺制作种子层102；在种子层102上方制作第一光刻胶层103，第一光刻胶层103厚度范围在1um到100um，其制作方式采用旋涂工艺或喷涂工艺。通过曝光工艺曝光第一光刻胶层103，得到第一曝光区域108。其中，种子层102厚度范围在1nm到100um，其本身结构为一层或多层结构，其材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种混合。光刻胶可以是正胶也可以是负胶。

载板101采用4、6、8、12寸大小中的一种尺寸晶圆，厚度范围为200um到2000um，也可以是其他材质，包括玻璃，石英，碳化硅，氧化铝等无机材料，也可以是环氧树脂，聚氨酯等有机材料，其主要功能是提供支撑作用。

102)二次曝光步骤：在第一光刻胶层103上面制作第二光刻胶层104。其中，第二光刻胶层104制作方式、厚度和第一光刻胶层103相同。通过曝光工艺曝光第二光刻胶层104，得到第二曝光区域109。

103)电镀步骤：通过显影工艺去除曝光的部分第一光刻胶层103和第二光刻胶层104，使得露出互联焊盘105的电镀金属106位置。电镀金属106沉积bumping，金属可以是焊锡，也可以是其他低熔点合金，如镓合金等；其本身结构可以是一层也可以是多层；此外其金属材质还可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等中的一种或多种混合。

104)大锡球107制作步骤：通过湿法腐蚀或者干法刻蚀工艺去除第一光刻胶层103和第二光刻胶层104，再通过湿法腐蚀工艺去除种子层102；对载板101上表面涂布助焊剂，通过回流焊，清洗助焊剂得到大锡球107。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围内。