NLDMOS器件的制造方法及该NLDMOS器件与流程

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种nldmos器件的制造方法及该nldmos器件。

背景技术：

横向扩散金属氧化物半导体(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor，ldmos)由于具有耐高压、大电流驱动能力、极低功耗以及可与互补金属氧化物半导体(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)集成等优点，目前在电源管理电路中被广泛采用。

bcd工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(bipolarjunctiontransistor，bjt)器件、cmos器件、扩散金属氧化物半导体(diffusedmetaloxidesemiconductor，dmos)器件的工艺。

参考图1，其示出了通过相关技术中提供的bcd工艺制造得到的n型横向扩散金属氧化物半导体(negativechannellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor，nldmos)器件100的示意图，如图1所示，该nldmos器件100的栅极(gate，gt)110之间的间隙△d1较大，器件的集成度较低。

技术实现要素：

本申请提供了一种nldmos器件的制造方法及该nldmos器件，可以解决相关技术中提供的nldmos器件的集成度较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种nldmos器件的制造方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅氧化层；

对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除；

在所述衬底和所述第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层；

对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，在所述第二预定区域形成第一栅极，在所述第三预定区域形成第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极的侧壁垂直于所述衬底；

对所述衬底进行源极漏极(sourcedrain，sd)离子注入，在所述第一栅极和所述第二栅极两侧的衬底依次形成源极、漏极和源极；

在所述源极、漏极和源极上依次形成接触孔和引线。

可选的，所述在所述衬底上形成栅氧化层，包括：

通过炉管氧化工艺在所述衬底上形成所述栅氧化层。

可选的，所述对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除，包括：

在所述栅氧化层上涂布光刻胶；

对所述光刻胶除所述第一预定区域的其它区域进行曝光；

对所述光刻胶进行显影，去除所述其它区域的光刻胶；

对所述其它区域的栅氧化层进行刻蚀去除。

可选的，所述对所述其它区域的栅氧化层进行刻蚀去除，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述其它区域的栅氧化层进行去除，直至所述其它区域的衬底暴露。

可选的，所述湿法刻蚀工艺的反应溶液包括氢氟酸(hf)。

可选的，所述对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，包括：

在所述多晶硅层上涂布光刻胶；

对所述光刻胶除所述第二预定区域和所述第三预定区域的其它区域进行曝光；

对所述光刻胶进行显影，去除所述其它区域的光刻胶；

对所述其它区域的多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀去除。

可选的，所述对所述其它区域的多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀去除，包括：

通过湿法刻蚀工艺对所述其它区域的多晶硅层和栅氧化层进行去除，直至所述其它区域的衬底暴露。

可选的，所述对所述衬底进行sd离子注入，包括：

对所述第一栅极和所述第二栅极两侧的衬底进行n型重掺杂离子注入。

可选的，所述第一栅极和所述第二栅极之间的间距与所述第一栅极和所述第二栅极之间区域上方的引线的宽度的差值小于100埃

另一方面，本申请提供了一种nldmos器件，包括：

衬底；

形成于衬底上的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极的侧壁垂直于所述衬底；

所述第一栅极和所述第二栅极两侧的衬底依次形成有源极、漏极和源极；

所述源极、漏极和源极上依次形成有接触孔和引线。

可选的，所述第一栅极和所述第二栅极之间的间距与所述第一栅极和所述第二栅极之间区域上方的引线的宽度的差值小于100埃。

可选的，所述第一栅极和所述第二栅极的外周侧形成有浅槽隔离(shallowtrenchisolation，sti)结构。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在衬底上形成栅氧化层，对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除，在衬底和第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层，对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，从而在第二预定区域形成第一栅极，在第三预定区域形成第二栅极，由于形成的第一栅极和第二栅极的侧壁垂直于衬底，因此能够缩小第一栅极和第二栅极之间的间距，提高了nldmos器件的集成度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是相关技术提供的nldmos器件的剖面图；

图2是本申请一个示例性实施例提供的nldmos器件的制造方法的流程图；

图3至图8是本申请一个示例性实施例提供的nldmos器件的制造流程示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1：

图2示出了本申请一个示例性实施例提供的nldmos器件的制造方法的流程图；图3至图8示出了本申请一个示例性实施例提供的nldmos器件的制造流程示意图。如图1所示，本实施例提供的方法包括：

步骤201，提供一衬底。

其中，衬底的材料包括硅(si)、锗(ge)、硅锗(sige)以及碳化硅(sic)中的至少一种；也可以是绝缘体上覆硅(silicon-on-insulator，soi)，或者绝缘体上覆锗(germanium-on-insulator，sog)；也可以是其它的材料，例如砷化镓(gaas)等ⅲ、ⅴ族化合物。可选的，参考图3，衬底310上形成有sti结构301。

步骤202，在衬底上形成栅氧化层。

可选的，参考图3，可通过炉管氧化工艺在衬底310上形成栅氧化层302。示例性的，该栅氧化层302包括二氧化硅。

步骤203，对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除。

本实施例中的nldmos器件包括至少两个栅极(本实施例中以两个栅极做示例性说明)，其中，第一预定区域是用于形成至少两个栅极的区域。示例性的，参考4，可光罩第一预定区域的栅氧化层302，对除第一预定区域外的其它区域的栅氧化层进行去除。

步骤204，在衬底和第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层。

示例性的，参考图5，在衬底310和第一预定区域的栅氧化层302上沉积多晶硅层303。可选的，可通过物理气相沉积或者化学气相沉积的方式沉积该多晶硅层303。

步骤205，对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，在第二预定区域形成第一栅极，在第三预定区域形成第二栅极，第一栅极和第二栅极的侧壁垂直于衬底。

其中，第二预定区域和第三预定区域是至少两个栅极所对应的区域。可选的，参考图6和图7，可通过湿法刻蚀工艺对除第二预定区域和第二预定区域的其它区域的栅氧化层进行去除，直至其它区域的衬底310暴露，从而形成第一栅极321和第二栅极322；可选的，该湿法刻蚀工艺的反应溶液包括氢氟酸。其中，第一栅极321和第二栅极322的侧壁垂直于衬底310，第一栅极321和第二栅极322的间距d2小于相关技术中提供的nldmos器件100的栅极之间的间距d1。

步骤206，对衬底进行sd离子注入，在第一栅极和所述第二栅极两侧的衬底依次形成源极、漏极和源极。

示例性的，参考图8，对衬底进行sd注入后，形成源极331、漏极332以及源极333。可选的，“对衬底进行sd离子注入”包括：对第一栅极321和第二栅极322两侧的衬底进行n型重掺杂离子注入。

步骤207，在源极、漏极和源极上依次形成接触孔和引线。

示例性的，参考图8，在源极331、漏极332以及源极333上依次形成接触孔341、342、343，以及引线344、345、346。可选的，第一栅极321和第二栅极322之间的间距与第一栅极321和第二栅极322之间区域上方的引线345的宽度的差值△d小于100埃。

综上所述，本实施例中，通过在衬底上形成栅氧化层，对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除，在衬底和第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层，对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除，从而在第二预定区域形成第一栅极，在第三预定区域形成第二栅极，由于形成的第一栅极和第二栅极的侧壁垂直于衬底，因此能够缩小第一栅极和第二栅极之间的间距，提高了nldmos器件的集成度。

实施例2：

参考实施例1和图4，实施例2和实施例1的区别在于：步骤203中“对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除”包括：在栅氧化层上涂布光刻胶；对光刻胶除第一预定区域的其它区域进行曝光；对光刻胶进行显影，去除其它区域的光刻胶；对其它区域的栅氧化层进行刻蚀去除。可选的，该刻蚀去除包括通过湿法刻蚀工艺对其它区域的栅氧化层进行去除，直至其它区域的衬底暴露；可选的，该湿法刻蚀的反应溶液包括氢氟酸。

实施例3：

参考实施例1、实施例2、图6和图7，实施例3和上述实施例的区别在于：步骤205中“对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域的栅氧化层和多晶硅层进行去除”包括：对光刻胶除第二预定区域和所述第三预定区域的其它区域进行曝光；对光刻胶进行显影，去除其它区域的光刻胶；对其它区域的多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀去除。可选的，该刻蚀去除包括通过湿法刻蚀工艺对其它区域的多晶硅层和栅氧化层进行去除，直至其它区域的衬底暴露；可选的，该湿法刻蚀的反应溶液包括氢氟酸。

实施例4：

参考图8，本申请实施例提供了一种nldmos器件，包括：

衬底310；形成于衬底上的第一栅极321和第二栅极322，第一栅极321和第二栅极322的侧壁垂直于衬底310；第一栅极321和第二栅极322两侧的衬底依次形成有源极331、漏极332和源极333；源极331、漏极332和源极333上依次形成有接触孔341、342、343，以及引线344、345、346。

可选的，本实施例中，第一栅极321和第二栅极322之间的间距与第一栅极321和第二栅极322之间区域上方的引线345的宽度的差值△d小于100埃。

可选的，本实施例中，第一栅极321和第二栅极322的外周侧形成有sti结构301。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。