有机发光二极管显示器的制作方法

本申请要求于2019年1月9日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0002678号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

本公开涉及一种有机发光二极管显示器，详细地，涉及一种应用到有机发光二极管显示器的像素的电压线。

背景技术：

显示装置是显示图像的装置，近来，有机发光二极管显示器已经受到关注。

由于与液晶显示装置不同，有机发光二极管显示器具有自发射特性并且不需要单独的光源，因此能够减小有机发光二极管显示器的厚度和重量。此外，有机发光二极管显示器具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。

有机发光二极管(oled)显示器与液晶显示装置相比具有复杂的像素结构，许多布线连接到每个像素，使得围绕显示区域的外围区域的布线结构相对复杂。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对发明的背景的理解，因此它可能包含不构成对于本领域普通技术人员而言在该国已经知道的现有技术的信息。

技术实现要素：

示例性实施例旨在具有与现有技术相比相同或较小的寄生电容，该寄生电容在设置在扇出区域中的多条信号线与施加驱动低电压elvss或驱动电压elvdd的布线叠置时发生。另外，示例性实施例旨在使驱动电压elvdd和驱动低电压elvss的电压降最小化。

根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：数据布线，包括设置在显示区域中的数据线和设置在外围区域中的第一数据线；驱动电压布线，包括设置在显示区域中的驱动电压线和设置在外围区域中并沿第一方向延伸的第一驱动电压线；以及驱动低电压布线，包括覆盖显示区域并形成到外围区域的阴极和连接到阴极并设置在外围区域中的第一驱动低电压连接部分，其中，第一驱动低电压连接部分包括第一部分和与第一部分相比具有不同宽度的第二部分。

第一驱动低电压连接部分可以包括布线部分和设置在其两侧处的垫部分，布线部分包括具有所述不同宽度的部分。

第一驱动低电压连接部分的布线部分可以具有三角形形状。

第一驱动低电压连接部分的布线部分可以包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分。

还可以包括设置在外围区域中并且与第一驱动低电压连接部分叠置的第一附加金属层，并且第一附加金属层可以电连接到第一驱动低电压连接部分。

第一附加金属层可以设置在半导体层下方。

第一驱动电压线还可以包括电连接到一侧的垫部分。

第一驱动电压线和驱动电压线可以形成在同一层上。

还可以包括设置在外围区域中并且与第一驱动电压线叠置的第二附加金属层，并且第二附加金属层可以电连接到第一驱动电压线。

第二附加金属层可以设置在半导体层下方。

第一数据线可以形成在栅极导电层中。

根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：数据布线，包括设置在显示区域中的数据线和设置在外围区域中的第一数据线；驱动电压布线，包括设置在显示区域中的驱动电压线和设置在外围区域中并且包括沿第一方向延伸的连接部分的第一驱动电压线；以及驱动低电压布线，包括设置在显示区域中的阴极和连接到阴极并设置在外围区域中的第一驱动低电压连接部分，其中，第一驱动电压线和第一驱动低电压连接部分中的至少一个连接到附加金属层，并且附加金属层设置在外围区域中并且具有比连接到附加金属层的第一驱动电压线和第一驱动低电压连接部分中的所述至少一个低的电阻。

连接到第一驱动低电压连接部分的附加金属层可以是第一附加金属层，并且第一附加金属层可以包括具有不同宽度的部分。

第一附加金属层可以具有三角形形状。

第一附加金属层可以包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分。

第一驱动低电压连接部分可以包括设置在其两侧上的垫部分。

第一驱动低电压连接部分的连接部分可以具有直的形状。

第一驱动电压线可以具有在第一方向上延伸并与其电连接的垫部分。

第一驱动电压线和驱动电压线可以形成在同一层上。

第一数据线可以形成在栅极导电层中。

根据示例性实施例的有机发光二极管显示器包括：数据布线，包括设置在外围区域中的第一数据线和第二数据线，其中，第一数据线比第二数据线长；驱动电压布线，包括设置在显示区域中的驱动电压线和设置在外围区域中并沿第一方向延伸的第一驱动电压线；以及驱动低电压布线，包括覆盖显示区域并形成到外围区域的阴极和连接到阴极并设置在外围区域中的第一驱动低电压连接部分，其中，第一驱动低电压连接部分的与第一数据线叠置的第一部分比第一驱动低电压连接部分的与第二数据线叠置的第二部分小。

在一些示例中，在上述有机发光二极管显示器中，通过使第一驱动低电压连接部分的第一部分比第一驱动低电压连接部分的第二部分小，使得第一数据线的寄生电容基本等于第二数据线的寄生电容。

根据示例性实施例，设置在扇出区域中的多条信号线与被施加驱动低电压(elvss)或驱动电压(elvdd)的布线叠置时所产生的寄生电容与现有技术相比相同或较小。此外，当施加驱动电压elvdd和驱动低电压elvss时，可能发生相对低的电压降。

附图说明

图1是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的布局图。

图2是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图。

图3是沿着图2的线iii-iii截取的剖视图。

图4是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图。

图5是沿着图4的线v-v'、v'-v”和v-v”'截取的剖视图。

图6和图7是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图。

图8是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的电路图。

图9和图10是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照其中示出了发明的示例性实施例的附图来更全面地描述本发明。如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。

省略了与本发明无关的部件的描述，并且在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。

此外，由于为了更好地理解和易于描述，任意地给出了在附图中所示组成构件的尺寸和厚度，因此本发明不限于图示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，夸大了一些层和区域的厚度。

将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。此外，在说明书中，词语“在……上”或“在……上方”意味着位于目标部分上或下，而不必意味着基于重力方向位于目标部分的上侧上。

另外，除非有相反的明确描述，否则词语“包括”及其变型将被理解为意指包括所陈述的元件，而不是排除任何其它元件。

此外，在说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面上”意味着从侧面观看目标部分被竖直切割的剖面。

现在，参照图1描述有机发光二极管显示器的结构。

图1是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的布局图。

根据本示例性实施例的有机发光二极管显示器包括其中形成有像素px的显示面板100、其中形成有电压施加单元310和320的印刷电路板(pcb)300以及将显示面板100和印刷电路板(pcb)300连接并且形成有驱动芯片250的柔性印刷电路基底200。

显示面板100包括其中形成像素px以显示图像的显示区域110以及围绕显示区域110并且包括扇出区域的外围区域120。

被施加数据电压的数据线171、被施加驱动电压elvdd的驱动电压线181和被施加驱动低电压elvss的驱动低电压线182连接到形成在显示区域110中的像素px。这里，驱动低电压线182可以是具有完全覆盖显示区域110的一体结构的阴极410。此外，像素px被施加有初始化电压并且还连接到检测信号线173和检测信号线延伸部分173'，检测信号线173和检测信号线延伸部分173'在初始化电压未被施加时感测像素px中特定节点的电压。

连接到像素px的信号线可以包括各种其它线，并且它们在图1中被省略。在图8至图10中详细示出了根据示例性实施例的像素px。

在图1中，关于像素px，数据线171设置在左侧上，驱动电压线181设置在右侧上，并且驱动低电压线182在像素px上方穿过，然而，本发明不限于此。另一方面，检测信号线173和检测信号线延伸部分173'不是针对每列的像素px形成的，一条纵向检测信号线173是针对多个像素px的每列形成的并且通过沿水平方向延伸的检测信号线延伸部分173'连接到多个像素px。在本示例性实施例中，针对每三个像素px列形成一条纵向检测信号线173，并且通过检测信号线延伸部分173'连接三个像素px和纵向检测信号线173。此外，根据示例性实施例，可以不针对每个像素px列形成驱动电压线181。

在显示面板100的外围区域120中，形成连接到数据线171的外围数据线171-1(在下文中，被称为第一数据线)、连接到纵向检测信号线173的外围检测信号线173-1、连接到驱动电压线181的外围驱动电压线181-1(在下文中，被称为第一驱动电压线)以及连接到驱动低电压线182的外围驱动低电压连接部分182-1(在下文中，被称为第一驱动低电压连接部分)。

外围数据线171-1和外围检测信号线173-1构成其中它们在外围区域120的扇出区域中从两侧聚集的结构。该结构使得来自单个驱动芯片250的信号能够被施加在预定区域中，外围数据线171-1和外围检测信号线173-1具有其中它们在被弯曲(弯折)的同时朝向扇出区域的中心聚集的结构。因此，设置在外围数据线171-1和外围检测信号线173-1的端部处的垫(pad，又称“焊盘”、“焊垫”)可以设置为聚集在驱动芯片250附近。另外，外围数据线171-1和外围检测信号线173-1由于弯曲结构而形成有不同的长度。结果，外围数据线171-1可以具有不同的电阻。为了消除电阻值的差异，外围数据线171-1还可以包括用于形成附加电阻器以具有预定电阻的部分(未示出)。与外围数据线171-1一样，每条外围检测信号线173-1还可以包括形成附加电阻的部分(未示出)。在显示区域110中数据线171和检测信号线173形成在其中的导电层(在本示例性实施例中，数据导电层)与在外围区域120中外围数据线171-1和外围检测信号线173-1形成在其中的导电层(在本示例性实施例中，栅极导电层)可以是不同的导电层。

外围驱动电压线181-1沿水平方向延伸，并且具有包括用于连接多条驱动电压线181的连接线的结构。外围驱动电压线181-1的连接线可以一体地形成在整个外围区域120中，从而具有将所有驱动电压线181与一条连接线连接的结构。然而，根据典型实施例，可以形成外围驱动电压线181-1的多条连接线使得一条连接线可以连接到驱动电压线181中的仅一些。

另一方面，形成多个外围驱动低电压连接部分182-1并且多个外围驱动低电压连接部分182-1彼此分开。尽管图1示出了在一个水平方向上延伸的布线结构，图2示出了每个分开的连接部分可以通过阴极410连接以被连接在电路结构中。即，每个分开的外围驱动低电压连接部分182-1连接到覆盖显示区域110的阴极410的驱动低电压线182。阴极410不仅完全覆盖显示区域110，而且也部分地形成在外围区域120中并且在外围区域120处连接到外围驱动低电压连接部分182-1。施加到外围驱动低电压连接部分182-1的驱动低电压elvss被传输到阴极410，将驱动低电压elvss施加到阴极410的部分可以具有多个位置。

在外围区域120中形成的外围数据线171-1可以形成在与外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1不同的导电层中，从而在布局图中具有叠置结构。相反，外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1可以形成在同一导电层上，从而在布局图中具有分开的结构。外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1与驱动电压线181形成在同一导电层(在本实施例中的数据导电层)中。

设置在显示区域110中的数据线171和设置在外围区域120中的外围数据线171-1在下文中也被称为数据布线。

设置在显示区域110中的驱动电压线181和设置在外围区域120中的外围驱动电压线181-1在下文中也被称为驱动电压布线。

覆盖显示区域110并形成到外围区域120的阴极410和设置在外围区域120中的外围驱动低电压连接部分182-1在下文中也被称为驱动低电压布线。这里，驱动低电压布线可以包括驱动低电压线182。

柔性印刷电路基底200包括将数据电压施加到数据线171的驱动芯片250以及将信号传输到驱动芯片250的输入布线2171和从驱动芯片250输出数据电压的输出布线1171-1。

输出布线1171-1连接到设置在外围区域120中的外围数据线171-1。输入布线2171具有接收来自印刷电路板(pcb)300侧的信号的结构。

另一方面，在柔性印刷电路基底200中，还包括施加驱动电压elvdd的驱动电压传输线1181和施加驱动低电压elvss的驱动低电压传输线1182。

驱动电压传输线1181连接到外围区域120的外围驱动电压线181-1，并且驱动低电压传输线1182连接到外围区域120的外围驱动低电压连接部分182-1。

印刷电路板(pcb)300包括产生并传输驱动电压elvdd的驱动电压施加单元310以及产生并传输驱动低电压elvss的驱动低电压施加单元320。印刷电路板(pcb)300包括连接到驱动电压施加单元310的驱动电压输出线2181。驱动电压输出线2181连接到柔性印刷电路基底200的驱动电压传输线1181。结果，驱动电压elvdd被传输到显示面板100。印刷电路板(pcb)300还包括连接到驱动低电压施加单元320的驱动低电压输出线2182。驱动低电压输出线2182连接到柔性印刷电路基底200的驱动低电压传输线1182。结果，驱动低电压elvss被传输到显示面板100。

印刷电路板(pcb)300还可以包括图像驱动器，图像驱动器用于将从外部施加的图像信号进行划分并将图像信号传递到设置在柔性印刷电路基底200上的每个驱动芯片250。图像驱动器通过图像信号传输线连接到柔性印刷电路基底200的输入布线2171。结果，图像信号被传输到驱动芯片250。

在上述有机发光二极管显示器中，外围区域120的结构通过图2和图3来详细描述。

图2是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图，图3是沿着图2的线iii-iii截取的剖视图。

图2示出了设置在显示面板100的下部处的外围区域120，将关注外围数据线171-1所聚集的一个扇出区域。

首先，每条数据线171具有这样的结构：在显示区域110中沿竖直方向延伸，在外围区域120中连接到外围数据线171-1，并且在扇出区域中弯曲以聚集到扇出区域的中心。

不同的外围数据线171-1被不同地弯曲。例如，在扇出区域中心附近的外围数据线171-1可以具有基本较小的弯度(或者根本没有弯度)，而在扇出区域的边缘附近的外围数据线171-1可以具有基本较大的弯度(即，以较大的角度弯曲、在改变后的方向上持续较大的长度、或者两者都有)。这导致不同的外围数据线171-1具有不同的总长度，结果，具有诸如电阻或寄生电容的不同的电特性。

因此，可以构造补偿部分以减小不同的外围数据线171-1的电特性的差异(例如，包括下面描述的外围驱动低电压连接部分182-1的结构)。补偿部分可以通过使不同的外围数据线171-1叠置不同的量来实现这种均衡效果。即，当不同电位处的两个导体彼此靠近时，它们受到彼此的电场的影响并且与电容器一样存储相反的电荷。因此，外围数据线171-1与补偿部分(即，包括外围驱动低电压连接部分182-1的结构)的接近会导致寄生电容，该寄生电容随着两个元件之间的叠置的长度而增大。因此，对于不同的外围数据线171-1使叠置的长度不同可以减小或消除由扇出结构(即，外围数据线171-1的不同弯曲)引起的寄生电容的差异。结果，可以更有效地同步经过不同的外围数据线171-1的信号，这可以带来显示器的改善的性能。

参照图3，外围数据线171-1形成在其中形成有栅极线的层(栅极导电层)中，而不是其中形成有数据线171的层(数据导电层)中。结果，每条数据线171具有穿过显示区域110、在数据导电层中形成到外围区域120的部分区域并且通过接触结构电连接到形成在栅极导电层中的外围数据线171-1的结构。这里，栅极导电层形成为比数据导电层更靠近半导体层，并且具有远离阳极层和阴极层设置的位置。

外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1形成在外围区域120的数据导电层中。由于外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1形成在同一层上，因此在平面图中它们彼此分开。

换言之，栅极导电层是外围数据线171-1形成在其中的层，并且数据导电层是外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1形成在其中的层。

设置在外围区域120中的外围驱动电压线181-1沿水平方向(第一方向)延伸，并且包括在向下方向上突出以被电连接的垫部分。外围驱动电压线181-1的垫部分设置在相邻的扇出区域之间。外围驱动电压线181-1的垫部分连接到柔性印刷电路基底200的驱动电压传输线1181以接收驱动电压elvdd。传输到外围驱动电压线181-1的驱动电压elvdd然后被传输到驱动电压线181。随着从外围驱动电压线181-1突出的垫部分的数量增加，驱动电压elvdd具有在显示区域110中恒定的特性。由于驱动电压线181形成在数据导电层上并且外围驱动电压线181-1形成在数据导电层上，因此驱动电压线181和外围驱动电压线181-1可以具有它们直接连接的整体结构而无需单独的接触结构。

设置在外围区域120中的外围驱动低电压连接部分182-1具有多个分开的结构。在一个连接部分中，垫部分设置在两侧上并且形成连接两个垫部分的布线部分。即，外围驱动电压线181-1具有通过连接线作为整体连接的结构，但是外围驱动低电压连接部分182-1具有多个分开的连接部分。

另外，外围驱动低电压连接部分182-1的布线部分具有其中宽度朝向扇出区域的中心而增大的结构。这种结构使得由于外围驱动低电压连接部分182-1而在外围数据线171-1和外围检测信号线173-1中产生的寄生电容对于所有的外围数据线171-1和外围检测信号线173-1是恒定的或几乎恒定的。这种结构(等电容结构)减小或消除了由数据线171由于外围数据线171-1而在扇出区域中可能具有差分寄生电容的事实所导致的信号延迟的差异。另外，可以减小或去除由于外围检测信号线173-1而在扇出区域中可能具有差分寄生电容的检测信号线173所导致的信号延迟的差异。

在扇出区域的边缘上，外围驱动低电压连接部分182-1的布线部分具有窄的宽度h2，以仅与布线(即，外围数据线171-1和外围检测信号线173-1的布线)稍微叠置。在扇出区域的中心处，外围驱动低电压连接部分182-1的布线部分具有宽的宽度h1，以被大部分叠置。结果，所有的外围数据线171-1和外围检测信号线173-1具有相同或几乎相同的寄生电容。

如果根据本发明的示例性实施例的等电容结构与具有等电阻的外围数据线171-1的结构一起使用，则能够使在外围数据线171-1中产生的rc延迟值保持恒定或几乎恒定。结果，在所有数据线171中产生的rc延迟值变得相同，从而没有由于每条布线产生的延迟差异而出现问题。

另外，在所有的外围检测信号线173-1中，通过与外围驱动低电压连接部分182-1的布线部分叠置而产生的寄生电容相同或几乎相同。另外，外围检测信号线173-1可以包括具有诸如外围数据线171-1的相等电阻的相等电阻的结构。

每个外围驱动低电压连接部分182-1在外围区域120中形成与驱动低电压线182接触的接触结构。即，驱动低电压线182形成为覆盖显示区域110的区域的阴极410，并且阴极410延伸到外围区域120。此外，由于扇出区域中的外围驱动低电压连接部分182-1由数据导电层形成，因此它可以通过开口405电连接到位于其上的阴极410。

在一些实施例中，阴极410不仅覆盖显示区域110的区域，而且还形成在外围区域120中，并且根据图2中所示的实施例，阴极410覆盖外围驱动低电压连接部分182-1和外围驱动电压线181-1。然而，根据示例性实施例，阴极410可以具有仅与外围驱动低电压连接部分182-1或外围驱动电压线181-1的一部分叠置的结构。

图3通过剖视图示出了某些布线的位置关系。

根据图3，缓冲层11堆叠在基底10上。基底10可以是玻璃基底或诸如塑料的柔性基底。金属层可以形成在基底10上，但是在图3的剖视图中，未示出金属层。另外，半导体层形成在缓冲层11上，尽管半导体层可以不形成在外围区域120中。栅极绝缘层12堆叠在缓冲层11上。栅极导电层形成在栅极绝缘层12上，并且外围数据线171-1形成在外围区域120中。覆盖外围数据线171-1和栅极绝缘层12的层间绝缘层14堆叠在外围数据线171-1和栅极绝缘层12上。根据示例性实施例，用于构造像素px的层可以包括第二栅极导电层。在这种情况下，第二栅极绝缘层(未示出)还可以形成在层间绝缘层14与栅极绝缘层12之间。另外，根据示例性实施例，外围数据线171-1可以由第二栅极导电层形成。

数据导电层形成在层间绝缘层14上，并且外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1形成在外围区域120中。由于显示区域110的驱动电压线181形成在数据导电层中，所以外围驱动电压线181-1可以具有直接连接的结构。

覆盖外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1的有机绝缘体15形成在外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1上。阳极层可以形成在有机绝缘体15上。覆盖有机绝缘体15的分隔件20形成在有机绝缘体15上。阴极410形成在分隔件20上，并且阴极410和外围驱动低电压连接部分182-1通过形成在有机绝缘体15和分隔件20中的开口405电连接。

在上文中，描述了具有等电容结构的示例性实施例，该等电容结构由其中外围驱动低电压连接部分182-1的宽度逐渐改变的结构形成。该结构在下文中也被称为三角形结构或三角形形状。参照图2，由于连接到垫部分的部分具有窄的宽度h2，因此外围驱动低电压连接部分182-1的布线部分的结构具有三角形形状，并且为了方便，在本说明书中，该结构有时被称为三角形。

在下文中，除了等电容结构，描述通过在外围区域120中另外形成的布线而形成为具有低电阻的外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1的结构。

图4是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图，图5是沿着图4的线v-v'、v'-v”和v-v”'截取的剖视图。

参照图4和图5，与图3相比，附加金属层c1和c2可以形成在基底10与缓冲层11之间。附加金属层c1和c2中的每个具有分别与外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1叠置并且电连接到外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1的结构，但本发明不限于此，外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1中的至少一个可以连接到附加金属层c1/c2。

图4示出了开口oc1，该开口oc1可以指在例如缓冲层11、栅极绝缘层12和层间绝缘层14中的开口，使得数据导电层中的布线可以与附加金属层c1连接。

具体地，外围驱动电压线181-1形成在数据导电层中，并且连接到形成在缓冲层11下方的金属层中的附加金属层c1，以减小总电阻。即，设置在数据导电层中的外围驱动电压线181-1与附加金属层c1通过开口oc1电连接，并且附加金属层c1可以形成为具有比数据导电层低的电阻，从而减小了整个电阻。

图4与图2的不同之处还在于：图4示出了其中外围驱动低电压连接部分182-1可以通过开口oc2连接到附加金属层c2的实施例。在所示的示例中，开口oc2位于扇出结构的边缘处。即，外围驱动低电压连接部分182-1连接到形成在缓冲层11下方的金属层中的附加金属层c2，以减小总电阻。即，设置在数据导电层中的外围驱动低电压连接部分182-1与附加金属层c2通过开口oc2电连接，附加金属层c2可以形成为具有比数据导电层低的电阻，从而减小了整个电阻。由图4所示的实施例中，不同于外围驱动低电压连接部分182-1(其具有三角形结构)的结构，附加金属层c2具有四边形结构。然而，根据示例性实施例，附加金属层c2也可以具有与外围驱动低电压连接部分182-1的结构一样其中宽度逐渐改变的结构(即三角形形状)。参照图6对此进行描述。

图6是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图。

在图6中，外围驱动低电压连接部分182-1具有四边形结构，并且附加金属层c2具有三角形结构。

换言之，图4示出了其中外围驱动低电压连接部分182-1具有三角形结构并且附加金属层c2具有矩形(或四边形)结构的实施例，而在图6中，所述结构被翻转，使得外围驱动低电压连接部分182-1具有四边形结构，并且附加金属层c2具有三角形结构。

然而，在两幅图中，外围驱动低电压连接部分182-1形成在数据导电层中以及附加金属层c2形成在设置在基底10上的金属层中的方面是相同的。

在图4的结构和图6的结构中，电容结构描述如下。

用于施加驱动低电压elvss的布线(例如，外围驱动低电压连接部分182-1和附加金属层c2)形成在外围数据线171-1和外围检测信号线173-1的上方和下方。由于外围驱动低电压连接部分182-1或附加金属层c2具有三角形结构，所以基于叠置区域产生寄生电容，因此在与外围数据线171-1或外围检测信号线173-1中的每个叠置的区域中存在差异。当外围数据线171-1或外围检测信号线173-1的长度长时，叠置区域小，当所述长度短时，叠置区域大，使得整个寄生电容形成为在外围数据线171-1或外围检测信号线173-1中是均匀的。

根据示例性实施例，外围驱动低电压连接部分182-1和附加金属层c2可以都具有其中宽度逐渐改变的结构(例如，三角形形状)。在这种情况下，与图4和图6的示例性实施例相比，在叠置的低电压层之间的宽度差会是小的。

根据示例性实施例，在外围数据线171-1和外围检测信号线173-1中产生的寄生电容可能不是完全恒定的，并且该差异可以产生在不因寄生电容的差而出现问题的范围中。

参照图7描述其中在外围数据线171-1和外围检测信号线173-1中产生的寄生电容不恒定的示例结构。

图7是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的外围区域的放大图。除了外围驱动低电压连接部分182-1的形状之外，图7中所示的实施例与图2的实施例相似。例如，图7中所示的实施例不包括如在图4和图6中所示的附加金属层c1或c2。然而，这不是对本发明构思的限制。

在图7中，外围驱动低电压连接部分182-1不具有三角形结构，而是由具有两种彼此不同的宽度(即，h3和h4)的不同部分的结构形成。具有厚的宽度h3的部分设置在扇出区域的中心部分上，并且具有薄的宽度h4的部分设置在扇出区域的两侧上。结果，图7中所示的实施例与前面的示例性实施例的相似之处在于，当外围数据线171-1的长度长时，叠置区域(即，在外围驱动低电压连接部分182-1与外围数据线171-1之间的叠置区域)小，而当所述长度短时，叠置区域大，然而，不同之处在于外围驱动低电压连接部分182-1的宽度不是逐渐增大。仍然，根据图7的示例性实施例，可以减小由于外围数据线171-1和外围检测信号线173-1引起的寄生电容的差异。根据其它示例性实施例，外围驱动低电压连接部分182-1的宽度可以形成为具有三种或更多种不同的宽度，而不是形成为具有如图7中所示的两种宽度。在示例实施例中，最厚的宽度可以设置在扇出区域的中心部分处，并且较薄的部分朝向两侧设置。

在一些实施例中，图7的示例性实施例不包括附加金属层c1和c2，然而它可以与图4中一样具有附加金属层c1和c2。另外，如图6中所示的附加金属层c2可以具有图7的等电容结构。类似地，外围驱动低电压连接部分182-1可以呈具有恒定宽度的结构。

在上述示例性实施例中，主要描述了其中显示面板100通过下部分连接到柔性印刷电路基底200的结构。另外地或可选择地，扇出区域可以形成在显示面板100的上部分处。

外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1可以形成在外围区域120的其中未形成有扇出区域的部分中。外围驱动低电压连接部分182-1可以在对应的部分中具有等电容结构。

在下文中，通过图8的电路图描述在示例性实施例中所描述的像素的结构。

图8是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的电路图。

根据本示例性实施例的像素px包括三个晶体管t1、t2和t3、一个有机发光二极管oled以及两个电容器cst和coled。另外，信号线包括栅极线sc、前一栅极线ss、数据线data、驱动电压线、检测信号线sl/int和驱动低电压线。检测信号线sl/int也用作用于施加初始化电压的初始化电压线。

根据图8的示例性实施例的像素px包括驱动晶体管t1、连接到栅极线sc的开关晶体管(即，第二晶体管t2)以及连接到前一栅极线ss的初始化晶体管(即，第三晶体管t3(在下文中，被称为感测晶体管))。第三晶体管t3可以连接到以与前一栅极线ss不同的时序施加栅极导通电压的信号线。

栅极线sc连接到栅极驱动器(未示出)以将扫描信号传输到第二晶体管t2，并且在水平方向上延伸。

前一栅极线ss连接到栅极驱动器，以将施加到设置在前一级的像素px的前一扫描信号传输到第三晶体管t3。前一栅极线ss与栅极线sc一样在水平方向上延伸。

数据线data(171)在竖直方向上延伸，并且是从驱动芯片250接收数据电压并将其传递到像素px的布线。

检测信号线sl/int也在竖直方向上延伸，可以针对多个像素px中的每个形成一条检测信号线sl/int。

驱动电压线181施加驱动电压elvdd，并且驱动低电压线182施加驱动低电压elvss。驱动电压线181在竖直方向上延伸。根据示例性实施例，通过还包括在水平方向上延伸的部分，驱动电压线181可以由网格结构形成。

驱动低电压线182可以形成为覆盖显示区域110的整个像素px的阴极410。然而，当阴极410由单板结构形成时，电压值的差异可以基于位置而发生。为了防止这一点，驱动低电压线182还可以包括包含在附加水平方向上延伸的部分和在竖直方向上延伸的部分的网格结构。

在下文中，描述多个晶体管。

首先，驱动晶体管t1是根据施加到栅电极的数据电压来调整电流输出的大小的晶体管，并且输出驱动电流被施加到有机发光二极管oled，使得有机发光二极管oled的亮度被控制。为了这个目的，驱动晶体管t1的第一电极(输入侧电极)设置为接收驱动电压elvdd，并且第二电极(输出侧电极)连接到有机发光二极管oled的阳极。另外，驱动晶体管t1的栅电极连接到第二晶体管t2的第二电极(输出侧电极)以接收数据电压。

另一方面，驱动晶体管t1的栅电极连接到存储电容器cst的一个电极。存储电容器cst确保传输到驱动晶体管t1的栅电极的数据电压保持一帧。因此，驱动晶体管t1的栅电极的电压基于存储在存储电容器cst中的电压而改变，并且从驱动晶体管t1输出的驱动电流被改变并且在一个帧期间恒定地输出。

另一方面，根据示例性实施例，驱动晶体管t1可以在其中设置有沟道的半导体层之下另外形成金属层m1。金属层m1与驱动晶体管t1的沟道和栅电极叠置，以改善驱动晶体管t1的性能并保持栅电极的电压。驱动晶体管t1的第二电极可以电连接到金属层m1，并且这是连接到阳极的电压的结构。然而，根据示例性实施例，驱动电压elvdd可以被传递到金属层m1。

第二晶体管t2(在下文中，被称为开关晶体管)是将数据电压接收到像素px中的晶体管。栅电极连接到栅极线sc，第一电极连接到数据线171，第二电极(输出侧电极)连接到驱动晶体管t1的栅电极。当第二晶体管t2根据通过栅极线sc传输的扫描信号而导通时，通过数据线171传输的数据电压被传递到驱动晶体管t1的栅电极并存储在存储电容器cst中。

第三晶体管t3(在下文中，被称为初始化晶体管或感测晶体管)用于初始化驱动晶体管t1的第二电极、存储电容器cst的一个电极和有机发光二极管oled的阳极。第三晶体管t3的栅电极连接到前一栅极线ss，并且第一电极连接到初始化电压线sl/int。第三晶体管t3的第二电极电连接到驱动晶体管t1的第二电极(输出侧电极)，结果也连接到有机发光二极管oled的阳极。

检测信号线sl/int用于感测连接到第三晶体管t3的第二电极的阳极的电压，或者根据该时段传输初始化电压。结果，第三晶体管t3被称为感测晶体管。

描述第三晶体管t3的操作。有机发光二极管oled发光时(发光时段)的阳极的电压被施加在存储电容器cst的一个电极上。在这种情况下，数据电压被施加到存储电容器cst的另一个电极。当栅极导通电压被施加到第三晶体管t3的栅电极时，检测信号线173也作为初始化电压线来工作，使得阳极的电压通过感测线传输到感测单元(未示出)。在下文中，这被称为检测时段。然后，在其中栅极导通电压被施加到第三晶体管t3的栅电极的时段之中的其余时段中，检测信号线173施加初始化电压vint以初始化阳极的电压。在下文中，这被称为初始化时段。

如果在感测时段中感测到的电压不同于基于被施加的数据电压所确定的预期的阳极电压，则可以修改数据电压并将其提供给像素px。换言之，可以改变驱动晶体管t1的状态，并且可以感测驱动晶体管t1的状态，从而有机发光二极管oled可以通过感测与其对应的数据电压来正常发光。

有机发光二极管oled的阳极电压通过两个电容器cst和coled得以存储并且保持持续一帧。

根据其它实施例，可以使用除了图8中所示的像素px之外的像素。

具有与图8一样的电路结构的像素px可以同时形成具有与图9和图10一样的各种层结构。

首先，描述图9的结构。

图9是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的剖视图。

图9的剖视图主要示出了图8中的驱动晶体管t1、存储电容器cst和有机发光二极管oled。

金属层m1形成在基底10上，缓冲层11堆叠在金属层m1和基底10上。

半导体层(s1、ch和s2)形成在缓冲层11上。半导体层(s1、ch和s2)包括驱动晶体管t1的第一区域s1、沟道区域ch和第二区域s2。栅极绝缘层12形成在半导体层(s1、ch和s2)上。

栅极导电层形成在栅极绝缘层12上，在图9中示出了栅电极gate和存储电容器cst的第一电极cap-1。栅极绝缘层12仅设置在栅电极gate和存储电容器cst的第一电极cap-1下面。

覆盖存储电容器cst的第一电极cap-1和栅极绝缘层12的第二栅极绝缘层13设置在其上。第二栅极导电层设置在第二栅极绝缘层13上，图9示出了电连接到驱动晶体管t1的每个电极和存储电容器cst的第二电极cap-2的连接电极s1-1、s2-1和gate-1。在连接电极之中，连接到驱动晶体管t1的第二电极的输出侧连接电极s2-1也电连接到金属层m1。存储电容器cst由第一电极cap-1、第二电极cap-2以及设置在第一电极cap-1与第二电极cap-2之间的第二栅极绝缘层13形成。

第二栅极导电层被层间绝缘层14覆盖。

数据导电层形成在层间绝缘层14上，在图9中，形成有将驱动电压elvdd传输到驱动晶体管t1的第一电极的驱动电压线181、驱动晶体管t1的连接到输出侧连接电极s2-1的输出电极dd以及设置在外围区域120中的外围驱动低电压连接部分182-1。驱动晶体管t1的输出电极dd也连接到存储电容器cst的第二电极cap-2。

数据导电层被有机绝缘体15覆盖。阳极形成在有机绝缘体15上，并且阳极还连接到驱动晶体管t1的输出电极dd以接收驱动晶体管t1的输出。

分隔件20设置在阳极上，分隔件20被开口，并且有机发射层ol设置在其中使阳极暴露的部分中。阴极410设置在有机发射层ol和分隔件20上。

阴极410连接到通过设置在分隔件20和有机绝缘体15中的开口暴露的外围低电压连接部分182-1，并且接收驱动低电压elvss。

图9的示例性实施例具有金属层、半导体层、栅极导电层、第二栅极导电层、数据导电层、阳极层和阴极层。然而，这种层结构可以对于每个示例性实施例改变，在图10中示出了另一示例性实施例。

图10是根据示例性实施例的有机发光二极管显示器的像素的剖视图。

金属层m1形成在基底10上，缓冲层11堆叠在金属层m1和基底10上。

半导体层(s1、ch和s2)形成在缓冲层11上。半导体层(s1、ch和s2)包括驱动晶体管t1的第一区域s1、沟道区域ch和第二区域s2。栅极绝缘层12形成在半导体层(s1、ch和s2)上。

栅极导电层形成在栅极绝缘层12上，图10示出了栅电极gate和存储电容器cst的第一电极cap-1。栅极绝缘层12仅设置在栅电极gate和存储电容器cst的第一电极cap-1下面。

覆盖存储电容器cst的第一电极cap-1和栅极绝缘层12的层间绝缘层14形成在其上。

数据导电层形成在层间绝缘层14上。在图10中，将驱动电压elvdd传输到驱动晶体管t1的第一电极的驱动电压线181、驱动晶体管t1的输出电极dd、设置在外围区域120中的外围驱动低电压连接部分182-1以及存储电容器cst的第二电极cap-2形成在数据导电层中。驱动晶体管t1的输出电极dd连接到金属层m1。另外，尽管在图10中未示出，但是驱动晶体管t1的输出电极dd也电连接到存储电容器cst的第二电极cap-2。

数据导电层被第二层间绝缘层14-1(也被称为钝化层)覆盖。第二层间绝缘层14-1具有使外围驱动低电压连接部分182-1暴露的开口，电连接到敞开的外围驱动低电压连接部分182-1的层间低电压连接部分c-pxl形成在第二层间绝缘层14-1上。形成在第二层间绝缘层14-1上的层被称为第二数据导电层(根据示例性实施例也被称为像素电极层)。

覆盖第二数据导电层的有机绝缘体15形成在第二数据导电层上。阳极形成在有机绝缘体15上，并且阳极连接到驱动晶体管t1的输出电极dd以接收驱动晶体管t1的输出。

分隔件20设置在阳极上，有机发射层ol设置在分隔件20被开口且使阳极暴露的部分中。阴极410设置在有机发射层ol和分隔件20上。

阴极410连接到被设置在分隔件20和有机绝缘体15中的开口暴露的层间低电压连接部分c-pxl，从而接收来自外围驱动低电压连接部分182-1的驱动低电压elvss。

图10的示例性实施例具有金属层、半导体层、栅极导电层、数据导电层、第二数据导电层、阳极层和阴极层。

图9的示例性实施例和图10的示例性实施例通过第二栅极导电层的存在或不存在与第二数据导电层的存在或不存在来区分。

与图9和图10一样，随着形成每个像素px的层结构变化，图2至图7的结构可以由不同的层构成。

即，在图2至图7中，栅极导电层被描述为其中形成有外围数据线171-1的层，并且数据导电层被描述为其中形成有外围驱动电压线181-1和外围驱动低电压连接部分182-1的层。另外，附加金属层c1和c2被描述为设置在半导体层下面的金属层。然而，层位置的各种组合是可以的。此外，栅极导电层可以由两个或更多个层形成，并且数据导电层可以由两个或更多个层形成，从而各种示例性实施例的组合是可以的。此外，也可以使用设置在数据导电层上的像素电极层。

尽管已经结合当前被认为是实际的示例性实施例描述了本发明，但是将理解的是，发明不限于所公开的实施例。相反，旨在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

<标号的描述>

100：显示面板

110：显示区域

120：外围区域

200：柔性印刷电路基底

250：驱动芯片

300：印刷电路板(pcb)

310：驱动电压施加单元

320：驱动低电压施加单元

10：基底

11：缓冲层

12：栅极绝缘层

13：第二栅极绝缘层

14：层间绝缘层

14-1：第二层间绝缘层

15：有机绝缘体

20：分隔件

171：数据线

2171：输出布线

171-1：外围数据线(第一数据线)

173：检测信号线

173'：检测信号线延伸部分

173-1：外围检测信号线

181：驱动电压线

1181：驱动电压传输线

1182：驱动低电压传输线

2181：驱动电压输出线

182：驱动低电压线

181-1：外围驱动电压线(第一驱动电压线)

182-1：外围驱动低电压连接部分(第一驱动低电压连接部分)

2182：驱动低电压输出线

405、oc1、oc2：开口

410：阴极

c1、c2：附加金属层

m1：金属层

ol：有机发射层

sc：栅极线

ss：前一栅极线

c-pxl：层间低电压连接部分